有机器件、掩模组、掩模以及有机器件的制造方法与流程

1.本发明的实施方式涉及有机器件、掩模组、掩模以及有机器件的制造方法。


背景技术：

2.近年来，在智能手机、平板电脑等电子器件中，市场上要求高精细的显示装置。显示装置例如具有400ppi以上或800ppi以上等的像素密度。
3.由于具有良好的响应性和/或低功耗，因此有机el显示装置受到关注。作为形成有机el显示装置的像素的方法，已知通过蒸镀使构成像素的材料附着于基板上的方法。例如，首先，准备以与元件对应的图案形成有阳极的基板。接着，经由掩模的贯通孔使有机材料附着在阳极上，由此在阳极上形成有机层。接着，经由掩模的贯通孔使导电性材料附着在有机层上，由此在有机层上形成阴极。
4.现有技术文献
5.专利文献
6.专利文献1：日本专利第3539597号公报


技术实现要素：

7.发明所要解决的课题
8.阴极的面积越大，则阴极的电阻越低。另一方面，阴极的面积越大，则有机器件中的光的透射率越降低。
9.用于解决课题的手段
10.本发明的一个实施方式的有机器件可以具备：基板；位于上述基板上的第1电极；位于上述第1电极上的有机层；和位于上述有机层上的第2电极。在沿着上述基板的法线方向观察的情况下，上述有机器件可以具备包含第1显示区域和第2显示区域的显示区域。上述第1显示区域可以包含以第1密度分布的上述有机层。上述第2显示区域可以包含以小于上述第1密度的第2密度分布的上述有机层。上述第2电极可以具备：在上述第1显示区域无间隙地扩展的广域电极；和包含与上述广域电极连接的端并在上述第2显示区域与上述有机层重叠的2个以上的电极线。
11.发明的效果
12.根据本发明的一个实施方式，能够提高有机器件中的光的透射率。
附图说明
13.图1是示出有机器件的一例的俯视图。
14.图2是将有机器件放大示出的俯视图。
15.图3是将图2的第1显示区域和第2显示区域的一部分放大示出的俯视图。
16.图4是示出第2电极的结构的一例的俯视图。
17.图5是示出从图4的有机器件去除了第2电极后的状态的俯视图。
18.图6是沿着图4的有机器件的a-a线的截面图。
19.图7是沿着图4的有机器件的b-b线的截面图。
20.图8a是沿着图4的有机器件的c-c线的截面图。
21.图8b是示出第1重叠区域的一例的截面图。
22.图8c是示出第1重叠区域的一例的截面图。
23.图8d是沿着图4的有机器件的d-d线的截面图。
24.图8e是示出第2重叠区域的一例的截面图。
25.图9是示出有机器件组的一例的俯视图。
26.图10是示出蒸镀装置的一例的图。
27.图11是示出掩模装置的一例的俯视图。
28.图12是示出第1掩模装置的一例的图。
29.图13是示出第2掩模装置的一例的图。
30.图14是示出掩模的截面结构的一例的图。
31.图15是示出第1掩模的一例的俯视图。
32.图16是示出第2掩模的一例的俯视图。
33.图17是示出掩模层积体的一例的俯视图。
34.图18是示出有机器件的一例的俯视图。
35.图19是示出第1掩模装置的一例的图。
36.图20是示出第2掩模装置的一例的图。
具体实施方式
37.在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，“基板”、“基材”、“板”、“片”或“膜”等表示成为某一结构的基础的物质的用语并非仅基于称呼的不同而相互区分。
38.在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，对于限定形状、几何学条件以及它们的程度的例如“平行”、“正交”等用语或长度、角度的值等，不限于严格的含义，而是包含可期待同样功能的程度的范围来解释。
39.在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，在某个部件或某个区域等某一结构处于其他部件或其他区域等其他结构的“上”或“下”、“上侧”或“下侧”、或者“上方”或“下方”的情况下，包括某一结构与其他结构直接接触的情况。此外，还包括在某一结构与其他结构之间包含另外的结构的情况、即间接接触的情况。另外，只要没有特别说明，“上”、“上侧”、“上方”或者“下”、“下侧”、“下方”这样的语句中，上下方向可以翻转。
40.在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，对于同一部分或具有同样功能的部分标注同一标号或类似的标号，有时省略其重复的说明。另外，为了便于说明，有时附图的尺寸比例与实际的比例不同，有时从附图中省略结构的一部分。
41.在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，本说明书的一个实施方式可以在不产生矛盾的范围内与其他实施方式组合。另外，其他实施方式彼此也可以在不产生矛盾的范围内组合。
42.在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，在关于制造方法等方法公开多个工序的情况下，可以在所公开的工序之间实施未公开的其他工序。另外，所公开的工序的顺序
在不产生矛盾的范围内是任意的。
43.在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，由符号“～”表示的范围包括置于标号“～”的前后的数值或要素。例如，“34～38质量％”这样的表述所划定的数值范围与“34质量％以上且38质量％以下”这样的表述所划定的数值范围相同。例如，“掩模50a～50b”这样的表述所划定的范围包括掩模50a、50b。
44.本说明书的一个实施方式中，对如下例子进行说明：具备多个掩模的掩模组用于在制造有机el显示装置时在基板上形成电极。但是，掩模组的用途没有特别限定，对于用于各种用途的掩模组，能够应用本实施方式。例如，为了形成如下装置的电极，也可以使用本实施方式的掩模组，其中，所述装置是用于显示或投影用于表现虚拟现实(所谓的vr)或增强现实(所谓的ar)的图像或影像的装置。另外，为了形成液晶显示装置的电极等、有机el显示装置以外的显示装置的电极，也可以使用本实施方式的掩模组。另外，为了形成压力传感器的电极等、显示装置以外的有机器件的电极，也可以使用本实施方式的掩模组。
45.本发明的第1方式涉及一种有机器件，其具备：
46.基板；
47.位于上述基板上的第1电极；
48.位于上述第1电极上的有机层；和
49.位于上述有机层上的第2电极，
50.在沿着上述基板的法线方向观察的情况下，上述有机器件具备包含第1显示区域和第2显示区域的显示区域，
51.上述第1显示区域包含以第1密度分布的上述有机层，
52.上述第2显示区域包含以小于上述第1密度的第2密度分布的上述有机层，
53.上述第2电极具备：在上述第1显示区域无间隙地扩展的广域电极；和包含与上述广域电极连接的端并在上述第2显示区域与上述有机层重叠的2个以上的电极线。
54.本发明的第2方式中，在上述第1方式的有机器件中，上述显示区域可以具备轮廓，上述轮廓包含：在第1方向上相向的第1边和第2边；和在与第1方向交叉的第2方向上相向的第3边和第4边。上述广域电极可以沿着上述第1边、上述第2边和上述第3边扩展。
55.本发明的第3方式中，在上述第2方式的有机器件中，上述第2显示区域可以与上述第4边相接。
56.本发明的第4方式中，在上述第1方式至上述第3方式的各有机器件中，上述电极线可以包含：与上述有机层重叠的像素段；和与上述像素段连接且具有比上述像素段的宽度小的宽度的连接段。
57.本发明的第5方式中，在上述第4方式的有机器件中，上述第2电极可以包含：至少构成上述广域电极的第1层；和与上述第1层局部重叠且至少构成上述连接段的第2层。
58.本发明的第6方式中，在上述第5方式的有机器件中，上述第1层可以包含构成上述像素段的部分。
59.本发明的第7方式中，在上述第6方式的有机器件中，构成上述像素段的上述第1层的1个上述部分可以与2个以上的上述有机层重叠。
60.本发明的第8方式中，在上述第6方式的有机器件中，构成上述像素段的上述第1层的1个上述部分可以与1个上述有机层重叠。
61.本发明的第9方式中，在上述第1方式至上述第8方式的各有机器件中，上述第2密度相对于上述第1密度之比可以为0.9以下。
62.本发明的第10方式涉及一种掩模组，其为具备2片以上的掩模的掩模组，其中，
63.上述掩模具备遮蔽区域和贯通孔，
64.2片以上的上述掩模重叠而成的掩模层积体具备在沿着上述掩模的法线方向观察时与上述贯通孔重叠的贯通区域，
65.在沿着上述掩模的法线方向观察的情况下，上述掩模层积体具备包含掩模第1区域和掩模第2区域的单元，
66.在上述掩模第1区域中，上述贯通区域无间隙地扩展，
67.在上述掩模第2区域中，上述贯通区域具备包含与上述掩模第1区域连接的端且位于上述掩模第2区域的2个以上的贯通线。
68.本发明的第11方式中，在上述第10方式的掩模组中，上述单元可以具备单元轮廓，上述单元轮廓包含：在掩模第1方向上相向的单元第1边和单元第2边；和在与掩模第1方向交叉的掩模第2方向上相向的单元第3边和单元第4边。上述贯通区域可以在上述掩模第1区域中沿着上述单元第1边、上述单元第2边和上述单元第3边扩展。
69.本发明的第12方式中，在上述第11方式的掩模组中，上述掩模第2区域可以与上述单元第4边相接。
70.本发明的第13方式中，在上述第10方式至上述第12方式的各掩模组中，上述贯通线可以包含：第1贯通段；和与上述第1贯通段连接且具有比上述第1贯通段的宽度小的宽度的第2贯通段。
71.本发明的第14方式中，在上述第10方式至上述第13方式的各掩模组中，上述掩模组可以具备：第1掩模，包含在上述掩模第1区域无间隙地扩展的第1广域贯通孔；和第2掩模，包含在上述掩模第2区域构成上述贯通线的2个以上的第2贯通孔。
72.本发明的第15方式中，在上述第14方式的掩模组中，上述第1掩模可以包含位于上述掩模第2区域且在沿着上述掩模的法线方向观察时与上述第2贯通孔局部重叠的2个以上的第1贯通孔。
73.本发明的第16方式中，在上述第10方式至上述第15方式的各掩模组中，上述掩模第2区域中，上述贯通区域可以具有0.9以下的占有率。
74.本发明的第17方式涉及一种掩模，其为具备遮蔽区域和贯通孔的掩模，其中，
75.在沿着上述掩模的法线方向观察的情况下，具备包含掩模第1区域和掩模第2区域的单元，
76.在上述掩模第1区域中，上述贯通孔无间隙地扩展，
77.上述掩模第2区域包含：上述遮蔽区域；和被上述遮蔽区域包围的2个以上的上述贯通孔。
78.本发明的第18方式中，在上述第17方式的掩模中，上述单元可以具备单元轮廓，上述单元轮廓包含：在掩模第1方向上相向的单元第1边和单元第2边；和在与掩模第1方向交叉的掩模第2方向上相向的单元第3边和单元第4边。上述贯通孔可以在上述掩模第1区域中沿着上述单元第1边、上述单元第2边和上述单元第3边扩展。
79.本发明的第19方式中，在上述第18方式的掩模中，上述掩模第2区域可以与上述单
元第4边相接。
80.本发明的第20方式涉及一种有机器件的制造方法，其具备第2电极形成工序：利用上述第10方式至上述第16方式中的任意1个掩模组在基板上的第1电极上的有机层上形成第2电极，
81.上述第2电极形成工序具备：
82.通过使用第1上述掩模的蒸镀法形成上述第2电极的第1层的工序；和
83.通过使用第2上述掩模的蒸镀法形成上述第2电极的第2层的工序。
84.参照附图，对本发明的一个实施方式详细地进行说明。需要说明的是，以下所示的实施方式是本发明的实施方式的一例，本发明并不仅限于这些实施方式来解释。
85.对有机器件200进行说明。有机器件200具备通过使用本实施方式的掩模组而形成的元件。例如，有机器件200的后述第2电极通过使用本实施方式的掩模组而形成。图1是示出沿着有机器件200的基板的法线方向观察时的有机器件200的一例的俯视图。在以下的说明中，将沿着基板等成为基础的物质的面的法线方向观察的情况也称为俯视。
86.有机器件200包括基板和沿着基板的面内方向排列的多个元件115。元件115例如是像素。有机器件200包含显示影像的显示区域100。显示区域100的轮廓可以包含第1边100a、第2边100b、第3边100c和第4边100d。第1边100a和第2边100b可以在第1方向g1上相向。第3边100c和第4边100d可以在第2方向g2上相向。第2方向g2是与第1方向g1交叉的方向。第2方向g2也可以与第1方向g1正交。
87.如图1所示，显示区域100在俯视时可以包含第1显示区域101和第2显示区域102。如图1所示，第1显示区域101可以沿着第1边100a、第2边100b和第3边100c扩展。例如，第1显示区域101可以与第1边100a的整个区域、第2边100b的整个区域和第3边100c的整个区域相接。第1显示区域101可以与第4边100d局部相接。第2显示区域102可以具有小于第1显示区域101的面积。第2显示区域102可以与第4边100d相接。
88.图2是将图1的第2显示区域102及其周围放大示出的俯视图。在第1显示区域101中，元件115也可以沿着不同的2个方向排列。例如，第1显示区域101的2个以上的元件115也可以沿着第1方向g1和第2方向g2排列。
89.有机器件200具备第2电极140。第2电极140位于后述的有机层130上。第2电极140可以与2个以上的有机层130电连接。例如，第2电极140可以在俯视时与2个以上的有机层130重叠。也将位于第1显示区域101的第2电极140表示为第2电极140x。也将位于第2显示区域102的第2电极140表示为第2电极140y。
90.第2电极140x可以在第1显示区域101无间隙地扩展。也将第2电极140x称为广域电极。广域电极140x可以沿着第1边100a、第2边100b和第3边100c扩展。例如，广域电极140x可以与第1边100a的整个区域、第2边100b的整个区域和第3边100c的整个区域相接。广域电极140x可以与第4边100d局部相接。
91.如图2所示，第2电极140y可以包含在第1方向g1上排列的2个以上的电极线140l。电极线140l可以在第2方向g2上延伸。例如，电极线140l可以包含俯视时与广域电极140x连接的第1端140l1。电极线140l可以包含在第2方向g2上位于与第1端140l1相反的一侧的第2端140l2。第2端140l2在俯视时可以不与广域电极140x连接。第2端140l2可以位于第4边100d。
92.第2显示区域102可以包含透射区域104。透射区域104在俯视时不与第2电极140重叠。因此，透射区域104相比于俯视时与第2电极140重叠的区域具有高透射率。透射区域104例如位于第1方向g1上相邻的2个电极线140l之间。也将俯视时与第2电极140重叠的区域称为非透射区域。
93.第1显示区域101可以不包含透射区域104。
94.第2电极140x具有第1占有率。第1占有率是通过将位于第1显示区域101的第2电极140的面积的合计除以第1显示区域101的面积而算出的。第1占有率例如为0.95以上、可以为0.98以上、可以为0.99以上、也可以为1.00。
95.第2电极140y具有第2占有率。第2占有率是通过将位于第2显示区域102的第2电极140的面积的合计除以第2显示区域102的面积而算出的。第2显示区域102包含透射区域104，因此第2占有率小于第1占有率。
96.第2占有率相对于第1占有率之比例如可以为0.2以上、可以为0.3以上、也可以为0.4以上。第2占有率相对于第1占有率之比例如可以为0.6以下、可以为0.7以下、也可以为0.8以下。第2占有率相对于第1占有率之比的范围可以通过由0.2、0.3和0.4构成的第1组和/或由0.6、0.7和0.8构成的第2组来限定。第2占有率相对于第1占有率之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第2占有率相对于第1占有率之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第2占有率相对于第1占有率之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为0.2以上0.8以下、可以为0.2以上0.7以下、可以为0.2以上0.6以下、可以为0.2以上0.4以下、可以为0.2以上0.3以下、可以为0.3以上0.8以下、可以为0.3以上0.7以下、可以为0.3以上0.6以下、可以为0.3以上0.4以下、可以为0.4以上0.8以下、可以为0.4以上0.7以下、可以为0.4以上0.6以下、可以为0.6以上0.8以下、可以为0.6以上0.7以下、也可以为0.7以上0.8以下。
97.也将非透射区域的透射率称为第1透射率tr1。也将透射区域104的透射率称为第2透射率tr2。透射区域104不包含第2电极140y，因此第2透射率tr2比第1透射率tr1高。因此，在包含透射区域104的第2显示区域102中，到达有机器件200的光能够透过透射区域104而到达基板的背面侧的光学部件等。光学部件例如是照相机等通过检测光来实现某些功能的部件。另一方面，第2显示区域102也包含非透射区域。即，第2显示区域102包含第2电极140y和与第2电极140y重叠的元件115。元件115为像素的情况下，能够在第2显示区域102显示影像。这样，第2显示区域102能够检测光且显示影像。通过检测光所实现的第2显示区域102的功能例如是照相机、指纹传感器、脸部识别传感器等传感器等。第2显示区域102的透射区域104的第2透射率tr2越高，第2占有率越低，越能够增加传感器所接收的光量。
98.非透射区域在第1方向g1及第2方向g2上的尺寸、以及透射区域104在第1方向g1及第2方向g2上的尺寸中的任一者为1mm以下的情况下，可以使用显微分光光度计测定第1透射率tr1和第2透射率tr2。作为显微分光光度计，使用奥林巴斯株式会社制造osp-sp200的任一显微分光光度计均可在380nm以上780nm以下的可见光区域测定透射率。使用石英作为参考。可以将550nm处的测定结果用作第1透射率tr1和第2透射率tr2。
99.非透射区域在第1方向g1及第2方向g2上的尺寸、以及透射区域104在第1方向g1及第2方向g2上的尺寸均大于1mm的情况下，可以使用分光光度计测定第1透射率tr1和第2透
射率tr2。作为分光光度计，使用株式会社岛津制作所制造的紫外可见分光光度计uv-2600i。通过在分光光度计上安装微小光束光圈单元，能够测定具有1mm的尺寸的区域的透射率。使用大气作为参考。将550nm处的测定结果用作第1透射率tr1和第2透射率tr2。
100.第2透射率tr2相对于第1透射率tr1之比tr2/tr1例如可以为1.2以上、可以为1.5以上、也可以为1.8以上。tr2/tr1例如可以为2以下、可以为3以下、也可以为4以下。tr2/tr1的范围可以通过由1.2、1.5和1.8构成的第1组和/或由2、3和4构成的第2组来限定。tr2/tr1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。tr2/tr1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。tr2/tr1的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。tr2/tr1例如可以为1.2以上4以下、可以为1.2以上3以下、可以为1.2以上2以下、可以为1.2以上1.8以下、可以为1.2以上1.5以下、可以为1.5以上4以下、可以为1.5以上3以下、可以为1.5以上2以下、可以为1.5以上1.8以下、可以为1.8以上4以下、可以为1.8以上3以下、可以为1.8以上2以下、可以为2以上4以下、可以为2以上3以下、也可以为3以上4以下。
101.第2显示区域102在元件第1方向g1上具有尺寸n13，在元件第2方向g2上具有尺寸n14。如图2所示，元件第1方向g1上的第2显示区域102的外缘可以由透射区域104来限定。如图2所示，元件第2方向g2上的第2显示区域102的外缘可以由电极线140l的第1端140l1和第2端140l2来限定。
102.尺寸n13例如可以为1.0mm以上、可以为3.0mm以上、也可以为5.0mm以上。尺寸n13例如可以为10.0mm以下、可以为20.0mm以下、也可以为30.0mm以下。尺寸n13的范围可以通过由1.0mm、3.0mm和5.0mm构成的第1组和/或由10.0mm、20.0mm和30.0mm构成的第2组来限定。尺寸n13的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。尺寸n13的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。尺寸n13的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。尺寸n13例如可以为1.0mm以上30.0mm以下、可以为1.0mm以上20.0mm以下、可以为1.0mm以上10.0mm以下、可以为1.0mm以上5.0mm以下、可以为1.0mm以上3.0mm以下、可以为3.0mm以上30.0mm以下、可以为3.0mm以上20.0mm以下、可以为3.0mm以上10.0mm以下、可以为3.0mm以上5.0mm以下、可以为5.0mm以上30.0mm以下、可以为5.0mm以上20.0mm以下、可以为5.0mm以上10.0mm以下、可以为10.0mm以上30.0mm以下、可以为10.0mm以上20.0mm以下、也可以为20.0mm以上30.0mm以下。
103.尺寸n14可以与尺寸n13大致相同。尺寸n14也可以为尺寸n13以下。尺寸n14相对于尺寸n13之比n14/n13例如可以为0.10以上、可以为0.20以上、可以为0.30以上、也可以为0.40以上。n14/n13例如可以为0.50以下、可以为0.80以下、可以为0.99以下、也可以为1.10以下。n14/n13的范围可以通过由0.10、0.20、0.30和0.40构成的第1组和/或由0.50、0.80、0.99和1.10构成的第2组来限定。n14/n13的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。n14/n13的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。n14/n13的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。n14/n13例如可以为0.10以上1.10以下、可以为0.10以上0.99以下、可以为0.10以上0.80以下、可以为0.10以上0.50以下、可以为0.10以上0.40以下、可以为0.10以上0.30以下、可以为0.10以上0.20以下、可以为0.20以上1.10以下、可
以为0.20以上0.99以下、可以为0.20以上0.80以下、可以为0.20以上0.50以下、可以为0.20以上0.40以下、可以为0.20以上0.30以下、可以为0.30以上1.10以下、可以为0.30以上0.99以下、可以为0.30以上0.80以下、可以为0.30以上0.50以下、可以为0.30以上0.40以下、可以为0.40以上1.10以下、可以为0.40以上0.99以下、可以为0.40以上0.80以下、可以为0.40以上0.50以下、可以为0.50以上1.10以下、可以为0.50以上0.99以下、可以为0.50以上0.80以下、可以为0.80以上1.10以下、可以为0.80以上0.99以下、也可以为0.99以上1.10以下。
104.如图1所示，显示区域100在元件第1方向g1上具有尺寸n11。元件第1方向g1上的显示区域100的外缘可以由第2电极140来限定。
105.尺寸n13相对于尺寸n11之比n13/n11例如可以为0.05以上、可以为0.10以上、可以为0.20以上、也可以为0.30以上。n13/n11例如可以为0.40以下、可以为0.50以下、可以为0.60以下、也可以为0.80以下。n13/n11的范围可以通过由0.05、0.10、0.20和0.30构成的第1组和/或由0.40、0.50、0.60和0.80构成的第2组来限定。n13/n11的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。n13/n11的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。n13/n11的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。n13/n11例如可以为0.05以上0.80以下、可以为0.05以上0.60以下、可以为0.05以上0.50以下、可以为0.05以上0.40以下、可以为0.05以上0.30以下、可以为0.05以上0.20以下、可以为0.05以上0.10以下、可以为0.10以上0.80以下、可以为0.10以上0.60以下、可以为0.10以上0.50以下、可以为0.10以上0.40以下、可以为0.10以上0.30以下、可以为0.10以上0.20以下、可以为0.20以上0.80以下、可以为0.20以上0.60以下、可以为0.20以上0.50以下、可以为0.20以上0.40以下、可以为0.20以上0.30以下、可以为0.30以上0.80以下、可以为0.30以上0.60以下、可以为0.30以上0.50以下、可以为0.30以上0.40以下、可以为0.40以上0.80以下、可以为0.40以上0.60以下、可以为0.40以上0.50以下、可以为0.50以上0.80以下、可以为0.50以上0.60以下、也可以为0.60以上0.80以下。
106.图3是将图2的第1显示区域101和第2显示区域102的一部分放大示出的俯视图。第2电极140x和第2电极140y都可以在俯视时与有机层130重叠。有机层130是元件115的一个构成要素。
107.第1显示区域101包含以第1密度pd1分布的有机层130。第2显示区域102包含以第2密度pd2分布的有机层130。第2密度pd2小于第1密度pd1。第2密度pd2相对于第1密度pd1之比pd2/pd1例如可以为0.1以上、可以为0.2以上、也可以为0.4以上。pd2/pd1例如可以为0.6以下、可以为0.8以下、也可以为0.9以下。pd2/pd1的范围可以通过由0.1、0.2和0.4构成的第1组和/或由0.6、0.8和0.9构成的第2组来限定。pd2/pd1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。pd2/pd1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。pd2/pd1的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。pd2/pd1例如可以为0.1以上0.9以下、可以为0.1以上0.8以下、可以为0.1以上0.6以下、可以为0.1以上0.4以下、可以为0.1以上0.2以下、可以为0.2以上0.9以下、可以为0.2以上0.8以下、可以为0.2以上0.6以下、可以为0.2以上0.4以下、可以为0.4以上0.9以下、可以为0.4以上0.8以下、可以为0.4以上0.6以下、可以为0.6以上0.9以下、可以为0.6以上0.8以下、也可以为0.8以上0.9以下。
108.在第1显示区域101中，有机层130可以沿着不同的2个方向排列。例如，有机层130可以沿着第1方向g1以第11周期p11排列。在第2显示区域102中，有机层130可以沿着第1方向g1以第12周期p12排列。第12周期p12可以大于第11周期p11。
109.第12周期p12相对于第11周期p11之比例如可以为1.1以上、可以为1.3以上、也可以为1.5以上。第12周期p12相对于第11周期p11之比p12/p11例如可以为2.0以下、可以为3.0以下、也可以为4.0以下。p12/p11的范围可以通过由1.1、1.3和1.5构成的第1组和/或由2.0、3.0和4.0构成的第2组来限定。p12/p11的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。p12/p11的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。p12/p11的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。p12/p11例如可以为1.1以上4.0以下、可以为1.1以上3.0以下、可以为1.1以上2.0以下、可以为1.1以上1.5以下、可以为1.1以上1.3以下、可以为1.3以上4.0以下、可以为1.3以上3.0以下、可以为1.3以上2.0以下、可以为1.3以上1.5以下、可以为1.5以上4.0以下、可以为1.5以上3.0以下、可以为1.5以上2.0以下、可以为2.0以上4.0以下、可以为2.0以上3.0以下、也可以为3.0以上4.0以下。在p12/p11小的情况下，第1密度pd1与第2密度pd2之差变小。由此，能够抑制在第1显示区域101与第2显示区域102之间产生视觉差。
110.在第1显示区域101中，有机层130可以沿着第2方向g2以第21周期p21排列。在第2显示区域102中，有机层130可以沿着第2方向g2以第22周期p22排列。第22周期p22可以大于第21周期p21。作为第22周期p22相对于第21周期p21之比p22/p21的范围，可以采用上述的“p12/p11的范围”。
111.第2密度pd2相对于第1密度pd1之比pd2/pd1可以基于第11周期p11、第12周期p12、第21周期p21和第22周期p22算出。例如，pd2/pd1可以为(p11
×
p21)/(p12
×
p22)。
112.如图3所示，广域电极140x可以与在第1方向g1上排列的2个以上的有机层130、以及在第2方向g2上排列的2个以上的有机层130重叠。广域电极140x可以与位于第1显示区域101的有机层130的95％以上重叠，可以与98％以上重叠，也可以与99％以上重叠。广域电极140x可以与位于第1显示区域101的全部有机层130重叠。
113.如图3所示，1个电极线140l在俯视时可以与沿着第2方向g2排列的2个以上的有机层130重叠。
114.标号g11表示在第1方向g1上相邻的2个电极线140l之间的间隔。间隔g11可以根据透射区域104的第2透射率tr2来确定。间隔g11也可以以有机层130的第11周期p11为基准来确定。
115.间隔g11相对于第11周期p11之比g11/p11例如可以为0.3以上、可以为0.5以上、也可以为1.0以上。g11/p11例如可以为1.5以下、可以为2.0以下、也可以为3.0以下。g11/p11的范围可以通过由0.3、0.5和1.0构成的第1组和/或由1.5、2.0和3.0构成的第2组来限定。g11/p11的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。g11/p11的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。g11/p11的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。g11/p11例如可以为0.3以上3.0以下、可以为0.3以上2.0以下、可以为0.3以上1.5以下、可以为0.3以上1.0以下、可以为0.3以上0.5以下、可以为0.5以上3.0以下、可以为0.5以
上2.0以下、可以为0.5以上1.5以下、可以为0.5以上1.0以下、可以为1.0以上3.0以下、可以为1.0以上2.0以下、可以为1.0以上1.5以下、可以为1.5以上3.0以下、可以为1.5以上2.0以下、也可以为2.0以上3.0以下。
116.间隔g11例如可以为50μm以上、可以为100μm以上、也可以为150μm以上。间隔g11例如可以为200μm以下、可以为250μm以下、也可以为300μm以下。间隔g11的范围可以通过由50μm、100μm和150μm构成的第1组和/或由200μm、250μm和300μm构成的第2组来限定。间隔g11的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。间隔g11的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。间隔g11的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。间隔g11例如可以为50μm以上300μm以下、可以为50μm以上250μm以下、可以为50μm以上200μm以下、可以为50μm以上150μm以下、可以为50μm以上100μm以下、可以为100μm以上300μm以下、可以为100μm以上250μm以下、可以为100μm以上200μm以下、可以为100μm以上150μm以下、可以为150μm以上300μm以下、可以为150μm以上250μm以下、可以为150μm以上200μm以下、可以为200μm以上300μm以下、可以为200μm以上250μm以下、也可以为250μm以上300μm以下。
117.如图3所示，电极线140l可以包含像素段141和连接段142。像素段141可以在俯视时与有机层130重叠。连接段142可以与像素段141连接。连接段142可以在俯视时不与有机层130重叠。像素段141和连接段142可以在第2方向g2上交替排列。
118.像素段141具有第1宽度w1。连接段142具有第2宽度w2。第1宽度w1和第2宽度w2是在与像素段141和连接段142排列的方向正交的方向上的像素段141的尺寸和连接段142的尺寸。第2宽度w2可以小于第1宽度w1。第2宽度w2相对于第1宽度w1之比w2/w1例如可以为0.1以上、可以为0.2以上、也可以为0.3以上。w2/w1例如可以为0.7以下、可以为0.8以下、也可以为0.9以下。w2/w1的范围可以通过由0.1、0.2和0.3构成的第1组和/或由0.7、0.8和0.9构成的第2组来限定。w2/w1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。w2/w1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。w2/w1的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。w2/w1例如可以为0.1以上0.9以下、可以为0.1以上0.8以下、可以为0.1以上0.7以下、可以为0.1以上0.3以下、可以为0.1以上0.2以下、可以为0.2以上0.9以下、可以为0.2以上0.8以下、可以为0.2以上0.7以下、可以为0.2以上0.3以下、可以为0.3以上0.9以下、可以为0.3以上0.8以下、可以为0.3以上0.7以下、可以为0.7以上0.9以下、可以为0.7以上0.8以下、也可以为0.8以上0.9以下。
119.虽未图示，但第2宽度w2也可以与第1宽度w1大致相同。例如，w2/w1可以为0.9以上1.1以下。
120.对第2电极140的层结构进行说明。图4是将图3的第2电极140的一部分放大示出的俯视图。
121.第2电极140可以包含多个层。例如，第2电极140可以包含第1层140a和第2层140b。第1层140a和第2层140b分别是通过使用后述的第1掩模50a和第2掩模50b的蒸镀法而形成的层。第2层140b可以与第1层140a局部重叠。也将俯视时第2电极140的多个层重叠的区域称为电极重叠区域145。
122.电极重叠区域145可以包含第1重叠区域145a。第1重叠区域145a是位于第2显示区
域102的第2电极140的多个层重叠的区域。在图4所示的例子中，第1重叠区域145a包含位于第2显示区域102的第1层140a和第2层140b。
123.电极重叠区域145可以包含第2重叠区域145b。第2重叠区域145b是位于第1显示区域101的第2电极140的至少1个层与从第2显示区域102扩展至第1显示区域101的第2电极140的至少1个层重叠的区域。在图4所示的例子中，第2重叠区域145b包含位于第1显示区域101的第1层140a和从第2显示区域102扩展至第1显示区域101的第2层140b。
124.在以下的说明中，在对第1重叠区域145a和第2重叠区域145b所共用的结构进行说明的情况下，使用“电极重叠区域145”这样的用语和标号。
125.第1层140a可以构成广域电极140x。构成广域电极140x的第1层140a的部分用标号140a1表示。
126.第1层140a可以构成像素段141。构成像素段141的第1层140a的部分用标号140a2表示。
127.第2层140b可以构成连接段142。第2层140b可以包含与第1层140a2重叠的2个端。第2层140b可以包含与第1层140a1重叠的1个端和与第1层140a2重叠的1个端。
