专利名称：偏转线圈及装有该偏转线圈的彩色显像管的制作方法
技术领域：
本发明涉及偏转线圈及装有该偏转线圈的彩色显象管。
近年来在显示监视器上所使用的彩色显象管中如以窗口为代表，在荧光屏面周边显示信息的频度极高，因此要求能在该部分显示精细图象。光栅畸变是决定荧光面周边部图象质量的重要因素，对于偏转线圈本身磁场分布决定其好坏的荧光屏面上下端的枕形偏转畸变(以下简称光栅枕形失真)或者光栅畸变的要求内容变得非常严格。同时荧光屏面周边部的会聚要求内容也变得非常严格。
然而，在装备有一字形排列电子枪的彩色显象管上安装使用的自会聚方式的偏转线圈如图22，23所示，其由绕成鞍型的水平偏转绕组24、设置在水平偏转绕组24外侧的鞍型垂直偏转绕组25、和设置在垂直偏转绕组25外侧的高导磁率磁芯26组成。并且在该自会聚方式的偏转线圈中，水平偏转绕组24产生的磁场形成枕形磁场，垂直偏转绕组25产生的磁场形成桶形磁场，以使得荧光屏面上下端的光栅枕形失真和荧光屏面上的会聚失调两者同时获得补偿。
近年来随着显象管曲率半径的增加，如图24所示的“正各向异性象散现象”产生在荧光屏面上，同时荧光屏面上下端的光栅枕形失真也有增大趋势。
这里说明有关正各向异性象散现象。在图24中，B、G、R表示从荧光屏面这侧看的3个电子束发射源，虚线27为从电子束发射源B射出的电子束产生的兰色图形、单点划线28为从电子束发射源R射出的电子束产生的红色图形、实线29为从电子束发射源G射出的电子束产生的绿色图形。在荧光屏面右上方第1象限中，相对绿色图形(实线)29，红色图形(单点划线)28和兰色图形(虚线)27分别出现在下方和上方，红色图形(单点划线)28和兰色图形(虚线)27在垂直轴上相交成X字形。并且在荧光屏面的左上第二象限中，红色图形(单点划线)28和兰色图形(虚线)27的关系与第1象限相反。在荧光屏面下方，以水平轴为基准处于线对称关系。将此称为“正各向异性象散现象”。
在传统的自会聚方式偏转线圈中，为补偿荧光面上正各向异性象散现象，若使垂直偏转绕组25产生的磁场变成更强的桶形磁场，则荧光屏面上下端的光栅枕形失真进一步增大。此外，为了补偿荧光面上下端的光栅枕形失真，若使水平偏转绕组24产生的磁场变成更强的枕形磁场，则正各向异性象散现象有进一步增大趋势，因此，荧光屏面上下端的光栅枕形失真和荧光屏面上的会聚失调不能同时得到补偿。
就构成偏转线圈的偏转绕组而言，虽然从其荧光屏侧到电子枪侧的磁场分布总的与荧光屏面上会聚失调补偿有关，但就荧光屏面上下端的光栅枕形失真而言，偏转绕组的荧光屏侧的磁场分布与此有关。其原因是，当使电子束偏转时，在偏转绕绕荧光屏侧电子束和偏转绕组的距离比在电子枪侧的距离还要小，并且在偏转绕组的荧光屏侧，由于电子束沿磁力线弯曲的端部行进，所以产生荧光屏面上下端的光栅枕形失真的荧光屏侧的磁场分布效果变大。
从上述可知，为了利用偏转线圈补偿荧光屏面上下端的光栅枕形失真，必须加强偏转绕组荧光屏侧的枕形磁场。此外，为了补偿在这种状态产生的荧光屏面上的会聚失调，必须加强除偏转绕组的荧光屏侧之外的中间部附近及电子枪侧的桶形磁场。
为了回应这些要求，提出了通过在偏转线圈荧光屏侧上下部设置补偿磁铁，谋求前述荧光屏面上下端光栅枕形失真的补偿和会聚并存的方法(特开平2-204947号公报)。
在自会聚方式的偏转线圈中，为了通过偏转线圈磁场分布本身在设计上除去荧光屏面上下端光栅畸变，水平偏转绕组24产生的磁场要有强的枕形畸变(参照
图14)。然而，当这里包含多至4次枕形畸变时，产生称之为鸥翼形的高次上下光栅畸变。该鸥翼形在视觉上使图象质量极度劣变，所以必须避免。
为顺应这些要求，在美国专利4233582中，提出了通过在水平偏转绕组的荧光屏侧突缘部中央部分设置凹状，由此减少荧光屏面上下端的鸥翼形的方法。并且在美国专利4229720中，提出了利用把水平偏转绕组的荧光屏侧突缘部形状作成多边形，减少荧光屏面上下端的鸥翼形的方法。此外，在特开昭63-289748号公报中，提出了借助在荧光屏侧上下部配置具有凸部的补偿磁铁，减少荧光屏面上下端的鸥翼形的方法。
但是在特开平2-204947号公报中公开的方法中，存在如下问题，由于通过设置补偿磁铁谋求荧光屏面上下端光栅枕形失真补偿和会聚并存，所以增加了元件数量，制造工艺中的补偿磁铁的磁化离散性也大。
在美国专利4233582中公开的方法中，在水平偏转绕组荧光屏侧突缘部中央部分设置凹形的冲压工艺中，绕组线材因受到异常拉伸而被损伤的可能性增大了。若凹形做得太深，由于在把偏转线圈装到显象管上时，凹形顶在显象管的锥体部，所以难以形成为去除鸥翼形的足够的凹形，存在着制造和设计上的问题。还有在美国专利4229720所公开的方法中，其制造上问题在于，在水平偏转绕组的荧光屏侧突缘部多角形的顶角部分，因绕组线材异常形变而受到损伤的可能性增大。还有在特开昭63-289748号公报中公开的方法，其问题是，由于设置补偿磁铁使元件数量增加，并且制造工艺中补偿磁铁的磁化离散性加大。
本发明为解决传统技术的前述问题，其目的在于提供这样一种偏转线圈，无需设置补偿磁铁，仅用偏转线圈自身就能同时补偿荧光屏面上下端的光栅枕形失真和荧光屏面上的会聚失调。本发明目的还在于提供这样一种偏转线圈，在水平偏转绕组绕线时不损伤荧光屏侧突缘部的绕组线材，也不增加元件数量，能充分降低鸥翼形。本发明目的还在于提供一种彩色显象管，能同时补偿光栅枕形失真和会聚失调，使图象质量提高。此外本发明目的还在于提供一种彩色显象管，能充分降低鸥翼形，提高图象质量。
