专利名称：带电流调节结构的三极场致发射显示器的制作方法
技术领域：
本实用新型属于真空科学技术、平面显示技术、微电子技术以及纳米科学技术的相互交叉领域，尤其涉及一种带有电流调节结构、碳纳米管阴极、三极结构的带电流调节结构的三极场致发射显示器。
背景技术：
碳纳米管是一种特殊的冷阴极材料，能够仅仅在外界电压的作用下发射大量的电子，这是由于其特殊的结构而决定的。对于实际显示器件来说，显示图像质量的好与坏是整体碳纳米管阴极场致发射显示器件制作成功与否的重要技术指标之一。而实现碳纳米管阴极能够均匀、稳定的发射大量的电子，在栅极电压的控制下对阳极面板上的荧光粉发光层进行高能量轰击，这是显示良好显示图像的前提条件。在将碳纳米管制作成阴极材料的过程中，受到具体制作工艺，制作浆料等各种因素的影响，其场致发射电子的能力已经下降了许多，但这又是其所必需经历的过程。那么，如何采取有效的措施，能够让大面积的碳纳米管阴极实现均匀、稳定的发射电子，是研究人员们所面临的一个现实问题。受到具体工艺制作的影响，印刷的碳纳米管阴极的场致发射电子的能力要受到多种因素的影响，如碳纳米管阴极导电层电阻阻值的影响，碳纳米管阴极与阴极面板的附着力大小的影响，同一碳纳米管阴极在不同外界条件下发射能力的变化。对于不同的碳纳米管阴极来说，由于受到外界因素的影响，其对应的荧光粉的发光程度也有可能所有区别，这就需要进行额外的电学调节，期望让发光亮度比较弱的碳纳米管阴极施加稍微高一些的电压，发射更多的电子，提高该像素点的亮度，而让发光亮度比较高的碳纳米管阴极上的电压稍微低一些，降低该像素点的亮度。而目前对于诸如此列问题还没有得到完美的解决方案。此外，还需要进一步降低整体平板显示器件的制作成本，器件制作过程免于复杂化，有利于进行商业化的大规模生产。
发明内容
本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的不足而提供一种带有电流调节结构、制作过程稳定可靠、结构简单、成品率高、成本低廉的三极碳纳米管场致发射平面显示器。
本实用新型的目的是这样实现的包括有阴极面板、阳极面板以及它们与玻璃围框所构成的密封真空腔、设置在密封真空腔中的控制栅极，在阳极面板上设置有铟锡氧化物薄膜导电层和荧光粉层，阴极面板包括衬底材料玻璃，在衬底材料玻璃上制备有碳纳米管阴极以及电流调节结构，电流调节结构由设置在衬底材料玻璃上的锡铟氧化物导电条、二氧化硅绝缘层、p掺杂硅层、铬金属源极、铬金属漏极、二氧化硅覆盖层构成，电流调节结构的固定位置为安装固定在阴极面板上。在阳极面板上设置有一层铟锡氧化物薄膜导电层，铟锡氧化物薄膜导电层为带图案的导电条，在导电条的非显示区域设置有一层绝缘浆料层，在导电条上面的显示区域设置一层荧光粉层。在电流调节结构中，在整体衬底玻璃上设置一层锡铟氧化物导电条和一层二氧化硅绝缘层，在二氧化硅绝缘层上设置一层p掺杂硅层，在p掺杂硅层两侧的二氧化硅绝缘层上又设置有一层铬金属层，分别为铬金属源极和铬金属漏极，碳纳米管阴极设置在铬金属漏极上，在p掺杂硅层和铬金属漏极上又设置一层二氧化硅层。
本实用新型具有制作过程稳定可靠、结构简单、成品率高、成本低廉的优点。
图1为本实用新型的纵向结构示意图。
图2为本实用新型的横向结构示意图。
图3为本实用新型的整体结构示意图。
具体实施方式