128.电极重叠区域145的面积可以小于第2层140b的面积。电极重叠区域145的面积相对于第2层140b的面积之比例如可以为0.02以上、可以为0.05以上、也可以为0.10以上。电极重叠区域145的面积相对于第2层140b的面积之比例如可以为0.20以下、可以为0.30以下、也可以为0.40以下。电极重叠区域145的面积相对于第2层140b的面积之比的范围可以通过由0.02、0.05和0.10构成的第1组和/或由0.20、0.30和0.40构成的第2组来限定。电极重叠区域145的面积相对于第2层140b的面积之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。电极重叠区域145的面积相对于第2层140b的面积之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。电极重叠区域145的面积相对于第2层140b的面积之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。电极重叠区域145的面积相对于第2层140b的面积之比例如可以为0.02以上0.40以下、可以为0.02以上0.30以下、可以为0.02以上0.20以下、可以为0.02以上0.10以下、可以为0.02以上0.05以下、可以为0.05以上0.40以下、可以为0.05以上0.30以下、可以为0.05以上0.20以下、可以为0.05以上0.10以下、可以为0.10以上0.40以下、可以为0.10以上0.30以下、可以为0.10以上0.20以下、可以为0.20以上0.40以下、可以为0.20以上0.30以下、也可以为0.30以上0.40以下。
129.图5是示出从图4的有机器件200去除了第2电极140后的状态的俯视图。有机层130可以包含第1有机层130a、第2有机层130b和第3有机层130c。第1有机层130a、第2有机层130b和第3有机层130c例如为红色发光层、蓝色发光层和绿色发光层。红色发光层、蓝色发光层和绿色发光层这样的放出特定颜色的光的有机层也称为子有机层。在以下的说明中，对第1有机层130a、第2有机层130b和第3有机层130c所共用的有机层的结构进行说明的情况下，使用“有机层130”这样的用语和标号。
130.如图4和图5所示，1个第1层140a2可以与2个以上的子有机层重叠。虽未图示，但1个第1层140a2也可以与1个子有机层重叠。
131.俯视时的第2电极140和有机层130的配置可以通过使用数字显微镜观察有机器件200来检测。数字显微镜的倍率为500倍。可以基于检测结果计算出上述的占有率、面积、尺
寸、周期、间隔等。有机器件200具备罩玻璃等罩的情况下，可以通过将罩剥离或破坏等来去除罩，然后观察第2电极140和有机层130。
132.接着，对有机器件200的层结构的一例进行说明。图6是沿着图4的有机器件200的a-a线的截面图。图7是沿着图4的有机器件200的b-b线的截面图。图8a是沿着图4的有机器件200的c-c线的截面图。图8d是沿着图4的有机器件200的d-d线的截面图。
133.有机器件200具备基板110和位于基板110上的元件115。元件115可以具有第1电极120、位于第1电极120上的有机层130和位于有机层130上的第2电极140。
134.有机器件200可以具备在俯视时位于相邻的2个第1电极120之间的绝缘层160。绝缘层160例如可以包含聚酰亚胺。绝缘层160可以与第1电极120的端部重叠。
135.有机器件200可以是有源矩阵型。例如，虽未图示，但有机器件200可以具备开关。开关与多个元件115分别电连接。开关例如是晶体管。开关能够控制针对对应的元件115的电压或电流的接通/断开。
136.如图6所示，第1显示区域101的广域电极140x可以由1个层、例如第1层140a1构成。广域电极140x可以不包含电极重叠区域145。如图8a和图8d所示，电极重叠区域145包含第2电极140的多个层。因此，电极重叠区域145具有比第2电极140的1个层低的透射率。通过使广域电极140x不包含电极重叠区域145，能够抑制在第1显示区域101中光的强度产生不均。
137.如图7所示，第2显示区域102包含透射区域104。如上所述，透射区域104在俯视时不与第2电极140重叠。透射区域104可以不与有机层130重叠。
138.如图8a和图8d所示，电极重叠区域145可以在俯视时与绝缘层160重叠。例如，在俯视时，电极重叠区域145可以被绝缘层160的轮廓包围。由此，能够抑制因透过电极重叠区域145的光而使光的强度产生不均。
139.对第1重叠区域145a进行详细说明。图8b是示出第1重叠区域145a的一例的截面图。如图8b所示，第1重叠区域145a可以不与有机层130重叠。
140.第1重叠区域145a具有厚度t2。厚度t2是构成第1重叠区域145a的多个层的厚度的合计。在图8b所示的例子中，厚度t2是第1层140a2的厚度与第2层140b2的厚度的合计。
141.第1重叠区域145a的厚度t2可以大于广域电极140x的厚度t1。由此，能够降低电极线140l的电阻。广域电极140x的厚度t1为后述的第1平均厚度μ1。厚度t2通过对从第1端140l1向第2端140l2排列的10个第1重叠区域145a的厚度进行平均而算出。1个第1重叠区域145a的厚度是在截面图中出现的第1重叠区域145a的厚度的最大值。
142.厚度t2相对于厚度t1之比t2/t1例如可以为1.05以上、可以为1.10以上、也可以为1.20以上。t2/t1例如可以为2.50以下、可以为2.00以下、也可以为1.50以下。t2/t1的范围可以通过由1.05、1.10和1.20构成的第1组和/或由2.50、2.00和1.50构成的第2组来限定。t2/t1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。t2/t1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。t2/t1的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。t2/t1例如可以为1.05以上1.50以下、可以为1.05以上2.00以下、可以为1.05以上2.50以下、可以为1.05以上1.20以下、可以为1.05以上1.10以下、可以为1.10以上1.50以下、可以为1.10以上2.00以下、可以为1.10以上2.50以下、可以为1.10以上1.20以下、可以为1.20以上1.50以下、可以为1.20以上2.00以下、可以为1.20以上2.50以下、可以为2.50以上1.50以
下、可以为2.50以上2.00以下、也可以为2.00以上1.50以下。
143.图8c是示出第1重叠区域145a的另一例的截面图。如图8c所示，第1重叠区域145a可以与有机层130重叠。如图8c所示，第1重叠区域145a的一部分可以与有机层130重叠。虽未图示，但第1重叠区域145a的整体可以与有机层130重叠。
144.第1重叠区域145a在元件第2方向g2上具有尺寸k2。尺寸k2例如可以为1.0μm以上、可以为3.0μm以上、也可以为5.0μm以上。尺寸k2例如可以为10.0μm以下、可以为20.0μm以下、也可以为50.0μm以下。尺寸k2的范围可以通过由1.0μm、3.0μm和5.0μm构成的第1组和/或由10.0μm、20.0μm和50.0μm构成的第2组来限定。尺寸k2的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。尺寸k2的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。尺寸k2的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。尺寸k2例如可以为1.0μm以上50.0μm以下、可以为1.0μm以上20.0μm以下、可以为1.0μm以上10.0μm以下、可以为1.0μm以上5.0μm以下、可以为1.0μm以上3.0μm以下、可以为3.0μm以上50.0μm以下、可以为3.0μm以上20.0μm以下、可以为3.0μm以上10.0μm以下、可以为3.0μm以上5.0μm以下、可以为5.0μm以上50.0μm以下、可以为5.0μm以上20.0μm以下、可以为5.0μm以上10.0μm以下、可以为10.0μm以上50.0μm以下、可以为10.0μm以上20.0μm以下、也可以为20.0μm以上50.0μm以下。
145.对第2重叠区域145b进行详细说明。图8e是示出第2重叠区域145b的一例的截面图。如图8e所示，第2重叠区域145b可以不与有机层130重叠。与图8c所示的第1重叠区域145a同样地，第2重叠区域145b可以与有机层130重叠。例如，第2重叠区域145b的一部分可以与有机层130重叠。例如，第2重叠区域145b的整体可以与有机层130重叠。
146.第2重叠区域145b具有厚度t3。厚度t3是构成第2重叠区域145b的多个层的厚度的合计。在图8e所示的例子中，厚度t3是第1层140a1的厚度与第2层140b2的厚度的合计。
147.第2重叠区域145b的厚度t3可以大于广域电极140x的厚度t1。由此，能够降低电极线140l与广域电极140x之间的连接电阻。厚度t3通过对全部第2重叠区域145b的厚度进行平均而算出。1个第2重叠区域145b的厚度是在截面图中出现的第2重叠区域145b的厚度的最大值。作为厚度t3相对于厚度t1之比t3/t1的范围，可以采用上述的“t2/t1的范围”。
148.第2重叠区域145b在元件第2方向g2上具有尺寸k3。作为尺寸k3的范围，可以采用上述的“尺寸k2的范围”。
149.对广域电极140x的厚度进行说明。在广域电极140x不包含电极重叠区域145的情况下，广域电极140x能够具有均匀的厚度。例如，能够减小广域电极140x的第1标准偏差σ1。由此，能够抑制在第1显示区域101中光的强度产生不均。
150.第1标准偏差σ1基于广域电极140x的多个第1部分的厚度t11而算出。第1部分是俯视时与第1电极120重叠的广域电极140x的部分。如图8d所示，多个第1部分沿着元件第2方向g2排列。如图8d所示，多个第1部分包含在元件第2方向g2上与第2显示区域102相邻的1个第1部分。具体而言，多个第1部分为10个第1部分。1个第1部分的厚度t11在元件第2方向g2上的第1部分的中央位置处进行测定。10个第1部分的厚度t11的标准偏差为第1标准偏差σ1。将10个第1部分的厚度t11的平均也称为第1平均厚度μ1。
151.第1平均厚度μ1例如可以为5nm以上、可以为10nm以上、可以为50nm以上、也可以为100nm以上。第1平均厚度μ1例如可以为200nm以下、可以为500nm以下、可以为1μm以下、也可
以为100μm以下。第1平均厚度μ1的范围可以通过由5nm、10nm、50nm和100nm构成的第1组和/或由200nm、500nm、1μm和100μm构成的第2组来限定。第1平均厚度μ1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第1平均厚度μ1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第1平均厚度μ1的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第1平均厚度μ1例如可以为5nm以上100μm以下、可以为5nm以上1μm以下、可以为5nm以上500nm以下、可以为5nm以上200nm以下、可以为5nm以上100nm以下、可以为5nm以上50nm以下、可以为5nm以上10nm以下、可以为10nm以上100μm以下、可以为10nm以上1μm以下、可以为10nm以上500nm以下、可以为10nm以上200nm以下、可以为10nm以上100nm以下、可以为10nm以上50nm以下、可以为50nm以上100μm以下、可以为50nm以上1μm以下、可以为50nm以上500nm以下、可以为50nm以上200nm以下、可以为50nm以上100nm以下、可以为100nm以上100μm以下、可以为100nm以上1μm以下、可以为100nm以上500nm以下、可以为100nm以上200nm以下、可以为200nm以上100μm以下、可以为200nm以上1μm以下、可以为200nm以上500nm以下、可以为500nm以上100μm以下、可以为500nm以上1μm以下、也可以为1μm以上100μm以下。
152.第1标准偏差σ1例如可以为1.0nm以上、可以为2.0nm以上、可以为3.0nm以上、也可以为5.0nm以上。第1标准偏差σ1例如可以为10.0nm以下、可以为15.0nm以下、可以为20.0nm以下、也可以为30.0nm以下。第1标准偏差σ1的范围可以通过由1.0nm、2.0nm、3.0nm和5.0nm构成的第1组和/或由10.0nm、15.0nm、20.0nm和30.0nm构成的第2组来限定。第1标准偏差σ1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第1标准偏差σ1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第1标准偏差σ1的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第1标准偏差σ1例如可以为1.0nm以上30.0nm以下、可以为1.0nm以上20.0nm以下、可以为1.0nm以上15.0nm以下、可以为1.0nm以上10.0nm以下、可以为1.0nm以上5.0nm以下、可以为1.0nm以上3.0nm以下、可以为1.0nm以上2.0nm以下、可以为2.0nm以上30.0nm以下、可以为2.0nm以上20.0nm以下、可以为2.0nm以上15.0nm以下、可以为2.0nm以上10.0nm以下、可以为2.0nm以上5.0nm以下、可以为2.0nm以上3.0nm以下、可以为3.0nm以上30.0nm以下、可以为3.0nm以上20.0nm以下、可以为3.0nm以上15.0nm以下、可以为3.0nm以上10.0nm以下、可以为3.0nm以上5.0nm以下、可以为5.0nm以上30.0nm以下、可以为5.0nm以上20.0nm以下、可以为5.0nm以上15.0nm以下、可以为5.0nm以上10.0nm以下、可以为10.0nm以上30.0nm以下、可以为10.0nm以上20.0nm以下、可以为10.0nm以上15.0nm以下、可以为15.0nm以上30.0nm以下、可以为15.0nm以上20.0nm以下、也可以为20.0nm以上30.0nm以下。
153.广域电极140x可以具有小的第2标准偏差σ2。第2标准偏差σ2基于广域电极140x的多个第1部分的厚度t11和多个第2部分的厚度t12而算出。第2部分是俯视时位于在元件第1方向g1上排列的2个第1电极120之间的广域电极140x的部分。如图8d所示，多个第2部分沿着元件第2方向g2排列。如图8d所示，多个第2部分包含在元件第2方向g2上与第2显示区域102相邻的第1部分所相邻的1个第2部分。具体而言，多个第2部分为10个第2部分。1个第2部分的厚度t12在元件第2方向g2上的第2部分的中央位置处进行测定。10个第1部分的厚度t11和10个第2部分的厚度t12的标准偏差为第2标准偏差σ2。也将10个第1部分的厚度t11和10个第2部分的厚度t12的平均称为第2平均厚度μ2。
154.通过使广域电极140x不包含电极重叠区域145，能够减小第2标准偏差σ2。作为第2标准偏差σ2的范围，可以采用上述的“第1标准偏差σ1的范围”。作为第2平均厚度μ2的范围，可以采用上述的“第1平均厚度μ1的范围”。
155.对有机器件200的构成要素进行说明。
156.基板110可以是具有绝缘性的板部件。基板110优选具有使光透过的透明性。
157.在基板110具有规定的透明性的情况下，基板110的透明性优选为能够使来自有机层130的发光透过而进行显示的程度的透明性。例如，基板110在可见光区域中的透射率优选为70％以上、更优选为80％以上。基板110的透射率基于jis k7361-1中规定的“塑料-透明材料的总透光率的试验方法第1部：单光束法”进行测定。
158.基板110可以具有挠性，也可以不具有挠性。可以根据有机器件200的用途适当选择基板110。
159.作为基板110的材料，例如可以使用石英玻璃、pyrex(注册商标)玻璃、合成石英板、无碱玻璃等不具有挠性的刚性材料、或者树脂膜、光学用树脂板、薄玻璃等具有挠性的柔性材料等。另外，基材可以是在树脂膜的单面或双面具有阻隔层的层积体。
160.基板110的厚度可以根据基板110所使用的材料、有机器件200的用途等适当选择。例如，可以为0.005mm以上。基板110的厚度可以为5mm以下。
161.通过在第1电极120与第2电极140之间施加电压、或者在第1电极120与第2电极140之间流过电流，元件115可以实现某些功能。例如，在元件115是有机el显示装置的像素的情况下，元件115能够放出构成影像的光。
162.第1电极120包含具有导电性的材料。例如，第1电极120包含金属、具有导电性的金属氧化物、或者其他具有导电性的无机材料等。第1电极120可以包含铟锡氧化物等具有透过性和导电性的金属氧化物。
163.作为构成第1电极120的材料，可以使用：au、cr、mo、ag、mg等金属；被称为ito的氧化铟锡、被称为izo的氧化铟锌、氧化锌、氧化铟等无机氧化物；金属掺杂的聚噻吩等导电性高分子等。这些导电性材料可以单独使用，也可以将2种以上组合使用。在使用2种以上的情况下，可以层积由各材料构成的层。另外，也可以使用包含2种以上的材料的合金。例如，可以使用mgag等镁合金等。
164.有机层130包含有机材料。当对有机层130通电时，有机层130能够发挥某些功能。通电是指对有机层130施加电压、或者在有机层130中流过电流。作为有机层130，可以使用通过通电而放出光的发光层等。有机层130可以包含有机半导体材料。
165.将包含第1电极120、第1有机层130a和第2电极140的层积结构也称为第1元件115a。将包含第1电极120、第2有机层130b和第2电极140的层积结构也称为第2元件115b。将包含第1电极120、第3有机层130c和第2电极140的层积结构也称为第3元件。在有机器件200为有机el显示装置的情况下，第1元件115a、第2元件115b以及第3元件分别为子像素。
166.在以下的说明中，在对第1元件115a、第2元件115b和第3元件所共用的元件的结构进行说明的情况下，使用“元件115”这样的用语和标号。
167.当在第1电极120与第2电极140之间施加电压时，位于两者之间的有机层130被驱动。在有机层130为发光层的情况下，从有机层130放出光，并从第2电极140侧或第1电极120侧向外部取出光。
168.在有机层130包含通过通电而放出光的发光层的情况下，有机层130可以进一步包含空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等。
169.例如，在第1电极120为阳极的情况下，有机层130可以在发光层与第1电极120之间具有空穴注入传输层。空穴注入传输层可以是具有空穴注入功能的空穴注入层，也可以是具有空穴传输功能的空穴传输层，还可以具有空穴注入功能和空穴传输功能这两种功能。另外，空穴注入传输层可以层积有空穴注入层和空穴传输层。
170.在第2电极140为阴极的情况下，有机层130可以在发光层与第2电极140之间具有电子注入传输层。电子注入传输层可以是具有电子注入功能的电子注入层，也可以是具有电子传输功能的电子传输层，还可以具有电子注入功能和电子传输功能这两种功能。另外，电子注入传输层可以层积有电子注入层和电子传输层。
171.发光层包含发光材料。发光层可以包含改善流平性的添加剂。
172.作为发光材料，可以使用公知的材料，例如，可以使用色素系材料、金属络合物系材料、高分子系材料等发光材料。
173.作为色素系材料，可以使用例如环戊二烯衍生物、四苯基丁二烯衍生物、三苯胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑并喹啉衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基亚芳基衍生物、噻咯衍生物、噻吩环化合物、吡啶环化合物、紫环酮衍生物、苝衍生物、低聚噻吩衍生物、噁二唑二聚物、吡唑啉二聚物等。
174.作为金属络合物系材料，可以使用例如羟基喹啉铝络合物、苯并羟基喹啉铍络合物、苯并噁唑锌络合物、苯并噻唑锌络合物、偶氮甲基锌络合物、卟啉锌络合物、铕络合物等中心金属具有al、zn、be等或tb、eu、dy等稀土金属、配体具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉结构等的金属络合物。
175.作为高分子系材料，可以使用例如聚对苯撑乙烯衍生物、聚噻吩衍生物、聚对苯撑衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物、聚芴衍生物、聚喹喔啉衍生物、和它们的共聚物等。
176.出于提高发光效率或改变发射光波长等目的，发光层可以包含掺杂剂。作为掺杂剂，可以举出例如苝衍生物、香豆素衍生物、红荧烯衍生物、喹吖啶酮衍生物、方酸内鎓盐衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯基系色素、并四苯衍生物、吡唑啉衍生物、十环烯、吩噁嗪酮、喹喔啉衍生物、咔唑衍生物、芴衍生物等。另外，作为掺杂剂，可以使用在中心具有铂、铱等重金属离子且显示磷光的有机金属络合物。掺杂剂可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
177.另外，作为发光材料和掺杂剂，例如可以使用在日本特开2010-272891号公报的[0094]～[0099]或国际公开第2012/132126号的[0053]～[0057]中记载的材料。
[0178]
关于发光层的膜厚，只要是能够提供电子与空穴的再结合的场所而表现出发光的功能的膜厚，则没有特别限定，例如可以设为1nm以上，另外，可以设为500nm以下。
[0179]
作为用于空穴注入传输层的空穴注入传输性材料，可以使用公知的材料。可以使用例如三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、均二苯代乙烯衍生物、硅氮烷衍生物、聚噻吩衍生物、聚苯胺衍生物、聚吡咯衍生物、苯基胺衍生物、蒽衍生物、咔唑衍生物、芴衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、聚苯乙炔衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯基胺衍生物等。另外，可示例出螺环化合物、
酞菁化合物、金属氧化物等。另外，也可以适当选择使用例如日本特开2011-119681号公报、国际公开第2012/018082号、日本特开2012-069963号公报、国际公开第2012/132126号的[0106]中记载的化合物。
[0180]
需要说明的是，空穴注入传输层为空穴注入层和空穴传输层层积而成的构成时，可以使空穴注入层含有添加剂a，也可以使空穴传输层含有添加剂a，还可以使空穴注入层和空穴传输层含有添加剂a。添加剂a可以为低分子化合物，也可以为高分子化合物。具体而言，可以使用氟系化合物、酯系化合物、烃系化合物等。
[0181]
作为用于电子注入传输层的电子注入传输性材料，可以使用公知的材料。可以使用例如碱金属类、碱金属的合金、碱金属的卤化物、碱土金属类、碱土金属的卤化物、碱土金属的氧化物、碱金属的有机络合物、镁的卤化物或氧化物、氧化铝等。另外，作为电子注入传输性材料，可以使用例如浴铜灵、红菲绕啉、菲咯啉衍生物、三唑衍生物、噁二唑衍生物、吡啶衍生物、硝基取代芴衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、二苯基醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、萘或苝等芳香环四羧酸酐、碳化二亚胺、亚芴基甲烷衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、喹喔啉衍生物、羟基喹啉络合物等金属络合物、酞菁化合物、二苯乙烯基吡嗪衍生物等。
[0182]
另外，也可以形成在电子传输性的有机材料中掺杂碱金属或碱土金属的金属掺杂层，将其作为电子注入传输层。作为电子传输性的有机材料，可以使用例如浴铜灵、红菲绕啉、菲咯啉衍生物、三唑衍生物、噁二唑衍生物、吡啶衍生物、三(8-羟基喹啉络)铝(alq3)等金属络合物以及它们的高分子衍生物等。另外，作为进行掺杂的金属，可以使用li、cs、ba、sr等。
[0183]
第2电极140包含金属等具有导电性的材料。第2电极140通过后述使用掩模的蒸镀法而形成在有机层130上。作为构成第2电极140的材料，可以使用铂、金、银、铜、铁、锡、铬、铝、铟、锂、钠、钾、钙、镁、碳等。这些材料可以单独使用，也可以将2种以上组合使用。在使用2种以上的情况下，可以将各材料构成的层层积。另外，也可以使用包含2种以上的材料的合金。例如，可以使用mgag等镁合金、alli、alca、almg等铝合金、碱金属类和碱土金属类的合金等。
[0184]
第2电极140的厚度例如可以为5nm以上、可以为10nm以上、可以为50nm以上、也可以为100nm以上。第2电极140的厚度例如可以为200nm以下、可以为500nm以下、可以为1μm以下、也可以为100μm以下。第2电极140的厚度的范围可以通过由5nm、10nm、50nm和100nm构成的第1组和/或由200nm、500nm、1μm和100μm构成的第2组来限定。第2电极140的厚度的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第2电极140的厚度的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第2电极140的厚度的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第2电极140的厚度例如可以为5nm以上100μm以下、可以为5nm以上1μm以下、可以为5nm以上500nm以下、可以为5nm以上200nm以下、可以为5nm以上100nm以下、可以为5nm以上50nm以下、可以为5nm以上10nm以下、可以为10nm以上100μm以下、可以为10nm以上1μm以下、可以为10nm以上500nm以下、可以为10nm以上200nm以下、可以为10nm以上100nm以下、可以为10nm以上50nm以下、可以为50nm以上100μm以下、可以为50nm以上1μm以下、可以为50nm以上500nm以下、可以为50nm以上200nm以下、可以为50nm以上100nm以下、可以为100nm以上100μm以下、可以为100nm以上1μm以下、可以为100nm以上500nm以下、可以为100nm以上
200nm以下、可以为200nm以上100μm以下、可以为200nm以上1μm以下、可以为200nm以上500nm以下、可以为500nm以上100μm以下、可以为500nm以上1μm以下、也可以为1μm以上100μm以下。
[0185]
第2电极140的厚度越小，则第2电极140的透射率越高，非透射区域的透射率也越高。入射到非透射区域的光也能够对应于非透射区域的透射率而到达传感器。通过提高非透射区域的透射率，能够增加传感器接收的光量。
[0186]
基板110的厚度、第2电极140的厚度等有机器件200的各构成要素的厚度可以通过使用扫描型电子显微镜观察有机器件200的截面的图像来测定。重叠区域145的尺寸k2和k3也通过使用扫描型电子显微镜观察有机器件200的截面的图像来测定。
[0187]
在有机器件200的制造方法中，可以制造图9所示的有机器件组202。有机器件组202包含2个以上的有机器件200。例如，有机器件组202可以包含在第1方向g1和第2方向g2上排列的有机器件200。2个以上的有机器件200可以具备共通的1片基板110。例如，有机器件组202位于1片基板110上，可以包含构成2个以上的有机器件200的第1电极120、有机层130、第2电极140等层。通过分割有机器件组202，得到有机器件200。
[0188]
接着，对通过蒸镀法形成上述的有机器件200的第2电极140的方法进行说明。图10是示出蒸镀装置10的图。蒸镀装置10实施使蒸镀材料蒸镀到对象物上的蒸镀处理。
[0189]
蒸镀装置10可以在其内部具备蒸镀源6、加热器8和掩模装置40。蒸镀装置10可以具备用于使蒸镀装置10的内部成为真空气氛的排气单元。蒸镀源6例如是坩埚。蒸镀源6收纳导电性材料等蒸镀材料7。加热器8对蒸镀源6进行加热，在真空气氛下使蒸镀材料7蒸发。掩模装置40以与坩埚6相向的方式配置。
[0190]
如图10所示，掩模装置40可以具备：至少1个掩模50；和支承掩模50的框架41。框架41可以包括第1框架面41a和第2框架面41b。可以在第1框架面41a固定掩模50。第2框架面41b位于第1框架面41a的相反侧。另外，框架41可以包含开口42。开口42从第1框架面41a贯通到第2框架面41b。掩模50可以以在俯视时横穿开口42的方式固定于框架41。另外，框架41可以将掩模50以在沿着其面的方向上对其拉伸的状态进行支承。由此，能够抑制掩模50挠曲。
[0191]
作为掩模50，可以使用后述的第1掩模50a和第2掩模50b。在以下的说明中，在对第1掩模50a和第2掩模50b所共用的掩模的结构进行说明的情况下，使用“掩模50”这样的用语和标号。关于后述的贯通孔、遮蔽区域等掩模的构成要素也相同，在对第1掩模50a和第2掩模50b所共用的内容进行说明的情况下，使用“54”、“55”等未附加字母的只有数字的标号。另一方面，在对第1掩模50a和第2掩模50b各自所特有的内容进行说明的情况下，有时也使用在数字之后附加有“a”、“b”等对应的字母的标号。
[0192]
掩模装置40的掩模50与基板110相向。基板110是使蒸镀材料7附着的对象物。基板110包含第1面111和第2面112。第1面111与掩模50相向。掩模50包含多个贯通孔54。贯通孔54使从蒸镀源6飞来的蒸镀材料7通过。通过了贯通孔54的蒸镀材料7附着于基板110的第1面111。掩模50包含第1面51a和第2面51b。第1面51a与第1面111相向。第2面51b位于第1面51a的相反侧。贯通孔54从第1面51a贯通到第2面51b。
[0193]
蒸镀装置10可以具备保持基板110的基板保持器2。基板保持器2可以是能够在基板110的厚度方向上移动。基板保持器2可以是能够在基板110的面方向上移动。基板保持器
2可以控制基板110的倾斜。例如，基板保持器2可以包含安装于基板110的外缘的多个卡盘。各卡盘可以是能够在基板110的厚度方向、面方向上独立地移动。
[0194]
蒸镀装置10可以具备保持掩模装置40的掩模保持器3。掩模保持器3可以是能够在掩模50的厚度方向上移动。掩模保持器3可以是能够在掩模50的面方向上移动。例如，掩模保持器3可以包含安装于框架41的外缘的多个卡盘。各卡盘可以是能够在掩模50的厚度方向、面方向上独立地移动。
[0195]
通过使基板保持器2或掩模保持器3中的至少任意一者移动，能够调整掩模装置40的掩模50相对于基板110的位置。
[0196]
蒸镀装置10可以具备冷却板4。冷却板4可以配置于基板110的第2面112侧。冷却板4可以具有用于使制冷剂在冷却板4的内部循环的流路。冷却板4能够抑制基板110的温度在蒸镀工序时上升。
[0197]
蒸镀装置10可以具备配置于第2面112侧的磁铁5。磁铁5可以与冷却板4重叠。磁铁5通过磁力将掩模50向基板110侧吸引。由此，能够减少掩模50与基板110之间的间隙或者消除间隙。由此，能够抑制在蒸镀工序中产生阴影。因此，能够提高第2电极140的尺寸精度和位置精度。本技术中，阴影是指蒸镀材料7进入掩模50与基板110之间的间隙而使第2电极140的厚度变得不均匀的现象。
[0198]
接着，对掩模装置40进行说明。图11是示出掩模装置40的俯视图。掩模装置40可以具备2片以上的掩模50。掩模50例如可以通过焊接而固定于框架41。
[0199]
框架41包括一对第1边411和一对第2边412。框架41可以具有矩形的轮廓。可以在第1边411上固定被施加了张力的状态下的掩模50。第1边411可以比第2边412长。框架41可以包括由一对第1边411和一对第2边412包围的开口42。
[0200]
掩模50具有掩模第1方向d1和与掩模第1方向d1交叉的掩模第2方向d2。掩模第1方向d1可以与掩模第2方向d2正交。可以是，掩模第1方向d1与上述的第1方向g1对应，掩模第2方向d2与上述的第2方向g2对应。掩模50可以在掩模第2方向d2上延伸。掩模第2方向d2上的掩模50的端可以固定于第1边411。
[0201]
掩模50包含至少1个单元52。单元52包含贯通孔54和遮蔽区域55。掩模50可以包含2个以上的单元52。2个以上的单元52排列在掩模第2方向d2上。在使用掩模50制作有机el显示装置等显示装置的情况下，1个单元52可以与1个有机el显示装置的显示区域、即1个画面对应。1个单元52也可以与多个显示区域对应。掩模50可以包含位于单元52之间的遮蔽区域55。虽未图示，但掩模50也可以包含位于单元52之间的贯通孔54。
[0202]
单元52例如可以具有俯视时呈大致四边形的轮廓，更准确而言，可以具有俯视时呈大致矩形的轮廓。单元52的轮廓可以包含单元第1边52a、单元第2边52b、单元第3边52c和单元第4边52d。单元第1边52a和单元第2边52b可以在掩模第1方向d1上相向。单元第3边52c和单元第4边52d可以在掩模第2方向d2上相向。
[0203]
在沿着第1面51a的法线方向观察掩模50的情况下，掩模50具备掩模第1区域m1和掩模第2区域m2。掩模第1区域m1对应于有机器件200的第1显示区域101。掩模第2区域m2对应于有机器件200的第2显示区域102。掩模第2区域m2与单元第4边52d相接。
[0204]
掩模50可以具有对准标记50m。对准标记50m例如形成于掩模50的单元52的角部。可以是，在使用掩模50通过蒸镀法在基板110上形成第2电极140的工序中，为了进行掩模50
相对于基板110的对位而利用对准标记50m。虽未图示，但对准标记50m可以形成在与框架41重叠的位置。在制作掩模装置40时，为了进行掩模50与框架41的对位，可以使用对准标记50m。
[0205]
在形成第2电极140的工序中，可以使用多个掩模50。例如，如图12和图13所示，掩模50可以具备第1掩模50a和第2掩模50b。第1掩模50a和第2掩模50b可以构成不同的掩模装置40。也将具备第1掩模50a的掩模装置40称为第1掩模装置40a。也将具备第2掩模50b的掩模装置40称为第2掩模装置40b。
[0206]
在形成第2电极140的工序中，例如，在蒸镀装置10中使用第1掩模装置40a而在基板110上形成第2电极140的第1层140a。接着，在蒸镀装置10中使用第2掩模装置40b而在基板110上形成第2电极140的第2层140b。这样，在形成有机器件200的第2电极140的工序中，依次使用第1掩模50a和第2掩模50b等多个掩模50。也将用于形成有机器件200的第2电极140的多个掩模50的组称为“掩模组”。
[0207]
如图12所示，第1掩模50a包含第1贯通孔54a。在掩模第1区域m1中，第1贯通孔54a可以无间隙地扩展。将位于掩模第1区域m1的第1贯通孔54a也称为广域贯通孔，用标号54a1表示。广域贯通孔54a1可以沿着单元第1边52a、单元第2边52b和单元第3边52c扩展。例如，广域贯通孔54a1可以与单元第1边52a的整个区域、单元第2边52b的整个区域和单元第3边52c的整个区域相接。广域贯通孔54a1可以与单元第4边52d局部相接。
[0208]
如图12所示，第1掩模50a的掩模第2区域m2可以包含2个以上的第1贯通孔54a和第1遮蔽区域55a。掩模第2区域m2的第1贯通孔54a在俯视时可以被第1遮蔽区域55a包围。掩模第2区域m2的第1遮蔽区域55a可以连接到单元52的周围的第1遮蔽区域55a。
[0209]
如图12所示，掩模第2区域m2的第1遮蔽区域55a在掩模第1方向d1上具有尺寸n23，在掩模第2方向d2上具有尺寸n24。作为尺寸n23的范围，可以采用上述的“尺寸n13的范围”。
[0210]