为了实现上述目的，根据本发明的自会聚方式偏转线圈的第一方案，至少包括，鞍型水平偏转绕组、设置在前述鞍型水平偏转绕组外侧的鞍型垂直偏转绕组和设置在前述鞍型垂直偏转绕组外侧的磁芯，其特征是，前述磁芯在荧光屏一侧端的上下中央部的磁阻比左右的大。
上述本发明的偏转线圈的第一方案可分别做如下改进在磁芯的荧光屏一侧端的上下中央部设置切口部；
磁芯的荧光屏一侧端的上下中央部的壁厚比左右的薄；磁芯的荧光屏一侧端的上下中央部用导磁率比左右小的材料构成。
根据本发明的自会聚方式偏转线圈的第二方案，至少包括，鞍型水平偏转绕组、设置在前述鞍型水平偏转绕组外侧的鞍型垂直偏转绕组和设置在前述鞍型垂直偏转绕组外侧的磁芯，其特征是，前述磁芯的荧光屏一侧端及电子枪一侧端的上下中央部磁阻比左右的大。
上述本发明的偏转线圈的第二方案可分别做如下改进在磁芯的荧光屏一侧端及电子枪一侧端的上下中央部设置切口部；磁芯的荧光屏一侧端及电子枪一侧端的上下中央部壁厚比左右的薄；磁芯的荧光屏一侧端及电子枪一侧端的上下中央部用导磁率比左右小的材料构成。
根据本发明的装有自会聚式偏转线圈的彩色显象管的第一方案至少包括，由玻璃面板及连接玻璃面板后部的玻璃锥体组成的真空管；设置在前述真空管后部的电子枪；设置在前述真空管后部外周上的鞍型水平偏转绕组；设置在前述鞍型水平偏转绕组外侧的鞍型垂直偏转绕组；设置在前述鞍型垂直偏转绕组外侧的磁芯，其特征是，前述磁芯在荧光屏一侧端的上下中央部的磁阻比左右的大。
上述本发明的彩色显象管的第一方案可以分别做如下改进在磁芯的荧光屏一侧端的上下中央部设置切口部；磁芯在荧光屏一侧端的上下中央部的壁厚比左右的薄；
磁芯在荧光屏一侧端的上下中央部用导磁率比左右小的材料构成。
根据本发明的装有自会聚式偏转线圈的彩色显象管的第二方案，至少包括，由玻璃面板及连接玻璃面板后部的玻璃锥体组成的真空管；设置在前述真空管后部的电子枪；设置在前述真空管后部外周上的鞍型水平偏转绕组；设置在前述鞍型水平偏转绕组外侧的鞍型垂直偏转绕组；设置在前述鞍型垂直偏转绕组外侧的磁芯，其特征是，前述磁芯在荧光屏一侧端及电子枪一侧端的上下中央部的磁阻比左右的大。
上述本发明的彩色显象管的第二方案可分别做如下改进在磁芯的荧光屏一侧端及电子枪一侧端的上下中央部设置切口部；磁芯在荧光屏一侧端及电子枪一侧端的上下中央部壁厚比左右的薄；磁芯在荧光屏一侧端及电子枪一侧端的上下中央部用导磁率比左右小的材料构成。
根据本发明的自会聚方式偏转线圈的第三方案，至少包括，鞍型水平偏转绕组，设置在前述鞍型水平偏转绕组外侧的鞍型垂直偏转绕组和设置在前述鞍型垂直偏转绕组外侧的磁芯，其特征是，在以前述磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对磁阻比左右大的部位。
上述本发明的偏转线圈的第三方案可分别做如下改进在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对切口部；
在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对壁厚减薄的部位；在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对用导磁率比左右小的材料构成的部位。
根据本发明的装有自会聚式偏转线圈的彩色显象管的第三方案，至少包括，由玻璃面板及连接玻璃面板后部的玻璃锥体组成的真空管；设置在前述真空管后部的电子枪；设置在前述真空管后部外周上的鞍型水平偏转绕组；设置在前述鞍型水平偏转绕组外侧的鞍型垂直偏转绕组；设置在前述鞍型垂直偏转绕组外侧的磁芯，其特征是，在以前述磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对磁阻比左右大的部位。
上述本发明的彩色显象管的第三方案可分别做如下改进在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对切口部；在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对壁厚减小的部位；在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对用导磁率比左右小的材料构成的部位。
根据本发明的自会聚方式偏转线圈的第四方案，至少包括，鞍型水平偏转绕组，设置在前述鞍型水平偏转绕组外侧的鞍型垂直偏转绕组和设置在前述鞍型垂直偏转绕组外侧的磁芯，其特征是，在以前述磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对磁阻比左右小的部位。
上述本发明的偏转线圈的第四方案可分别做如下改进
在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对壁厚增厚的部位；在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对用导磁率比左右大的材料构成的部位。
根据本发明的装有自会聚式偏转线圈的彩色显象管的第四方案，至少包括，由玻璃面板及连接玻璃面板后部的玻璃锥体组成的真空管，设置在前述真空管后部的电子枪，设置在前述真空管后部外周的鞍型水平偏转绕组，设置在前述鞍型水平偏转绕组外侧的鞍型垂直偏转绕组，设置在前述鞍型垂直偏转绕组外侧的磁芯，其特征是，在以前述磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对磁阻比左右小的部位。
