显示装置的制作方法

显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年8月13日提交的韩国专利申请第10-2021-0107611号的优先权和权益，其为了所有目的通过引用并入本文，如同在本文完全阐述一样。
技术领域
3.本发明的实施例总体上涉及一种显示装置。


背景技术：

4.显示装置可以包括显示元件。例如，显示元件可以是有机发光二极管。有机发光二极管具有宽视角、高对比度、快速响应时间以及优异的亮度、驱动电压和响应时间特性的优点，并且可以显示多种颜色。
5.有机发光二极管可以包括像素电极、空穴传输层、发射层、电子传输层和公共电极的顺序堆叠的元件。注入到像素电极中的空穴可以经由空穴传输层移动到发射层，并且从公共电极注入的电子可以经由电子传输层移动到发射层。诸如空穴和电子的载流子可以在发射层中复合以产生激子。激子可以从激发态变为基态以发光。
6.本背景技术部分中公开的上述信息仅用于理解本发明构思的背景技术，并且因此，它可以包含不构成现有技术的信息。


技术实现要素：

7.根据本发明的说明性实现方式构造的设备可以提供具有其中多个发射层被堆叠的结构的显示元件，并且可以进一步包括位于多个发射层之间的电荷产生层。在多个显示元件中共同提供的电荷产生层可以连续提供在多个显示元件中。
8.一个或多个实施例包括一种显示装置，该显示装置包括提供有电荷产生层的多个显示元件，该电荷产生层可以防止或减少色纯度劣化。
9.本发明构思的附加特征将在以下描述中阐述，并且将部分地根据该描述是显而易见的，或者可以通过对本发明构思的实践而习得。
10.根据一个或多个实施例，一种显示装置，包括：基板，包括显示区域；第一电极，位于显示区域中；第二电极，位于显示区域中以与第一电极邻近；第一发射层，位于第一电极上；第二发射层，位于第二电极上；第一低粘合图案，在平面图中位于第一发射层的中心与第二发射层的中心之间；第一负电荷产生层，连续定位以覆盖第一发射层、第二发射层和第一低粘合图案；第一正电荷产生层，位于第一负电荷产生层上；第一上发射层，位于第一正电荷产生层上，并且与第一发射层重叠；第二上发射层，位于第一正电荷产生层上，并且与第二发射层重叠；以及公共电极，位于第一上发射层和第二上发射层上。
11.第一负电荷产生层可以包括包含有机材料的主体和包含金属材料的掺杂剂，其中，掺杂剂在第一负电荷产生层的与第一低粘合图案重叠的重叠区域中以第一比率提供，并且掺杂剂在第一负电荷产生层的位于重叠区域外部的外部区域中以第二比率提供，其
中，第一比率小于第二比率。
12.主体可以提供在重叠区域和外部区域中，并且掺杂剂可以提供在外部区域中。
13.第一负电荷产生层和第一低粘合图案可以彼此直接接触。
14.该显示装置可以进一步包括：第三电极，位于显示区域中以与第二电极邻近；第三发射层，位于第三电极上；第二低粘合图案，在平面图中位于第二发射层的中心与第三发射层的中心之间；以及第三上发射层，与第三发射层重叠，其中，连续定位的第一负电荷产生层进一步覆盖第二低粘合图案和第三发射层，并且公共电极进一步位于第三上发射层上。
15.第一发射层可以发射红光，第二发射层可以发射绿光，并且第三发射层可以发射蓝光。
16.该显示装置可以进一步包括：第一附加低粘合图案，在平面图中位于第一上发射层的中心与第二上发射层的中心之间；第二负电荷产生层，连续定位以覆盖第一上发射层、第二上发射层和第一附加低粘合图案；第二正电荷产生层，位于第二负电荷产生层上；第一附加发射层，位于第二正电荷产生层上，并且与第一上发射层重叠；以及第二附加发射层，位于第二正电荷产生层上，并且与第二上发射层重叠，其中，公共电极进一步位于第一附加发射层和第二附加发射层上。
17.该显示装置可以进一步包括：像素限定层，包括与第一电极重叠的第一开口部分和与第二电极重叠的第二开口部分，其中，第一低粘合图案在平面图中位于第一开口部分与第二开口部分之间。
18.第一低粘合图案可以至少部分地围绕第一开口部分和第二开口部分中的至少一个开口部分的外周。
19.第一低粘合图案可以包括氟基。
20.根据一个或多个实施例，一种显示装置，包括：基板，包括显示区域；第一电极，位于显示区域中；第二电极，位于显示区域中以与第一电极邻近；第一发射层，位于第一电极上；第二发射层，位于第二电极上；第一负电荷产生层，连续定位以覆盖第一发射层和第二发射层，并且包括包含有机材料的主体和包含金属材料的掺杂剂；第一正电荷产生层，位于第一负电荷产生层上；第一上发射层，位于第一正电荷产生层上，并且与第一发射层重叠；第二上发射层，位于第一正电荷产生层上，并且与第二发射层重叠；以及公共电极，位于第一上发射层和第二上发射层上，其中，掺杂剂在第一负电荷产生层的重叠区域中以第一比率提供，第一负电荷产生层的重叠区域在平面图中位于第一发射层的中心与第二发射层的中心之间，并且掺杂剂在第一负电荷产生层的位于重叠区域外部的外部区域中以第二比率提供，其中，第一比率小于第二比率。
21.主体可以提供在重叠区域和外部区域中，并且掺杂剂可以提供在外部区域中。
22.显示装置可以进一步包括：第一低粘合图案，位于重叠区域中，其中，连续定位的第一负电荷产生层进一步覆盖第一低粘合图案。
23.第一负电荷产生层和第一低粘合图案可以彼此直接接触。
24.该显示装置可以进一步包括：第三电极，位于显示区域中以与第二电极邻近；第三发射层，位于第三电极上；第二低粘合图案，在平面图中位于第二发射层的中心与第三发射层的中心之间；以及第三上发射层，与第三发射层重叠，其中，连续定位的第一负电荷产生层进一步覆盖第二低粘合图案和第三发射层，并且公共电极进一步位于第三上发射层上。
25.第一发射层可以发射红光，第二发射层可以发射绿光，并且第三发射层可以发射蓝光。
26.该显示装置可以进一步包括：第一附加低粘合图案，在平面图中位于第一上发射层的中心与第二上发射层的中心之间；第二负电荷产生层，连续定位以覆盖第一上发射层、第二上发射层和第一附加低粘合图案；第二正电荷产生层，位于第二负电荷产生层上；第一附加发射层，位于第二正电荷产生层上，并且与第一上发射层重叠；以及第二附加发射层，位于第二正电荷产生层上，并且与第二上发射层重叠，其中，公共电极进一步位于第一附加发射层和第二附加发射层上。
27.该显示装置可以进一步包括：像素限定层，包括与第一电极重叠的第一开口部分和与第二电极重叠的第二开口部分，其中，第一低粘合图案在平面图中位于第一开口部分与第二开口部分之间。
28.第一低粘合图案可以至少部分地围绕第一开口部分和第二开口部分中的至少一个开口部分的外周。
29.第一低粘合图案可以包括氟基。
30.应当理解，以上一般描述和以下详细描述两者都是说明性的和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
31.被包括以提供对本发明的进一步理解并且被并入本说明书且构成本说明书的一部分的附图图示本发明的说明性实施例，并且与该描述一起用于解释本发明的构思。
32.图1是根据实施例的显示装置的示意性透视图。
33.图2a和图2b是沿着图1的显示装置的线a-a'截取的截面图。
34.图3是图示根据实施例的显示面板的平面图。
35.图4是图示根据实施例的显示面板的一个像素的等效电路图。
36.图5是沿着图3的显示面板的线b-b'截取的截面图。
37.图6是沿着图3的显示面板的线b-b'截取的截面图。
38.图7是图示根据实施例的图3的显示面板的部分c的放大图。
39.图8是图示图7的显示面板的部分d的放大图。
40.图9a、图9b、图9c和图9d是图示根据各种实施例的图3的显示面板的部分c的放大图。
41.图10是沿着图7的显示面板的线e-e'截取的截面图。
42.图11是图示第一有机发光二极管在图10的显示面板中发光的截面图。
43.图12是图示根据实施例的显示面板的透光率和根据比较例的显示面板的透光率的曲线图。
44.图13a、图13b和图13c是图示根据实施例的制造显示装置的方法的截面图。
具体实施方式
45.在以下描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节以便提供对本发明的各种实施例或实现方式的透彻理解。如本文所使用的，“实施例”和“实现方式”是可互换的词语，
其是采用本文所公开的发明构思中的一个或多个的设备或方法的非限制性示例。然而，显而易见的是，可以在没有这些具体细节或具有一个或多个等效设置的情况下实践各种实施例。在其他实例中，以框图形式示出公知的结构和设备，以便避免不必要地混淆各种实施例。进一步，各种实施例可以是不同的，但不必是排他性的。例如，在不脱离本发明构思的情况下，一实施例的具体形状、配置和特性可以被用于或实现在另一实施例中。
46.除非另外规定，否则所图示的实施例应被理解为提供其中可在实践中实现本发明构思的一些方式的不同细节的说明性特征。因此，除非另外规定，否则各种实施例的特征、部件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中，被单独地或者共同地称为“元件”)可以在不脱离本发明构思的情况下另外组合、分离、互换和/或重新排列。
47.通常提供附图中交叉影线和/或阴影的使用，以澄清邻近的元件之间的边界。因此，除非有规定，否则交叉影线或阴影的存在或缺失均不传达或者指示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所图示的元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或需求。进一步，在附图中，为了清楚和/或描述性的目的，元件的大小和相对大小可能被夸大。当实施例可以被不同地实现时，特定工艺顺序可以不同于所述顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时执行或者以与所述顺序相反的顺序执行。此外，相同的附图标记表示相同的元件。
48.当诸如层的元件被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、直接连接到或直接耦接到另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时，不存在居间元件或层。为此，术语“连接的”可以指具有或不具有居间元件的物理、电气和/或流体连接。进一步，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如典型的x轴、y轴和z轴)，并且可以在更宽泛的意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“x、y和z中的至少一个”和“从由x、y和z构成的组中选择的至少一个”可以被解释为仅x、仅y、仅z、或者x、y和z中的两个或更多个的任何组合，诸如，例如xyz、xyy、yz和zz。如本文所使用的，术语“和/或”包括关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。