尺寸n24可以与尺寸n23大致相同。尺寸n24也可以为尺寸n23以下。作为尺寸n24相对于尺寸n23之比n24/n23的范围，可以采用上述的“n14/n13的范围”。
[0211]
如图12所示，单元52在掩模第1方向d1上具有尺寸n21。作为尺寸n23相对于尺寸n21之比n23/n21的范围，可以采用上述的“n13/n11的范围”。
[0212]
如图13所示，第2掩模50b包含第2贯通孔54b。第2掩模50b的掩模第2区域m2可以包含2个以上的第2贯通孔54b和第2遮蔽区域55b。第2贯通孔54b在俯视时可以被第2遮蔽区域55b包围。掩模第2区域m2的第2遮蔽区域55b可以连接到单元52的周围的第2遮蔽区域55b。
[0213]
如图13所示，第2掩模50b的掩模第1区域m1包含第2遮蔽区域55b。掩模第1区域m1的第2遮蔽区域55b可以沿着单元第1边52a、单元第2边52b和单元第3边52c扩展。第2掩模50b的掩模第1区域m1可以不包含第2贯通孔54b。这种情况下，广域电极140x不包含电极重叠区域145。
[0214]
图14是示出掩模50的截面结构的一例的图。掩模50具有金属板51和形成于金属板51的多个贯通孔54。贯通孔54从第1面51a向第2面51b贯通金属板51。
[0215]
贯通孔54可以包含第1凹部541和第2凹部542。第1凹部541位于第1面51a侧。第2凹部542位于第2面51b侧。第1凹部541在金属板51的厚度方向上与第2凹部542连接。
[0216]
在俯视时，第2凹部542的尺寸r2可以大于第1凹部541的尺寸r1。第1凹部541可以通过利用蚀刻等从第1面51a侧对金属板51进行加工而形成。第2凹部542可以通过利用蚀刻
等从第2面51b侧对金属板51进行加工而形成。第1凹部541和第2凹部542在连接部543处连接。
[0217]
标号544表示贯通部。俯视时的贯通孔54的开口面积在贯通部544处最小。贯通部544可以由连接部543划定。
[0218]
在使用掩模50的蒸镀法中，从第2面51b侧向第1面51a侧通过了贯通孔54的贯通部544的蒸镀材料7附着于基板110，由此在基板110形成上述的第1层140a、第2层140b等层。形成于基板110的层在基板110的面内方向上的轮廓由俯视时的贯通部544的轮廓决定。在后述的图15、图16等俯视图中示出的贯通孔54的轮廓是贯通部544的轮廓。贯通孔54的面积可以是贯通部544的面积。俯视时的贯通孔54的尺寸可以是贯通部544的尺寸r。
[0219]
贯通部544以外的金属板51的区域能够遮蔽朝向基板110的蒸镀材料7。贯通部544以外的金属板51的区域构成遮蔽区域55。在图12、图13、图15、图16等掩模50的俯视图中，对遮蔽区域55附加影线。
[0220]
掩模第2区域m2的遮蔽区域55可以包括不贯通金属板51的凹部。通过在掩模第2区域m2设置凹部，能够降低掩模第2区域m2的刚性。由此，能够减小掩模第2区域m2的刚性与掩模第1区域m1的刚性之间的差异。因此，能够抑制因刚性的差异而在掩模50上产生褶皱的情况。褶皱例如容易在对掩模50施加张力时产生。
[0221]
掩模50的厚度t例如可以为5μm以上、可以为10μm以上、可以为15μm以上、也可以为20μm以上。掩模50的厚度t例如可以为25μm以下、可以为30μm以下、可以为50μm以下、也可以为100μm以下。掩模50的厚度t的范围可以通过由5μm、10μm、15μm和20μm构成的第1组和/或由25μm、30μm、50μm和100μm构成的第2组来限定。掩模50的厚度t的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。掩模50的厚度t的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。掩模50的厚度t的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。掩模50的厚度t例如可以为5μm以上100μm以下、可以为5μm以上50μm以下、可以为5μm以上30μm以下、可以为5μm以上25μm以下、可以为5μm以上20μm以下、可以为5μm以上15μm以下、可以为5μm以上10μm以下、可以为10μm以上100μm以下、可以为10μm以上50μm以下、可以为10μm以上30μm以下、可以为10μm以上25μm以下、可以为10μm以上20μm以下、可以为10μm以上15μm以下、可以为15μm以上100μm以下、可以为15μm以上50μm以下、可以为15μm以上30μm以下、可以为15μm以上25μm以下、可以为15μm以上20μm以下、可以为20μm以上100μm以下、可以为20μm以上50μm以下、可以为20μm以上30μm以下、可以为20μm以上25μm以下、可以为25μm以上100μm以下、可以为25μm以上50μm以下、可以为25μm以上30μm以下、可以为30μm以上100μm以下、可以为30μm以上50μm以下、也可以为50μm以上100μm以下。
[0222]
作为测定掩模50的厚度t的方法，可以采用接触式的测定方法。作为接触式的测定方法，可以使用具备球形衬套引导式的柱塞的、海德汉公司制的长度计heidenhaim-metro的“mt1271”。
[0223]
贯通孔54的截面形状不限于图14所示的形状。另外，贯通孔54的形成方法不限于蚀刻，能够采用各种方法。例如，可以通过以产生贯通孔54的方式进行镀覆来形成掩模50。
[0224]
作为构成掩模50的材料，例如能够使用含镍的铁合金。铁合金除了镍外还可以含有钴。例如，作为掩模50的材料，可以使用镍和钴的含量合计为30质量％以上且54质量％以
下、并且钴的含量为0质量％以上且6质量％以下的铁合金。作为含镍或镍和钴的铁合金，可以使用含有34质量％以上且38质量％以下的镍的因瓦合金材、除了30质量％以上且34质量％以下的镍以外还含有钴的超因瓦合金材、含有38质量％以上且54质量％以下的镍的低热膨胀fe-ni系镀覆合金等。通过使用这样的铁合金，能够降低掩模50的热膨胀系数。例如，在采用玻璃基板作为基板110的情况下，可以将掩模50的热膨胀系数设为与玻璃基板同等低的值。由此，在蒸镀工序时，能够抑制形成于基板110的蒸镀层的尺寸精度和位置精度由于掩模50与基板110之间的热膨胀系数之差而降低。
[0225]
接着，对第1掩模50a进行详细说明。图15是将第1掩模50a的掩模第1区域m1和掩模第2区域m2放大示出的俯视图。图15中，蒸镀工序时与第1掩模50a重叠的有机层130用虚线表示。第1贯通孔54a可以与有机层130重叠。如图15所示，位于掩模第2区域m2的1个第1贯通孔54a可以与2个以上的子有机层重叠。虽未图示，但1个第1贯通孔54a也可以与1个子有机层重叠。
[0226]
在掩模第2区域m2中，第1贯通孔54a可以沿着掩模第1方向d1以第13周期p13排列。第13周期p13可以大于有机层130的上述的第11周期p11。第13周期p13可以与有机层130的上述的第12周期p12相同。作为第13周期p13相对于第11周期p11之比p13/p11的范围，可以采用上述的“p12/p11的范围”。
[0227]
在掩模第2区域m2中，第1贯通孔54a可以沿着掩模第2方向d2以第23周期p23排列。第23周期p23可以大于有机层130的上述的第21周期p21。第23周期p23可以与有机层130的上述的第22周期p22相同。作为第23周期p23相对于第21周期p21之比p23/p21的范围，可以采用上述的“p12/p11的范围”。
[0228]
标号g13表示位于掩模第2区域m2并在掩模第1方向d1上相邻的2个第1贯通孔54a之间的间隔。
[0229]
间隔g13相对于第13周期p13之比g13/p13例如可以为0.1以上、可以为0.2以上、也可以为0.4以上。g13/p13例如可以为0.6以下、可以为0.8以下、也可以为0.9以下。g13/p13的范围可以通过由0.1、0.2和0.4构成的第1组和/或由0.6、0.8和0.9构成的第2组来限定。g13/p13的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。g13/p13的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。g13/p13的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。g13/p13例如可以为0.1以上0.9以下、可以为0.1以上0.8以下、可以为0.1以上0.6以下、可以为0.1以上0.4以下、可以为0.1以上0.2以下、可以为0.2以上0.9以下、可以为0.2以上0.8以下、可以为0.2以上0.6以下、可以为0.2以上0.4以下、可以为0.4以上0.9以下、可以为0.4以上0.8以下、可以为0.4以上0.6以下、可以为0.6以上0.9以下、可以为0.6以上0.8以下、也可以为0.8以上0.9以下。
[0230]
标号g23表示位于掩模第2区域m2并在掩模第2方向d2上相邻的2个第1贯通孔54a之间的间隔。作为间隔g23相对于第23周期p23之比g23/p23的范围，可以采用上述的“g13/p13的范围”。
[0231]
接着，对第2掩模50b进行详细说明。图16是将第2掩模50b的掩模第1区域m1和掩模第2区域m2放大示出的俯视图。对于第2掩模50b的与第1掩模50a同样地构成的部分，有时省略重复的说明。
[0232]
在掩模第2区域m2中，第2贯通孔54b可以沿着掩模第1方向d1以第14周期p14排列。第14周期p14可以大于有机层130的上述的第11周期p11。第14周期p14可以与有机层130的上述的第12周期p12相同。作为第14周期p144相对于第11周期p11之比p14/p11的范围，可以采用上述的“p12/p11的范围”。
[0233]
在掩模第2区域m2中，第2贯通孔54b可以沿着掩模第2方向d2以第24周期p24排列。第24周期p24可以大于有机层130的上述的第21周期p21。第24周期p24可以与有机层130的上述的第22周期p22相同。作为第24周期p24相对于第21周期p21之比p24/p21的范围，可以采用上述的“p12/p11的范围”。
[0234]
标号g14表示位于掩模第2区域m2并在掩模第1方向d1上相邻的2个第2贯通孔54b之间的间隔。作为间隔g14相对于第14周期p14之比g14/p14的范围，可以采用上述的“g13/p13的范围”。
[0235]
标号g24表示位于掩模第2区域m2并在掩模第2方向d2上相邻的2个第2贯通孔54b之间的间隔。作为间隔g24相对于第24周期p24之比g24/p24的范围，可以采用上述的“g13/p13的范围”。
[0236]
在测定掩模50a、50b的贯通孔54a、54b的形状和配置的方法中，使平行光沿着各掩模的法线方向入射到第1面51a和第2面51b的一方。平行光从第1面51a或第2面51b的另一方射出。测定射出的光所占的区域的形状作为贯通孔54的形状。
[0237]
接着，对第1掩模50a、第2掩模50b的位置关系进行说明。图17是示出掩模层积体56的俯视图。掩模层积体56具备重叠的2片以上的掩模50。图17所示的掩模层积体56具备重叠的第1掩模50a和第2掩模50b。
[0238]
在掩模层积体56中，各掩模50a～50b的对准标记50m可以重叠。或者，可以基于各掩模50a、50b的单元52的配置使各掩模50a～50b重叠。或者，可以基于各掩模50a～50b的贯通孔54a～54b和遮蔽区域55a～55b的配置使各掩模50a～50b重叠。在重叠各掩模50a～50b时，可以对各掩模50a～50b施加张力，也可以不施加张力。
[0239]
对于将2片以上的掩模50重叠的状态的图，可以通过将各掩模50的图像数据重叠而得到。例如，首先，使用拍摄装置，分别取得与各掩模50a～50b的贯通孔54a～54b的轮廓相关的图像数据。接着，使用图像处理装置，重叠各掩模50a～50b的图像数据。由此，能够制作出图17那样的图。在取得图像数据时，可以对各掩模50a～50b施加张力，也可以不施加张力。对于将2片以上的掩模50重叠的状态的图，也可以通过将用于制造各掩模50a～50b的设计图重叠而得到。
[0240]
