Led驱动电路的制作方法

专利名称：Led驱动电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及驱动LED(发光二极管)的LED驱动电路。
技术背景LED因其低功耗及长寿命的特点，在越来越广阔的领域中——不仅是显示 装置而且在照明设备等中——得到应用。在照明设备中，使用多个LED来获得 所需的照明。LED若接收超过额定电流值的电流则其寿命会缩短。因此，LED需要以恒 定电流来驱动，或者设置电流限制使得不会有超过预定大小的电流流过其中。一般的照明设备大多使用商用AC100V电源。因而，若使用LED照明设备 来取代白炽灯等，则较佳地应如同一般的照明设备那样，LED照明设备被安排 成也使用商用AC100V电源。图20中示出可在LED照明设备中使用的常规LED驱动电路的配置的示例 (参见JP-A-2000-260578)。图20中示出的常规LED驱动电路以恒定电流驱动 LED，且设置有桥式二极管2;电阻R20—2;以及恒流电路A20。恒流电路A20 设置有NPN晶体管Q20;电阻R20J;以及齐纳二极管ZD20。桥式二极管2的输入侧连接至商用AC100V电源1 ，桥式二极管2的输出侧连 接至LED模块3，该LED模块3是具有多个串联连接的LED的模块，S卩，从桥式 二极管2所具有的正极输出端子起，LED模块3、 NPN晶体管Q20、及电阻R20J 以该顺序串联连接。电阻R20—2的一端连接至桥式二极管2和LED模块3连接在 一起的连接点。NPN晶体管Q20的基极连接至电阻R20—2的另一端和齐纳二极 管ZD20的阴极。齐纳二极管ZD20的阳极连接至电阻R20J和桥式二极管2连接 在一起的连接点。利用此配置，从商用AC100V电源1输出的AC电压由桥式二极管2进行全波 整流，从而得到其峰值约为141V的脉动电压。在恒流电路A20中，NPN晶体管9Q20的基极电位通过齐纳二极管ZD20的齐纳电压Vz而被钳位成恒定。因此，若 使NPN晶体管Q20的基极和发射极之间的电压为VBEO2Q，则电阻R20J的两端电压被表示为(Vz — VBEQ2。)，并且若使电阻R20—1的电阻值为R2Q—,，则流过电阻R20—1的电流被表示为(Vz—VBEQ2())/R2()j，这表示流过电阻R20J的电流是恒定 的。艮卩，流过LED模块3的电流是恒定的，且被表示为(Vz—VBEQ2o)/R2oj。通常，齐纳二极管的电压呈现正的温度特性(g卩，随着温度升高，电压上 升)，并且晶体管的基极和发射极之间的电压呈现负的温度特性(即，随着温度 升高，电压下降)，并且电阻呈现正的温度特性(即，随着温度升高，电阻值上 升)。因此，恒流电路Al呈现正的温度特性(g卩，随着温度升高，恒定电流值上 升)。因而，在图20所示的常规LED驱动电路中，温度上升可能会导致落在预定 值之外的电流流入到LED中。在图20所示的常规LED驱动电路中，均未设置用于在LED模块3或LED驱 动电路自身的温度上升得较高的情况下进行过热保护的元器件或电路。因而， 如果其环境温度上升得异常地高或者如果LED模块3的阳极端子和阴极端子之 间发生短路，则最坏可能会导致LED模块3或LED驱动电路损坏。而且，若施 加过大的负载，则白炽灯将以开路模式失效且其灯丝断开，而LED模块3和LED 驱动电路各自由半导体元器件构成，将以短路模式失效。因此，必须将LED驱 动电路制成为，即使在LED模块3或构成LED驱动电路的任一元器件发生短路 的最差情况下，也不会冒烟或起火。存在多种一般使用的保护器件和温度感测器件，诸如POSISTOR(正温度系 数热敏电阻)((注册商标)由日本村田制作所制造)。然而，这些器件都具有较低 的额定电压和较低的额定功率，并且在不生成恒定直流电压、取而代之的是将 商用电源直接连接至LED驱动电路并以脉动电流驱动LED的情况下，其应用受 到限制。发明内容本发明的目的在于提供以脉动电流驱动LED、并且具有过热保护功能的 LED驱动电路。为了实现上述目的，本发明的LED驱动电路驱动LED，并且包括将交流10的整流电路；恒流电路；以及对恒流电路的输出进行限制 的过热保护部，其中LED和恒流电路串联连接在整流电路的输出侧上。