一种防蓝光LED灯的制作方法

文档序号:16902747发布日期:2019-02-19 18:10阅读:1862来源:国知局
一种防蓝光LED灯的制作方法

本发明涉及一种防蓝光led灯。



背景技术:

近年来led作为新型高效固体光源之一,具有寿命长、节能、环保等显著优点,广泛应用于电脑、手机、电视及led灯等一系列显示屏,目前led发光主要采用高能短波蓝光激发荧光粉的技术形成一种复合光,但高能短波蓝光对视网膜伤害程度大,易引起视网膜色素上皮细胞的萎缩甚至死亡,光敏感细胞的死亡将会导致视力下降甚至完全丧失,这种损坏是不可逆的,蓝光还会导致黄斑病变,人眼中的水晶体会吸收部分蓝光渐渐混浊形成白内障,而大部份的蓝光会穿透水晶体,尤其是儿童水晶体较清澈,无法有效抵挡蓝光,从而更容易导致黄斑病变以及白内障,由于蓝光的波长短,聚焦点并不是落在视网膜中心位置,而是离视网膜更靠前一点的位置,要想看清楚,眼球会长时间处于紧张状态,引起视疲劳,长时间的视觉疲劳,可能导致人们近视加深、出现复视、阅读时易串行、注意力无法集中等症状,影响人们的学习与工作效率,蓝光还会抑制褪黑色素的分泌,影响人们的睡眠质量。目前市场上主要靠给显示屏贴防蓝光膜或戴防蓝光眼镜,以减小蓝光对人眼的损伤,但给显示屏贴防蓝光膜这种方式易影响产品外观及体验手感,而戴防蓝光眼镜也会产生不适感,不美观,不方便,对局部组织的压迫。



技术实现要素:

为了克服现有技术的不足,本发明提供一种防蓝光led灯,包括led基座、led发光芯片、防蓝光层及耐高温玻璃基片,led发光芯片安装在led基座上,耐高温玻璃基片覆盖在led芯片的灯珠上,防蓝光层包括由多层高折射率层与低折射率层交替组成,低折射率层的成分为sio2,高折射率层的成分为tio2、hfo2、ta2o5和os-50中的其中一种。

优选地,玻璃基片通过耐高温胶固定在灯珠上。

进一步地,耐高温胶位于玻璃基片边缘与灯珠边缘。

优选地,所述高折射率层、低折射率层的厚度均为10nm-200nm之间。

优选地,防蓝光层通过真空镀膜工艺制备形成。

进一步地,真空镀膜工艺包括热蒸镀、电子束蒸镀、离子辅助、离子束溅射、磁控溅射。

与现有的技术相比,本发明的有益效果是:

该防蓝光led灯有效的阻挡了有害蓝光波段,避免了有害蓝光对眼睛的伤害。

附图说明

图1为本发明防蓝光led灯示意图;

图2为本发明防蓝光玻璃片的结构示意图;

图3为本发明防蓝光玻璃片的光谱曲线图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

见图1至图2,一种防蓝光led灯,包括led基座1、led发光芯片2、防蓝光层3、耐高温胶层4、耐高温玻璃基片5、透镜6,led发光芯片2安装在led基座1上,耐高温玻璃基片5覆盖在led发光芯片2的灯珠上,玻璃基片5通过耐高温胶层4固定在led发光芯片2的灯珠上,耐高温胶层4位于玻璃基片边缘与灯珠边缘,防蓝光层3覆盖在玻璃基片5上,防蓝光层3每层的厚度为在10nm-200nm之间,防蓝光层3包括由多层高折射率层31与低折射率层32交替组成,低折射率层32的成分为sio2,高折射率层31的成分为tio2、hfo2、ta2o5和os-50中的其中一种,防蓝光层3通过热蒸镀、电子束蒸镀、离子辅助、离子束溅射、磁控溅射等真空镀膜工艺制备形成。

当防蓝光层3中低折射率层的成分为sio2,高折射率层的成分为tio2时,光线透过该结构后得到图3所示的光谱曲线图。

由图3可知,防蓝光层3在380nm-450nm波段的透过率小于5%,在470nm-780nm波段的透过率大于90%。

尽管上述图文已经描述了本发明的优选实施例的说明,但本领域内的技术人员一旦得知了本创造性地概念,则可以对这些实施例做另外的变更和修改,所以,所附的权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更及修改。显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种修改和变型而不脱离本发明的思想和范围,这样,尚若对本发明的这些修改和变形属于本发明权利要求及其等同技术范围之内,则本发明意图包含这些改动和变形在内。



技术特征:

技术总结
本发明公开了一种防蓝光LED灯,包括LED基座、LED发光芯片、防蓝光层及耐高温玻璃基片,LED发光芯片安装在LED基座上,耐高温玻璃基片覆盖在LED芯片的灯珠上,防蓝光层包括由多层高折射率层与低折射率层交替组成,低折射率层的成分为SiO2,高折射率层的成分为TiO2、HfO2、Ta2O5和OS‑50中的其中一种,该防蓝光LED灯有效的阻挡了有害蓝光波段,避免了有害蓝光对眼睛的伤害。

技术研发人员:贾云飞;李州;陈欣欣;郭滨刚
受保护的技术使用者:深圳市光科全息技术有限公司
技术研发日:2018.09.30
技术公布日:2019.02.19
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