49.尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文用于描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。
50.为了描述性的目的，本文可以使用诸如“下方”、“下面”、“之下”、“下”、“上面”，“上”、“之上”、“高于”和“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，并且由此来描述如附图中所图示的一个元件与另一个(些)元件的关系。除了附图中所描绘的定向之外，空间相对术语旨在涵盖装置在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下面”或“下方”的元件随后将会被定向为在其他元件或特征“上面”。因此，术语“下面”可以涵盖上面和下面的定向两者。此外，装置可以被另外定向(例如，旋转90度或按照其他定向)，并且因此，相应地解释本文所使用的空间相对描述符。
51.本文所使用的术语是为了描述特定实施例的目的，而不旨在限制。如本文所使用的，单数形式“一”和“该(所述)”还旨在包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。此外，
当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。还应注意的是，如本文所使用的，术语“基本”、“约”和其他类似的术语被用作近似的术语而不被用作程度的术语，并且因此，被利用以考虑本领域的普通技术人员将认识到的在测量的、计算的和/或提供的值中的固有偏差。
52.本文参考作为理想化的实施例和/或中间结构的示意性图示的截面图示和/或分解图示来描述各种实施例。因此，预期了由于例如制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此，本文所公开的实施例不必被解释为限于具体图示的区域的形状，而是将包括例如由于制造而导致的形状的偏差。以这种方式，附图中所图示的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映设备的区域的实际形状，并且因此，不必旨在限制。
53.除非另外定义，否则本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。诸如那些在常用词典中定义的术语应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过度正式的意义来解释，除非本文明确地如此定义。
54.图1是图示根据实施例的显示装置1的透视图。
55.参考图1，显示装置1可以显示图像。在实施例中，显示装置1可以是有机发光显示装置。在另一实施例中，显示装置1可以是无机发光显示装置或量子点发光显示装置。例如，包括在显示装置中的显示元件的发射层可以包括有机材料，可以包括无机材料，可以包括量子点，可以包括有机材料和量子点，可以包括无机材料和量子点，或者可以包括有机材料、无机材料和量子点。为了便于解释，以下将假设显示装置1是有机发光显示装置来进行描述。
56.显示装置1可以包括显示区域da和非显示区域nda。像素px可以位于显示区域da中。非显示区域nda可以至少部分地围绕显示区域da。像素px可以不位于非显示区域nda中。
57.尽管在图1中显示装置1的显示区域da具有四边形形状(即，矩形)，但是在另一实施例中，显示区域da可以具有圆形形状、椭圆形形状或者诸如三角形形状或五边形形状的多边形形状。此外，尽管图1的显示装置1是平板显示装置，但是显示装置1可以被实现为诸如柔性的、可折叠的或可卷曲的显示装置的各种装置中的任何一种。
58.多个像素px可以位于显示区域da中。多个像素px可以发光，并且显示装置1可以在显示区域da中显示图像。本文所使用的术语“像素px”可以指发光的子像素。例如，每个像素px可以是红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的一种。在另一示例中，每个像素px可以是红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素中的一种。
59.图2a和图2b是沿着图1的显示装置1的线a-a'截取的截面图。
60.参考图2a和图2b，显示装置1可以包括第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3。第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3可以是发射不同颜色的光的像素。例如，第一像素px1可以发射红光lr，第二像素px2可以发射绿光lg，并且第三像素px3可以发射蓝光lb。
61.参考图2a，显示装置1可以包括显示面板10。显示面板10可以包括基板100和显示层dpl。显示层dpl可以位于基板100上。在实施例中，显示层dpl可以包括像素电路以及由像素电路驱动的显示元件。显示元件可以是例如有机发光二极管。第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3中的每个像素可以包括有机发光二极管。在实施例中，第一像素px1可以包
括第一有机发光二极管oled1。第二像素px2可以包括第二有机发光二极管oled2。第三像素px3可以包括第三有机发光二极管oled3。
62.在实施例中，第一有机发光二极管oled1可以发射红光lr。第二有机发光二极管oled2可以发射绿光lg。第三有机发光二极管oled3可以发射蓝光lb。在一些实施例中，显示层dpl可以进一步包括发射白光的第四有机发光二极管。
63.参考图2b，显示装置1可以包括显示面板10和颜色转换面板20。显示面板10可以包括基板100和显示层dpl。在实施例中，第一像素px1可以包括第一有机发光二极管oled1。第二像素px2可以包括第二有机发光二极管oled2。第三像素px3可以包括第三有机发光二极管oled3。
64.在实施例中，第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2和第三有机发光二极管oled3可以发射不同颜色的光。在另一实施例中，第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2和第三有机发光二极管oled3可以发射同一颜色的光。例如，第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2和第三有机发光二极管oled3中的每个有机发光二极管可以发射蓝光。第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2和第三有机发光二极管oled3中的每个有机发光二极管可以交替地发射白光。
65.颜色转换面板20可以位于显示面板10上。颜色转换面板20可以包括上基板400和过滤器单元fp。在实施例中，过滤器单元fp可以包括第一过滤器单元fp1、第二过滤器单元fp2和第三过滤器单元fp3。由第一有机发光二极管oled1发射的光可以通过第一过滤器单元fp1被发射为红光lr。由第二有机发光二极管oled2发射的光可以通过第二过滤器单元fp2被发射为绿光lg。由第三有机发光二极管oled3发射的光可以通过第三过滤器单元fp3被发射为蓝光lb。
66.在实施例中，过滤器单元fp可以包括功能层和滤色器层。在实施例中，功能层可以包括第一量子点层、第二量子点层和透射层。在实施例中，滤色器层可以包括第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器。第一过滤器单元fp1可以包括第一量子点层和第一滤色器。第二过滤器单元fp2可以包括第二量子点层和第二滤色器。第三过滤器单元fp3可以包括透射层和第三滤色器。
67.过滤器单元fp可以直接位于上基板400上。在这种情况下，当过滤器单元fp“直接”位于“上基板400上”时，这可以意味着颜色转换面板20是通过在上基板400上直接形成第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器来制造的。接着，颜色转换面板20可以被粘合到显示面板10，使得第一过滤器单元fp1、第二过滤器单元fp2和第三过滤器单元fp3分别面对第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2和第三有机发光二极管oled3。
68.在图2b中，显示面板10和颜色转换面板20通过粘合剂层adh被彼此粘合。粘合剂层adh可以是例如光学透明粘合剂(oca)。在另一实施例中，显示面板10可以通过填料被粘合到颜色转换面板20。在另一实施例中，可以省略粘合剂层adh和填料。
69.图3是图示根据实施例的显示面板10的平面图。
70.参考图3，显示面板10可以包括基板100、像素px、扫描线sl和数据线dl。显示面板10可以包括显示区域da和非显示区域nda。在实施例中，显示区域da和非显示区域nda可以被限定在基板100中。换言之，基板100可以包括显示区域da和非显示区域nda。像素px可以位于显示区域da中。显示面板10的驱动电路和/或电源布线可以位于非显示区域nda中。
71.像素px可以位于显示区域da中。像素px可以发光。在实施例中，可以提供多个像素px，并且显示面板10可以通过使用由多个像素px发射的光来显示图像。像素px可以包括像素电路pc以及作为由像素电路pc驱动的显示元件的有机发光二极管oled。
72.像素电路pc可以电连接到用于传送扫描信号的扫描线sl和用于传送数据信号的数据线dl。像素px可以接收扫描信号和数据信号，并且可以发光。
73.扫描线sl可以被配置为传送扫描信号。在实施例中，扫描线sl可以在第一方向(例如，x方向或-x方向)上延伸。扫描线sl可以电连接到像素电路pc。在实施例中，扫描线sl可以从驱动电路(未示出)接收扫描信号。
74.数据线dl可以被配置为传送数据信号。在实施例中，数据线dl可以在第二方向(例如，y方向或-y方向)上延伸。数据线dl可以电连接到像素电路pc。
75.图4是图示根据实施例的显示面板10的一个像素px的等效电路图。
76.参考图4，像素px可以包括像素电路pc以及作为电连接到像素电路pc的显示元件的有机发光二极管oled。像素电路pc可以包括驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2和存储电容器cst。
77.开关薄膜晶体管t2可以连接到扫描线sl和数据线dl，并且可以根据从扫描线sl输入的扫描电压或扫描信号sn，将从数据线dl输入的数据电压或数据信号dm传送到驱动薄膜晶体管t1。
78.存储电容器cst可以连接到开关薄膜晶体管t2和驱动电压线pl，并且可以存储与从开关薄膜晶体管t2接收到的电压和供应到驱动电压线pl的第一电源电压elvdd之间的差相对应的电压。
