本发明涉及磁光光自旋霍尔效应,尤其涉及一种kretschmann结构及其角谱分量计算方法。
背景技术:
1、光自旋霍尔效应(photonic spin hall effect,pshe))是光子的自旋—轨道角动量耦合产生的现象。其原理为:当线偏振光束入射到非均匀介质内,在传播过程中由折射率梯度充当外场力,使光束自旋分裂为两束自旋相反的圆偏振光束,即左旋圆偏振光(lhcp)和右旋圆偏振光(rhcp),从而在垂直入射面处会产生很小横移。
2、现有入射光一般选用高斯光束,其最大pshe自旋横移在皮米量级,不便于观察。
技术实现思路
1、为解决上述问题,本发明提供一种kretschmann结构及其角谱分量计算方法,使用涡旋光束代替传统高斯光束为入射光,利用涡旋光束的光子具有螺旋轨道角动量的特性,实现对kretschmann结构的磁光光自旋霍尔效应的调控。
2、为实现上述目的,本发明提供了一种kretschmann结构,包括kretschmann结构本体、入射光源和反射光收集器,kretschmann结构本体包括由上到下依次设置的棱镜、多层石墨烯薄膜和二氧化硅衬底,kretschmann结构的上方和下方均设置有电磁线圈;
3、入射光源和反射光收集器分置于棱镜的两侧,用于向棱镜发射涡旋光束。
4、优选的,棱镜为低频太赫兹波段为0.1~2thz、介电常数为11.9、折射率为3.45的硅棱镜。
5、优选的,二氧化硅衬底的折射率为2.11。
6、一种kretschmann结构的角谱分量计算方法,包括以下步骤:
7、s1、计算线偏振涡旋光束的角谱分量
8、
9、式中,l表示入射光的轨道角动量;sl=sign(l),表示l的符号函数;ω0为束腰半径,kx和ky分别表示横向波数和纵向波束;
10、s2、通过平面波角谱分析法建立入射光束和反射光束角谱分量的联系:
11、
12、式中,表示反射光束的h偏振分量;表示反射光束的v偏振分量;表示入射光束的h偏振分量;表示入射光束的v偏振分量;r11、r12、r21、r22表示传输矩阵的各个分量;
13、且传输矩阵的各分量r11、r12、r21、r22计算公式如下:
14、
15、
16、
17、
18、式中,rpp表示p波入射时平行偏振分量的反射系数;rss表示s波入射时垂直偏振分量的反射系数;rsp表示p波入射时垂直偏振分量的交叉偏振反射系数;rps表示s波入射时平行偏振分量的交叉偏振反射系数;kry表示反射波矢的y分量;k0表示自由空间波数;θi表示入射角;
19、对公式(2)分解得到反射光束圆偏振角谱分量的解:
20、
21、其中,当入射光为h偏振光时,其v偏振光为0,即当入射光为v偏振光时,
22、s3、通过将线偏振分解为左旋圆偏振与右旋圆偏振叠加的形式,得到实际的左旋偏振角谱分量与右旋偏振角谱分量的计算表达式:
23、
24、
25、
26、
27、式中,表示左旋圆偏振光h分量;表示右旋圆偏振光h分量;表示左旋圆偏振光分量;表示右旋圆偏振光v分量。
28、本发明具有以下有益效果:
29、1、使用涡旋光束代替传统高斯光束为入射光,利用涡旋光束的光子具有螺旋轨道角动量的特性,实现对kretschmann结构的磁光光自旋霍尔效应的调控。
30、2、石墨烯薄膜在外加磁场下,磁感应强度的大小会影响石墨烯磁光效应的存在,更容易产生spr,从而可对pshe的横向分离有较大影响。
31、下面通过附图和实施例,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
1.一种kretschmann结构,其特征在于:包括kretschmann结构本体、入射光源和反射光收集器,kretschmann结构本体包括由上到下依次设置的棱镜、多层石墨烯薄膜和二氧化硅衬底,kretschmann结构的上方和下方均设置有电磁线圈;
2.根据权利要求1所述的一种kretschmann结构,其特征在于:棱镜为低频太赫兹波段为0.1~2thz、介电常数为11.9、折射率为3.45的硅棱镜。
3.根据权利要求1所述的一种kretschmann结构,其特征在于:二氧化硅衬底的折射率为2.11。
4.如上述权利要求1-3任一项所述的一种kretschmann结构的角谱分量计算方法,其特征在于:包括以下步骤: