显示面板及其制备方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。


背景技术：

2.有机发光二极管由于具有主动发光、视角宽、响应速度快、重量轻、颜色可调、可柔性等优点，在显示、照明等领域有着广阔的应用前景而受到人们的广泛关注。衡量有机发光二极管发光器件性能的参数主要有：外量子效率、电流效率、驱动电压、器件寿命和色纯度，其中，电流效率与外量子效率成正比。
3.目前，为了提高有机发光二极管发光器件的发光性能，通常采用的方法是在发光层靠近出光面的一侧设置有机光取出层，但采用有机物形成光取出层，其光透过率低，且制备成本，另外，有机光取出层在进行后续制程时，容易受到后续制程工艺中产生的高能粒子的影响，即，使得显示面板受到损伤。
4.因此，目前急需一种具有高的光取出率的显示面板。


技术实现要素：

5.本技术实施例提供一种显示面板及其制备方法，以提高显示面板的光取出率以及避免显示面板受到损伤。
6.本技术实施例提供一种显示面板，包括：
7.第一电极；
8.发光层，所述发光层设置于所述第一电极上；
9.第二电极，所述第二电极设置于所述发光层上；以及
10.光取出层，所述光取出层设置于所述第二电极远离所述第一电极的一侧，其中，所述光取出层为非晶态薄膜。
11.可选的，在本技术的一些实施例中，所述光取出层材料为无机氧化物。
12.可选的，在本技术的一些实施例中，所述光取出层材料包括氧化锌、氧化铟锌、氧化铟锡、三氧化钼或二氧化钛中的至少一种。
13.可选的，在本技术的一些实施例中，所述光取出层在可见光波段的透过率大于80％。
14.可选的，在本技术的一些实施例中，所述光取出层材料的折射率为1.95-3，所述光取出层材料的吸收系数为0.001-0.6。
15.可选的，在本技术的一些实施例中，所述光取出层的厚度为50纳米-100纳米。
16.可选的，在本技术的一些实施例中，所述光取出层材料为氧化锌或氧化铟锌，所述第二电极为镁银或镱银。
17.本技术还提供一种显示面板的制备方法，包括：
18.提供一衬底；
19.在所述衬底上依次层叠形成第一电极、发光层和第二电极，所述衬底、所述第一电
极、所述发光层和所述第二电极为中间产品；以及
20.控制所述中间产品的表面温度小于80摄氏度，在所述中间产品的表面溅射形成光取出层，其中，所述光取出层为非晶态薄膜。
21.可选的，在本技术的一些实施例中，所述中间产品的表面温度为0.1摄氏度-80摄氏度。
22.可选的，在本技术的一些实施例中，所述溅射的压强为0.05帕-10帕。
23.可选的，在本技术的一些实施例中，所述溅射的功率为3千瓦-10千瓦。
24.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一发光单元包括第一发光层和第一空穴传输层，所述光转换层、所述第一空穴传输层和所述第一发光层依次层叠设置于所述第一电极层上。
25.本技术公开了一种显示面板及其制备方法，显示面板包括第一电极、发光层、第二电极以及取出层，所述发光层、所述第二电极和光取出层依次层设置于所述第一电极上，其中，所述光取出层非晶态薄膜。在本技术中，采通过将非晶态薄膜作为光取出层，提高了显示面板的光取出效率以及避免显示面板受到损伤，提高了显示面板的性能。
附图说明
26.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
27.图1是本技术实施例提供的显示面板的第一种结构示意图。
28.图2是本技术实施例提供的显示面板的第二种结构示意图。
29.图3是本技术实施例提供的显示面板的制备方法的流程示意图。
30.图4为本技术实施例1提供的光取出层的波长与透过率的示意图。
31.图5为本技术实施例1提供的光取出层的x射线衍射图谱示意图。
32.图6为本技术实施例1提供的光取出层的波长与折射率以及波长与吸收系数的数据示意图。
33.图7为本技术实施例1和对比例提供的点亮蓝色发光部时测试的光取出层的亮度衰减比与时间曲线图。
34.图8为本技术实施例1和对比例提供的点亮绿色发光部时测试的光取出层的亮度衰减比与时间曲线图。
35.图9为本技术实施例1和对比例提供的点亮红色发光部时测试的光取出层的亮度衰减比与时间曲线图。
36.图10为本技术实施例1和对比例提供的点亮蓝色发光部时测试的光取出层的电流密度与电流效率曲线图。
37.图11为本技术实施例1和对比例提供的点亮绿色发光部时测试的光取出层区域的电流密度与电流效率曲线图。
38.图12为本技术实施例1和对比例提供的点亮红色发光部时测试的光取出层的电流密度与电流效率曲线图。
具体实施方式
39.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
