专利名称：降低了光栅畸变的偏转线圈系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种彩色显像管(CRT)显示系统。
具有基本上是平面荧光屏的诸如对角距离为89cm的这样一种大屏幕尺寸的CRT要比具有非平面荧光屏的CRT更易产生几何畸变。为保持高性能的工作，采用了一种双鞍形(saddle-saddle)偏转线圈系统。S-S偏转线圈系统具有设计上的灵活性的优点，而这在鞍形一环形(S-T)线圈结构中是不具备的。
枕型(NS-Pin)畸变是一种将水平直线变为抛物线的一种几何畸变。在具有4∶3纵横比的CRT中校正NS-Pin畸变要比在具有16∶9纵横比的CRT中更困难。在具有4∶3纵横比的CRT中采用了永久磁铁来校正NS-Pin畸变。这是通过如下方式来实现，即分别在垂直偏转线圈的前端的顶部和底部水平安装一个小磁棒，称为销栓磁铁(Pin-magnet)。在具有4∶3纵横比的CRT中可能需要不用永久磁铁来减少NS-Pin畸变。这是由于永久磁铁的公差变化的范围很大。另外，在象对角距离为89cm的大尺寸CRT中，磁铁不可能提供足够的校正。再有，磁铁可能会对诸如聚焦或色彩纯度都产生不希望有的影响。
体现本发明的观点的一种偏转线圈系统包括安置在一铁芯附近的垂直偏转绕组以便产生一垂直编转磁场。垂直偏转绕组包括一对鞍形线圈，每一线圈都具有从第一和第二侧部沿偏转线圈系统的纵向延伸的多匝绕线。垂直偏转绕组包括一设置在偏转线圈系统的荧幕端附近并在第一和第二部分之间的一前端匝部分以及设置在远离荧幕端并在侧部之间的后端匝部分。后端匝部分的结构使得其绕组的主要部分集中在靠近电子枪的尾部处。在包括后端匝部分所有匝的绕线的50％(包括最靠近电子枪端部的绕线)的一个后端匝区域长度和垂直磁场的有效长度之间的保持小于0.15的比率。其结果是垂直偏转中心相对于水平偏转中心向所述偏转线圈系统的电子枪一侧偏移。偏转中心之间的第一长度和垂直偏转磁场的有效长度间的比率要大于0.09以便显著地降低光栅畸变。
图1是一个安装在阴极射线管上的体现了本发明观点的偏转线圈系统的剖面图；图2是图1的偏转线圈系统的更详细的侧剖面图；图3是包括在图1的偏转线圈系统内的垂直偏转线圈的侧视图；图4是图1的垂直偏转线圈的顶视图；图5表示包括在图1的偏转线圈系统中的一个分路器(shunt)；图6表示图1的偏转线圈系统的场分布函数V0(Z)和H0(Z)；以及图7表示图1的偏转线圈系统的场分布函数V2(Z)和H2(Z)。
在图1中，一个CRT10包括一屏幕或荧光屏11，其上设置有大量相同的红、绿和兰荧光三色组。CRT 10的型号是A89FDT，其具有对角尺寸为35V或89cm超平面荧光屏。最大的偏转角是108°。从编转线圈系统参考线到屏幕里面中心处的距离是366mm，此距离称为行程(throw)距离。荧光屏11具有4∶3的纵横比。
荧光屏11的内面轮廓由下列方程所确定Zc＝A1·X2＋A2·X4＋A3·Y2＋A4·X2·Y2＋A5·X4·Y2＋A6·Y4＋A7·X2·Y4＋A8·X6·Y4＋A9·Y6其中Zc是从内表面轮廓一切面到其中心的距离。
X和Y分别为从中心沿主轴和次轴的距离。A1至A9是依赖于荧光屏对角尺寸的系数。
对具有对角尺寸为89cm的观看屏幕的CRT10这样一种射线管荧光屏来说，合适的A1至A9的系数值在下表中示出。当使用后面将描述的发明特点时，具有由这些系数所确定的轮廓的CRT对NS-Pin畸变特性来说是有益的。如采用表中的系数值则X和Y的大小一定是以mm为单位。
