优化线端尺寸补偿的OPC处理方法与流程

本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别涉及一种优化线端尺寸补偿的光学邻近效应修正(optical proximity correction，opc)处理方法。

背景技术：

1、在opc处理过程中，为保证结果的准确性，会根据光刻、刻蚀等工艺结果对图形进行尺寸补偿。如图1a所示，是现有adi的图形照片，图1a的照片和光刻工艺结果相关，图1a中显示了一层图层显影后转移到晶圆上的光刻胶图形，可以看出图形中包括了多根线条，虚线圈101所示区域为其中一个线端。如图1b所示，是现有aei的图形照片，图1b的照片是在光刻工艺的基础上进一步和刻蚀工艺相关，图1b中显示了以光刻胶图形为掩膜进行刻蚀后转移到晶圆上膜层中图形，可以看出图形中包括了多根线条，虚线圈102所示区域为其中一个线端。在opc处理过程宗中，线长方向和线端方向的尺寸补偿量不同，通常线端方向补偿量更大。

2、对于部分线端受光罩制作尺寸限制的图形结构，这些受光罩制作尺寸限制的图形结构对应的线端如图1a中虚线圈101所示区域的线端以及图1b中的虚线圈102所示区域的线端，而在图1c所示的现有线端受光罩尺寸限制区域的版图图形中，对应的线端位于虚线圈205所示区域中。图1c中显示了多个图层，分别为图层201、202、203和204，通常，图层201为有源区(aa)图层，图层202为接触孔(ct)图层，图层202为金属层图层，图层204为另一层金属层图层。虚线圈205对应的线端为图层204中的一个线端206。根据图1a和图1b对应的线端进行opc修正时，线端206需要往下移动来实现尺寸补偿，以使图1a和图1b对应的线端处图形和设计的目标图形更加接近。但是，当线端206的向下移动受到图1c中的间距d101的限制。由于初始版图中，间距d101的值本来就比较小，如果为了尺寸补偿需要，线端206的向下移动量达到完全尺寸补偿量时，间距d101会缩小为图2中所示的间距d101a，此时，间距d101a为间距d101减去完全尺寸补偿量，这时，间距d101a会小于光罩制作尺寸限制值，这样，该位置处的图形无法制作到光罩上。而如果，线端206的向下移动量不足，这时，图1a和图1b对应的线端图形会和目标图形相差较大，这又会影响工艺窗口以及产品良率。所以，图2中虚线圈205对应的这些位置处无法直接对线端进行尺寸补偿，直接进行完全尺寸补偿可能会导致最终光罩图形违反光罩尺寸限制；而尺寸补偿不足则又可能会影响工艺窗口及最终产品良率。

技术实现思路

1、本发明所要解决的技术问题是提供一种优化线端尺寸补偿的opc处理方法，能消除光罩制作尺寸对线端尺寸补偿的限制，从而实现对线端尺寸补偿优化并从而保证图形工艺窗口。

2、为解决上述技术问题，本发明提供的优化线端尺寸补偿的opc处理方法包括如下步骤：

3、在版图对应的图层中选择具有受光罩制作尺寸限制的第一图形位置，将所述第一图形位置对应的线端作为需优化线端。

4、对所述需优化线端进行初始尺寸补偿，所述初始尺寸补偿会使所述第一图形位置处的图形尺寸缩小，所述初始尺寸补偿完成后保证所述第一图形位置处的图形尺寸大于等于光罩制作尺寸限制值。