40.本技术实施例提供一种显示面板及其制备方法。以下分别进行详细说明。
41.请参阅图1，图1是本技术实施例提供的显示面板的结构示意图。本技术提供一种显示面板10。显示面板10包括第一电极100、发光层200、第二电极299和光取出层300。
42.在一实施例中，显示面板10还包括衬底400。衬底400可以为刚性衬底400或柔性衬底400。刚性衬底400可以为玻璃衬底400。柔性衬底400的材料包括聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚砜和聚醚酰亚胺中的一种或几种组合。
43.在一实施例中，显示面板10还包括反射层500。反射层500设置于衬底400上。反射层500材料包括银和铝中的至少一种。反射层500用于遮挡衬底400一侧的光线，避免光线对显示面板10影响。
44.第一电极100设置于反射层500远离衬底400。第一电极100为阳极或阴极。在其中一实施例中，第一电极100为阳极。
45.在一实施例中，第一电极100层材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌铝和氧化铟镓锌中的一种或几种组合。在其中一实施例中，第一电极100的材料为氧化铟锡。
46.在一实施例中，显示面板10还包括空穴注入层600。空穴注入层600设置于第一电极100远离衬底400的一侧。空穴注入层600包括依次连接的第一空穴注入部610、第二空穴注入部620和第三空穴注入部630。
47.在一实施例中，空穴注入层600的材料选自聚(3，4-乙烯二氧噻吩)：聚苯乙烯磺酸盐、三氧化钼、三氧化钨、氧化镍、聚苯胺和聚噻吩。在其中一实施例中，空穴注入层600的材料为聚(3，4-乙烯二氧噻吩)：聚苯乙烯磺酸盐。
48.在一实施例中，空穴注入层600的厚度w为8纳米-50纳米。具体的，空穴注入层600的厚度w可以为10纳米、15纳米、20纳米、24纳米、34纳米、38纳米、40纳米、48纳米或50纳米等。在其中一实施例中，空穴注入层600的厚度w为30纳米。
49.在本技术中，将空穴注入层600的厚度w设置在8纳米-50纳米之间，保证空穴注入层600空穴的注入效率，使得显示面板10可以正常显示，避免显示面板10的显示性能受到影响。
50.在一实施例中，显示面板10还包括空穴传输层700。空穴传输层700设置于空穴注入层600远离衬底400的一侧。空穴传输层700包括第一空穴传输部710、第二空穴传输部720和第三空穴传输部730。第一空穴传输部710位于第一空穴注入部610上。第二空穴传输部720位于第二空穴注入部620上。第三空穴传输部730位于第三空穴注入部630上。
51.在一实施例中，空穴传输层700材料包括聚(9，9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二
苯胺)、聚(n，n
′‑
双(4-丁基苯基)-n，n
′‑
双(苯基)-联苯胺)、聚乙烯咔唑、4，4
′
，4
″‑
三(咔唑-9-基)三苯胺和4，4-二(9-咔唑)联苯(cbp)中的一种或几种组合。在其中一实施例中，空穴传输层700材料为4，4-二(9-咔唑)联苯。
52.在一实施例中，空穴传输层700的厚度d为15纳米-40纳米。具体的，空穴传输层700的厚度d可以为15纳米、20纳米、24纳米、34纳米、38纳米或40纳米等。在其中一实施例中，空穴传输层700的厚度d为30纳米。
53.在本技术中，将空穴传输层700的厚度d设置在15纳米-40纳米之间，保证空穴在空穴传输层700的传输效率，进而保证显示面板10正常显示。
54.发光层200设置于空穴传输层700远离衬底400的一侧。发光层200包括第一发光部210、第二发光部220和第三发光部230。第一发光部210位于第一空穴传输部710上。第二发光部220位于第二空穴传输部720上。第三发光部230位于第三空穴传输部730上。第一发光部210、第二发光部220和第三发光部230各自选自红色发光部、蓝色发光部和绿色发光部，且第一发光部210、第二发光部220和第三发光部230的发光颜色各不相同。在其中一实施例中，第一发光部210为蓝色发光部。第二发光部220为绿色发光部。第三发光部230为红色发光部。
55.在一实施例中，第一发光部210材料包括第一主体材料和第一客体材料。第一主体材料可以为4，4-二(9-咔唑)联苯(cbp)。第一客体材料可以包括二(4，6-二氟苯基吡啶-n，c2’)吡啶甲酰合铱(firpic)和双(4'，6'-二氟苯基吡啶)四(1-吡唑基)硼酸铱(iii)(fir6)中的至少一种。