表A1＝0.201580000×10-03A2＝0.281067084×10-09A3＝0.265056338×10-03A4＝-0.420000000×10-09A5＝0.356545690×10-14A6＝0.915000000×10-09A7＝0.880800000×10-14A8＝0.140253045×10-24A9＝0.295636862×10-14图1的电子枪组件15安装在管的颈部12并和荧光屏相对。电子枪组件15产生三束一字排列的水平R、G和B电子束。一种通常如16所表示的双鞍形偏转线圈系统组件圈绕着显像管的颈部和扩口部通过一合适的偏转线圈座或塑料衬垫来安置。偏转线圈系统16还包括体现了发明特点的一扩口的铁磁芯17、一对鞍型垂直偏转线圈18V、以及一对鞍型水平偏转线圈18H。偏转线圈系统16具有自会聚和无彗差(Coma)特点。
图2是偏转线圈系统16包括芯17的剖面侧视图。图3是一侧视图，图4是为了便于更详细地显示线圈18V而去掉了芯17的偏转线圈系统16的顶视图。在图1-4中，相似的符号和数字表示相似的部件或功能。
图2的塑料偏转线圈底座19用来使鞍型水平偏转线圈18H和鞍型垂直偏转线圈18V在其相互之间的位置上和相对于围绕着18V和18H的扩口铁磁芯17固定于一合适的方位。图3的每一鞍型线圈18V由包括线圈的所有绕组的绕组70所形成。具有N70＝126匝的绕组70有一和图1的电子枪15(电子枪侧部或端部)的电子束入口端相邻的后端匝部分14a。14a部具有Na＝120绕组导线。图3的鞍型线圈18V也有一具有Nc＝6绕组导线的后端匝部分14c。鞍型线圈18H具有后端匝部分14b。图2-4的14a和14b以及14c部不向管颈外侧弯曲并在此称为平后端匝。用那种鞍型线圈，铁芯17可以形成一整体。
图1的偏转线圈系统16或CRT10的纵向或Z轴按传统的方式确定。在每个由对应的座标Z所确定并垂直于Z轴的偏转线圈系统16的平面中，相应的Y轴按平行于屏幕11的垂直轴或次轴方向确定。相似地，相应的X轴按平行于屏幕11的水平轴或主轴方向确定。偏转线圈系统16的每个平面内的座标X＝Y＝0都在Z轴上。
图3中包括线圈18V的所有绕组的绕组70形成对应于鞍型线圈18V的一对侧部71和一前端匝部72。绕组70还形成从十分靠近电子枪一侧的绕组80延伸到绕组81的后端匝部14a。其优点就是，在14a的绕组部分中，即在14a部分中绕组80和81之间没有明显地出现绕组的间隙。绕组70的主要绕组部分(Na＝120)形成后端匝部14a。而绕组70中相当小部分(Nc＝6)形成后端匝部14c。14c部分和14a部分由绕组中一间隙90分开。14c部分安置在比14a部分离偏转线圈系统16的电子束入口处更远的地方。
根据一发明特点，绕组70中形成14c部分的那些绕组是用来减少内部的高阶像差(trilemma)。
前端匝部72和后端匝部14a和14c一般都沿垂直于Z轴的方向安置。侧部71在偏转线圈系统16的电子束入口端和出口端之间延展。形成图2中14a部分的线圈18V的绕组70的主要部分(Na＝120)一般要比形成图2中线圈18H的端匝部14b的绕组离图1中荧光屏11更远而离电子枪组件15更近。对图3中由绕组70形成的绕组窗口75的偏转磁场的影响由71部分之间的距离WW所确定。
图1和2中一对分路器22a和22b的每个都具有如图5所示的梯形，并相对于Y轴对称放置。图1和2的分路器22b和22a以相对于X轴对称的方式分别被置于Y轴上6点钟的位置和12点钟的位置。梯形结构使得图5中的分路器22a和22b在每个分路器所处的X-Y平面上占有同样的角度范围。
选择参数诸如分路器22a和22b中的每一个的Z轴中的角度范围、长度和座标来校正外部高阶像差和在外部和内部高阶像差间的符号反向问题。这些参数的选择还用来校正作为在轴和边角之间的彗形符号反向的水平和垂直彗形抛物畸变且还校正东一西向的枕形畸变(East-West pin)。有利的是，简单的梯形或近乎矩形的分路器22a和22b能改善其可制造性并减少分路器对位置的敏感性。
