一种防止光刻胶翘起的方法与流程

本申请涉及光刻工艺，具体而言，涉及一种防止光刻胶翘起的方法。

背景技术：

1、光刻工艺是实现集成电路和微电子器件制造的关键技术。光刻工艺能够将微细的电路结构转移到基材，从而形成具有特定功能的电子器件。传统的光刻工艺包含涂胶、曝光、显影三个主要加工步骤。具体的步骤包括：首先将光刻胶均匀地涂布在基材表面，再通过曝光机将光罩上的图案转移至光刻胶，最后通过显影，将光刻胶上需要去除的部分进行溶解。

2、在曝光的过程中，光刻胶上被照射到的区域会发生光化学反应，并生成反应气体。由于反应气体的产生，容易使得部分区域的光刻胶与基材表面分离，即在光刻胶和基材之间形成间隙。而后在显影过程中，由于显影液对间隙的冲洗，从而使得光刻胶的边缘容易发生翘起，对后续的刻蚀或离子注入工艺造成不良影响。

技术实现思路

1、本申请的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种防止光刻胶翘起的方法。

2、为实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

3、本申请实施例的一方面，提供一种防止光刻胶翘起的方法，方法包括：

4、在基片表面涂覆光刻胶；

5、对基片上的光刻胶进行曝光以形成相邻的曝光区域和非曝光区域，并且在非曝光区域内产生位于光刻胶和基片之间的反应气体；

6、将基片静置，以释放位于非曝光区域的反应气体；

7、对基片上的光刻胶进行曝光后烘烤；

8、对基片上的光刻胶进行显影，以溶解位于曝光区域的光刻胶。

9、可选地，将基片静置，以释放位于非曝光区域的反应气体包括：

10、将基片由曝光工位转移至静置工位，使基片于静置工位静置。

11、可选地，静置工位位于冷板。

12、可选地，基片的静置时间大于或等于40s。

13、可选地，基片的静置时间为40s-90s。

14、可选地，基片静置的环境温度为22°-24°。

15、可选地，在基片表面涂覆光刻胶包括：

16、在基片表面涂覆厚度大于或等于4.5um的光刻胶。

17、可选地，基片的静置环境为真空环境。

18、可选地，对基片上的光刻胶进行曝光以形成相邻的曝光区域和非曝光区域包括：

19、采用波长为365nm的光线对基片上的光刻胶进行曝光以形成相邻的曝光区域和非曝光区域。

20、可选地，在对基片上的光刻胶进行曝光以形成相邻的曝光区域和非曝光区域之前，方法还包括：

21、对基片上的光刻胶进行软烤。

22、本申请的有益效果包括：

23、本申请提供了一种防止光刻胶翘起的方法，方法包括：在基片表面涂覆光刻胶；对基片上的光刻胶进行曝光以形成相邻的曝光区域和非曝光区域，并且在非曝光区域内产生位于光刻胶和基片之间的反应气体；通过在基片上的光刻胶曝光结束后，使得基片静置一定时间，以便于在基片静置的过程中，将充斥于光刻胶和基片之间的反应气体进行释放，尤其是将位于非曝光区域的反应气体进行有效的释放。当反应气体被充分释放后，借助光刻胶的可形变特性以及重力的作用，使得非曝光区域的光刻胶能够重新附着于基片表面，减小或消除非曝光区域的光刻胶与基片表面形成的微小间隙。然后再对基片上的光刻胶进行曝光后烘烤。接着对基片上的光刻胶进行显影，从而溶解位于曝光区域的光刻胶。由于已经将位于非曝光区域的反应气体进行了充分的释放，从而消除了非曝光区域的光刻胶与基片表面形成的微小间隙，所以在显影过程中，显影液难以再通过微小间隙进入非曝光区域的光刻胶和基片表面之间，因此，能够有效改善非曝光区域的光刻胶翘起的现象，进而有利于后续刻蚀或离子注入工艺。

技术特征：

1.一种防止光刻胶翘起的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的防止光刻胶翘起的方法，其特征在于，所述将所述基片静置，以释放位于所述非曝光区域的反应气体包括：

3.如权利要求2所述的防止光刻胶翘起的方法，其特征在于，所述静置工位位于冷板。

4.如权利要求1至3任一项所述的防止光刻胶翘起的方法，其特征在于，所述基片的静置时间大于或等于40s。

5.如权利要求4所述的防止光刻胶翘起的方法，其特征在于，所述基片的静置时间为40s-90s。

6.如权利要求1至3任一项所述的防止光刻胶翘起的方法，其特征在于，所述基片静置的环境温度为22°-24°。

7.如权利要求1至3任一项所述的防止光刻胶翘起的方法，其特征在于，所述在基片表面涂覆光刻胶包括：

8.如权利要求1所述的防止光刻胶翘起的方法，其特征在于，所述基片的静置环境为真空环境。

9.如权利要求1所述的防止光刻胶翘起的方法，其特征在于，所述对所述基片上的光刻胶进行曝光以形成相邻的曝光区域和非曝光区域包括：

10.如权利要求1所述的防止光刻胶翘起的方法，其特征在于，在所述对所述基片上的光刻胶进行曝光以形成相邻的曝光区域和非曝光区域之前，所述方法还包括：

技术总结
本申请提供一种防止光刻胶翘起的方法，涉及光刻工艺技术领域，方法包括：在基片表面涂覆光刻胶；对基片上的光刻胶进行曝光；通过在基片上的光刻胶曝光结束后，使得基片静置一定时间，以便于将位于非曝光区域的反应气体进行有效的释放。当反应气体被充分释放后，非曝光区域的光刻胶能够重新附着于基片表面。然后再对基片上的光刻胶进行曝光后烘烤。接着对基片上的光刻胶进行显影，由于已经将位于非曝光区域的反应气体进行了充分的释放，从而消除了非曝光区域的光刻胶与基片表面形成的微小间隙，所以在显影过程中，能够有效改善非曝光区域的光刻胶翘起的现象，进而有利于后续刻蚀或离子注入工艺。

技术研发人员：苏景良
受保护的技术使用者：粤芯半导体技术股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17