56.在一实施例中，第一客体材料的掺杂比为5％-10％。具体的，第一客体材料的掺杂比可以为6％、6.8％、8％、9％或9.5％等。在其中一实施例中，第一客体材料的掺杂比为8％。
57.在本技术中，通过在第一主体材料中掺杂第一客体材料，使得发光层200内的电子和空穴可以平衡分布，并且激子复合区域更加宽阔，激子的利用率得到提升，即可以实现稳定的光谱发射，且改善了显示面板10在高亮度下的效率滚降。
58.在一实施例中，第一发光部210的厚度t1为15纳米-30纳米。具体的，第一发光部210的厚度t1可以为16纳米、20纳米、25纳米或29纳米等。在其中一实施例中，第一发光部210的厚度t1为20纳米。
59.在一实施例中，第二发光部220材料包括第二主体材料和第二客体材料。第二主体材料可以为4，4-二(9-咔唑)联苯(cbp)。第二客体材料可以为三(1-苯基-异喹啉)合铱(ir(piq)3)。
60.在一实施例中，第二客体材料的掺杂比为4％-8％。具体的，第二客体材料的掺杂比可以为4.6％、4.8％、6％、7％或7.5％等。在其中一实施例中，第二客体材料的掺杂比为6％。
61.在本技术中，通过在第二主体材料中掺杂第二客体材料，使得发光层200内的电子和空穴可以平衡分布，并且激子复合区域更加宽阔，激子的利用率得到提升，即可以实现稳定的光谱发射，且改善了显示面板10在高亮度下的效率滚降。
62.在一实施例中，第二发光部220的厚度t2为35纳米-45纳米。具体的，第二发光部220的厚度t2可以为36纳米、39纳米、40纳米或44纳米等。在其中一实施例中，第二发光部
220的厚度t2为40纳米。
63.在一实施例中，第三发光部230材料包括第三主体材料和第三客体材料。第三主体材料包括4，4-二(9-咔唑)联苯(cbp)。第三客体材料包括三(1-苯基-异喹啉)合铱(ir(piq)3)。
64.在一实施例中，第三客体材料的掺杂比为2％-7％。具体的，第三客体材料的掺杂比可以为2.6％、3％、3.8％、5％或6.8％等。在其中一实施例中，第三客体材料的掺杂比为5％。
65.在本技术中，通过在第三主体材料中掺杂第三客体材料，使得发光层200内的电子和空穴可以平衡分布，并且激子复合区域更加宽阔，激子的利用率得到提升，即可以实现稳定的光谱发射，且改善了显示面板10在高亮度下的效率滚降。
66.在一实施例中，第三发光部230的厚度t3为45纳米-60纳米。具体的，第三发光部230的厚度t3可以为46纳米、50纳米、55纳米或58纳米等。在其中一实施例中，第三发光部230的厚度t3为50纳米。
67.在一实施例中，显示面板10还包括电子传输层800。电子传输层800设置于发光层200远离衬底400的一侧。
68.在一实施例中，电子传输层800的材料为二苯基[4-(三苯基硅烷基)苯基]氧膦：8-羟基喹啉-锂。二苯基[4-(三苯基硅烷基)苯基]氧膦：8-羟基喹啉-锂的重量比为5：5。
[0069]
在一实施例中，电子传输层800的厚度h为20纳米-60纳米。具体的，电子传输层800的厚度h可以为20纳米、24纳米、35纳米、38纳米、40纳米、50纳米、54纳米或60纳米等。在其中一实施例中，电子传输层800的厚度h为35纳米。
[0070]
在本技术中，将电子传输层800的厚度h设置为20纳米-60纳米，保证电子传输层800的电子传输性能，进而保证显示面板10正常显示。
[0071]
第二电极299设置于电子传输层800远离衬底400的一侧。第二电极299为阴极或阳极。在其中一实施例中，第二电极299为阴极。具体的，第二电极299为半透明阴极，第二电极299材料为镱、镁和银中的至少一种。若是由镁和银混合制备第二电极299，其中，镁和银的重量比分别为1：9。
[0072]
在一实施例中，第二电极299的厚度h2为10纳米-30纳米。具体的，第二电极299的厚度h2可以为10纳米、14纳米、20纳米、25纳米、28纳米或30纳米等。在其中一实施例中，第二电极299的厚度h2为15纳米。
[0073]
光取出层300设置于第二电极299远离衬底400的一侧。其中，光取出层300为非晶态薄膜。
[0074]
在一实施例中，光取出层300的厚度d为50纳米-100纳米。具体的，光取出层300的厚度d可以为50纳米、60纳米、70纳米、90纳米或95纳米等。在其中一实施例中，光取出层300的厚度d为70纳米。
[0075]
在一实施例中，光取出层300材料为无机氧化物。
[0076]
在一实施例中，光取出层300材料包括氧化锌、氧化铟锌、氧化铟锡、三氧化钼和二氧化钛中的至少一种。在其中一实施例中，以氧化铟锌为例进行说明。
[0077]
在本技术中，非晶态薄膜作为光取出层300，且形成的材料为无机氧化物的具有较高的折射率、透过率高以及吸收系数低，将其应用于显示面板10中，可以提高了显示面板10
的光取出率。采用非晶态薄膜作为光取出层300，且材料为无机氧化物，使得光取出层300和第二电极299之间形成双层复合膜，即，相当于两层薄膜的并联，从而降低面电阻，从而降低压降，适合大尺寸显示面板10的制造。采用非晶态薄膜作为光取出层300，且材料为无机氧化物，减少后续的膜层工艺对显示面板10的损伤，且无需在光取出层300上制备一层保护层，如，在光取出层300上制备一层氟化锂作为保护层，从而避免显示面板10受到损伤，并降低成本。
[0078]
在一实施例中，显示面板10还包括封装层900。封装层900设置于光取出层300远离衬底400的一侧。封装层900包括依次层叠设置的第一无机层、有机层和第二无机层。第一无机层和第二无机层材料包括氮化硅和氧化硅中的至少一种。无机层材料包括聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚砜和聚醚酰亚胺中的至少一种。在光取出层300上设置封装层900，避免水氧对显示面板10中的结构侵蚀，进而保证显示面板10的稳定性。
[0079]
请参阅图2，图2是本技术实施例提供的显示面板的第二种结构示意图。需要说明的是，第二种结构和第一种结构的不同之处在于：
[0080]
第二电极299可以由多层材料堆叠形成，如由镱形成镱层2991，由银形成银层2992，镱层2991设置在电子传输层800上，银层2992设置在镱层2991上，镱层2991和银层2992构成第二电极299，其中，镱层的厚度为1nm，银层的厚度为15nm。
[0081]
在本技术中，采用镱层2991和银层2992形成第二电极299，使得镱层2991可以作为电子注入层，提高电子的注入效率，从而提高显示面板10的显示效果；将镱层的厚度设置为1nm，提高了电子的注入效率以及提高光的取出率，从而提高显示面板10的显示效果。
[0082]
本技术提供了一种显示面板10，显示面板10包括第一电极100、发光层200以及取出层，所述发光层200设置于所述第一电极100上，所述光取出层300设置于所述发光层200远离所述第一电极100的一侧，其中，所述光取出层300为非晶态薄膜，且形成的材料为无机氧化物。无机氧化物的具有较高的折射率、透过率高以及吸收系数低，将其应用于显示面板10中，可以提高了显示面板10的光取出率。采用非晶态薄膜作为光取出层300，使得光取出层300和第二电极299之间形成双层复合膜，即，相当于两层薄膜的并联，从而降低面电阻，从而降低压降，适合大尺寸显示面板10的制造。采用非晶态薄膜作为光取出层300，且形成的材料为无机氧化物，减少后续的膜层工艺对显示面板10的损伤，且无需在光取出层300上制备一层保护层用于保护显示面板10中的结构，如，在光取出层300上制备一层氟化锂作为保护层，降低面板厚度，便于实现轻薄化设计，且降低成本，提高了显示面板10的性能。
[0083]
请参阅图3，图3是本技术实施例提供的显示面板的制备方法的流程示意图。本技术还提供一种显示面板10的制备方法，具体描述如下。
[0084]
请继续参阅图1。
[0085]
b11、提供一衬底。
[0086]
具体的，将衬底400依次进行去光阻以及水洗。然后，烘干备用。
[0087]
在一实施例中，在步骤b11之后，还包括：
[0088]
在衬底400上设置反射层500材料，形成反射层500。
[0089]
b12、在衬底上依次层叠形成第一电极、发光层和第二电极，衬底、第一电极、发光层和第二电极为中间产品。
[0090]
具体的，在反射层500远离衬底400的一侧蒸镀第一电极100材料形成第一电极100。
[0091]
在衬底400上形成第一电极100的步骤之后，还包括：
[0092]
在第一电极100远离衬底400的一侧蒸镀空穴注入层600材料，形成空穴注入层600。
[0093]
在一实施例中，蒸镀速率为0.5埃每秒-5埃每秒。具体的，蒸镀速率可以为0.8埃每秒、1埃每秒、3埃每秒或5埃每秒等。
[0094]
在一实施例中，蒸镀的真空度为2
×
10-2
帕-2
×
10-5
帕。具体的，蒸镀的真空度可以为2
×
10-2
帕、2
×
10-3
帕、2
×
10-4
帕或2
×
10-5
帕等。
[0095]
在一实施例中，空穴注入层600的厚度w为8纳米-50纳米。具体的，空穴注入层600的厚度w可以为10纳米、15纳米、20纳米、24纳米、34纳米、38纳米、40纳米、48纳米或50纳米等。
[0096]
在一实施例中，在第一电极100远离衬底400的一侧形成空穴注入层600的步骤之后，还包括：
[0097]
在空穴注入层600远离衬底400的一侧蒸镀空穴传输层700材料，形成空穴传输层700。
[0098]
空穴传输层700包括第一空穴传输部710、第二空穴传输部720和第三空穴传输部730。第一空穴传输部710位于第一空穴注入部610上。第二空穴传输部720位于第二空穴注入部620上。第三空穴传输部730位于第三空穴注入部630上。
[0099]
在一实施例中，空穴传输层700的材料包括聚(9，9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚(n，n
′‑
双(4-丁基苯基)-n，n
′‑
双(苯基)-联苯胺)、聚乙烯咔唑、4，4
′
，4
″‑
三(咔唑-9-基)三苯胺和4，4-二(9-咔唑)联苯(cbp)中的一种或几种组合。
[0100]
在一实施例中，空穴传输层700的厚度d为15纳米-40纳米。具体的，空穴传输层700的厚度d可以为15纳米、20纳米、24纳米、34纳米、38纳米或40纳米等。
[0101]
在本技术中，将空穴传输层700的厚度d设置在15纳米-40纳米之间，保证空穴在空穴传输层700的传输效率，进而保证显示面板10正常显示。
[0102]
在第一空穴传输部710远离衬底400的一侧共蒸镀第一发光部210材料，形成第一发光部210。第一发光部210为蓝色发光部。
[0103]
在一实施例中，第一发光部210材料包括第一主体材料和第一客体材料。第一主体材料可以为4，4-二(9-咔唑)联苯(cbp)。第一客体材料可以为二(4，6-二氟苯基吡啶-n，c2’)吡啶甲酰合铱(firpic)。
[0104]
在一实施例中，第一客体材料的掺杂比为5％-10％。具体的，第一客体材料的掺杂比可以为6％、6.8％、8％、9％或9.5％等。
[0105]
在本技术中，通过在第一主体材料中掺杂第一客体材料，使得发光层200内的电子和空穴可以平衡分布，并且激子复合区域更加宽阔，激子的利用率得到提升，即可以实现稳定的光谱发射，且改善了显示面板10在高亮度下的效率滚降。
[0106]
在一实施例中，第一主体材料的蒸镀速率为0.5埃每秒-2埃每秒。具体的，蒸镀速率可以为0.5埃每秒、0.7埃每秒、1埃每秒、1.5埃每秒或2埃每秒等。
[0107]
在一实施例中，第一客体材料的蒸镀速率为0.01埃每秒-0.1埃每秒。具体的，蒸镀
速率可以为0.01埃每秒、0.03埃每秒、0.06埃每秒、0.08埃每秒或0.1埃每秒等。
[0108]
在一实施例中，蒸镀的真空度为2
×
10-2
帕-2
×
10-5
帕。具体的，蒸镀的真空度可以为2
×
10-2
帕、2
×
10-3
帕、2
×
10-4
帕或2
×
10-5
帕等。
[0109]
在一实施例中，第一发光部210的厚度t1为15纳米-30纳米。具体的，第一发光部210的厚度t1可以为16纳米、20纳米、25纳米或29纳米等。
[0110]
然后，在第二空穴传输部720远离衬底400的一侧共蒸镀第二发光部220材料，形成第二发光部220。第二发光部220为绿色发光部。
[0111]
在一实施例中，第二发光部220材料包括第二主体材料和第二客体材料。第二主体材料可以为4，4-二(9-咔唑)联苯(cbp)。第二客体材料可以为三(2-苯基吡啶)合铱(ir(ppy)3)。
[0112]
在一实施例中，第二客体材料的掺杂比为4％-8％。具体的，第二客体材料的掺杂比可以为4.6％、4.8％、6％、7％或7.5％等。
[0113]
在本技术中，通过在第二主体材料中掺杂第二客体材料，使得发光层200内的电子和空穴可以平衡分布，并且激子复合区域更加宽阔，激子的利用率得到提升，即可以实现稳定的光谱发射，且改善了显示面板10在高亮度下的效率滚降。
[0114]
在一实施例中，第二主体材料的蒸镀速率为0.5埃每秒-2埃每秒。具体的，蒸镀速率可以为0.5埃每秒、0.7埃每秒、1埃每秒、1.5埃每秒或2埃每秒等。
[0115]
在一实施例中，第二客体材料的蒸镀速率为0.01埃每秒-0.1埃每秒。具体的，蒸镀速率可以为0.01埃每秒、0.03埃每秒、0.06埃每秒、0.08埃每秒或0.1埃每秒等。
[0116]
在一实施例中，蒸镀的真空度为2
×
10-2
帕-2
×
10-5
帕。具体的，蒸镀的真空度可以为2
×
10-2
帕、2
×
10-3
帕、2
×
10-4
帕或2
×
10-5
帕等。
[0117]
在一实施例中，第二发光部220的厚度t2为35纳米-45纳米。具体的，第二发光部220的厚度t2可以为36纳米、39纳米、40纳米或44纳米等。
[0118]
然后，在第三空穴传输部730远离衬底400的一侧共蒸镀第三发光部230材料，形成第三发光部230。第三发光部230为红色发光部。
[0119]