在图1-3中偏转线圈系统16的电子束入口端附近；由线圈18V所产生的垂直偏转磁场最好是枕形的以便校正垂直彗差。为减少在6点钟和12点钟之处的过会聚现象，由垂直偏转线圈18V所产生的垂直偏转磁场在偏转线圈的中部，即在偏转线圈系统16的电子束入口和出口间为桶形。水平偏转线圈18H可以是像在传统的S-T偏转线圈系统中所用的传统结构。
在图6中，以实线所示的是场分布函数H0(Z)，它给出了图1的偏转线圈系统16内在X轴的方向上的水平偏转磁场的场强；以虚线所示的是场分布函数V0(Z)，它给出了在Y轴上垂直偏转磁场的场强。函数H0(Z)和V0(Z)用于一次像差理论。相似地，图7表示了场分布函数H2(Z)，它给出了在X轴方向上水平偏转磁场场强的变化；还表示了场分布函数V2(Z)，它给出了在Y轴方向上垂直偏转磁场的变化。函数H0(Z)和V0(Z)用于三次像差理论。图1-7中相似的符号表示相似的部分或功能。由图1中的偏转线圈18H所产生的磁场大小或强度可用合适的探针来测量。这样的测量可以在给定座标X＝X1时和在Y＝0时给定Z＝Z1进行。为了测量，座标X1在X轴方向上，即水平偏转方向上变化。座标X＝X1在其中变化的平面将图2的顶部鞍型线圈18H的底边和底部鞍型线圈18H的底边分开。
对恒定的座标Z＝Z1和座标Y＝0，作为座标X的函数的磁场大小的测量结果可以按所熟知的方式计算场分布函数或系数H0(Z1)、H2(Z1)、H4(Z1)和幂级数的其它高次系数H(X)＝H0(Z1)＋H2(Z1)X2＋H4(Z1)X4。H(X)项表示在座标Z＝Z1，Y＝0时作为X的函数的磁场强度。可以作一图来描述作为座标Z的函数的每个系数H0(Z)、H2(Z)、H4(Z)和其它高次系数的变化。按类似方式，对于垂直偏转线圈18V可以算出作为座标Z的函数的系数V0(Z)、V2(Z)、V4(Z)和其它高次系数。为得出图6和7所示的函数，座标X和Y都以毫米为单位测量。
一垂直偏转中心50被定义为图6一垂直线的座标Z＝Z(c)，该垂直线把由函数V0(Z)的曲线所限定的区域分为相等的二个区域，一个在其右边，一个在其左边。垂直偏转中心Z(c)等于∫V0(Z)·Z·dz∫V0(Z)·dz]]>一水平偏转中心座标51以相似的方式确定。
一垂直偏转磁场的有效长度λ定义为从Z＝Z(0)一直延伸到Z＝Z(O)＋λ的恒定强度的垂直偏转磁场，在Z＝Z(O)＋λ产生大约和实际V0(Z)场相同的像场曲率(image field curvature)。垂直偏转磁场被假定以Z＝Z(c)＝Z＝Z(O)＋λ/2为中心。长度λ为(∫V0(Z)dz)2∫V0(Z)2dz]]>在V0(Z)函数出现一峰值VPEAK之座标Z处定义一垂直偏转峰值座标52。相似地，在函数H0(Z)出现峰值之座标Z处定义一水平偏转峰值座标53。
按照一发明特点，通过将形成比图2的端匝部分14b更靠近图1的电子枪组件15的图2的端匝部分14a的绕组70的大部分进行延伸，从而使图6的垂直偏转中心座标50相对于图6的水平偏转中心座标51显著地朝向图1的电子枪组件15移动。在图6中，偏转中心间的距离差DIFF是14mm。垂直偏转磁场的有效长度λ是107.1mm。偏转线圈系统16的垂直偏转磁场的距离差DIFF和有效长度λ之比为14/107.1＝0.13。
当采用了这样一个0.13的比率时，就能使NS-Pin畸变很有效地降低，以致于不再需要NS-Pin磁铁来消除图1所示的具有诸如纵横比为4∶3和89cm或35V尺寸的CRT10中的平面荧光屏11的NS-Pin畸变。
