专利名称：电子枪会聚帽组件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电视机的显像管用电子枪生产领域。
彩色显像管用电子枪产生的电子束聚焦于荧光屏上，通过偏转线圈偏转扫描电子束形成图象。彩色显像管图象质量主要由电子枪和偏转线圈决定。电子枪决定红、绿、蓝三电子束在屏幕中心的聚焦水平，偏转线圈除决定三电子束的全屏幕会聚水平外，对屏幕周边的电子束聚焦水平也有一定影响。全屏聚焦、会聚水平较高的彩色显像管通常采用高聚焦性能电子枪和消彗差偏转线圈。大、中屏幕彩色显像管通常必须使用高聚焦性能电子枪。消彗差偏转线圈较一般非消彗差偏转线圈有较高的成本，对于中等屏幕彩色显像管，如果同时采用高聚焦性能电子枪和消彗差偏转线圈，则必然增加较多成本。
本实用新型的目的在于将一种只能与消彗差偏转线圈配合的高聚焦性能电子枪重新设计部分零件，使这种高聚焦性能电子枪可以与低成本的非消彗差偏转线圈配合，用于中屏幕彩色显像管中。
本实用新型是通过如下技术方案实现的电子枪会聚帽组件，包括会聚帽(1)，其特征是会聚帽(1)底面开有三个圆孔，且凹型的校正电极(3)焊接在底面外侧，所述校正电极开有与会聚帽(1)相贯通的三个圆孔，在会聚帽(1)的底面内侧，两边圆孔处分别焊接有磁场控制器(2)。
本实用新型结构简单，仅更换了只能与消彗差偏转线圈配合的高聚焦性能电子枪的会聚帽，增加了磁场控制器和校正电极，就实现了与低成本非消彗差偏转线圈的配合。虽然低成本的非消彗差线圈不能对改善屏幕周边聚焦性能作出贡献，但通过对校正电极的优化设计，同样可以达到全屏幕聚焦水平的均衡。电子枪中增加校正电极和磁场控制器两个零件及改变会聚帽零件结构，使彩色显像管成本略有增加，但与采用消彗差偏转线圈相比，总成本增加较少。
以下结合附图对本实用新型进一步详述附图(1)为原高聚焦性能电子枪会聚帽结构示意图。
附图(2)为本实用新型会聚帽组件结构示意图。
附图(3)为本实用新型磁场控制器结构示意图。
附图(4)为本实用新型会聚帽结构示意图。
附图(5)为本实用新型校正结构示意图。
见附
图1，原高聚焦性能电子枪会聚帽采用带内翻缘的横长槽孔结构。在彩色显像管中，通常偏转线圈形成的磁场是非均匀的自会聚磁场，即水平偏转磁场为枕形磁场，垂直偏转场为桶形磁场。会聚帽处在电子枪的电子束出口处，三电子束的中束和边束在此处受到磁场的作用力不同，这样会引起中、边电子束在屏幕上不能会聚在同一处，从而产生较大的失会聚。为了使中、边电子束在会聚帽处的磁场强度基本相同，可以采用消彗差偏转线圈。这种偏转线圈在会聚帽处的局部磁场分布与自会聚偏转磁场分布相反水平磁场为桶形分布，垂直磁场为枕形分布，可使中、边电子束在屏幕上处处会聚在一起。
如果采用成本较低的非消彗差偏转线圈，同时保证中、边电子束在屏幕上处处会聚在一起，必须改变会聚帽处的磁场分布。
附图2所示的会聚帽组件结构可以过到改变局部磁场分布的目的。会聚帽组件由会聚帽1，磁场控制器2，校正电极3组成。
附图(3)是具有一定磁性的磁场控制器。要增加如图(3)所示的磁场控制器，必须使原电子枪会聚帽的长横槽孔改为三个独立圆孔，如图(4)所示。由于电子枪会聚帽改为三个圆孔结构，电子枪的聚焦性能发生较大变化，为了保证电子束水平、垂直方面都达到最佳聚焦状态，本实用新型采用了如附图(5)所示的校正电极。通过对校正电极各尺寸的优化设计，使电子束在屏幕中心和屏幕周边的聚焦都达到较高水平。
本实用新型即达到了彩色显像管对会聚的要求，又充分利用了原电子枪的高聚焦性能和非消彗差偏转线圈成本低的优点。
权利要求1．电子枪会聚帽组件，包括会聚帽(1)，其特征是会聚帽(1)底面开有三个圆孔，且凹型的校正电极(3)焊接在底面外侧，所述校正电极开有与会聚帽(1)相贯通的三个圆孔，在会聚帽(1)的底面内侧，两边圆孔处分别焊接有磁场控制器(2)。
专利摘要电子枪会聚帽组件,涉及彩色显像管用电子枪领域,包括电子枪会聚帽组件,包括会聚帽(1),其特征是焊在会聚帽两边孔上的磁场控制器(2)和校正电极(3),校正电极(3)有与会聚帽相同的三个圆孔、有与三孔平行的两个翻边。
文档编号H01J29/48GK2425424SQ00228430
公开日2001年3月28日 申请日期2000年6月9日 优先权日2000年6月9日
发明者李朝明, 董北斗, 李仪, 宋静远, 陈德权 申请人:广东福地科技股份有限公司