在一实施例中，第三发光部230材料包括第三主体材料和第三客体材料。第三主体材料可以为4，4-二(9-咔唑)联苯(cbp)。第三客体材料可以为三(1-苯基-异喹啉)合铱(ir(piq)3)。
[0120]
在一实施例中，第三客体材料的掺杂比为2％-7％。具体的，第三客体材料的掺杂比可以为2.6％、3％、3.8％、5％或6.8％等。
[0121]
在本技术中，通过在第三主体材料中掺杂第三客体材料，使得发光层200内的电子和空穴可以平衡分布，并且激子复合区域更加宽阔，激子的利用率得到提升，即可以实现稳定的光谱发射，且改善了显示面板10在高亮度下的效率滚降。
[0122]
在一实施例中，第三主体材料的蒸镀速率为0.5埃每秒-2埃每秒。具体的，蒸镀速率可以为0.5埃每秒、0.7埃每秒、1埃每秒、1.5埃每秒或2埃每秒等。
[0123]
在一实施例中，第三客体材料的蒸镀速率为0.01埃每秒-0.1埃每秒。具体的，蒸镀速率可以为0.01埃每秒、0.03埃每秒、0.05埃每秒、0.08埃每秒或0.1埃每秒等。
[0124]
在一实施例中，蒸镀的真空度为2
×
10-2
帕-2
×
10-5
帕。具体的，蒸镀的真空度可以为2
×
10-2
帕、2
×
10-3
帕、2
×
10-4
帕或2
×
10-5
帕等。
[0125]
在一实施例中，第三发光部230的厚度t3为45纳米-60纳米。具体的，第三发光部230的厚度t3可以为46纳米、50纳米、55纳米或58纳米等。
[0126]
第一发光部210、第二发光部220和第三发光部230同层设置，第一发光部210、第二发光部220和第三发光部230构成发光层200。
[0127]
在一实施例中，在空穴传输层700远离衬底400的一侧形成发光层200的步骤之后，还包括：
[0128]
在发光层200远离衬底400的一侧共蒸镀电子传输层800材料，形成电子传输层800。
[0129]
在一实施例中，电子传输层800的材料包括第四主体材料和第四客体材料。第四主体材料为二苯基[4-(三苯基硅烷基)苯基]氧膦(tspo1)，第四客体材料为8-羟基喹啉-锂(liq)。第四主体材料：第四客体材料的重量比为5：5。
[0130]
在一实施例中，第四主体材料的蒸镀速率为0.1埃每秒-1埃每秒。具体的，蒸镀速率可以为0.1埃每秒、0.3埃每秒、0.5埃每秒、0.8埃每秒或1埃每秒等。
[0131]
在一实施例中，第四客体材料的蒸镀速率为0.1埃每秒-1埃每秒。具体的，蒸镀速率可以为0.1埃每秒、0.3埃每秒、0.5埃每秒、0.9埃每秒或1埃每秒等。
[0132]
在一实施例中，蒸镀的真空度为2
×
10-2
帕-2
×
10-5
帕。具体的，蒸镀的真空度可以为2
×
10-2
帕、2
×
10-3
帕、2
×
10-4
帕或2
×
10-5
帕等。
[0133]
在一实施例中，电子传输层800的厚度h为20纳米-60纳米。具体的，电子传输层800的厚度h可以为20纳米、24纳米、35纳米、38纳米、40纳米、50纳米、54纳米或60纳米等。
[0134]
在本技术中，将电子传输层800厚度h设置为20纳米-60纳米，保证电子传输层800的电子传输性能，进而保证显示面板10正常显示。
[0135]
在发光层200远离衬底400的一侧形成电子传输层800的步骤之后，还包括：
[0136]
在电子传输层800远离衬底400的一侧共蒸镀第二电极299材料，形成第二电极299。第二电极299为阴极。
[0137]
在一实施例中，第二电极299材料为镁和银。镁和银的重量比分别为1：9。衬底400、反射层500、第一电极100、空穴注入层600、空穴传输层700、发光层200、电子传输层800和第二电极299为中间产品。
[0138]
在一实施例中，镁和银的蒸镀速率均为0.1埃每秒-1埃每秒。具体的，蒸镀速率可以为0.1埃每秒、0.3埃每秒、0.5埃每秒、0.8埃每秒或1埃每秒等。
[0139]
在一实施例中，蒸镀的真空度为2
×
10-2
帕-2
×
10-5
帕。具体的，蒸镀的真空度可以为2
×
10-2
帕、2
×
10-3
帕、2
×
10-4
帕或2
×
10-5
帕等。
[0140]
b13、控制中间产品的表面温度小于80摄氏度，在中间产品的表面溅射形成光取出层，其中，光取出层材料为非晶态薄膜。
[0141]
具体的，控制中间产品的表面温度小于80摄氏度条件下，即，此时的第二电极299的表面温度小于80摄氏度；然后，在第二电极299远离衬底400的一侧溅射光取出层300材料，形成光取出层300。
[0142]
在一实施例中，中间产品的表面温度为0.1摄氏度-80摄氏度。具体的，溅射的温度可以为0.1摄氏度、10摄氏度、30摄氏度、50摄氏度、70摄氏度或80摄氏度等。
[0143]
在本技术中，控制中间产品的表面温度设置为0.1摄氏度-80摄氏度，可以避免显