如图1、2、3所示，本实用新型包括有阴极面板1、阳极面板9以及它们与玻璃围框15所构成的密封真空腔、设置在密封真空腔中的控制栅极14，在阳极面板9上设置有铟锡氧化物薄膜导电层10和荧光粉层12，阴极面板1包括衬底材料玻璃16，在衬底材料玻璃16上制备有碳纳米管阴极8以及电流调节结构，电流调节结构由设置在衬底材料玻璃1上的锡铟氧化物导电条2、二氧化硅绝缘层3、p掺杂硅层4、铬金属源极5、铬金属漏极6、二氧化硅覆盖层7构成，电流调节结构的固定位置为安装固定在阴极面板1上。
在阳极面板9上设置有一层铟锡氧化物薄膜导电层10，铟锡氧化物薄膜导电层为带图案的导电条，在导电条的非显示区域设置有一层绝缘浆料层11，在导电条上面的显示区域设置一层荧光粉层12。
在电流调节结构中，在整体衬底玻璃1上设置一层锡铟氧化物导电条2和一层二氧化硅绝缘层3，在二氧化硅绝缘层3上设置一层p掺杂硅层4，在p掺杂硅层4两侧的二氧化硅绝缘层3上又设置有一层铬金属层，分别为铬金属源极5和铬金属漏极6，碳纳米管阴极8设置在铬金属漏极6上，在p掺杂硅层4和铬金属漏极5上又设置一层二氧化硅层7。
权利要求1.一种带电流调节结构的三极碳纳米管场致发射显示器，包括有阴极面板(1)、阳极面板(9)以及它们与玻璃围框(15)所构成的密封真空腔、设置在密封真空腔中的控制栅极(14)，其特征在于a、在阳极面板(9)上设置有铟锡氧化物薄膜导电层(10)和荧光粉层(12)，b、阴极面板(1)包括衬底材料玻璃(16)，在衬底材料玻璃(16)上制备有碳纳米管阴极(8)以及电流调节结构，电流调节结构由设置在衬底材料玻璃(1)上的锡铟氧化物导电条(2)、二氧化硅绝缘层(3)、p掺杂硅层(4)、铬金属源极(5)、铬金属漏极(6)、二氧化硅覆盖层(7)构成，电流调节结构的固定位置为安装固定在阴极面板(1)上。
2.根据权利要求1所述的一种带电流调节结构的三极碳纳米管场致发射显示器，其特征在于在阳极面板(9)上设置有一层铟锡氧化物薄膜导电层(10)，铟锡氧化物薄膜导电层为带图案的导电条，在导电条的非显示区域设置有一层绝缘浆料层(11)，在导电条上面的显示区域设置一层荧光粉层(12)。
3.根据权利要求1所述的一种带电流调节结构的三极碳纳米管场致发射显示器，其特征在于在电流调节结构中，在整体衬底玻璃(1)上设置一层锡铟氧化物导电条(2)和一层二氧化硅绝缘层(3)，在二氧化硅绝缘层(3)上设置一层p.掺杂硅层(4)，在p掺杂硅层(4)两侧的二氧化硅绝缘层(3)上又设置有一层铬金属层，分别为铬金属源极(5)和铬金属漏极(6)，碳纳米管阴极(8)设置在铬金属漏极(6)上，在p掺杂硅层(4)和铬金属漏极(5)上又设置一层二氧化硅层(7)。
专利摘要本实用新型涉及一种带有电流调节结构、碳纳米管阴极、三极结构的带电流调节结构的三极场致发射显示器，包括有阴极面板、阳极面板、密封真空腔、控制栅极，在阳极面板上设置有铟锡氧化物薄膜导电层和荧光粉层，阴极面板包括衬底材料玻璃，在衬底材料玻璃上制备有碳纳米管阴极以及电流调节结构，电流调节结构由设置在衬底材料玻璃上的锡铟氧化物导电条、二氧化硅绝缘层、p掺杂硅层、铬金属源极、铬金属漏极、二氧化硅覆盖层构成，电流调节结构的固定位置为安装固定在阴极面板上，具有结构简单、制作工艺简单、制作成本低廉、制作过程稳定可靠的优点。
文档编号H01J29/46GK2779597SQ20052003033
公开日2006年5月10日 申请日期2005年3月30日 优先权日2005年3月30日
发明者李玉魁 申请人:中原工学院