本发明涉及一种被配置为支撑衬底的衬底支撑件、一种包括衬底支撑件的光刻设备、一种支撑衬底的方法以及一种包括支撑衬底的方法的制造装置的方法。
背景技术：
1、光刻设备是一种被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(ic)的制造。例如，光刻设备可以使用投影系统将图案化装置(例如，掩模)的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。已知的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描仪，在步进器中，通过一次将整个图案曝光到目标部分上来辐照每个目标部分，在扫描仪中，通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案并且同时与该方向平行或反平行地同步扫描衬底来辐照每个目标部分。
2、随着半导体制造工艺的不断进步，电路元件的尺寸不断减小，而每个装置的功能元件(诸如晶体管)的数目几十年来一直在稳步增加，这一趋势通常称为“摩尔定律”。为了跟上摩尔定律，半导体行业正在追逐能够创造越来越小特征的技术。为了在衬底上投影图案，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长决定了在衬底上图案化的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长是365nm(i-线)、248nm、193nm和13.5nm。
3、通过在曝光期间在衬底上提供具有相对较高折射率的浸没流体(诸如水)，可以进一步提高较小特征的分辨率。浸没流体的作用是能够对较小特征进行成像，因为暴露辐射在浸没流体中的波长比在气体中的波长短。浸没流体的效果也可以被视为增加了系统的有效数值孔径(na)，并且也增加了焦深。
4、浸没流体可以通过流体处理结构被限制在光刻设备的投影系统与衬底之间的局部区域。
技术实现思路
1、在半导体制造过程中，衬底被支撑在衬底支撑件上。具体地，衬底被支撑在从衬底支撑件的表面突出的多个凸块(burl)上。
2、在半导体制造中，通过缩小以及增加衬底上堆叠的膜层数目来将更多功能集成到衬底的单位表面上的趋势越来越明显。增加衬底上堆叠的层数会增加膜与衬底之间产生的应力，这会导致衬底严重翘曲并且降低套刻性能。
3、已经提出了衬底支撑件的新配置，其中具有附加功能来防止衬底支撑件的不利翘曲。具体地，已经提出了衬底支撑件的新配置，其具有附加功能以防止在衬底到衬底支撑件上的装载期间衬底支撑件发生不利翘曲。衬底支撑件的新配置可以包括附加开口，以在装载期间在衬底的径向外侧区域上提供边缘提升力。
4、然而，附加开口及其位置要求对衬底支撑件的其他特征施加了限制，诸如与开口流体连通的供应通道和被配置为将衬底支撑件保持在恒定温度的调节通道。如果这些供应通道和调节通道没有最佳地定位在衬底支撑件内，则衬底支撑件的温度可能会随着时间的推移而变化，从而导致暂态结构变形。暂态结构变形会导致包括衬底支撑件的光刻设备的套刻性能降低。
5、本发明的目的是提供一种衬底支撑件，其允许在衬底支撑件中实现附加功能，而不会导致由温度引起的结构变形而引起的套刻性能降低。
6、根据本发明，提供了一种衬底支撑件，被配置为支撑衬底，该衬底支撑件包括上部组件、芯组件和下部组件；其中：第一开口被形成在上部组件的上表面中；与第一开口连通的第一通路被限定在上部组件和芯组件中；与第一通路连通的第一提取通道由芯组件和下部组件限定；并且第一调节通道由芯组件和下部组件限定。
7、下面参考附图详细描述本发明的其他实施例、特征和优点、以及本发明的各种实施例、特征和优点的结构和操作。
1.一种衬底支撑件，被配置为支撑衬底，包括上部组件、芯组件和下部组件；其中：