上述本发明的彩色显象管的第四方案可分别做如下改进在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对壁厚增厚的部位；在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对用导磁率比左右大的材料构成的部位。
根据前述本发明偏转线圈的第一方案，该自会聚方式的偏转线圈至少包括，鞍型水平偏转绕组、设置在前述鞍型水平偏转绕组外侧的鞍型垂直偏转绕组和设置在前述鞍型垂直偏转绕组外侧的磁芯，由于具有前述磁芯在荧光屏一侧端的上下中央部的磁阻比左右大的特征，所以水平偏转绕组产生的磁场的磁力线难以通过磁芯在荧光屏一侧端的上下中央部。因此，磁芯及水平偏转绕组产生的在荧光屏一侧的枕形磁场呈弯曲形状，以避开磁芯在荧光屏一侧端的上下中央部，比起使用传统的磁芯及水平偏转绕组情况下要强。那只是水平偏转绕组在荧光屏一侧的枕形磁场变得强了。为此，不设置补偿磁铁就能够补偿荧光屏面上下端的光栅枕形失真。其结果，元件数量减少，制造成本下降，同时也无须考虑在制造工艺中补偿磁铁磁化的离散性。通过对垂直偏转绕组产生的桶形磁场加强调正，由于荧光屏面上的会聚失调能得到补偿，所以仅用偏转线圈自身可同时补偿荧光屏面上下端的光栅枕形失真和荧光屏面上的会聚失调。
在前述本发明偏转线圈的第一方案中，若采用在磁芯的荧光屏一侧端的上下中央部设置切口的改进，则磁芯在荧光屏一侧端的上下中央部的磁阻比左右的大。
在前述本发明偏转线圈的第一方案中，若采用磁芯在荧光屏一侧端的上下中央部的壁厚比左右薄的改进，则磁芯在荧光屏一侧端上下中央部的磁阻比左右大。
在前述本发明的偏转线圈第一方案中，若采用磁芯在荧光屏一侧端上下中央部用导磁率比左右小的材料构成的改进，则磁芯在荧光屏一侧端的上下中央部的磁阻比左右的大。
根据前述本发明的偏转线圈的第二方案，该自会聚方式偏转线圈至少包括，鞍型水平偏转绕组，设置在前述鞍型水平偏转绕组外侧的鞍型垂直偏转绕组，设置在前述鞍型垂直偏转绕组外侧的磁芯，借助前述磁芯在荧光屏一侧端及电子枪一侧端的上下中央部的磁阻比左右的大的特征，减少从水平偏转绕组产生的磁场的偏转线圈的冒出。其结果，与前述本发明偏转线圈第一方案情况一样，仅用偏转线圈自身即可同时补偿荧光屏面上下端的光栅枕形失真和荧光屏面上的会聚失调，同时尽管不附加消除绕组和磁体，也能谋求降低荧光屏一侧及电子枪一侧的泄漏磁场。
根据前述本发明彩色显象管的第一方案，装有自会聚式偏转线圈的彩色显象管至少包括，由玻璃面板及连接该玻璃面板后部的玻璃锥体组成的真空管，在前述真空管后部设置的电子枪，设置在前述真空管后部外周上的鞍型水平偏转绕组，设置在前述鞍型水平偏转绕组外侧的鞍型垂直偏转绕组，设置在前述鞍型垂直偏转绕组外侧的磁芯，利用前述磁芯在荧光屏一侧端的上下中央部的磁阻比左右的大的特征，可起到如下作用。即通过使用前述本发明的第一方案的偏转线圈，由于象上述那样能同时补偿荧光屏面上下端的光栅枕形失真和荧光屏面上的会聚失调，所以使彩色显象管的图象质量提高了。
根据前述本发明的彩色显象管的第二方案，装有自会聚式偏转线圈的彩色显象管至少包括，由玻璃面板及连接玻璃面板后部的玻璃锥体组成的真空管，设置在前述真空管后部的电子枪，设置在前述真空管后部外周上的鞍型水平偏转绕组，设置在前述鞍型水平偏转绕组外侧的鞍型垂直偏转绕组，设置在前述鞍型垂直偏转绕组外侧的磁芯，利用前述磁芯在荧光屏一侧端及电子枪一侧端的上下中央部的磁阻比左右的大的特征，能产生如下作用。即通过使用前述本发明的第二方案的偏转线圈，如上所述仅用偏转线圈自身即能同时补偿荧光屏面上下端的光栅枕形失真和荧光屏面上的会聚失调，同时由于还能谋求荧光屏一侧及电子枪一侧的泄漏磁场的降低，因此进一步提高了彩色显象管的图象质量。
根据本发明的偏转线圈的第三方案，自会聚方式偏转线圈至少包括，鞍型水平偏转绕组，设置在前述鞍型水平偏转绕组外侧的鞍型垂直偏转绕组和设置在前述鞍型垂直偏转绕组外侧的磁芯，利用在以前述磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对磁阻比左右大的部位的特征，使水平偏转磁场的磁线难以通过磁阻比左右大的部位。因此，磁芯及水平偏转绕组产生的在荧光屏一侧的枕形磁场呈弯曲形状以避开磁阻比左右大的部位，水平偏转磁场的枕形畸变加大。从而，从使用传统的磁芯及水平偏转绕组的情况比较，能控制水平偏转绕组产生的荧光屏一侧的磁场分布。因此，不改变水平偏转绕组的荧光屏一侧突缘部形状，就能充分减轻荧光屏面上下端的高次光栅畸变(鸥翼形)。其结果，在水平偏转绕组的绕线时荧光屏一侧突缘部的绕组线材不受损伤。此外，即使不使用补偿磁铁也能充分减轻鸥翼形，所以使元件数量减少，制造成本降低，同时在制造工艺中也不必考虑补偿磁铁的磁化离散性。
在前述本发明的偏转线圈的第三方案中，如采用在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内至少设置一对切口部的改进，则由于该切口部中磁阻变大，所以能简单地控制水平偏转绕组产生的荧光屏一侧的磁场分布。
在前述本发明的偏转线圈的第三方案中，若采用在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内至少设置一对壁厚减薄的部位的改进，则于壁厚减薄的部位磁阻变大，所以能简单地控制水平偏转绕组产生的荧光屏一侧的磁场分布。
在前述本发明偏转线圈的第三方案中，若采用在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上的范围内，至少设置一对用导磁率比左右小的材料构成部位的改进，则由于在用导磁率小的材料构成的部位中磁阻变大，所以能简单地控制水平偏转绕组产生的荧光屏一侧磁场分布。
