一种高荧光冷光蜡烛的制作方法

文档序号:16144545发布日期:2018-12-05 15:56阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明涉及光电技术领域,尤其涉及一种荧光冷光蜡烛。本发明提供的一种高荧光冷光蜡烛,使用述包覆型羧基化SiO2荧光纳米球为荧光材料,涂覆在材料涂覆在玻璃基片上,封装在塑料管内,形成冷光蜡烛。包覆型羧基化SiO2荧光纳米球的制备方法是以具有双键的烯丙基荧光探针、甲基丙烯酸与硅烷偶联剂KH151为原料,聚合反应得到荧光聚合物,过高温脱水缩合法,将该荧光聚合物经‑Si‑O‑Si‑键化学键和在SiO2纳米球表面,得到包覆型羧基化SiO2荧光纳米球。所述的烯丙基荧光探针是烯丙基‑4‑甲基香豆素、烯丙基荧光素、烯丙基罗丹明B、烯丙基咔唑中的任意一种。本发明采用包覆型羧基化SiO2荧光纳米球为荧光材料作为荧光材料,微球整体发光效率更高,材料稳定性更强,制成的冷风蜡烛荧光强度更高,时间更长。

技术研发人员:郭永平;张钰婷;张庚怀
受保护的技术使用者:天津永兴泰科技股份有限公司
技术研发日:2018.09.03
技术公布日:2018.12.04
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