2.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述上部组件被接合到所述芯组件，并且所述芯组件被接合到所述下部组件，并且/或者其中所述上部组件通过扩散接合或渗透接合而被接合到所述芯组件，并且/或者其中所述芯组件通过扩散接合或渗透接合而被接合到所述下部组件，并且/或者所述衬底支撑件还包括：第二提取通道，在所述第一提取通道的径向内侧并且被配置为提取流体。
3.根据权利要求2所述的衬底支撑件，其中：
4.根据权利要求3所述的衬底支撑件，其中所述第二开口在所述第一开口的径向内侧，并且/或者其中所述第二通路形成基本l形，并且/或者
5.根据权利要求2至4中任一项所述的衬底支撑件，还包括被配置为供应或提取气体的多功能通道，期望地，其中所述第二通路的所述水平部分具有由所述上部组件形成的第一壁和由所述芯组件形成的第二壁，并且/或者
6.根据权利要求5所述的衬底支撑件，其中所述第一调节通道在所述多功能通道的径向外侧和所述第二提取通道的径向内侧，并且/或者所述衬底支撑件还包括与环境压力流体连通的环境通道，期望地，其中所述环境通道在所述多功能通道的径向内侧，并且/或者所述衬底支撑件还包括：
7.根据权利要求6所述的衬底支撑件，其中所述第四开口在所述第二开口的径向内侧和所述第三开口的径向外侧，并且/或者其中所述第四通路形成基本l形，并且/或者
8.根据权利要求2至7中任一项所述的衬底支撑件，其中所述第二提取通道的径向内侧壁与所述第一调节通道的径向外侧壁之间的径向距离小于5mm，优选地小于2mm，并且进一步优选地小于1.6mm，但大于1mm，并且优选地大于1.4mm，并且/或者其中所述第一提取通道的径向内侧壁与所述第二提取通道的径向外侧壁之间的径向距离小于5mm，优选地小于2mm，并且进一步优选地小于1.6mm，但大于1mm，并且优选地大于1.4mm，并且/或者
9.根据前述权利要求中任一项所述的衬底支撑件，其中所述衬底支撑件的径向边缘与所述第一提取通道的径向外侧壁之间的径向距离小于5mm，优选地小于2mm，并且进一步优选地小于1.5mm，但大于1mm，并且进一步优选地大于1.3mm，并且/或者其中所述(一个或多个)通道是围绕所述衬底支撑件周向延伸的腔，并且/或者其中所述第一开口由围绕所述衬底支撑件周向延伸的凹槽限定，其中所述凹槽凹陷到所述衬底支撑件的所述上表面中。
10.根据权利要求8所述的衬底支撑件，其中所述第二提取通道经由第一连接通路与所述第一调节通道流体连通，并且/或者其中所述第二提取通道经由第二连接通路与所述第一提取通道流体连通，并且/或者其中所述第一调节通道经由第三连接通路与所述流体提取槽流体连通，期望地，其中所述第一调节通道经由第三连接通路与所述流体提取槽流体连通。
11.根据权利要求9或10所述的衬底支撑件，其中所述衬底支撑件被配置为使得当衬底由所述衬底支撑件支撑时，所述凹槽在所述衬底的径向边缘的径向外侧，并且/或者其中所述凹槽的横截面积大于1mm2，优选地大于3mm2，并且进一步优选地大于5mm2，并且/或者其中所述第一通路在所述第一流体提取凹槽内的最下游点处连接到所述第一流体提取凹槽，并且/或者其中多个限流构件被设置在所述凹槽内。
12.根据前述权利要求中任一项所述的衬底支撑件，其中所述下部组件包括被配置为在工作台上支撑所述衬底支撑件的多个突起，并且/或者其中所述凹槽内设置有多个限流构件，并且/或者其中所述上部组件、所述芯组件和所述下部组件由sisic形成，并且/或者其中所述衬底支撑件被配置为在光刻设备中使用。
13.一种光刻设备，包括根据前述权利要求中任一项所述的衬底支撑件。
14.一种用于支撑衬底的方法，包括根据权利要求1至12中任一项所述的衬底支撑件的使用。
15.一种制造器件的方法，包括根据权利要求14所述的支撑衬底的方法。