根据前述本发明的彩色显象管的第三方案，装有自会聚式偏转线圈的彩色显象管至少包括，由玻璃面板及连接玻璃面板后部的玻璃锥体形成的真空管，设置在前述真空管后部的电子枪，设置在前述真空管后部外周上的鞍型水平偏转绕组，设置在前述鞍型水平偏转绕组外侧的鞍型垂直偏转绕组，设置在前述鞍型垂直偏转绕组外侧的磁芯，利用在以前述磁芯在荧光屏一侧的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对磁阻比左右大的部位的特征，能产生如下作用。即由于使用前述本发明第三方案的偏转线圈，如上所述能充分减轻荧光屏面上下端的高次光栅畸变(鸥翼形)，使彩色显象管的图象质量得以提高。
根据前述本发明的偏转线圈第四方案，自会聚方式偏转线圈至少包括，鞍型水平偏转绕组，设置在前述鞍型水平偏转绕组外侧的鞍型垂直偏转绕组和设置在前述鞍型垂直偏转绕组外侧的磁芯，利用在以前述磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内至少设置一对磁阻比左右小的部位的特征，使水平偏转磁场的磁力线易于通过磁阻小的部位。因此，磁芯及水平偏转绕组产生的在荧光屏一侧的枕形磁场以朝着磁阻变小的部位的形状变曲，所以水平偏转磁场的枕形畸变减小。从而与使用传统磁芯及水平偏转绕组情况相比，有可能控制水平偏转绕组的荧光屏一侧的磁场分布。借此，即使不改变水平偏转绕组的荧光屏一侧突缘部形状，也能充分减轻荧光屏面上下端的高次光栅畸变(鸥翼形)。其结果，在水平偏转绕组绕线时荧光屏侧突缘部的绕组线材不受损伤。此外，即使不用补偿磁铁也能充分减轻鸥翼形，所以减少了元件数量，降低了制造成本，同时在制造工艺中无须考虑补偿磁铁磁化的离散性。
在本发明的偏转线圈的第四方案中，若采用在以磁芯在荧光屏一侧端水平轴为基准的35度以上范围内，至少设置一对壁厚增厚的部位的改进，则由于在壁厚的部位中磁阻减小，所以能简单地控制水平偏转绕组产生的荧光屏一侧的磁场分布。
在前述本发明偏转线圈的第四方案中，若采用在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴为基准的35度以上的范围内，至少设置一对用导磁率比左右大的材料构成的部位的改进，则由于在用导磁率大的材料构成的部位中磁阻变小，所以能简单地控制水平偏转绕组产生的荧光屏一侧的磁场分布。
还有，根据前述本发明彩色显象管的第四方案，装有自会聚式偏转线圈的彩色显象管至少包括，由玻璃面板及连接玻璃面板后部的玻璃锥体组成的真空管，设置在前述真空管后部的电子枪，设置在前述真空管后部外周上的鞍型水平偏转绕组，设置在前述鞍型水平偏转绕组外侧的鞍型垂直偏转绕组，设置在前述鞍型垂直偏转绕组外侧的磁芯，利用在以前述磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对磁阻比左右小的部位的构形，能产生以下作用。即由于使用前述本发明第四方案的偏转线圈，如上所述可充分减轻荧光屏面上下端高次光栅畸变(鸥翼形)，所以使彩色显象管的图象质量得以提高。
图1是本发明偏转线圈第1实施例(鞍-鞍型偏转线圈)的侧视剖面图；图2是本发明第1实施例的磁芯平面图3是展示传统的磁芯及水平偏转绕组所产生的枕形磁场形状的荧光屏一侧端附近剖面图；图4是展示本发明第1实施例的磁芯及水平偏转绕组所产生的枕形磁场形状的荧光屏一侧端附近剖面图；图5表示本发明偏转线圈的第1实施例磁芯的另一个例子的平面图；图6是本发明偏转线圈的第2实施例磁芯在荧光屏一侧端附近剖面图；图7是本发明偏转线圈的第3实施例磁芯在荧光屏一侧端附近剖面图；图8是本发明偏转线圈的第4实施例的磁芯平面图；图9是使用传统偏转线圈和本发明第4实施例磁芯的偏转线圈的泄漏磁场说明图；图10是本发明偏转线圈的第4实施例磁芯的另一个例子的平面图；图11是本发明彩色显象管第5实施例的平面图；图12是本发明偏转线圈的第6实施例(鞍-鞍型偏转线圈)的平面图；图13是本发明第6实施例的磁芯平面图；图14表示传统的磁芯及水平偏转绕组产生的枕形磁场形状的荧光屏一侧端附近剖面图；图15表示本发明的第6实施例磁芯及水平偏转绕组产生的枕形磁场形状的荧光屏一侧端附近的剖面图；图16是本发明偏转线圈第6实施例的磁芯的另一个例子的平面图；图17是本发明偏转线圈的第7实施例的磁芯的荧光屏一侧端附近的剖面图；图18是本发明偏转线圈的第8实施例的磁芯的荧光屏一侧端附近的剖面图；图19是本发明偏转线圈的第9实施例的磁芯的荧光屏一侧端附近的剖面图；图20是表示本发明第9实施例磁芯及水平偏转绕组产生的枕形磁场形状的荧光屏一侧端附近的剖面图；图21是本发明偏转线圈第10实施例磁芯的荧光屏一侧端附近的剖面图；图22是传统的鞍-鞍型偏转线圈侧视剖面图；图23是传统的鞍-鞍型偏转线圈平面图；图24是说明正各向异性象散现象的图。
下面通过实施例进一步具体地说明本发明。
实施例1图1是本发明偏转线图第1实施例(鞍-鞍型偏转线圈)的侧视剖面图；图2是本发明第1实施例的磁芯平面图。如图1所示，偏转线圈由卷绕成鞍型的水平偏转绕组1、设置在水平偏转绕组1外侧上的鞍型垂直偏转组2、设置在垂直偏转绕组2外侧上的高导磁率磁芯3组成。
如图1、2所示，在磁燕3在荧光屏一侧端的上下中央部位设置切口部7。使该切口部形成半径为28mm的半圆形状。