垂直偏转中心座标50向电子枪侧或电子束入口端移动得更近就产生了在偏转线圈系统16的垂直偏转磁场的距离差DIFF和有效长度λ之间这样一个大于0.09的比率。这样的设计使得能明显降低NS-Pin畸变，当该比率小于0.09时NS-Pin畸变的减少变得不明显。当该比率大于0.11时，就不再需要NS-Pin磁铁来消除具有诸如纵横比为16∶9和尺寸为34V的CRT荧光屏(未示出)的NS-Pin畸变根据另一发明特点，前述的图6中在垂直偏转中心座标50和水平偏转中心座标51之间差DIFF的有效值不用通过显著地加长图1中的垂直偏转线圈18V而得到。如图6所示，函数V0(Z)曲线在形状上和函数H0(Z)相似，只是朝电子束入口端移动了些。
通过将图6的垂直偏转峰值座标52相对于水平偏转峰值座标53移动一距离DIFF2＝13.4mm，该距离大约等于差值DIFF，从而能使图1的垂直偏转中心50向电子枪组件15移动。座标52和53间的差DIFF2和垂直偏转磁场的有效长度λ的比等于0.125。通过使该比值保持至少大于0.06，使图3的偏转线圈系统16的线圈18V的总长度L在Z轴方向上保持一个小的值。在最靠近屏幕端、在前端匝部72中的绕组82和14a部分中最靠近电子枪侧的绕组80之间所测得的距离为L。
通过使绕组70的后部的主要部分(图中所示为95％)形成端匝部14a使该比值保持大于0.06。有利的是，通过使绕组70的后部的不到10％(图中所示为5％)的部分形成14c部分，而使内部高阶像差得到有效地减少。
一个具有长度L14a＝11mm的部分被定义为从最靠近偏转线圈系统16的电子枪侧的部分14a的绕组80到绕组83之间延展的端匝部14a的部分。端匝部14a和14c的绕组合在一起的50％都设置在绕组80和83之间。因此该图中所示的长度L14a应包含63个绕线匝。长度L14a和偏转线圈系统16的线圈18V的有效长度λ之比值大约为0.1。通过使该比值保持小于0.15，而使偏转线圈系统16的线圈18V的总长度L保持很小，在图中所示为79.6mm。图3的线圈18V是在最靠近电子枪侧的绕组80和最靠近屏幕端的绕组82之间延展。线圈18V短于90mm，因此它有利于采用短管颈的CRT 10对电视接收机来说也就有利于采用更小尺寸的机壳。图1和2的分路器22a和22b加强了图7的场分布函数V2(Z)。
通过将图3的垂直偏转线圈18V的绕组的主要部分集中在比水平偏转线圈18H的绕组更靠近电子束的入口处的一个小区域内，以便移动垂直偏转中心，从而可以使用短的线圈系统。结果是，对于具有诸如4∶3纵横比的大平面屏幕来说，能够去掉北-南(North-South)磁铁。
权利要求
1.一种安装在阴极射线管的颈部的偏转线圈系统，包括由磁性材料制成的一个铁芯(17)；一水平偏转线圈(18H)，置于所述铁芯附近，用于产生水平偏转磁场；以及一垂直偏转线圈(18V)，置于所述铁芯附近，用于产生垂直偏转磁场，线圈(18V)包括一对鞍形线圈，每个线圈具有多匝绕线以形成沿所述偏转线圈系统的纵向(Z)延伸的第一和第二侧部(71)、置于所述第一和第二侧部之间靠近所述偏转线圈系统的屏幕端的一前端匝部分(72)以及置于所述侧部之间远离所述屏幕端的后端匝部分(14a、14c)，所述后端匝部分的形成方式是，将其所有匝的绕线的主要部分集中在靠近所述电子枪端以便使在包括所述后端匝部分的所有匝绕线的50％的所述后端匝部分中包括最靠近所述电子枪端的绕组(80)在内的一个区域长度(在80和83之前)，和所述垂直偏转磁场(λ＝107mm)的所述有效长度之间的比(0.1)保持小于0.15，从而使得垂直偏转中心(Z(c))相对于水平偏转中心向所述偏转线圈系统的电子枪侧偏移以致于将所述偏转中心分开的一第一长度(DIFF)和所述垂直偏转磁场的所述有效长度间的比(0.13)大于0.09，从而显著地减少光栅畸变。
