专利名称：半控桥式可控硅声控灯的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半控桥式可控硅声控灯。
背景技术：
目前的声控灯都是桥式二极管整流，然后可控硅控制，该声控灯功率
发明内容
本发明的目的是研究一种半控桥式可控硅声控灯，既加大了声控灯的 功率，而且电子原件增加也不多，成本低。技术方案做一个半控桥式可控硅，两个可控硅的控制极各连接一个电阻，两个电 阻共同连接声控装置。
下面结合附图及实施例对本发明作进一步说明。图为半控桥式可控硅声控灯线路图；图中，1-二极管；2-可控硅；3-电阻；4-声控装置。具体实施方法两个二极管(1)和两个可控硅(2)做成桥式整流电路，两个可控硅 (2)的控制极分别连接一个电阻(3)，两个电阻(3)共同连接声控装置(4)。桥式整流每个可控硅(2)承担电流0. 5，两个可控硅(2)电流增大一倍，功率加大 一倍。而且因减少两个二极管(1)，声控灯成本也不高。
权利要求
一种半控桥式可控硅声控灯。其特征是做一个半控桥式可控硅，两个可控硅的控制极各连接一个电阻，两个电阻共同连接声控装置。
全文摘要
本发明涉及一种半控桥式可控硅声控灯。做一个半控桥式可控硅，两个可控硅的控制极各连接一个电阻，两个电阻共同连接声控装置。加大了声控灯的功率，而且电子原件增加也不多，成本低。
文档编号F21V23/00GK101801134SQ20101012355
公开日2010年8月11日 申请日期2010年3月15日 优先权日2010年3月15日
发明者吴德滨 申请人:哈尔滨开恩科技开发有限公司