这里，图3中展示了传统的磁芯3′及水平偏转绕组1产生的枕形磁场之形状；图4展示了荧光屏一侧端的上下中央部设置了切口7的磁芯3及水平偏转绕组1产生的枕形磁场之形状。图3、4都是从荧光屏一侧看的视图。通过在荧光屏一侧端的上下中央部设置切口部7，由于在该切口部7磁阻变大，所以水平偏转磁场8的磁力线难以通过。因此，象图4所示，磁芯3及水平偏转绕组1产生的在荧光屏一侧的枕形磁场(水平偏转磁场8)呈避开切口部7的弯曲形状，比使用传统的磁芯3′及水平偏转绕组的情况(图3)要强得多。即只是水平偏转绕组1在荧光屏一侧的枕形磁场变强。因而无须设置补偿磁铁就可以补偿荧光屏面上下端的光栅枕形失真。其结果减少了另部件数量，使制造成本下降，同时在制造工艺中也不必考虑补偿磁铁磁化的离散性。特别是在如上所述以半径28mm的半园形状形成切口部7的情况下，彩色电视接收机画面上下端的光栅枕形失真从4％减轻约为0％。并且由于垂直偏转绕组2产生的桶形磁场增强，使得能够补偿荧光面上的会聚失调，所以仅用偏转线圈自身即可同时补偿荧光屏面上下端光栅枕形失真和荧光面上的会聚失调。
而且在本实施例中，尽管在本实施例中切口部7形成半径为28mm的半园形状，但也不必局限于该数值，其半径值可任选。并且，切口部的形状也不局限于半园形，任何形状都可获得同样效果。特别是如图5所示，在切口部形状为长方形时，当磁芯全长为L1、磁芯在荧光屏一侧的开口部水平最大尺寸为L2、长方形两边长为a、b时，则理想情况是0＜a/L1≤0.50＜b/L2≤0.7并且在本实施例中，虽然作为加大磁阻的措施是设置了切口部7，但未必一定要设置切口部7。在考虑荧光屏一侧磁芯内的磁力线情况下，只要使磁芯在荧光屏一侧端的上下中央部分的磁阻比左右的大就行，几乎不影响垂直偏转磁场的分布，只是加强了水平偏转磁场。在下述第2及第3实施例中展示了其他例子。
实施例2图6是本发明偏转线圈第2实施例的磁芯在荧光屏一侧端附近的剖面图。如图6所示，使磁芯3在荧光屏一侧端的上下中央部9的壁厚比左右的要薄。其他部分构成与上述实施例1一样，说明从略(参照图1)。这样如若只是在荧光屏一侧端的上下中央部9的壁厚比左右的薄，则在该壁厚薄的部位磁阻大，所以水平偏转磁场的磁力线难以通过。结果，可获得与上述第1实施例中设置切口部7的情况一样的效果。
实施例3图7是本发明偏转线圈第3实施例中磁芯在荧光屏一侧端附近的剖面图。象图7所示，磁芯3在荧光屏一侧端的上下中央部10用导磁率比左右小的材料制成。其余构成与上述第1实施例相同，说明从略(参照图1)。如用铁氧体磁芯(Mg-Zn)作为磁芯3，如果用通过改变混合比例使导磁率小的材料来仅构成荧光屏一侧端的上下中央部10，则可实现本实施例的构成。即作为磁芯3的整体使用H4L(TDK制造，导磁率μ1＝500)，只有荧光屏一侧端的上下中央部10使用H4M(TDK制造，导磁率μ2＝320)或者H4H(TDK制造，导磁率μ3＝400)。象这样，仅荧光屏一侧端的上下中央部10使用导磁率比左右小的材料，则由于在该导磁率小的部位磁阻大，所以水平偏转磁场的磁力线难以通过。结果，可获得与上述第1实施例中设置切口部7时同样的效果。
实施例4图8是本发明偏转线圈的第4实施例的磁芯平面图。如图8所示，磁芯3在荧光屏一侧端及电子枪一侧端上下中央部都设置切口部7及15。其余部分构成与上述第1实施例一样，说明从略(参照图1)。
图9表示传统偏转线圈和使用本实施例的磁芯3的偏转线圈在.中心轴上的磁场强度。在图9中，曲线16为使用本实施例磁芯3的偏转线圈情况；曲线17为传统偏转线圈的情况。两者相比，虽然在曲线的峰值附近大致成为同一曲线，但在荧光屏一侧及电子枪一侧，使用本实施例磁芯3的偏转线圈与传统的偏转线圈相比其值要低，这表明荧光屏一侧及电子枪一侧的泄漏磁场降低，其原因是通过在磁芯3在荧光屏一侧端及电子枪一侧端的上下中央部分别设置切口部7和15，在该切口部7、15中磁阻变大，使来自水平偏转绕组1产生磁场的线圈的影响减弱。顺言之，当在荧光屏一侧端和电子枪一侧端的上下中央部分别设置半径为28mm、10mm的半园形切口部7、15时，泄漏磁场比传统结构低35％。
若象本实施例构成偏转线圈，如上述第1实施例所述，仅以偏转线圈自身就可同时补偿荧光屏面上下端的光栅枕形失真和荧光屏面上的会聚失调等两者缺陷，同时，实现荧光屏一侧及电子枪一侧的泄漏磁场的降低。
而且，在本实施例中，尽管切口部7形成半径28mm的半园形，切口部15形成半径10mm的半园形，但不必局限于该数值，可以是任意数值的半径。此外，切口部的形状也不局限于半园形，即使是任意形状也能获得同样效果。特别是如图10所示，当切口部的形状为长方形时，理想的尺寸关系是，当磁芯全长为L1、磁芯的电子枪侧开口部水平最大尺寸为L2、长方形两边长度为a、b时，0＜a/L1≤0.20＜b/L2≤0.35有关切口部7的形状为长方形的情况，在上述第1实施例中已作了说明，不再赘述。
在本实施例中，作为谋求降低荧光屏一侧及电子枪一侧的泄漏磁场的措施，尽管设置了切口部7、15，但设置切口部7、15并不是唯一的，只要使磁芯3在荧光屏一侧端及电子枪一侧端的上下中央部的磁阻比左右的大就行。从而，象上述第二实施例，既可以使磁芯3在荧光屏一侧端及电子枪一侧端的上下中央部壁厚做得比左右的薄，也可以如上述第3实施例，用导磁率比左右小的材料只构成磁芯3在荧光屏一侧端及电子枪一侧端的上下中央部。
实施例5图11是本发明彩色显象管第5实施例的平面图。在图11中，真空管11由玻璃面板12、连接玻璃面板12后部的玻璃锥体13组成，电子枪14设在玻璃锥体13后部。并且自会聚方式的偏转线圈装在玻璃锥体13后部外周上，上述偏转线圈由绕成鞍型的水平偏转绕组1、设在水平偏转绕组1外侧的鞍型垂直偏转绕组2和设在鞍型垂直偏转绕组2外侧的高导磁率磁芯3组成。并且，磁芯3在荧光屏一侧端的上下中央部设置切口部7(参照图1，2)。该切口部7形成了半径为28mm的半园形，即在本实施例的彩色显象管中，作为偏转线圈使用在上述第1实施例所示的构造的偏转线圈。象这样通过使用在上述第1实施例中展示了的结构的偏转线圈，由于如上所述可同时补偿荧光屏面上下端光栅枕形失真和荧光屏面上的会聚失调，所以提高了彩色显象管的图象质量。