的蒸镀速率为1埃每秒，聚(3，4-乙烯二氧噻吩)：聚苯乙烯磺酸盐的蒸镀的真空度为2
×
10-4
帕，空穴注入层600的厚度w为30纳米，空穴注入层600包括依次连接的第一空穴注入部610、第二空穴注入部620和第三空穴注入部630。
[0157]
然后，在空穴注入层600远离衬底400的一侧蒸镀空穴传输层700材料，形成空穴传输层700，其中，空穴传输层700的材料为4，4-二(9-咔唑)联苯，空穴传输层700的厚度d为30纳米，空穴传输层700包括第一空穴传输部710、第二空穴传输部720和第三空穴传输部730。第一空穴传输部710位于第一空穴注入部610上。第二空穴传输部720位于第二空穴注入部620上。第三空穴传输部730位于第三空穴注入部630上。
[0158]
然后，在第一空穴传输部710远离衬底400的一侧共蒸镀cbp和firpic，形成蓝色发光部，蓝色发光部的厚度t1为20纳米，其中，firpic的掺杂比为8％，cbp的蒸镀速率为1埃每秒，firpic蒸镀速率为0.08埃每秒，cbp和firpic的真空度为22
×
10-4
帕。
[0159]
然后，在第二空穴传输部720远离衬底400的一侧共蒸镀cbp和ir(ppy)3形成绿色发光部，绿色发光部的厚度t2为40纳米，其中，ir(ppy)3的掺杂比为6％，cbp的蒸镀速率为1埃每秒，ir(ppy)3蒸镀速率为0.06埃每秒，cbp和ir(ppy)3的真空度为2
×
10-4
帕。
[0160]
然后，在第三空穴传输部730远离衬底400的一侧共蒸镀cbp和ir(ppy)3形成红色发光部，红色发光部的厚度t3为50纳米，其中，ir(ppy)3的掺杂比为5％，cbp的蒸镀速率为1埃每秒，ir(ppy)3蒸镀速率为0.05埃每秒，cbp和ir(ppy)3的真空度为2
×
10-4
帕，蓝色发光部、绿色发光部和红色发光部构成发光层200。
[0161]
然后，在发光层200远离衬底400的一侧共蒸镀tspo1和liq形成电子传输层800，其中，tspo1和liq的重量比为5：5，电子传输层800的厚度h为35纳米，tspo1的蒸镀速率为0.5埃每秒，liq蒸镀速率为0.5埃每秒，tspo1和liq的真空度为2
×
10-4
帕。
[0162]
然后，在电子传输层800远离衬底400的一侧蒸镀镁和银的合金形成阴极，其中，镁和银的重量比分别为1：9，镁和银的蒸镀速率均为0.5埃每秒，镁和银的真空度为2
×
10-4
帕，衬底400、反射层500、阳极、空穴注入层600、空穴传输层700、发光层200、电子传输层800和阴极为中间产品。
[0163]
然后，控制中间产品的表面温度小于80摄氏度条件下，即，此时的第二电极299的表面温度小于80摄氏度，此时，在阴极远离衬底400的一侧溅射氧化铟锌形成光取出层300，其中，光取出层300为非晶态薄膜，光取出层300的厚度d为70纳米，溅射的压强为1帕，溅射的功率为5千瓦。然后，将第蓝色发光部、绿色发光部和红色发光部分别点亮，分别测试这三个对应光取出层300的电流密度与电流效率数据以及亮度衰减比与时间数据。
[0164]
然后，在光取出层300远离衬底400的一侧形成封装层900，从而形成显示面板10。封装层900包括依次层叠设置的第一无机层、有机层和第二无机层。第一无机层和第二无机层材料为氮化硅，有机层材料为聚酰亚胺。
[0165]
测试所得显示面板10的效率和寿命。
[0166]
实施例2
[0167]
请继续参阅图2。需要说明的是，实施例2与实施例1的不同之处在于：第二电极299不是由银和镁混合制备形成，而是在电子传输层800上分步蒸镀镱形成镱层2991，在镱层2991上设置银形成银层2992，镱层2991和银层2992构成第二电极299，其中，镱层的厚度为1nm，银层的厚度为15nm。其他步骤与实施例1相同，此处不再赘述。
[0168]
实施例3
[0169]
请继续参阅图1。需要说明的是，实施例3与实施例1的不同之处在于：将由氧化铟锌制备的光取出层300改为由氧化锌制备光取出层300，其他步骤与实施例1相同，此处不再赘述。
[0170]
实施例4
[0171]
请继续参阅图2。需要说明的是，实施例4与实施例1的不同之处在于：将由氧化铟锌制备的光取出层300改为由氧化锌制备光取出层300；第二电极299不是由银和镁混合制备形成，而是在电子传输层800上分步蒸镀镱形成镱层2991，在镱层2991上设置银形成银层2992，镱层2991和银层2992构成第二电极299，其中，镱层的厚度为1nm，银层的厚度为15nm。其他步骤与实施例1相同，此处不再赘述。
[0172]
对比例
[0173]