2.根据权利要求1所述的偏转线圈系统，其中所述垂直偏转磁场的偏移减少了枕形畸变，因而不需采用北-南磁铁。
3.根据权利要求1所述的偏转线圈系统，还包括在所述偏转线圈系统的Y轴的相对二端的一对分路器(22a，22b)，以便加强场分布函数V2(Z)。
4.根据权利要求1所述的偏转线圈系统，其中所述后端匝部分(14a，14c)包括靠近所述电子枪端的第一部分(14a)和远离所述电子枪端的第二部分(14c)，在第一部分和第二部分之间有一间隙(90)，从而所述绕线匝的主要部分都包括在所述第一部分内。
5.根据权利要求4所述的偏转线圈系统，其中，所述第二部分(14c)的所述绕线匝用于减少内部高阶像差。
6.安装在阴极射线管的颈部的偏转线圈系统，包括由磁性材料制成的一个铁芯(17)；一水平偏转线圈(18H)，置于所述铁芯附近，用于产生水平偏转磁场；以及一垂直偏转线圈(18V)，置于所述铁芯附近，用于产生垂直偏转磁场，其中有一相对于水平偏转中心向所述偏转线圈系统的电子枪侧偏移的一垂直偏转中心(Z(c))，从而使沿纵向轴场分布函数V0(Z)产生峰值的点和场分布函数H0(Z)发生峰值的点分开的距离(DIFF2)和所述垂直偏转磁场的有效长度(λ＝107mm)之间的比(0.125)大于0.06。
7.如权利要求6所述的偏转线圈系统，其中所述垂直偏转磁场的位移(DIFF)减少了枕形畸变且不需采用北-南磁铁。
8.安装在具有35V或更大和纵横比为4∶3的平面荧光屏屏幕的阴极射线管的颈部的偏转线圈系统，包括由磁性材料制成的一个铁芯(17)；一水平偏转线圈(18H)；置于所述铁芯附近，用于产生水平偏转磁场；以及一垂直偏转线圈(18V)，置于所述铁芯附近，用于产生一垂直偏转磁场，所述偏转磁场具有相对于水平偏转中心向所述偏转线圈系统的电子枪侧偏移的垂直偏转中心(Z(c))，以致于在使所述偏转中心分开的长度(DIFF)和所述垂直偏转磁场的有效长度(λ＝107mm)间的比(0.13)在补偿所述具有35V或更大和纵横比为4∶3的平面荧光屏的产生枕型光栅畸变的趋势，而不用北-南磁铁方面起作用。
9.安装在阴极射线管的颈部的偏转线圈系统，包括由磁性材料制成的一个铁芯(17)；一水平偏转线圈(18H)，置于所述铁芯附近，用于产生水平偏转磁场；以及一垂直偏转线圈(18V)，置于所述铁芯附近，用于产生一垂直偏转磁场，所述垂直偏转磁场具有相对于水平偏转中心向所述偏转线圈系统的电子枪侧偏移的垂直偏转中心(Z(c))，从而在将所述偏转中心分开的长度(DIFF)和所述垂直偏转磁场的有效长度(λ＝107mm)之间的比(0.13)大于0.09以便显著地减少光栅畸变，所述垂直偏转线圈(18V)包括一对鞍型线圈，每个具有多匝绕组(70)，这些绕组形成在所述偏转线圈系统的纵向(Z)延伸的第一和第二侧部(71)、在所述第一和第二侧部之间延伸并靠近所述偏转线圈系统的屏幕端的前端匝部分(72)以及在所述侧部之间且远离所述屏幕而设置的后端匝部分(14a，14c)，从而所述后端匝部分的所述大部分匝绕线都设置在靠近所述电子枪端；以使所述前端匝部分和后端匝部分的最末端(80，82)的绕线匝之间的所述垂直偏转线圈的长度(79.6mm)保持小于90mm。
10.根据权利要求9所述的偏转线圈系统，其中所述垂直偏转磁场的偏移(DIFF)减少了枕形畸变，从而去掉了北-南磁铁。