还有，在本实施例中，虽然例举使用上述第1实施例所示构造的偏转线圈情况进行说明，但是并不仅限于此结构。在考虑荧光屏侧的磁芯内磁力线情况下，可以使用磁芯在荧光屏一侧端的上下中央部的磁阻比左右大的偏转线圈，以使得几乎不影响垂直偏转磁场地只增强水平偏转磁场。即作为偏转线圈，比如可使用在上述第2、第3实施例所示构造的偏转线圈。并且若使用上述第4实施例所示的构造的偏转线圈，可实现降低荧光屏一侧及电子枪一侧的泄漏磁场，减少对人体会有不利影响的不必要的高辐射，形成一种对人有益的良好环境。
实施例6图12是本发明偏转线圈的第6实施例(鞍-鞍型偏转线圈)的平面图；图13是本发明第6实施例的磁芯平面图。如图12所示，偏转线圈由绕成鞍型水平偏转绕组1、设在水平偏转绕组1外侧的鞍型垂直偏转绕组2和设在垂直偏转绕组2外侧的高导磁率磁芯3构成。
如图12、13所示，一对切口部18设置在以磁芯3在荧光屏一侧端的水平轴为基准的35度以上范围内(参照图15)。该切口部18形成半径为10mm的半园形。
在此，图14中展示了通常的磁芯3′及水平偏转绕组1产生的枕形磁场的形状。图15展示了在以荧光屏一侧端的水平轴为基准的35度以上范围内设置了一对切口部18的磁芯3及水平偏转绕组1产生的枕形磁场形状。图14、15都是从荧光屏侧看的视图。通过在以荧光屏一侧端的水平轴为基准的35度以上范围内设置一对切口部18，由于在该切口部18中磁阻变大，所以难以通过水平偏转磁场19的磁力线。因此，磁芯3及水平偏转绕组1产生的荧光屏一侧枕形磁场，如图15那样，呈避开切口部18的弯曲形状，水平偏转磁场19的枕形畸变加大。因而，比起使用通常的磁芯3′及水平偏转绕组1的情况(图14)，有可能控制水平偏转绕组1产生的荧光屏一侧磁场分布。借此，不改变水平偏转绕组1的荧光屏一侧突缘部形状，可充分减轻荧光屏面上下端高次光栅畸变(鸥翼形)。结果，在水平偏转绕组1绕线时荧光屏一侧突缘部的绕组线材不受到损伤。并且由于不用补偿磁铁也能充分减轻鸥翼形，所以减少了另件数量、降低制造成本，并在制造工艺中无须考虑补偿磁铁磁化的离散性。尤其如上所述，使切口部18形成半径为10mm的半园形时，彩色电视接收机画面上的鸥翼形从1％减轻到大致为0％。
并且在本实施例中，虽然在以荧光屏一侧端的水平轴为基准的35度以上范围内设置一对切口部18，但也不局限于一对。若设置一对以上切口部18，可进一步细微地控制水平偏转绕组1产生的荧光屏侧磁场分布。
还存在本实施例中，虽然使切口部18形成半径为10mm的半园形，但也不一定局限该数值，可以是任意数值的半径。而且切口部形状也不必局限于半园形，任意形状都能获得同样效果。特别如图16所示，在切口部形状为长方形时，其尺寸的理想关系是，当磁芯全长为L1、磁芯在荧光屏一侧的开口部水平最大尺寸为2L2；长方形边长分别为a、b时，则0＜a/L1≤0.50＜b/L2≤0.5
在本实施例中，作为使磁阻变大的措施是设置切口部18，但未必一定设置切口部18，在考虑荧光屏一侧磁芯内磁力线情况下，为使水平偏转磁场的枕形畸变大在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴为基准的35度以上范围内，只要至少设置一对磁阻比左右大的位置就行。在下述第7及8的实施例中展示了其他例子。
实施例7图17是本发明偏转线圈第7实施例的磁芯在荧光屏一侧端附近的剖面图。在图17，磁芯3在以荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内至少设有一对壁厚度薄的部位20。其余部分结构与上述第6实施例一样，说明从略(参照图12)。在以荧光屏一侧端的水平轴为基准的35度以上范围内，借助设有至少一对壁厚变薄的部位20，由于在该壁厚度变薄的部位20磁阻加大，所以水平偏转磁场19的磁力线难以通过。其结果可获得与上述第6实施例中设置切口部18时同样效果。
实施例8图18是本发明偏转线圈的第8实施例的磁芯在荧光屏一侧端附近剖面图。如图18所示，磁芯3在以荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，设置一对用导磁率比左右小的材料构成的部位21。其余构成与上述第6实施例一样，说明从略(参照图12)。在以荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内通过设置用导磁率比左右小的材料构成的部位21，由于在该部位21磁阻变大，所以水平偏转磁场19的磁力线难以通过。结果获得与在上述第6实施例中设置切口部18的情况一样效果。
实施例9
图19是本发明偏转线圈的第9实施例的磁芯在荧光屏一侧端附近的剖面图。如图19所示，在以磁芯3在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内设置一对壁厚加厚的部位22。使该壁厚部位22形成半径为10mm的半园形。其余部分的结构与上述第6实施例一样，说明从略(参照图12)。