需要说明的是，对比例与实施例1的不同之处在于：将由氧化铟锌制备的光取出层300改为由有机化合物制备有机光取出层，其他步骤与实施例1相同，此处不再赘述。
[0174]
请参阅图4和图5，图4为本技术实施例1提供的光取出层的波长与透过率的示意图。图5为本技术实施例1提供的光取出层的x射线衍射图谱示意图。由附图可知，光取出层在x射线衍射图谱，没有出现尖峰，即光取出层300为非晶态薄膜，也称为无定型薄膜，光取出层300在可见光波段的透过率达到80％及以上。
[0175]
在本技术中，通过将非晶态薄膜作为光取出层300，也称为无定型薄膜，使得光取出层300在可见光波段的透过率可以达到80％及以上，从而提高了显示面板10的光取出率，进而提高了显示面板10的显示性能。
[0176]
请参阅图6，图6为本技术实施例1提供的光取出层的波长与折射率以及波长与吸收系数的数据示意图。光取出层材料的折射率为1.95-3。光取出层的吸收系数为0.001-0.6。
[0177]
在本技术中，非晶态薄膜作为光取出层300，且形成的材料为无机氧化物，而无机氧化物具有高折射率以及低吸收系数，提高了显示面板10的光取出率。
[0178]
请参阅图7-图9，图7为本技术实施例1和对比例提供的点亮蓝色发光部时测试的光取出层的亮度衰减比与时间曲线图。图8为本技术实施例1和对比例提供的点亮绿色发光部时测试的光取出层的亮度衰减比与时间曲线图。图9为本技术实施例1和对比例提供的点亮红色发光部时测试的光取出层的亮度衰减比与时间曲线图。
[0179]
由此可知，在本技术中采用无机氧化物形成的光取出层300，无机氧化物形成的光取出层300为非晶态薄膜，显示面板10的亮度衰减到95％所需要的时间比现有技术中采用有机物形成的光取出层300所需的时间要长，即，采用无机氧化物形成光取出层300，即，光取出层300为非晶态薄膜，提高了显示面板10的寿命。
[0180]
请参阅图10-图12，图10为本技术实施例1和对比例提供的点亮蓝色发光部时测试的光取出层的电流密度与电流效率曲线图。图11为本技术实施例1和对比例提供的点亮绿色发光部时测试的光取出层区域的电流密度与电流效率曲线图。图12为本技术实施例1和对比例提供的点亮红色发光部时测试的光取出层的电流密度与电流效率曲线图。
[0181]
由此可知，当光取出层300为非晶态薄膜，且材料为无机氧化物时，显示面板10的电流效率大于现有技术中设置有有机光取出层300的显示面板10的电流效率，电流效率与
外量子效率成正比，即，采用无机氧化物形成光取出层300，可以提高显示面板10的外量子效率。
[0182]
请参照表1，表1为本技术实施例1和对比例分别点亮显示面板中的蓝色发光部、绿色发光部和红色发光部的效率与寿命数据表。
[0183]
表1：
[0184][0185]
由表1可知，由非晶态薄膜作为光取出层300，且材料为无机氧化物，其显示面板10在r/g/b效率上分别提高了8％，5％和5％。由非晶态薄膜作为光取出层300，且材料为无机氧化物，其显示面板10寿命上分别提高了12％，7％和33％。同时第二电极299的面电阻下降25％，从而减少显示面板10的压降。
[0186]
本技术公开了一种显示面板10及其制备方法，显示面板10包括第一电极100、发光层200以及取出层，所述发光层200设置于所述第一电极100上，所述光取出层300设置于所述发光层200远离所述第一电极100的一侧，其中，所述光取出层300为非晶态薄膜。在本技术中，采用非晶态薄膜作为光取出层300，且形成的材料为无机氧化物，使得光取出层300可以采用低真空以及低温溅射形成，提高了显示面板10的光取出率；光取出层300为非晶态薄膜，也称无定型薄膜，在可见光波段的透过率达到80％及以上，即具有高透过率，提高了显示面板10的光透过率，且，光取出层300的折射率为1.95-3以及吸收系数为0.001-0.6，即具有高折射率以及低吸收系数，进一步提高了显示面板10的光透过率，从而提高了显示面板10的性能；采用非晶态薄膜作为光取出层300，且形成的材料为无机氧化物，使得光取出层300和第二电极299之间形成双层复合膜，相当于两层薄膜的并联，从而降低面电阻，从而降低压降，适合大尺寸显示面板10的制造；采用非晶态薄膜作为光取出层300，且形成的材料为无机氧化物，无需在光取出层300上制备一层保护层用于保护显示面板10中的结构，如，无需在光取出层300上制备一层氟化锂来避免封装层900工艺中化学气相沉积工艺产生的高能粒子对显示面板10中的结构造成损伤，并降低成本，另外，氟化锂在长期的蒸镀的过程中，蒸镀腔体内壁会累积大量材料，容易发生剥离，从而增加机台保养的频次，影响产能。
[0187]
以上对本技术实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。