如图17所示，掩模层积体56具备贯通区域57。贯通区域57在俯视时包含各掩模50a～50b的贯通孔54a～54b中的至少1个。即，贯通区域57在俯视时与各掩模50a～50b的贯通孔54a～54b中的至少任意一个重叠。因此，在蒸镀工序中，在与贯通区域57对应的基板110的区域形成至少1层的第2电极140。
[0241]
在俯视时，掩模层积体55具备包含掩模第1区域m1和掩模第2区域m2的单元52。如图17所示，在掩模第1区域m1中，贯通区域57可以无间隙地扩展。将位于掩模第1区域m1的贯通区域57也称为广域贯通区域，用标号57w表示。广域贯通区域57w包含第1掩模50a的广域贯通孔54a1。广域贯通区域57w可以与广域贯通孔54a1同样地沿着单元第1边52a、单元第2边52b和单元第3边52c扩展。例如，广域贯通区域57w可以与单元第1边52a的整个区域、单元
第2边52b的整个区域和单元第3边52c的整个区域相接。广域贯通区域57w可以与单元第4边52d部分相接。
[0242]
如图17所示，在掩模第2区域m2中，贯通区域57可以包含2个以上的贯通线57l。贯通线57l可以在掩模第1方向d1上排列。贯通线57l可以在掩模第2方向d2上延伸。例如，贯通线57l可以包含俯视时与广域贯通区域57w连接的第3端57l1。贯通线57l可以包含在掩模第2方向d2上位于与第3端57l1相反的一侧的第4端。第4端在俯视时可以不与广域贯通区域57w连接。第4端可以位于单元第4边52d。
[0243]
贯通线57l可以包含第1贯通段571和第2贯通段572。第1贯通段571可以在俯视时与有机层130重叠。第2贯通段572可以与第1贯通段571连接。第1贯通段571可以由第1掩模50a的第1贯通孔54a构成。第2贯通段572可以由第2掩模50b的第2贯通孔54b构成。第1贯通段571和第2贯通段572可以在掩模第2方向d2上交替排列。
[0244]
第1贯通段571具有第3宽度w3。第2贯通段572具有第4宽度w4。第3宽度w3和第4宽度w4是在与第1贯通段571和第2贯通段572排列的方向正交的方向上的第1贯通段571的尺寸和第2贯通段572的尺寸。第4宽度w4可以小于第3宽度w3。作为第4宽度w4相对于第3宽度w3之比w4/w3的范围，可以采用上述的“w2/w1的范围”。
[0245]
掩模第2区域m2中的贯通区域57的占有率例如可以为0.1以上、可以为0.2以上、也可以为0.4以上。掩模第2区域m2中的贯通区域57的占有率例如可以为0.6以下、可以为0.8以下、也可以为0.9以下。掩模第2区域m2中的贯通区域57的占有率的范围可以通过由0.1、0.2和0.4构成的第1组和/或由0.6、0.8和0.9构成的第2组来限定。掩模第2区域m2中的贯通区域57的占有率的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。掩模第2区域m2中的贯通区域57的占有率的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。掩模第2区域m2中的贯通区域57的占有率的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。掩模第2区域m2中的贯通区域57的占有率例如可以为0.1以上0.9以下、可以为0.1以上0.8以下、可以为0.1以上0.6以下、可以为0.1以上0.4以下、可以为0.1以上0.2以下、可以为0.2以上0.9以下、可以为0.2以上0.8以下、可以为0.2以上0.6以下、可以为0.2以上0.4以下、可以为0.4以上0.9以下、可以为0.4以上0.8以下、可以为0.4以上0.6以下、可以为0.6以上0.9以下、可以为0.6以上0.8以下、也可以为0.8以上0.9以下。
[0246]
贯通区域57可以包含孔重叠区域59。孔重叠区域59是在俯视时2片以上的掩模50的贯通孔54相重叠的区域。即，孔重叠区域59在俯视时包含掩模层积体56所包含的2片以上的掩模50的贯通孔54中的至少2个。在图17所示的例子中，孔重叠区域59包含俯视时第1贯通孔54a与第2贯通孔54b重叠的区域。因此，在蒸镀工序中，在与孔重叠区域59对应的基板110的区域形成至少2层的第2电极140。
[0247]
孔重叠区域59的面积可以小于第2掩模50b的第2贯通孔54b的面积。孔重叠区域59的面积相对于第2贯通孔54b的面积之比例如可以为0.02以上、可以为0.05以上、也可以为0.10以上。孔重叠区域59的面积相对于第2贯通孔54b的面积之比例如可以为0.20以下、可以为0.30以下、也可以为0.40以下。孔重叠区域59的面积相对于第2贯通孔54b的面积之比的范围可以通过由0.02、0.05和0.10构成的第1组和/或由0.20、0.30和0.40构成的第2组来限定。孔重叠区域59的面积相对于第2贯通孔54b的面积之比的范围可以由上述的第1组所
包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。孔重叠区域59的面积相对于第2贯通孔54b的面积之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。孔重叠区域59的面积相对于第2贯通孔54b的面积之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。孔重叠区域59的面积相对于第2贯通孔54b的面积之比例如可以为0.02以上0.40以下、可以为0.02以上0.30以下、可以为0.02以上0.20以下、可以为0.02以上0.10以下、可以为0.02以上0.05以下、可以为0.05以上0.40以下、可以为0.05以上0.30以下、可以为0.05以上0.20以下、可以为0.05以上0.10以下、可以为0.10以上0.40以下、可以为0.10以上0.30以下、可以为0.10以上0.20以下、可以为0.20以上0.40以下、可以为0.20以上0.30以下、也可以为0.30以上0.40以下。
[0248]
接着，对制造有机器件200的方法的一例进行说明。
[0249]
首先，准备形成有第1电极120的基板110。第1电极120例如通过如下方式形成，即，在通过溅镀法等在基板110上形成了构成第1电极120的导电层之后，通过光刻法等对导电层进行图案化。俯视时位于相邻的2个第1电极120之间的绝缘层160可以形成于基板110。
[0250]
接着，如图5所示，在第1电极120上形成包括第1有机层130a、第2有机层130b和第3有机层130c的有机层130。第1有机层130a例如可以通过使用具有与第1有机层130a对应的贯通孔的掩模的蒸镀法来形成。例如，通过使有机材料等经由掩模蒸镀到与第1有机层130a对应的第1电极120上，能够形成第1有机层130a。第2有机层130b也可以通过使用具有与第2有机层130b对应的贯通孔的掩模的蒸镀法来形成。第3有机层130c也可以通过使用具有与第3有机层130c对应的贯通孔的掩模的蒸镀法来形成。
[0251]
接着，可以实施第2电极形成工序。在第2电极形成工序中，使用上述的掩模组在有机层130上形成第2电极140。首先，可以实施通过使用第1掩模50a的蒸镀法来形成第2电极140的第1层140a的工序。例如，经由第1掩模50a将金属等导电性材料等蒸镀在有机层130等上。由此，能够形成第1层140a。接着，可以实施通过使用第2掩模50b的蒸镀法来形成第2电极140的第2层140b的工序。例如，经由第2掩模50b将金属等导电性材料等蒸镀在有机层130等上。由此，能够形成第2层140b。这样，如图4所示，能够形成包含第1层140a和第2层140b的第2电极140。
[0252]
需要说明的是，形成第1层140a和第2层140b的顺序没有特别限定。例如，可以按照第2层140b、第1层140a的顺序实施蒸镀工序。
[0253]
对本发明的方式的效果进行总结。
[0254]
在有机器件200的第2显示区域102包含透射区域104的情况下，到达有机器件200的光能够透过透射区域104而到达基板的背面侧的光学部件等。因此，第2显示区域102能够检测光且显示影像。因此，能够在第2显示区域102实现照相机、指纹传感器等传感器的功能。
[0255]
第1显示区域101包含无间隙地扩展的广域电极140x，因此能够抑制第1显示区域101中的光的透射率根据位置而波动。由此，能够抑制在第1显示区域101中光的强度产生不均。
[0256]
需要说明的是，能够对上述的一个实施方式施加各种变更。以下，根据需要参照附图对其他实施方式进行说明。在以下的说明和以下的说明所使用的附图中，对于能够与上述的一个实施方式同样地构成的部分，使用与对上述的一个实施方式中的对应的部分所使
用的标号相同的标号，省略重复的说明。另外，在上述的一个实施方式中得到的作用效果很明显也能够在其他实施方式中得到的情况下，有时也省略其说明。
[0257]
在上述的实施方式中，示出了第1显示区域101与第2显示区域102之间的边界包含直线的示例，但边界的形状是任意的。例如如图18所示，第1显示区域101与第2显示区域102之间的边界可以包含曲线。
[0258]
第1显示区域101与第2显示区域102之间的边界的形状可以由第1掩模50a的第1遮蔽区域55a的轮廓来限定。第1遮蔽区域55a的轮廓可以包含直线，也可以包含曲线。
[0259]
只要能够在第1显示区域101的各有机层130上形成第2电极140，则掩模50的掩模第1区域m1的结构是任意的。在上述的实施方式中，示出了第1掩模50a的掩模第1区域m1包含广域贯通孔54a1的示例，但在掩模第1区域m1中也可以采用其他结构。例如，可以是，第1掩模50a的掩模第1区域m1包含多个第1贯通孔54a，第2掩模50b的掩模第1区域m1包含与第1贯通孔54a局部重叠的多个第2贯通孔54b。
[0260]
在上述的实施方式中，示出了第1掩模50a的掩模第1区域m1包含广域贯通孔54a1、第1掩模50a的掩模第2区域m2的第1贯通孔54a构成与有机层130重叠的第1贯通段571的示例。虽未图示，但也可以是，第1掩模50a的掩模第1区域m1包含广域贯通孔54a1，第1掩模50a的掩模第2区域m2的第1贯通孔54a构成与第1贯通段571连接的第2贯通段572。这种情况下，不包含广域贯通孔的第2掩模50b的掩模第2区域m2的第2贯通孔54b可以构成与有机层130重叠的第1贯通段571。这种情况下，由第1掩模50a形成的第1层140a构成广域电极140x和连接段142。另外，由第2掩模50b形成的第2层140b构成像素段141。
[0261]
由于第1掩模50a包含广域贯通孔54a1，因此难以对第1掩模50a的掩模第2区域m2施加张力。另一方面，由于第2掩模50b不包含广域贯通孔，因此，与第1掩模50a的掩模第2区域m2相比，容易对第2掩模50b的掩模第2区域m2施加张力。因此，第2掩模50b的掩模第2区域m2的第2贯通孔54b的位置对准的精度能够高于第1掩模50a的掩模第1区域m1的第1贯通孔54a的位置对准的精度。通过使第2掩模50b的掩模第2区域m2的第2贯通孔54b构成第1贯通段571，能够提高像素段141的位置精度。
[0262]
虽未图示，但包含广域贯通孔54a1的第1掩模50a的掩模第2区域m2的第1贯通孔54a可以包含构成第1贯通段571的部分和构成第2贯通段572的部分。另外，不包含广域贯通孔的第2掩模50b的掩模第2区域m2的第2贯通孔54b可以包含构成第1贯通段571的部分和构成第2贯通段572的部分。
[0263]
图19和图20是示出第1掩模50a和第2掩模50b的一例的图。如图19所示，可以是，第1掩模50a的掩模第1区域m1包含广域贯通孔54a1，第1掩模50a的掩模第2区域m2不包含第1贯通孔54a。这种情况下，如图20所示，不包含广域贯通孔的第2掩模50b的掩模第2区域m2的第2贯通孔54b可以构成第1贯通段571和第2贯通段572两者。
[0264]
在使用图19和图20所示的第1掩模50a和第2掩模50b的情况下，位于第2显示区域102的第2电极140不包含第1重叠区域145a。另一方面，在第1显示区域101与第2显示区域102之间的边界处，由第1掩模50a形成的第1层140a与由第2掩模50b形成的第2层140b重叠。因此，在使用图19和图20所示的第1掩模50a和第2掩模50b的情况下，也形成第2重叠区域145b。