79.驱动薄膜晶体管t1可以连接到驱动电压线pl和存储电容器cst，并且可以响应于存储在存储电容器cst中的电压值而控制从驱动电压线pl流过有机发光二极管oled的驱动电流。有机发光二极管oled可以根据驱动电流发射具有特定亮度的光。有机发光二极管oled的公共电极(例如，阴极)可以接收第二电源电压elvss。
80.尽管在图4中像素电路pc包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是在另一实施例中，像素电路pc可以包括三个或更多个薄膜晶体管。
81.图5是沿着图3的显示面板10的线b-b'截取的截面图。
82.参考图5，显示面板10可以包括基板100和显示层dpl。基板100可以包括显示区域da。在实施例中，基板100可以包括玻璃。在另一实施例中，基板100可以包括诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素或乙酸丙酸纤维素的聚合物树脂。在实施例中，基板100可以具有多层结构，该多层结构包括阻挡层(未示出)和包含聚合物树脂的基底层。
83.显示层dpl可以位于基板100上。显示层dpl可以包括像素电路层pcl和显示元件层del。像素电路层pcl可以位于基板100上，并且可以包括绝缘层和用于驱动显示元件的像素电路。
84.显示元件层del可以位于像素电路层pcl上。显示元件层del可以包括显示元件。在实施例中，显示元件层del可以包括第一电极300a、第二电极300b、第一空穴注入层303、第一叠层、第一低粘合图案wala1、第一负电荷产生层319、第一正电荷产生层320、第二叠层、公共电极340以及封盖层350。在实施例中，第一叠层可以包括第一空穴传输层311、第一发
射层313a、第二发射层313b、第一缓冲层315以及第一电子传输层317。第二叠层可以包括第二空穴传输层321、第一上发射层323a、第二上发射层323b、第二缓冲层325以及第二电子传输层327。
85.第一电极300a、第一发射层313a、第一上发射层323a和公共电极340可以构成作为第一显示元件的第一有机发光二极管oled1。第二电极300b、第二发射层313b、第二上发射层323b和公共电极340可以构成作为第二显示元件的第二有机发光二极管oled2。
86.第一电极300a和第二电极300b可以位于显示区域da中。在实施例中，第一电极300a和第二电极300b可以定位为彼此靠近。换言之，第一电极300a和第二电极300b可以彼此邻近。第一电极300a和第二电极300b可以将空穴分别供应到第一发射层313a和第二发射层313b。在实施例中，第一电极300a和第二电极300b中的每个电极可以是像素电极。
87.第一电极300a可以包括诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)或氧化铝锌(azo)的导电氧化物。在另一实施例中，第一电极300a可以包括反射膜，该反射膜包括银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)或其化合物。在另一实施例中，第一电极300a可以进一步包括在反射膜之上/之下的、由ito、izo、zno或in2o3形成的膜。第二电极300b可以包括与第一电极300a的材料相同或相似的材料。
88.第一空穴注入层303可以位于第一电极300a和第二电极300b上。第一空穴注入层303可以覆盖第一电极300a和第二电极300b。在实施例中，第一空穴注入层303可以从第一电极300a连续延伸到第二电极300b。在实施例中，第一空穴注入层303可以定位为遍及整个显示区域da。第一空穴注入层303可以促进空穴注入。
89.第一空穴传输层311可以位于第一空穴注入层303上。在实施例中，第一空穴传输层311可以从第一电极300a连续延伸到第二电极300b。在实施例中，第一空穴传输层311可以定位为遍及整个显示区域da。第一空穴传输层311可以使从第一电极300a和第二电极300b传送的空穴移动到第一发射层313a和第二发射层313b，并且可以使从第一负电荷产生层319传送的电子被限制于第一发射层313a和第二发射层313b。
90.第一发射层313a和第二发射层313b可以位于第一空穴传输层311上。在实施例中，第一发射层313a可以位于第一电极300a上。第一发射层313a和第一电极300a可以在图5的z方向上彼此重叠。第二发射层313b可以位于第二电极300b上。第二发射层313b和第二电极300b可以在图5的z方向上彼此重叠。诸如空穴和电子的载流子可以在第一发射层313a和第二发射层313b中复合以产生激子。激子可以从激发态变为基态以产生光。
91.在实施例中，第一发射层313a和第二发射层313b可以发射不同波长带的光。在另一实施例中，第一发射层313a和第二发射层313b可以发射相同波长带的光。在实施例中，第一发射层313a和第二发射层313b中的每个发射层可以包括有机材料。
92.第一缓冲层315可以位于第一发射层313a和第二发射层313b上。第一缓冲层315可以从第一发射层313a连续延伸到第二发射层313b。在实施例中，第一缓冲层315可以定位为遍及整个显示区域da。在实施例中，第一缓冲层315可以包括电子传输化合物。
93.第一电子传输层317可以位于第一缓冲层315上。在实施例中，第一电子传输层317可以定位为遍及整个显示区域da。第一电子传输层317可以将电子从第一负电荷产生层319传输到第一发射层313a和第二发射层313b。
94.第一低粘合图案wala1可以位于第一电子传输层317上。第一低粘合图案wala1在平面图中可以位于第一发射层313a的中心313ca与第二发射层313b的中心313cb之间。在实施例中，第一低粘合图案wala1可以位于第一有机发光二极管oled1与第二有机发光二极管oled2之间。第一低粘合图案wala1可以是用于根据位置来对包括在第一负电荷产生层319中的掺杂剂的比率进行调整的图案。
95.在实施例中，第一低粘合图案wala1可以包括氟基。在实施例中，第一低粘合图案wala1可以通过使用诸如8-羟基喹啉锂(liq)、n,n-二苯基-n,n-双(9-苯基-9h-咔唑-3-基)联苯-4,4'-二胺(ht01)、n(二苯基-4-基)9,9-二甲基-n-(4(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基)-9h-芴-2-胺(ht211)或2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1h-苯并[d]咪唑(lg201)的材料来形成。
[0096]
第一负电荷产生层319可以连续定位以覆盖第一发射层313a、第二发射层313b和第一低粘合图案wala1。在实施例中，第一负电荷产生层319可以定位为遍及整个显示区域da。在实施例中，第一负电荷产生层319可以位于第一电子传输层317和第一低粘合图案wala1上。第一负电荷产生层319可以将电子供应到第一发射层313a和第二发射层313b。在实施例中，第一负电荷产生层319可以是n型电荷产生层。
[0097]
第一负电荷产生层319可以包括第一重叠区域319r1和外部区域319or。第一重叠区域319r1可以是在平面图中位于第一发射层313a的中心313ca与第二发射层313b的中心313cb之间的区域。第一重叠区域319r1可以是第一负电荷产生层319和第一低粘合图案wala1彼此重叠的区域。第一负电荷产生层319可以与第一低粘合图案wala1直接接触。在实施例中，第一负电荷产生层319可以在第一重叠区域319r1中与第一低粘合图案wala1直接接触。
[0098]
外部区域319or可以是位于第一重叠区域319r1外部的区域。外部区域319or可以是第一负电荷产生层319的除第一重叠区域319r1之外的区域。外部区域319or可以是在平面图中与第一发射层313a和第二发射层313b重叠的区域。
[0099]
第一负电荷产生层319可以包括主体和掺杂剂。在实施例中，主体可以包括有机材料。掺杂剂可以包括金属材料。在实施例中，掺杂剂相对于主体和掺杂剂的混合比率可以在1％至99％的范围内。在实施例中，掺杂剂可以在第一重叠区域319r1中以第一比率提供，并且掺杂剂可以在外部区域319or中以第二比率提供。第一比率可以是在第一重叠区域319r1中掺杂剂相对于主体和掺杂剂的比率。第二比率可以是在外部区域319or中掺杂剂相对于主体和掺杂剂的比率。在这种情况下，第一比率可以小于第二比率。在实施例中，主体可以提供在第一重叠区域319r1和外部区域319or中，并且掺杂剂可以提供在外部区域319or中。在实施例中，掺杂剂可以不位于第一重叠区域319r1中。
[0100]
在本实施例中，第一低粘合图案wala1可以位于第一负电荷产生层319之下。当第一负电荷产生层319形成在第一低粘合图案wala1上时，第一负电荷产生层319的掺杂剂和第一低粘合图案wala1可以具有在它们之间的弱粘合力。这可能是因为第一低粘合图案wala1的表面能是低的。因此，第一比率可以小于第二比率，并且在与第一发射层313a重叠的外部区域319or中产生的电子可能无法移动到与第二发射层313b重叠的外部区域319or。在这种情况下，当第一有机发光二极管oled1发光时，可以防止或减少来自与第一有机发光二极管oled1邻近的第二有机发光二极管oled2的非预期发光。因此，可以防止或减少显示
面板10中的色纯度劣化。
[0101]
因为相对少量的包括金属材料的掺杂剂位于第一重叠区域319r1中，所以可以增加显示面板10在第一重叠区域319r1中的透光率。因为相对少量的包括金属材料的掺杂剂位于第一重叠区域319r1中，所以可以降低显示面板10在第一重叠区域319r1中的光反射率。
[0102]
第一正电荷产生层320可以位于第一负电荷产生层319上。第一正电荷产生层320可以连续定位在第一负电荷产生层319上。在实施例中，第一正电荷产生层320可以定位为遍及整个显示区域da。在实施例中，第一正电荷产生层320可以包括掺杂剂和主体。在实施例中，第一正电荷产生层320的掺杂剂和第一正电荷产生层320的主体可以完全位于第一正电荷产生层320中。在实施例中，第一正电荷产生层320可以是p型电荷产生层。第一正电荷产生层320可以将空穴供应到第一上发射层323a和第二上发射层323b。
[0103]
第二空穴传输层321可以位于第一正电荷产生层320上。在实施例中，第二空穴传输层321可以在第一正电荷产生层320上连续延伸。在实施例中，第二空穴传输层321可以定位为遍及整个显示区域da。第二空穴传输层321可以使从第一正电荷产生层320传送的空穴移动到第一上发射层323a和第二上发射层323b，并且可以使从公共电极340传送的电子被限制于第一上发射层323a和第二上发射层323b。
[0104]
第一上发射层323a和第二上发射层323b可以位于第二空穴传输层321上。诸如空穴和电子的载流子可以在第一上发射层323a和第二上发射层323b中复合以产生激子。激子可以从激发态变为基态以产生光。在实施例中，第一上发射层323a和第二上发射层323b中的每个上发射层可以包括有机材料。
[0105]
第一上发射层323a可以位于第一正电荷产生层320上，并且可以与第一发射层313a重叠。例如，第一上发射层323a可以在图5的z方向上与第一发射层313a重叠。在实施例中，第一上发射层323a可以发射与第一发射层313a的波长带相同波长带的光。在另一实施例中，第一上发射层323a可以发射与第一发射层313a的波长带不同波长带的光。
[0106]
第二上发射层323b可以位于第一正电荷产生层320上，并且可以与第二发射层313b重叠。例如，第二上发射层323b可以在图5的z方向上与第二发射层313b重叠。在实施例中，第二上发射层323b可以发射与第二发射层313b的波长带相同波长带的光。在另一实施例中，第二上发射层323b可以发射与第二发射层313b的波长带不同波长带的光。
[0107]
第二缓冲层325可以位于第一上发射层323a和第二上发射层323b上。第二缓冲层325可以从第一上发射层323a连续延伸到第二上发射层323b。在实施例中，第二缓冲层325可以定位为遍及整个显示区域da。在实施例中，第二缓冲层325可以包括电子传输化合物。
[0108]
第二电子传输层327可以位于第二缓冲层325上。在实施例中，第二电子传输层327可以定位为遍及整个显示区域da。第二电子传输层327可以将电子从公共电极340传输到第一上发射层323a和第二上发射层323b。
[0109]
公共电极340可以位于第二电子传输层327上。在实施例中，公共电极340可以位于第一上发射层323a和第二上发射层323b上。在实施例中，公共电极340可以定位为遍及整个显示区域da。公共电极340可以包括具有低功函数的导电材料。例如，公共电极340可以包括(半)透明层，该(半)透明层包括银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或其合金。可替代地，公共电极340可以进一步包括
在包含上述材料的(半)透明层上的、由ito、izo、zno或in2o3形成的层。
[0110]
封盖层350可以位于公共电极340上。在实施例中，封盖层350可以定位为遍及整个显示区域da。
[0111]
图6是沿着图3的显示面板10的线b-b'截取的截面图。在图6中，与图5的构件相同的构件由相同的附图标记来表示，并且因此，将省略其重复描述。
[0112]
参考图6，显示面板10可以包括基板100和显示层dpl。在实施例中，基板100可以包括显示区域da。显示层dpl可以位于基板100上。显示层dpl可以包括像素电路层pcl和显示元件层del。
[0113]
显示元件层del可以位于像素电路层pcl上。显示元件层del可以包括显示元件。在实施例中，显示元件层del可以包括第一电极300a、第二电极300b、第三电极300c、第一空穴注入层303、第一叠层、第一低粘合图案wala1、第二低粘合图案walb1、第一负电荷产生层319、第一正电荷产生层320、第二叠层、第一附加低粘合图案wala2、第二附加低粘合图案walb2、第二负电荷产生层329、第二正电荷产生层330、第三叠层、公共电极340以及封盖层350。在实施例中，第一叠层可以包括第一空穴传输层311、第一发射层313a、第二发射层313b、第三发射层313c、第一缓冲层315以及第一电子传输层317。第二叠层可以包括第二空穴传输层321、第一上发射层323a、第二上发射层323b、第三上发射层323c、第二缓冲层325以及第二电子传输层327。第三叠层可以包括第三空穴传输层331、第一附加发射层333a、第二附加发射层333b、第三附加发射层333c、第三缓冲层335以及第三电子传输层337。
[0114]
在实施例中，显示元件层del可以包括一个第三叠层。在另一实施例中，显示元件层del可以包括多个第三叠层。以下将假设显示元件层del包括一个第三叠层来进行详细地描述。
[0115]
第一电极300a、第一发射层313a、第一上发射层323a、第一附加发射层333a和公共电极340可以构成作为第一显示元件的第一有机发光二极管oled1。第二电极300b、第二发射层313b、第二上发射层323b、第二附加发射层333b和公共电极340可以构成作为第二显示元件的第二有机发光二极管oled2。第三电极300c、第三发射层313c、第三上发射层323c、第三附加发射层333c和公共电极340可以构成作为第三显示元件的第三有机发光二极管oled3。
[0116]
尽管在图6中显示元件层del包括第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2和第三有机发光二极管oled3，但是在另一实施例中，显示元件层del可以进一步包括第四有机发光二极管或更多的有机发光二极管。以下将假设显示元件层del包括第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2和第三有机发光二极管oled3来进行详细地描述。
[0117]
第一电极300a、第二电极300b和第三电极300c可以位于显示区域da中。第二电极300b和第三电极300c可以定位为彼此靠近。换言之，第二电极300b和第三电极300c可以彼此邻近。在实施例中，第一电极300a、第二电极300b和第三电极300c可以将空穴分别供应到第一发射层313a、第二发射层313b和第三发射层313c。第一电极300a、第二电极300b和第三电极300c中的每个电极可以是像素电极。在实施例中，第三电极300c可以包括与第一电极300a的材料相同或相似的材料。
[0118]
第一空穴注入层303可以位于第一电极300a、第二电极300b和第三电极300c上。第
一空穴传输层311可以位于第一空穴注入层303上。第一空穴传输层311可以使从第一电极300a、第二电极300b和第三电极300c传送的空穴移动到第一发射层313a、第二发射层313b和第三发射层313c，并且可以使从第一负电荷产生层319传送的电子被限制于第一发射层313a、第二发射层313b和第三发射层313c。
[0119]
第一发射层313a、第二发射层313b和第三发射层313c可以位于第一空穴传输层311上。第三发射层313c可以位于第三电极300c上。第三发射层313c和第三电极300c可以在图6的z方向上彼此重叠。诸如空穴和电子的载流子可以在第一发射层313a、第二发射层313b和第三发射层313c中复合以产生激子。激子可以从激发态变为基态以产生光。
[0120]
在实施例中，第一发射层313a、第二发射层313b和第三发射层313c可以发射不同波长带的光。例如，第一发射层313a可以发射红光。第二发射层313b可以发射绿光。第三发射层313c可以发射蓝光。在另一实施例中，第一发射层313a、第二发射层313b和第三发射层313c可以发射相同波长带的光。在实施例中，第一发射层313a、第二发射层313b和第三发射层313c中的每个发射层可以包括有机材料。
[0121]
第一缓冲层315可以位于第一发射层313a、第二发射层313b和第三发射层313c上。第一电子传输层317可以位于第一缓冲层315上。第一电子传输层317可以将电子从第一负电荷产生层319传输到第一发射层313a、第二发射层313b和第三发射层313c。
[0122]
第一低粘合图案wala1和第二低粘合图案walb1可以位于第一电子传输层317上。第一低粘合图案wala1在平面图中可以位于第一发射层313a的中心313ca与第二发射层313b的中心313cb之间。在实施例中，第一低粘合图案wala1可以位于第一有机发光二极管oled1与第二有机发光二极管oled2之间。第一低粘合图案wala1可以是用于根据位置来对包括在第一负电荷产生层319中的掺杂剂的比率进行调整的图案。
[0123]
第二低粘合图案walb1在平面图中可以位于第二发射层313b的中心313cb与第三发射层313c的中心313cc之间。在实施例中，第二低粘合图案walb1可以位于第二有机发光二极管oled2与第三有机发光二极管oled3之间。第二低粘合图案walb1可以是用于根据位置来对包括在第一负电荷产生层319中的掺杂剂的比率进行调整的图案。第二低粘合图案walb1可以包括与第一低粘合图案wala1的材料相同或相似的材料。
[0124]
第一负电荷产生层319可以连续定位以覆盖第一发射层313a、第二发射层313b、第三发射层313c、第一低粘合图案wala1和第二低粘合图案walb1。在实施例中，第一负电荷产生层319可以连续定位以覆盖第二发射层313b、第二低粘合图案walb1和第三发射层313c。在实施例中，第一负电荷产生层319可以位于第一电子传输层317、第一低粘合图案wala1和第二低粘合图案walb1上。第一负电荷产生层319可以将电子供应到第一发射层313a、第二发射层313b和第三发射层313c。
[0125]
第一负电荷产生层319可以包括第一重叠区域319r1、第二重叠区域319r2和外部区域319or。第一重叠区域319r1可以是在平面图中位于第一发射层313a的中心313ca与第二发射层313b的中心313cb之间的区域。第二重叠区域319r2可以是在平面图中位于第二发射层313b的中心313cb与第三发射层313c的中心313cc之间的区域。第二重叠区域319r2可以是第一负电荷产生层319和第二低粘合图案walb1彼此重叠的区域。
[0126]
第一负电荷产生层319可以与第一低粘合图案wala1和第二低粘合图案walb1直接接触。在实施例中，第一负电荷产生层319可以在第一重叠区域319r1中与第一低粘合图案
wala1直接接触，并且可以在第二重叠区域319r2中与第二低粘合图案walb1直接接触。
[0127]
外部区域319or可以是位于第一重叠区域319r1外部和第二重叠区域319r2外部的区域。外部区域319or可以是第一负电荷产生层319的除第一重叠区域319r1和第二重叠区域319r2之外的区域。外部区域319or可以是在平面图中与第一发射层313a、第二发射层313b和第三发射层313c重叠的区域。
[0128]
第一负电荷产生层319可以包括主体和掺杂剂。在实施例中，主体可以包括有机材料。掺杂剂可以包括金属材料。在实施例中，掺杂剂可以在第一重叠区域319r1和第二重叠区域319r2中以第一比率提供，并且可以在外部区域319or中以第二比率提供。第一比率可以是在第一重叠区域319r1和第二重叠区域319r2中掺杂剂相对于主体和掺杂剂的比率。第二比率可以是在外部区域319or中掺杂剂相对于主体和掺杂剂的比率。在这种情况下，第一比率可以小于第二比率。在实施例中，主体可以提供在第一重叠区域319r1、第二重叠区域319r2和外部区域319or中，并且掺杂剂可以提供在外部区域319or中。在实施例中，掺杂剂可以不位于第一重叠区域319r1和第二重叠区域319r2中。
[0129]
在本实施例中，在与第一发射层313a、第二发射层313b和第三发射层313c中的任何一个发射层重叠的外部区域319or中产生的电子可能无法移动到与第一发射层313a、第二发射层313b和第三发射层313c中的另一个发射层重叠的外部区域319or。因此，当第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2和第三有机发光二极管oled3中的任何一个有机发光二极管发光时，可以防止或减少来自第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2和第三有机发光二极管oled3中的另一个有机发光二极管的非预期发光。
[0130]
第一正电荷产生层320可以位于第一负电荷产生层319上。第二空穴传输层321可以位于第一正电荷产生层320上。第二空穴传输层321可以使从第一正电荷产生层320传送的空穴移动到第一上发射层323a、第二上发射层323b和第三上发射层323c，并且可以使从第二负电荷产生层329传送的电子被限制于第一上发射层323a、第二上发射层323b和第三上发射层323c。
[0131]
第一上发射层323a、第二上发射层323b和第三上发射层323c可以位于第二空穴传输层321上。诸如空穴和电子的载流子可以在第一上发射层323a、第二上发射层323b和第三上发射层323c中复合以产生激子。激子可以从激发态变为基态以产生光。在实施例中，第一上发射层323a、第二上发射层323b和第三上发射层323c中的每个上发射层可以包括有机材料。
[0132]
第一上发射层323a可以位于第一正电荷产生层320上，并且可以与第一发射层313a重叠。第二上发射层323b可以位于第一正电荷产生层320上，并且可以与第二发射层313b重叠。
[0133]
第三上发射层323c可以位于第一正电荷产生层320上，并且可以与第三发射层313c重叠。例如，第三上发射层323c可以在图5的z方向上与第三发射层313c重叠。在实施例中，第三上发射层323c可以发射与第三发射层313c的波长带相同波长带的光。在另一实施例中，第三上发射层323c可以发射与第三发射层313c的波长带不同波长带的光。
[0134]
第二缓冲层325可以位于第一上发射层323a、第二上发射层323b和第三上发射层323c上。第二电子传输层327可以位于第二缓冲层325上。第二电子传输层327可以将电子从第二负电荷产生层329传输到第一上发射层323a、第二上发射层323b和第三上发射层323c。
[0135]
第一附加低粘合图案wala2和第二附加低粘合图案walb2可以位于第二电子传输层327上。第一附加低粘合图案wala2在平面图中可以位于第一上发射层323a的中心323ca与第二上发射层323b的中心323cb之间。第一附加低粘合图案wala2可以位于第一有机发光二极管oled1与第二有机发光二极管oled2之间。第一附加低粘合图案wala2可以是用于根据位置来对包括在第二负电荷产生层329中的掺杂剂的比率进行调整的图案。
[0136]
在实施例中，第一附加低粘合图案wala2可以包括氟基。在实施例中，第一附加低粘合图案wala2可以通过使用诸如8-羟基喹啉锂(liq)、n,n-二苯基-n,n-双(9-苯基-9h-咔唑-3-基)联苯-4,4'-二胺(ht01)、n(二苯基-4-基)9,9-二甲基-n-(4(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基)-9h-芴-2-胺(ht211)或2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1h-苯并[d]咪唑(lg201)的材料来形成。
[0137]
第二附加低粘合图案walb2在平面图中可以位于第二上发射层323b的中心323cb与第三上发射层323c的中心323cc之间。第二附加低粘合图案walb2可以位于第二有机发光二极管oled2与第三有机发光二极管oled3之间。第二附加低粘合图案walb2可以是用于根据位置来对包括在第二负电荷产生层329中的掺杂剂的比率进行调整的图案。在实施例中，第二附加低粘合图案walb2可以包括与第一附加低粘合图案wala2的材料相同或相似的材料。
[0138]
第二负电荷产生层329可以连续定位以覆盖第一上发射层323a、第二上发射层323b和第一附加低粘合图案wala2。在实施例中，第二负电荷产生层329可以连续定位以覆盖第一上发射层323a、第二上发射层323b、第三上发射层323c、第一附加低粘合图案wala2和第二附加低粘合图案walb2。在实施例中，第二负电荷产生层329可以定位为遍及整个显示区域da。第二负电荷产生层329可以将电子供应到第一上发射层323a、第二上发射层323b和第三上发射层323c。在实施例中，第二负电荷产生层329可以是n型电荷产生层。
[0139]
第二负电荷产生层329可以包括第一上重叠区域329r1、第二上重叠区域329r2和上外部区域329or。第一上重叠区域329r1可以是在平面图中位于第一上发射层323a的中心323ca与第二上发射层323b的中心323cb之间的区域。第一上重叠区域329r1可以是第二负电荷产生层329和第一附加低粘合图案wala2彼此重叠的区域。第二负电荷产生层329可以与第一附加低粘合图案wala2直接接触。在实施例中，第二负电荷产生层329可以在第一上重叠区域329r1中与第一附加低粘合图案wala2直接接触。
[0140]
第二上重叠区域329r2可以是在平面图中位于第二上发射层323b的中心323cb与第三上发射层323c的中心323cc之间的区域。第二上重叠区域329r2可以是第二负电荷产生层329和第二附加低粘合图案walb2彼此重叠的区域。第二负电荷产生层329可以与第二附加低粘合图案walb2直接接触。在实施例中，第二负电荷产生层329可以在第二上重叠区域329r2中与第二附加低粘合图案walb2直接接触。
[0141]
上外部区域329or可以是位于第一上重叠区域329r1外部和第二上重叠区域329r2外部的区域。上外部区域329or可以是第二负电荷产生层329的除第一上重叠区域329r1和第二上重叠区域329r2之外的区域。上外部区域329or可以是在平面图中与第一上发射层323a、第二上发射层323b和第三上发射层323c重叠的区域。
[0142]
与第一负电荷产生层319类似，第二负电荷产生层329可以包括主体和掺杂剂。在实施例中，主体可以包括有机材料。掺杂剂可以包括金属材料。在实施例中，掺杂剂相对于
主体和掺杂剂的混合比率可以在1％至99％的范围内。在实施例中，掺杂剂可以在第一上重叠区域329r1和第二上重叠区域329r2中以第三比率提供，并且可以在上外部区域329or中以第四比率提供。第三比率可以是在第一上重叠区域329r1和第二上重叠区域329r2中掺杂剂相对于主体和掺杂剂的比率。第四比率可以是在上外部区域329or中掺杂剂相对于主体和掺杂剂的比率。在这种情况下，第三比率可以小于第四比率。在实施例中，主体可以提供在第一上重叠区域329r1、第二上重叠区域329r2和上外部区域329or中，并且掺杂剂可以提供在上外部区域329or中。在实施例中，掺杂剂可以不位于第一上重叠区域329r1和第二上重叠区域329r2中。
[0143]
在本实施例中，在与第一上发射层323a、第二上发射层323b和第三上发射层323c中的任何一个上发射层重叠的上外部区域329or中产生的电子可能无法移动到与第一上发射层323a、第二上发射层323b和第三上发射层323c中的另一个上发射层重叠的上外部区域329or。因此，当第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2和第三有机发光二极管oled3中的任何一个有机发光二极管发光时，可以防止或减少来自第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2和第三有机发光二极管oled3中的另一个有机发光二极管的非预期发光。
[0144]
第二正电荷产生层330可以位于第二负电荷产生层329上。第二正电荷产生层330可以连续定位在第二负电荷产生层329上。在实施例中，第二正电荷产生层330可以定位为遍及整个显示区域da。在实施例中，第二正电荷产生层330可以包括掺杂剂和主体。在实施例中，第二正电荷产生层330的掺杂剂和第二正电荷产生层330的主体可以完全位于第二正电荷产生层330中。在实施例中，第二正电荷产生层330可以是p型电荷产生层。第二正电荷产生层330可以将空穴供应到第一附加发射层333a、第二附加发射层333b和第三附加发射层333c。
[0145]
第三空穴传输层331可以位于第二正电荷产生层330上。在实施例中，第三空穴传输层331可以在第二正电荷产生层330上连续延伸。在实施例中，第三空穴传输层331可以定位为遍及整个显示区域da。第三空穴传输层331可以使从第二正电荷产生层330传送的空穴移动到第一附加发射层333a、第二附加发射层333b和第三附加发射层333c，并且可以使从公共电极340传送的电子被限制于第一附加发射层333a、第二附加发射层333b和第三附加发射层333c。
[0146]
第一附加发射层333a、第二附加发射层333b和第三附加发射层333c可以位于第三空穴传输层331上。诸如空穴和电子的载流子可以在第一附加发射层333a、第二附加发射层333b和第三附加发射层333c中复合以产生激子。激子可以从激发态变为基态以产生光。在实施例中，第一附加发射层333a、第二附加发射层333b和第三附加发射层333c中的每个附加发射层可以包括有机材料。
[0147]
第一附加发射层333a可以位于第二正电荷产生层330上，并且可以与第一上发射层323a重叠。例如，第一附加发射层333a可以在图6的z方向上与第一上发射层323a重叠。在实施例中，第一附加发射层333a可以发射与第一上发射层323a的波长带相同波长带的光。在另一实施例中，第一附加发射层333a可以发射与第一上发射层323a的波长带不同波长带的光。
[0148]
第二附加发射层333b可以位于第二正电荷产生层330上，并且可以与第二上发射
层323b重叠。例如，第二附加发射层333b可以在图6的z方向上与第二上发射层323b重叠。在实施例中，第二附加发射层333b可以发射与第二上发射层323b的波长带相同波长带的光。在另一实施例中，第二附加发射层333b可以发射与第二上发射层323b的波长带不同波长带的光。
[0149]
第三附加发射层333c可以位于第二正电荷产生层330上，并且可以与第三上发射层323c重叠。例如，第三附加发射层333c可以在图6的z方向上与第三上发射层323c重叠。在实施例中，第三附加发射层333c可以发射与第三上发射层323c的波长带相同波长带的光。在另一实施例中，第三附加发射层333c可以发射与第三上发射层323c的波长带不同波长带的光。
[0150]
第三缓冲层335可以位于第一附加发射层333a、第二附加发射层333b和第三附加发射层333c上。第三缓冲层335可以定位为遍及整个显示区域da。第三缓冲层335可以包括电子传输化合物。
[0151]
第三电子传输层337可以位于第三缓冲层335上。在实施例中，第三电子传输层337可以定位为遍及整个显示区域da。第三电子传输层337可以将电子从公共电极340传输到第一附加发射层333a、第二附加发射层333b和第三附加发射层333c。
[0152]
公共电极340可以位于第三电子传输层337上。公共电极340可以位于第一附加发射层333a和第二附加发射层333b上。在实施例中，公共电极340可以位于第一附加发射层333a、第二附加发射层333b和第三附加发射层333c上。封盖层350可以位于公共电极340上。
[0153]
图7是图示根据实施例的图3的显示面板10的部分c的放大图。图8是图示图7的显示面板10的部分d的放大图。在图7和图8中，与图6中的构件相同的构件由相同的附图标记来表示，并且因此，将省略其重复描述。
[0154]
参考图7，显示面板10可以包括基板100、第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2、第三有机发光二极管oled3、像素限定层pdl和低粘合图案wal。
[0155]
基板100可以包括显示区域。第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2、第三有机发光二极管oled3、像素限定层pdl和低粘合图案wal可以位于显示区域中。
[0156]
在实施例中，第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2和第三有机发光二极管oled3可以以条纹形状设置。例如，第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2和第三有机发光二极管oled3可以在第一方向(例如，x方向或-x方向)上彼此平行设置。在另一实施例中，第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2和第三有机发光二极管oled3可以以诸如pentile(蜂窝状矩阵)形状、马赛克形状或三角形形状的各种形状中的任何形状来设置。
[0157]
像素限定层pdl可以限定有机发光二极管的发射区域。在实施例中，像素限定层pdl可以包括第一开口部分op1、第二开口部分op2和第三开口部分op3。第一开口部分op1可以限定第一有机发光二极管oled1的发射区域。在实施例中，第一开口部分op1可以与第一有机发光二极管oled1的第一电极重叠。第二开口部分op2可以限定第二有机发光二极管oled2的发射区域。在实施例中，第二开口部分op2可以与第二有机发光二极管oled2的第二电极重叠。第三开口部分op3可以限定第三有机发光二极管oled3的发射区域。在实施例中，第三开口部分op3可以与第三有机发光二极管oled3的第三电极重叠。
[0158]
尽管在图7中第一开口部分op1的面积、第二开口部分op2的面积和第三开口部分
op3的面积相同，但是在另一实施例中，第一开口部分op1的面积、第二开口部分op2的面积和第三开口部分op3的面积中的任何一个面积可以不同于第一开口部分op1的面积、第二开口部分op2的面积和第三开口部分op3的面积中的另一个面积。
[0159]
尽管在图7中第一开口部分op1的形状、第二开口部分op2的形状和第三开口部分op3的形状基本是四边形形状，但是第一开口部分op1的形状、第二开口部分op2的形状和第三开口部分op3的形状可以各自是诸如多边形形状、圆形形状或椭圆形形状的各种形状中的任何形状。
[0160]
低粘合图案wal可以与像素限定层pdl重叠。图7的低粘合图案wal可以是图6的第一低粘合图案wala1、第二低粘合图案walb1、第一附加低粘合图案wala2和第二附加低粘合图案walb2中的至少一个低粘合图案。
[0161]
在实施例中，低粘合图案wal在平面图中可以位于第一开口部分op1与第二开口部分op2之间。低粘合图案wal在平面图中可以位于第二开口部分op2与第三开口部分op3之间。
[0162]
可以提供多个低粘合图案wal。在实施例中，多个低粘合图案wal可以彼此间隔开。多个低粘合图案wal可以在第一方向(例如，x方向或-x方向)和/或第二方向(例如，y方向或-y方向)上延伸。在实施例中，多个低粘合图案wal可以至少部分地围绕第一开口部分op1、第二开口部分op2和第三开口部分op3。例如，多个低粘合图案wal中的任何一个低粘合图案可以至少部分地围绕第一开口部分op1和第二开口部分op2中的至少一个开口部分的外周。
[0163]
参考图8，低粘合图案wal可以包括主体部分walbd和突出部分walp。在实施例中，低粘合图案wal的主体部分walbd可以具有诸如珊瑚礁形状或大脑形状的不规则的斑点形状。该不规则的斑点形状可以是在形成低粘合图案wal时所形成的形状。
[0164]
低粘合图案wal的突出部分walp可以是在平面图中从低粘合图案wal的主体部分walbd突出的部分。在实施例中，可以提供低粘合图案wal的多个突出部分walp。尽管在图8中低粘合图案wal的突出部分walp具有三角形形状，但是在另一实施例中，低粘合图案wal的突出部分walp可以具有诸如尖刺形状或不规则突起形状的各种形状中的任何形状。当形成低粘合图案wal时，可以通过扩散现象来形成低粘合图案wal的突出部分walp。
[0165]
图9a至图9d是图示根据各种实施例的图3的显示面板10的部分c的放大图。在图9a至图9d中，与图7中的构件相同的构件由相同的附图标记来表示，并且因此，将省略其重复描述。
[0166]
参考图9a至图9d，显示面板10可以包括基板100、第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2、第三有机发光二极管oled3、像素限定层pdl和低粘合图案wal。
[0167]
基板100可以包括显示区域。第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2、第三有机发光二极管oled3、像素限定层pdl和低粘合图案wal可以位于显示区域中。
[0168]
低粘合图案wal可以与像素限定层pdl重叠。图9a至图9d的低粘合图案wal可以是图6的第一低粘合图案wala1、第二低粘合图案walb1、第一附加低粘合图案wala2和第二附加低粘合图案walb2中的至少一个低粘合图案。
[0169]
在实施例中，低粘合图案wal在平面图中可以位于第一开口部分op1与第二开口部分op2之间。低粘合图案wal在平面图中可以位于第二开口部分op2与第三开口部分op3之
间。
[0170]
参考图9a和图9b，可以提供多个低粘合图案wal。在实施例中，多个低粘合图案wal可以彼此间隔开。例如，多个低粘合图案wal可以在第一方向(例如，x方向或-x方向)上彼此间隔开。多个低粘合图案wal可以至少部分地围绕第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2和第三有机发光二极管oled3。低粘合图案wal可以至少部分地围绕第一开口部分op1和第二开口部分op2中的至少一个开口部分的外周。
[0171]
参考图9a，位于第一开口部分op1与第二开口部分op2之间的低粘合图案wal的一侧可以延伸以至少部分地围绕第一开口部分op1的外周，并且位于第一开口部分op1与第二开口部分op2之间的低粘合图案wal的另一侧可以延伸以至少部分地围绕第二开口部分op2的外周。位于第二开口部分op2与第三开口部分op3之间的低粘合图案wal的一侧可以延伸以至少部分地围绕第二开口部分op2的外周，并且位于第二开口部分op2与第三开口部分op3之间的低粘合图案wal的另一侧可以延伸以至少部分地围绕第三开口部分op3的外周。
[0172]
参考图9b，位于第一开口部分op1与第二开口部分op2之间的低粘合图案wal可以延伸以至少部分地围绕第一开口部分op1的外周和第二开口部分op2的外周。位于第二开口部分op2与第三开口部分op3之间的低粘合图案wal可以延伸以至少部分地围绕第二开口部分op2的外周和第三开口部分op3的外周。
[0173]
参考图9c和图9d，低粘合图案wal可以完全围绕第一开口部分op1、第二开口部分op2和第三开口部分op3。换言之，低粘合图案wal可以包括第一图案开口部分walop1、第二图案开口部分walop2和第三图案开口部分walop3。第一图案开口部分walop1和第一开口部分op1可以彼此重叠。第二图案开口部分walop2和第二开口部分op2可以彼此重叠。第三图案开口部分walop3和第三开口部分op3可以彼此重叠。
[0174]
参考图9c，第一图案开口部分walop1的面积可以大于第一开口部分op1的面积。第二图案开口部分walop2的面积可以大于第二开口部分op2的面积。第三图案开口部分walop3的面积可以大于第三开口部分op3的面积。
[0175]
参考图9d，第一图案开口部分walop1的形状可以与第一开口部分op1的形状相同。第二图案开口部分walop2的形状可以与第二开口部分op2的形状相同。第三图案开口部分walop3的形状可以与第三开口部分op3的形状相同。
[0176]
图10是沿着图7的显示面板10的线e-e'截取的截面图。在图10中，与图6中的构件相同的构件由相同的附图标记来表示，并且因此，将省略其重复描述。
[0177]
参考图10，显示面板10可以包括基板100和显示层dpl。在实施例中，基板100可以包括显示区域da。显示层dpl可以位于基板100上。显示层dpl可以包括像素电路层pcl和显示元件层del。
[0178]
像素电路层pcl可以位于基板100上。在实施例中，阻挡层(未示出)可以进一步位于像素电路层pcl与基板100之间。用于防止外部异物渗透的阻挡层可以具有包括诸如硅氮化物(sin
x
)或氧化硅(sio2)的无机材料的单层或多层结构。
[0179]
像素电路层pcl可以包括像素电路pc以及位于像素电路pc的元件之下和/或之上的缓冲层111、第一无机绝缘层113、第二无机绝缘层115、第三无机绝缘层117和有机绝缘层119。可以提供多个像素电路pc。像素电路pc可以包括薄膜晶体管tft和存储电容器cst。
[0180]
缓冲层111可以位于基板100上。缓冲层111可以包括诸如硅氮化物(sin
x
)、氮氧化
硅(sion)或氧化硅(sio2)的无机绝缘材料，并且可以具有包括该无机绝缘材料的单层或多层结构。
[0181]
薄膜晶体管tft可以包括半导体层act、栅电极ge、源电极se和漏电极de。半导体层act可以位于缓冲层111上。半导体层act可以包括多晶硅。可替代地，半导体层act可以包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。在实施例中，半导体层act可以包括沟道区以及位于沟道区两侧的源区和漏区。
[0182]
栅电极ge可以与半导体层act的沟道区重叠。栅电极ge可以包括低电阻金属材料。栅电极ge可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)的导电材料，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
[0183]
第一无机绝缘层113可以位于半导体层act与栅电极ge之间。第一无机绝缘层113可以包括诸如氧化硅(sio2)、硅氮化物(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或锌氧化物(zno
x
)的无机绝缘材料。锌氧化物(zno
x
)可以是氧化锌(zno)和/或过氧化锌(zno2)。
[0184]
第二无机绝缘层115可以覆盖栅电极ge。与第一无机绝缘层113类似，第二无机绝缘层115可以包括诸如氧化硅(sio2)、硅氮化物(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或锌氧化物(zno
x
)的无机绝缘材料。
[0185]
存储电容器cst的上电极ce2可以位于第二无机绝缘层115上。在实施例中，上电极ce2可以与栅电极ge重叠。在这种情况下，彼此重叠且第二无机绝缘层115在它们之间的栅电极ge和上电极ce2可以构成存储电容器cst。也就是说，栅电极ge可以用作存储电容器cst的下电极ce1。因此，存储电容器cst和薄膜晶体管tft可以彼此重叠。在另一实施例中，存储电容器cst和薄膜晶体管tft可以彼此不重叠。上电极ce2可以包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和/或铜(cu)，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
[0186]
第三无机绝缘层117可以覆盖上电极ce2。第三无机绝缘层117可以包括氧化硅(sio2)、硅氮化物(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或锌氧化物(zno
x
)。第三无机绝缘层117可以具有包括上述无机绝缘材料的单层或多层结构。
[0187]
源电极se和漏电极de中的每个电极可以位于第三无机绝缘层117上。源电极se和漏电极de中的至少一个电极可以包括具有高导电性的材料。源电极se和漏电极de中的至少一个电极可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)的导电材料，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。在实施例中，源电极se和漏电极de中的至少一个电极可以具有包括ti/al/ti的多层结构。
[0188]
有机绝缘层119可以包括有机材料。有机绝缘层119可以包括有机绝缘材料，诸如通用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其混合物。
[0189]
显示元件层del可以位于像素电路层pcl上。显示元件层del可以包括显示元件。在实施例中，显示元件层del可以包括第一电极300a、第二电极300b、第三电极300c、像素限定层pdl、第一空穴注入层303、第一叠层、第一低粘合图案wala1、第二低粘合图案walb1、第一
负电荷产生层319、第一正电荷产生层320、第二叠层、第一附加低粘合图案wala2、第二附加低粘合图案walb2、第二负电荷产生层329、第二正电荷产生层330、第三叠层、公共电极340以及封盖层350。在实施例中，第一叠层可以包括第一发射层313a、第二发射层313b、第三发射层313c、第一缓冲层315以及第一电子传输层317。第二叠层可以包括第一上发射层323a、第二上发射层323b、第三上发射层323c、第二缓冲层325以及第二电子传输层327。第三叠层可以包括第一附加发射层333a、第二附加发射层333b、第三附加发射层333c、第三缓冲层335以及第三电子传输层337。
[0190]
第一电极300a、第二电极300b和第三电极300c可以位于显示区域da中。在实施例中，第一电极300a、第二电极300b和第三电极300c中的每个电极可以位于有机绝缘层119上。第一电极300a、第二电极300b和第三电极300c中的每个电极可以通过提供在有机绝缘层119中的接触孔电连接到像素电路pc。
[0191]
像素限定层pdl可以位于第一电极300a、第二电极300b、第三电极300c和有机绝缘层119上。像素限定层pdl可以包括第一开口部分op1、第二开口部分op2和第三开口部分op3。第一开口部分op1可以与第一电极300a重叠。第一开口部分op1可以暴露第一电极300a的中心部分。第二开口部分op2可以与第二电极300b重叠。第二开口部分op2可以暴露第二电极300b的中心部分。第三开口部分op3可以与第三电极300c重叠。第三开口部分op3可以暴露第三电极300c的中心部分。像素限定层pdl可以包括有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。在一些实施例中，像素限定层pdl可以是黑色像素限定层。
[0192]
第一空穴注入层303可以位于第一电极300a、第二电极300b、第三电极300c和像素限定层pdl上。第一空穴注入层303可以沿着第一电极300a的形状、第二电极300b的形状、第三电极300c的形状和像素限定层pdl的形状延伸。
[0193]
第一发射层313a、第二发射层313b和第三发射层313c可以位于第一空穴注入层303上。在实施例中，第一发射层313a可以与第一开口部分op1重叠。第二发射层313b可以与第二开口部分op2重叠。第三发射层313c可以与第三开口部分op3重叠。
[0194]
第一缓冲层315可以位于第一发射层313a、第二发射层313b和第三发射层313c上。第一电子传输层317可以位于第一缓冲层315上。
[0195]
第一低粘合图案wala1和第二低粘合图案walb1可以位于第一电子传输层317上。第一低粘合图案wala1在平面图中可以位于第一发射层313a的中心313ca与第二发射层313b的中心313cb之间。第二低粘合图案walb1在平面图中可以位于第二发射层313b的中心313cb与第三发射层313c的中心313cc之间。第一低粘合图案wala1和第二低粘合图案walb1可以与像素限定层pdl重叠。
[0196]
第一负电荷产生层319可以连续定位以覆盖第一发射层313a、第二发射层313b、第三发射层313c、第一低粘合图案wala1和第二低粘合图案walb1。第一正电荷产生层320可以位于第一负电荷产生层319上。
[0197]
第一上发射层323a、第二上发射层323b和第三上发射层323c可以位于第一正电荷产生层320上。第一上发射层323a、第二上发射层323b和第三上发射层323c可以分别与第一发射层313a、第二发射层313b和第三发射层313c重叠。
[0198]
第二缓冲层325可以位于第一上发射层323a、第二上发射层323b和第三上发射层323c上。第二电子传输层327可以位于第二缓冲层325上。
[0199]
第一附加低粘合图案wala2和第二附加低粘合图案walb2可以位于第二电子传输层327上。第一附加低粘合图案wala2可以与第一低粘合图案wala1重叠。第二附加低粘合图案walb2可以与第二低粘合图案walb1重叠。
[0200]
第二负电荷产生层329可以连续定位以覆盖第一上发射层323a、第二上发射层323b、第三上发射层323c、第一附加低粘合图案wala2和第二附加低粘合图案walb2。第二正电荷产生层330可以位于第二负电荷产生层329上。
[0201]
第一附加发射层333a、第二附加发射层333b和第三附加发射层333c可以位于第二正电荷产生层330上。第一附加发射层333a、第二附加发射层333b和第三附加发射层333c可以分别与第一上发射层323a、第二上发射层323b和第三上发射层323c重叠。
[0202]
第三缓冲层335可以位于第一附加发射层333a、第二附加发射层333b和第三附加发射层333c上。第三电子传输层337可以位于第三缓冲层335上。公共电极340可以位于第三电子传输层337上。封盖层350可以位于公共电极340上。
[0203]
尽管图10中未示出，但是封装层可以位于封盖层350上。在实施例中，封装层可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，封装层可以包括顺序堆叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
[0204]
第一无机封装层和第二无机封装层中的每个无机封装层可以包括氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)、锌氧化物(zno
x
)、氧化硅(sio2)、硅氮化物(sin
x
)和氮氧化硅(sion)当中的至少一种无机材料。有机封装层可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。在实施例中，有机封装层可以包括丙烯酸酯。
[0205]
在另一实施例中，封装层可以包括封装基板。封装基板可以是透明构件。封装基板可以包括玻璃。在这种情况下，基板100和封装基板可以通过使用位于非显示区域中的密封构件彼此耦接。
[0206]
尽管图10中未示出，但是触摸电极层可以位于封装层上。触摸电极层可以根据外部输入(例如，触摸事件)来获取坐标信息。
[0207]
图11是图示第一有机发光二极管oled1在图10的显示面板10中发光的截面图。在图11中，与图10中所图示的构件相同的构件由相同的附图标记来表示，并且因此，将省略其重复描述。
[0208]
参考图11，第二电源电压可以被施加到公共电极340。第二电源电压可以被完全施加到公共电极340。因此，第二电源电压可以被完全施加到与显示区域da重叠的公共电极340。
[0209]
电连接到第一有机发光二极管oled1的像素电路pc可以将电压施加到第一有机发光二极管oled1的第一电极300a。在实施例中，第一电极300a可以将空穴供应到第一发射层313a。第一负电荷产生层319可以将电子供应到第一发射层313a。诸如空穴和电子的载流子可以在第一发射层313a中复合以产生激子，并且激子可以从激发态变为基态以产生光。在实施例中，第一正电荷产生层320可以将空穴供应到第一上发射层323a。第二负电荷产生层329可以将电子供应到第一上发射层323a。诸如空穴和电子的载流子可以在第一上发射层323a中复合以产生激子，并且激子可以从激发态变为基态以产生光。在实施例中，第二正电荷产生层330可以将空穴供应到第一附加发射层333a。公共电极340可以将电子供应到第一
附加发射层333a。诸如空穴和电子的载流子可以在第一附加发射层333a中复合以产生激子，并且激子可以从激发态变为基态以产生光。因此，第一有机发光二极管oled1可以发光。
[0210]
在本实施例中，第一负电荷产生层319可以连续定位以覆盖第一发射层313a、第二发射层313b和第一低粘合图案wala1。第一负电荷产生层319的掺杂剂可以在与第一低粘合图案wala1重叠的第一重叠区域319r1中以第一比率提供，并且可以在第一重叠区域319r1外部的外部区域319or中以第二比率提供。在这种情况下，第一比率可以小于第二比率。在这种情况下，掺杂剂可以包括具有高导电性的金属材料以用于载流子运动。
[0211]
与本实施例不同，在第一负电荷产生层319的掺杂剂在显示区域da中具有均匀比率的情况下，当第一负电荷产生层319将电子供应到第一发射层313a时，由第一负电荷产生层319供应的电子可能会移动到与第一发射层313a邻近的第二发射层313b。也就是说，可能会发生横向泄漏，并且与第一有机发光二极管oled1邻近的第二有机发光二极管oled2可能会发光。因此，可能会发生显示装置和/或显示面板中的色纯度劣化。
[0212]
然而，在本实施例中，第一负电荷产生层319的掺杂剂可以在与第一低粘合图案wala1重叠的第一重叠区域319r1中以第一比率提供，并且可以在第一重叠区域319r1外部的外部区域319or中以第二比率提供。在这种情况下，第一比率可以小于第二比率。第一重叠区域319r1可以是短路区域，并且在与第一发射层313a重叠的外部区域319or中产生的电子可能无法移动到与第二发射层313b重叠的外部区域319or。因此，可以不发生横向泄漏。这种作用可以同等地或类似地应用于与第一附加低粘合图案wala2重叠的第二负电荷产生层329。
[0213]
在本实施例中，当第一有机发光二极管oled1发光时，可以防止或减少来自与第一有机发光二极管oled1邻近的第二有机发光二极管oled2的非预期发光。因此，可以防止或减少显示面板10中的色纯度劣化。此外，由于可以减小提供在显示面板10中的第一有机发光二极管oled1与第二有机发光二极管oled2之间的间隔，因此显示面板10和/或显示装置可以具有高分辨率。
[0214]
图12是图示实施例的显示面板的透光率和不包括低粘合图案(如“低粘合图案x”所指示)的比较例的显示面板的透光率的曲线图。
[0215]
参考图12，该实施例的显示面板是包括位于邻近的有机发光二极管之间的低粘合图案(如“低粘合图案o”所指示)的显示面板，并且比较例的显示面板是不包括在邻近的有机发光二极管之间的低粘合图案的显示面板。在这种情况下，包括负电荷产生层的金属材料的掺杂剂可以在位于邻近的有机发光二极管之间的低粘合图案中很小或者可以未分布在位于邻近的有机发光二极管之间的低粘合图案上。因此，实施例中显示面板的邻近的有机发光二极管之间的透光率可以高于比较例中显示面板的邻近的有机发光二极管之间的透光率。例如，在本实施例中，实施例中显示面板的邻近的有机发光二极管之间的平均透光率可以是54.6％。比较例中显示面板的邻近的有机发光二极管之间的平均透光率可以是38％。
[0216]
此外，实施例中显示面板的邻近的有机发光二极管之间的光反射率可以低于比较例中显示面板的邻近的有机发光二极管之间的光反射率。
[0217]
图13a至图13c是图示根据实施例的制造显示装置的方法的截面图。在图13a至图13c中，与图10中的构件相同的构件由相同的附图标记来表示，并且因此，将省略其重复描
述。
[0218]
参考图13a，可以制备显示基板ds。在实施例中，显示基板ds可以包括基板100、像素电路层pcl、第一电极300a、第二电极300b、第三电极300c、像素限定层pdl、第一空穴注入层303、第一发射层313a、第二发射层313b、第三发射层313c、第一缓冲层315和第一电子传输层317。
[0219]
基板100可以包括显示区域da。像素电路层pcl可以位于基板100上。像素电路层pcl可以包括像素电路pc。像素电路pc可以包括薄膜晶体管tft。
[0220]
第一电极300a、第二电极300b和第三电极300c可以位于像素电路层pcl上。第一电极300a、第二电极300b和第三电极300c可以位于显示区域da中。第一电极300a和第二电极300b可以彼此邻近，并且第二电极300b和第三电极300c可以彼此邻近。
[0221]
像素限定层pdl可以位于第一电极300a、第二电极300b、第三电极300c和有机绝缘层119上。像素限定层pdl可以包括第一开口部分op1、第二开口部分op2和第三开口部分op3。第一开口部分op1可以与第一电极300a重叠。第一开口部分op1可以暴露第一电极300a的中心部分。第二开口部分op2可以与第二电极300b重叠。第二开口部分op2可以暴露第二电极300b的中心部分。第三开口部分op3可以与第三电极300c重叠。第三开口部分op3可以暴露第三电极300c的中心部分。
[0222]
第一空穴注入层303可以位于第一电极300a、第二电极300b、第三电极300c和像素限定层pdl上。第一空穴注入层303可以沿着第一电极300a的形状、第二电极300b的形状、第三电极300c的形状和像素限定层pdl的形状延伸。
[0223]
第一发射层313a、第二发射层313b和第三发射层313c可以位于第一空穴注入层303上。在实施例中，第一发射层313a可以与第一开口部分op1重叠。第二发射层313b可以与第二开口部分op2重叠。第三发射层313c可以与第三开口部分op3重叠。
[0224]
第一缓冲层315可以位于第一发射层313a、第二发射层313b和第三发射层313c上。第一电子传输层317可以位于第一缓冲层315上。
[0225]
参考图13b，可以形成第一低粘合图案wala1和第二低粘合图案walb1。第一低粘合图案wala1在平面图中可以形成在第一发射层313a的中心313ca与第二发射层313b的中心313cb之间。第二低粘合图案walb1在平面图中可以形成在第二发射层313b的中心313cb与第三发射层313c的中心313cc之间。第一低粘合图案wala1和第二低粘合图案walb1可以与像素限定层pdl重叠。
[0226]
第一低粘合图案wala1和第二低粘合图案walb1可以通过使用掩模m来形成。首先，掩模m可以位于显示基板ds上。掩模m可以包括阻挡部分bp和透射部分tp。阻挡部分bp可以是掩模m的主体。阻挡部分bp可以与第一发射层313a的中心313ca、第二发射层313b的中心313cb和第三发射层313c的中心313cc重叠。在实施例中，阻挡部分bp可以与第一开口部分op1、第二开口部分op2和第三开口部分op3重叠。透射部分tp可以是掩模m的开口部分。在实施例中，可以提供多个透射部分tp。多个透射部分tp中的任何一个透射部分可以位于第一发射层313a的中心313ca与第二发射层313b的中心313cb之间。在实施例中，多个透射部分tp中的任何一个透射部分可以位于第一开口部分op1与第二开口部分op2之间。多个透射部分tp中的另一个透射部分可以位于第二发射层313b的中心313cb与第三发射层313c的中心313cc之间。在实施例中，多个透射部分tp中的另一个透射部分可以位于第二开口部分op2
与第三开口部分op3之间。接着，可以形成第一低粘合图案wala1和第二低粘合图案walb1。换言之，第一低粘合图案wala1和第二低粘合图案walb1可以通过使用精细金属掩模(fmm)来形成。
[0227]
参考图13c，可以形成第一负电荷产生层319。第一负电荷产生层319可以连续定位以覆盖第一发射层313a、第二发射层313b、第三发射层313c、第一低粘合图案wala1和第二低粘合图案walb1。在实施例中，第一负电荷产生层319可以定位为遍及整个显示区域da。
[0228]
第一负电荷产生层319可以包括第一重叠区域319r1、第二重叠区域319r2和外部区域319or。第一重叠区域319r1可以是在平面图中位于第一发射层313a的中心313ca与第二发射层313b的中心313cb之间的区域。第二重叠区域319r2可以是在平面图中位于第二发射层313b的中心313cb与第三发射层313c的中心313cc之间的区域。
[0229]
第一负电荷产生层319可以与第一低粘合图案wala1和第二低粘合图案walb1直接接触。在实施例中，第一负电荷产生层319可以在第一重叠区域319r1中与第一低粘合图案wala1直接接触，并且可以在第二重叠区域319r2中与第二低粘合图案walb1直接接触。
[0230]
外部区域319or可以是位于第一重叠区域319r1外部和第二重叠区域319r2外部的区域。外部区域319or可以是第一负电荷产生层319的除第一重叠区域319r1和第二重叠区域319r2之外的区域。外部区域319or可以是在平面图中与第一发射层313a、第二发射层313b和第三发射层313c重叠的区域。
[0231]
第一负电荷产生层319可以包括主体和掺杂剂。在实施例中，主体可以包括有机材料。掺杂剂可以包括金属材料。在实施例中，掺杂剂可以在第一重叠区域319r1和第二重叠区域319r2中以第一比率提供，并且可以在外部区域319or中以第二比率提供。在这种情况下，第一比率可以小于第二比率。在实施例中，主体可以提供在第一重叠区域319r1、第二重叠区域319r2和外部区域319or中，并且掺杂剂可以提供在外部区域319or中。在实施例中，掺杂剂可以不位于第一重叠区域319r1和第二重叠区域319r2中。当第一负电荷产生层319形成在第一低粘合图案wala1和第二低粘合图案walb1上时，第一负电荷产生层319的掺杂剂与第一低粘合图案wala1和第二低粘合图案walb1可以具有在它们之间的弱粘合力。这是因为第一低粘合图案wala1的表面能和第二低粘合图案walb1的表面能是低的。因此，当形成第一负电荷产生层319时，可以在没有附加工艺的情况下对包括在第一负电荷产生层319中的掺杂剂的比率进行调整。
[0232]
如上所述，根据实施例的显示装置可以包括位于第一发射层的中心与第二发射层的中心之间的低粘合图案，并且可以包括连续定位以覆盖第一发射层、第二发射层和低粘合图案的负电荷产生层。在这种情况下，当第一发射层发光时，由于连续定位的负电荷产生层，可以防止或减少来自与第一发射层邻近的第二发射层的非预期发光。因此，可以防止或减少根据实施例的显示装置中的色纯度劣化。
[0233]
尽管本文已经描述了某些实施例和实现方式，但是其他实施例和修改将根据该描述是显而易见的。因此，本发明构思不限于这样的实施例，而是限于所附权利要求的更宽范围以及对本领域普通技术人员而言将是显而易见的各种明显修改和等效设置。