在此，图20表示磁芯3及水平偏转绕组1产生的在荧光屏一侧的枕形磁场的形状，而磁芯3上在以荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内设置一对壁厚加厚的部位22。图20是从荧光屏一侧看去的视图。在以荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，通过设置一对壁厚加厚的部位22，由于在该壁厚部位22中磁阻变小，所以水平偏转磁场19的磁力线易于通过。因此，由磁芯3及水平偏转绕组1产生的荧光屏一侧的枕形磁场如图20所示，以朝着壁厚部位22的形状弯曲，水平偏转磁场19的枕形畸变减少。从而，与使用传统磁芯3′及水平偏转绕组1情况(图14)比较，能控制水平偏转绕组在荧光屏一侧的磁场分布。这样，即使水平偏转绕组1在荧光屏一侧突缘部的形状不变，也能充分减轻荧光屏面上下端高次光栅畸变(鸥翼形)。结果，在水平偏转绕组1绕线时荧光屏一侧突缘部的绕组线材不受损伤。此外，尽管不使用补偿磁铁，由于鸥翼得到充分减轻，所使另件数量减少成本降低，同时无须考虑在制造工艺中补偿磁铁磁化的离散性。特别是在如上所述使壁厚部位22形成半径为10mm的半园形时，电视接收机画面上的鸥翼形从1％减轻到大致为0％。
而且在本实施例中，虽然使壁厚部位22形成半径为10mm的半园形，但不必局限于该数值，可以是任意半径数值。而且壁厚部位的形状也不必局限于半园形，比如象长方形等的任意形状也能取样效果。
而且在本实施例中，虽然作为减小磁阻的措施设置了壁厚部位22，但不必一定要设置壁厚部位22，在考虑荧光屏一侧的磁芯内磁力线的情况下，为使水平偏转磁场枕形畸变减小，只在在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴为基准的35度以上范围内至少设置一对磁阻比左右小的部位就行。在下述第10实施例中展示了其他例子。
实施例10图21是本发明偏转线圈的第10实施例的磁芯在荧光屏一侧端的附近的剖面图。如图21所示，磁芯3在以荧光屏一侧端的水平轴为基准的35度以上范围内设置一对用导磁率比左右大的材料构成的部位23。其他构成与上述第6实施例一样，说明从略(参照图12)。在以荧光屏一侧端的水平轴为基准的35度以上范围内，通过设置一对用导磁率比左右大的材料构成的部位23，由于在该部位23中磁阻变小，所以水平偏转磁场19的磁力线易于通过。结果，其所取得效果与上述第9实施例中设置壁厚部22时一样。
实施例11在本实施例中说明的彩色显象管，其平面图与上述第5实施例中使用的图11是同样的，所以用图11说明本实施例。即如图11所示，真空管11由玻璃面板12、连接玻璃面板12后部的玻璃锥体13组成，电子枪14设在玻璃锥体13后部。并且自会聚方式的偏转线圈装在玻璃锥体13后部外周上，上述偏转线圈由绕成鞍型的水平偏转绕组1、设在水平偏转绕组1外侧的鞍型垂直偏转绕组2和设在鞍型垂直偏转绕组2外侧的高导磁率磁芯3组成。并且磁芯3在以荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内设置一对切口部18(参照图12、13、15)。该切口部形成半径为10mm半园形。即在本实施例的彩色显象管中，作为偏转线圈使用在上述第6实施例展示的偏转线圈。通过使用象这样在上述第6实施例所展示的结构的偏转线圈，由于使上述荧光屏面上下端的高次光栅畸变(鸥翼形)充分减轻，所以提高了彩色显象管的图象质量。
而且在本实施例中，虽然举例说明了使用在上述第6实施例展示的构造的偏转线圈的情况，但不必局限于该结构。也可使用这样的偏转线圈，在考虑荧光屏侧磁芯内磁力线的情况下，为使水平偏转磁场的枕形畸变变大，在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对磁阻比左右大的部位，或者为使水平偏转磁场的枕形畸变变小，在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上的范围内，设置至少一对磁阻比左右小的部位。即作为偏转线圈，比如也可使用上述第7～10的实施例所示的构造的偏转线圈。
权利要求
1.一种自会聚式偏转线圈，至少包括，鞍型水平偏转绕组、设置在所述鞍型水平偏转绕组外侧的鞍型垂直偏转绕组和设置在所述鞍型垂直偏转绕组外侧的磁芯，其特征是，所述磁芯在荧光屏一侧端的上下中央部的磁阻比左右的大。
2.如权利要求1所述的偏转线圈，其特征是，在磁芯在荧光屏一侧端的上下中央部设置切口部。
3.如权利要求1所述的偏转线圈，其特征是，磁芯在荧光屏一侧端的上下中央部的壁厚比左右的薄。
4.如权利要求1所述的偏转线圈，其特征是，磁芯在荧光屏一侧端的上下中央部用导磁率比左右小的材料构成。
5.一种自会聚式偏转线圈，至少包括，鞍型水平偏转绕组、设置在所述鞍型水平偏转绕组外侧的鞍型垂直偏转绕组和设置在所述鞍型垂直偏转绕组外侧的磁芯，其特征是，所述磁芯在荧光屏一侧端及电子枪一侧端的上下中央部的磁阻比左右的大。
6.如权利要求5所述的偏转线圈，其特征是，在磁芯在荧光屏一侧端及电子枪一侧端的上下中央部设置切口部。
7.如权利要求5所述的偏转线圈，其特征是，磁芯在荧光屏一侧端及电子枪一侧端的上下中央部壁厚比左右的薄。
8.如权利要求5所述的偏转线圈，其特征是，磁芯在荧光屏一侧端及电子枪一侧端的上下中央部用导磁率比左右小的材料构成。
9.一种装有自会聚式偏转线圈的彩色显象管，至少包括，由玻璃面板及连接所述玻璃面板后部的玻璃锥体组成的真空管，设置在所述真空管后部的电子枪，设置在所述真空管后部外周的鞍型水平偏转绕组，设置在所述鞍型水平偏转绕组外侧的鞍型垂直偏转绕组，设置在所述鞍型垂直偏转绕组外侧的磁芯，其特征是，所述磁芯在荧光屏一侧端的上下中央部的磁阻比左右的大。