11.安装在阴极射线管的颈部的偏转线圈系统，包括由磁性材料制成的一个铁芯(17)；一水平偏转线圈(18H)，置于所述铁芯附近，用于产生水平偏转磁场；以及一垂直偏转线圈(18V)，置于所述铁芯附近，用于产生垂直偏转磁场，该垂直偏转磁场具有相对于水平偏转中心向所述偏转线圈系统的电子枪侧偏移的垂直偏转中心(Z(c))，从而在使所述偏转中心分开的长度(DIFF)和所述垂直偏转磁场的有效长度(λ＝107mm)之间的比大于0.09以便显著地减少光栅畸变，所述垂直偏转线圈包括一对鞍形线圈，每个线圈包括多匝绕组(70)，它们形成在所述偏转线圈系统的纵轴(Z)方向上延伸的第一和第二侧部(71)、在所述第一和第二侧部间并与所述偏转线圈系统的屏幕端相邻而置的前端匝部分(72)以及在所述侧部之间并以所述纵向的反方向远离所述屏幕端而置的后端匝部分(14a，14c)，所述后端匝部分包括一绕组部分(L14a)，该绕组部分从最靠近所述电子枪侧(80)的绕组开始延伸并包括所述后端匝部分的所述大部分匝绕线，所述绕组部分在相邻匝之间没有间隙。
12.根据权利要求11所述的偏转线圈系统，其中所述垂直偏转磁场的偏移(DIFF)减少了枕形畸变从而不需采用北-南磁铁。
13.安装在阴极射线管颈部的偏转线圈系统，包括由磁性材料制成的一个铁芯(17)；一水平偏转线圈(18H)，置于所述铁芯附近，用于产生水平偏转磁场；以及一垂直偏转线圈(18V)，置于所述铁芯附近，用于产生垂直偏转磁场，该垂直偏转线圈包括一对鞍形线圈，每个线圈具有多匝绕组(70)，它们形成在所述偏转线圈系统的纵向延伸的第一和第二侧部(71)，在所述第一和第二侧部间并与所述偏转线圈系统的屏幕端相邻而置的前端匝部(72)，以及在所述侧部间并远离所述屏幕端而置的后端匝部(14a、14c)，所述后端匝部的形成方式使得将其绕线匝集中在靠近所述电子枪端以便将垂直偏转中心相对于水平偏转中心向所述偏转线圈系统的电子枪端偏移，从而在将所述偏转中心分开的第一长度(DIFF)和所述偏转磁场的有效长度(λ＝107mm)间的比大于0.11以便显著地减少光栅畸变。
14.根据权利要求13所述的偏转线圈系统，其中，所述垂直偏转磁场的偏移减少了枕型畸变，从而不需采用北-南磁铁。
15.安装在阴极射线管颈部的偏转线圈系统，包括由磁性材料制成的铁芯(17)；一水平偏转线圈(18H)，置于所述铁芯附近，用于产生水平偏转磁场；以及一垂直偏转线圈(18V)，置于所述铁芯附近，用于产生一垂直偏转磁场，该偏转磁场包括一对鞍型线圈，每个线圈具有多匝绕组(70)，它们形成在所述偏转线圈系统的纵向延伸的第一和第二侧部(71)、在所述第一和第二侧部间与所述偏转线圈的屏幕端相邻而置的前端匝部分(72)以及在所述侧部间远离所述屏幕端而置的后端匝部分(14a，14c)，所述后端匝部分的形成方式使得其绕线匝的90％以上集中在所述后端匝部分的第一部分(14a)内靠近所述电子枪端处，并且使得其绕线匝的10％以下位于所述后端匝部分的第二部分(14c)内靠近所述屏幕端处，从而在所述第一和第二部分之间沿Z轴形成一间隙(90)。
16.根据权利要求15所述的偏转线圈系统，其中所述第二部分(14c)对内部高阶像差进行校正。
全文摘要
一种具有大的平面荧光屏和4∶3纵横比的阴极射线管的偏转线圈系统，包括鞍形垂直偏转线圈。后端部(14a，14c)的大部分匝绕线都集中靠近在线圈的电子束入口端。垂直偏转磁场的峰值位置(VPEAK，Fig.6)和垂直偏转中心(Z(c)，Fig.6)相对于水平偏转磁场的相应的峰值(HPEAK，Fig.6)和偏转中心(HDEFL CTR，Fig.6)向电子枪的入口端偏移。因而，不再需要北—南磁铁来减少枕形畸变。另外，比起峰值不偏移的情况，获得了更短的偏转线圈系统。
文档编号H01J29/76GK1155351SQ95194552
公开日1997年7月23日 申请日期1995年6月19日 优先权日1994年6月22日
发明者纳瑟蒂尼·阿兹, 奥利维尔·马森 申请人:汤姆森管及展示有限公司