5、对所述需优化线端进行分段并得到多个线端区段，所述线端区段中包括和对应的所述第一图形位置邻接的邻接段以及所述邻接段之外的非邻接段。

6、对所述非邻接段进行补充尺寸补偿，用以对所述需优化线端进行优化，所述需优化线端的尺寸补偿量为所述初始尺寸补偿的第一补偿量和所述补充尺寸补偿的第二补偿量的和。

7、进一步的改进是，所述线端包括线宽末端和线间距末端。

8、进一步的改进是，所述线端的长度小于等于被切割层关键尺寸的2倍。

9、进一步的改进是，所述初始尺寸补偿之前，所述第一图形位置处的图形尺寸小于所述光罩制作尺寸限制值和所述尺寸补偿量的和。

10、进一步的改进是，所述初始尺寸补偿完成后使所述第一图形位置处的图形尺寸等于所述光罩制作尺寸限制值。

11、进一步的改进是，所述需优化线端位于两个对称的所述第一图形位置之间；

12、对所述需优化线端进行分段后得到3个线端区段，中间线端区段为非邻接段，所述中间线端区段两侧的两个所述线端区段为所述邻接段。

13、进一步的改进是，各所述线端区段的长度都大于所述光罩制作尺寸限制值。

14、进一步的改进是，所述图层包括金属层图层。

15、进一步的改进是，所述补充尺寸补偿完成后，进行opc处理得到最终光罩图形。

16、进一步的改进是，还包括：

17、根据所述最终光罩图形制作形成光罩。

18、本发明根据受光罩制作尺寸限制的第一图形位置选择需优化线端，之后，根据第一图形位置处的图形尺寸大于等于光罩制作尺寸限制值的关系对需优化线端进行初始尺寸补偿，由于受到第一图形位置处的图形尺寸大于等于光罩制作尺寸限制值的限制，使得初始尺寸补偿是一种不足的补偿；为了实现对需优化线端进行充足的补偿，本发明还进一步对需优化线端进行分段，然后在对和第一图形位置处的非邻接段进行补充尺寸补充，补充尺寸补充能实现对需优化线端进行充足补偿的同时避免使第一图形位置处的图形尺寸进一步缩小，所以，故本发明能消除光罩制作尺寸对线端尺寸补偿的限制，使需优化线端得到了充足补偿，并从而保证图形工艺窗口。

技术特征：

1.一种优化线端尺寸补偿的opc处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的优化线端尺寸补偿的opc处理方法，其特征在于：所述线端包括线宽末端和线间距末端。

3.根据权利要求1所述的优化线端尺寸补偿的opc处理方法，其特征在于：所述线端的长度小于等于被切割层关键尺寸的2倍。

4.根据权利要求1所述的优化线端尺寸补偿的opc处理方法，其特征在于：所述初始尺寸补偿之前，所述第一图形位置处的图形尺寸小于所述光罩制作尺寸限制值和所述尺寸补偿量的和。

5.根据权利要求1所述的优化线端尺寸补偿的opc处理方法，其特征在于：所述初始尺寸补偿完成后使所述第一图形位置处的图形尺寸等于所述光罩制作尺寸限制值。

6.根据权利要求1所述的优化线端尺寸补偿的opc处理方法，其特征在于：所述需优化线端位于两个对称的所述第一图形位置之间；

7.根据权利要求1或6所述的优化线端尺寸补偿的opc处理方法，其特征在于：各所述线端区段的长度都大于所述光罩制作尺寸限制值。

8.根据权利要求1所述的优化线端尺寸补偿的opc处理方法，其特征在于：所述图层包括金属层图层。

9.根据权利要求1所述的优化线端尺寸补偿的opc处理方法，其特征在于：所述补充尺寸补偿完成后，进行opc处理得到最终光罩图形。

10.根据权利要求9所述的优化线端尺寸补偿的opc处理方法，其特征在于，还包括：

技术总结
本发明公开了一种优化线端尺寸补偿的OPC处理方法，包括如下步骤：在版图对应的图层中选择具有受光罩制作尺寸限制的第一图形位置，将第一图形位置对应的线端作为需优化线端。对需优化线端进行初始尺寸补偿，初始尺寸补偿完成后保证第一图形位置处的图形尺寸大于等于光罩制作尺寸限制值。对需优化线端进行分段并得到多个线端区段，包括和第一图形位置邻接的邻接段以及邻接段之外的非邻接段。对非邻接段进行补充尺寸补偿。本发明能消除光罩制作尺寸对线端尺寸补偿的限制，从而实现对线端尺寸补偿优化并从而保证图形工艺窗口。

技术研发人员：汪悦,张月雨,于世瑞
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/12