10.如权利要求9所述的彩色显象管，其特征是，在磁芯在荧光屏一侧端的上下中央部设置切口部。
11.如权利要求9所述的彩色显象管，其特征是，磁芯在荧光屏一侧端的上下中央部的壁厚比左右的薄。
12.如权利要求9所述的彩色显象管，其特征是，磁芯在荧光屏一侧端的上下中央部用导磁率比左右小的材料构成。
13.一种装有自会聚式偏转线圈的彩色显象管，至少包括，由玻璃面板及连接所述玻璃面板后部的玻璃锥体组成的真空管，设置在所述真空管后部的电子枪，设置在所述真空管后部外周的鞍型水平偏转绕组，设置在所述鞍型水平偏转绕组外侧的鞍型垂直偏转绕组，设置在所述鞍型垂直偏转绕组外侧的磁芯，其特征是，所述磁芯在荧光屏一侧端及电子枪一侧端的上下中央部的磁阻比左右的大。
14.如权利要求13所述的彩色显象管，其特征是，在磁芯在荧光屏一侧端及电子枪一侧端的上下中央部设置切口部。
15.如权利要求13所述的彩色显象管，其特征是，磁芯在荧光屏一侧端及电子枪一侧端的上下中央部的壁厚比左右的薄。
16.如权利要求13所述的彩色显象管，其特征是，磁芯在荧光屏一侧端及电子枪一侧端的上下中央部用导磁率比左右小的材料构成。
17.一种自会聚式偏转线圈，至少包括，鞍型水平偏转绕组，设置在所述鞍型水平偏转绕组外侧的鞍型垂直偏转绕组，和设置在所述鞍型垂直偏转绕组外侧的磁芯，其特征是，在以所述磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对磁阻比左右大的部位。
18.如权利要求17所述的偏转线圈，其特征是，在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对切口部。
19.如权利要求17所述的偏转线圈，其特征是，在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对壁厚减薄的部位。
20.如权利要求17所述的偏转线圈，其特征是，在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对用导磁率比左右小的材料构成的部位。
21.一种装有自会聚式偏转线圈的彩色显象管，至少包括，由玻璃面板及连接所述玻璃面板后部的玻璃锥体组成的真空管，设置在所述真空管后部的电子枪，设置在所述真空管后部外周的鞍型水平偏转绕组，设置在所述鞍型水平偏转绕组外侧的鞍型垂直偏转绕组，设置在所述鞍型垂直偏转绕组外侧的磁芯，其特征是，在以所述磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对磁阻比左右大的部位。
22.如权利要求21所述的彩色显象管，其特征是，在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对切口部。
23.如权利要求21所述的彩色显象管，其特征是，在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对壁厚减小的部位。
24.如权利要求21所述的彩色显象管，其特征是，在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对用导磁率比左右小的材料构成的部位。
25.一种自会聚式偏转线圈，至少包括，鞍型水平偏转绕组，设置在所述鞍型水平偏转绕组外侧的鞍型垂直偏转所绕组，和设置在所述鞍型垂直偏转绕组外侧的磁芯，其特征是，在以所述磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对磁阻比左右小的部位。
26.如权利要求25所述的偏转线圈，其特征是，在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对壁厚增厚的部位。
27.如权利要求25所述的偏转线圈，其特征是，在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对用导磁率比左右大的材料构成的部位。
28.一种装有自会聚式偏转线圈的彩色显象管，至少包括，由玻璃面板及连接所述玻璃面板后部的玻璃锥体组成的真空管，设置在所述真空管后部的电子枪，设置在所述真空客后部外周的鞍型水平偏转绕组，设置在所述鞍型水平偏转绕组外侧的鞍型垂直偏转绕组，设置在所述鞍型垂直偏转绕组外侧的磁芯，其特征是，在以所述磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对磁阻比左右小的部位。
29.如权利要求28所述的彩色显象管，其特征是，在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对壁厚增厚的部位。
30.如权利要求28所述的彩色显象管，其特征是，在以磁芯在荧光屏一侧端的水平轴作为基准的35度以上范围内，至少设置一对用导磁率比左右大的材料构成的部位。
全文摘要
本发明目的在于提供一种偏转线圈，无需设置补偿磁铁，仅用偏转线圈自身就能同时补偿荧光屏面上下端光栅枕形失真和荧光屏面上的会聚失调。偏转线圈由绕成鞍形的水平偏转绕组1、设置在水平偏转绕组1外侧的鞍形垂直绕组2、设置在垂直偏转绕组2外侧的高导磁率磁芯3构成。磁芯3在荧光屏一侧端的上下中央部设置切口部7。
文档编号H01J29/76GK1127420SQ95115899
公开日1996年7月24日 申请日期1995年9月5日 优先权日1994年9月5日
发明者岛田耕治, 石井昭次, 大濑敏夫 申请人:松下电子工业株式会社