而且，该过热保护部可包括PNP晶体管；以及电阻，该电阻具有负温度 系数，并且设置在PNP晶体管的基极和发射极之间。而且，PNP晶体管的发射 极和集电极可连接至其中流通从恒流电路输出的恒定电流的路径。在任一情况 下，例如，过热保护部还可包括恒流源，该恒流源与具有负温度系数的电阻串 联连接，其中PNP晶体管的基极和发射极之间的电压值是通过将恒流源的恒定 电流值与具有负温度系数的电阻的电阻值相乘而得到的乘积。或者该过热保护 部还可包括电阻元件，该电阻元件与具有负温度系数的电阻串联连接，其中 PNP晶体管的基极和发射极之间的电压值是通过将流过具有负温度系数的电 阻及电阻元件的电流的电流值与具有负温度系数的电阻的电阻值相乘而得到 的乘积。或者，该过热保护部可包括NPN晶体管；以及电阻，该电阻具有负温度系数，并且设置在NPN晶体管的基极和发射极之间，其中NPN晶体管的发射极和集电极连接至其中流通从恒流电路输出的恒定电流的路径。而且，该LED驱动电路还可包括开关电路，该开关电路切换恒流电路的导 通和断开，其中LED、恒流电路、和开关电路串联连接在整流电路的输出侧上， 并且过热保护部控制幵关电路。在这种情况下，例如，该过热保护部可包括-双极晶体管，该双极晶体管向开关电路的控制端子馈送偏置电流；以及电阻， 该电阻具有负温度系数，并且其一端连接至双极晶体管的基极，其中双极晶体 管的基极和发射极之间的电压值根据具有负温度系数的电阻的电阻值而变化。 或者，该过热保护部可包括NPN晶体管，该NPN晶体管将向开关电路的控制 端子馈送的偏置电流拉出；以及电阻，该电阻具有正温度系数，并且其一端连 接至NPN晶体管的基极，其中NPN晶体管的基极和发射极之间的电压值根据具 有正温度系数的电阻的电阻值而变化。而且，该过热保护部还可包括恒流源，该恒流源与具有负温度系数的电阻或具有正温度系数的电阻串联连接，其中双极晶体管或NPN晶体管的基极和发射极之间的电压值是通过将恒流源的恒定 电流值与具有负温度系数的电阻或具有正温度系数的电阻的电阻值相乘而得 到的乘积。或者，该过热保护部还可包括电阻元件，该电阻元件与具有负温度系数的电阻或具有正温度系数的电阻串联连接，其中双极晶体管或NPN晶体管 的基极和发射极之间的电压值是通过将流过具有负温度系数的电阻或具有正 温度系数的电阻及电阻元件的电流的值与具有负温度系数的电阻或具有正温 度系数的电阻的电阻值相乘而得到的乘积。或者，在本发明的驱动电路中，该过热保护部可包括NPN晶体管，该NPN 晶体管将向恒流电路馈送的偏置电流拉出；以及电阻，该电阻具有正温度系数， 并且设置在NPN晶体管的基极和发射极之间。而且，例如，该过热保护部还可包括恒流源，该恒流源与具有正温度系数的电阻串联连接，其中NPN晶体管的基极和发射极之间的电压值是通过将恒流源的恒定电流值与具有正温度系数的电阻的电阻值相乘而得到的乘积。或者，该过热保护部还可包括电阻元件，该电阻元件与具有正温度系数的电阻串联连接，其中NPN晶体管的基极和发射极之间的电压值是通过将流过具有正温度系数的电阻及电阻元件的电流 的值与具有正温度系数的电阻的电阻值相乘而得到的乘积。在任一情况下，该过热保护部还可包括另一电阻，该另一电阻具有正温度系数，并且与具有正温度系数的电阻分开设置，其中具有正温度系数的另一电阻设置在向恒流电路 馈送偏置电流的路径上。或者，在本发明的驱动电路中，该过热保护部可包括NPN双极晶体管，该NPN双极晶体管向恒流电路的偏置电流端子馈送偏置电流；控制用NPN双极 晶体管及第一恒流源，该控制用NPN双极晶体管及第一恒流源分别连接至NPN 双极晶体管的基极，并且用于控制偏置电流；电阻，该电阻具有正温度系数， 并且其一端连接至控制用NPN晶体管的基极；以及第二恒流源，该第二恒流源与具有正温度系数的电阻串联连接，其中控制用NPN晶体管的基极和发射极之间的电压值是通过将第二恒流源的恒定电流值与具有正温度系数的电阻的电阻值相乘而得到的乘积。或者，过热保护部可包括NPN双极晶体管，该NPN 双极晶体管向恒流电路的偏置电流端子馈送偏置电流；控制用NPN双极晶体管 及电阻元件，该控制用NPN双极晶体管及电阻元件分别连接至NPN双极晶体管 的基极，并且用于控制偏置电流；电阻，该电阻具有正温度系数，并且其一端 连接至控制用NPN晶体管的基极；以及恒流源，该恒流源与具有正温度系数的电阻串联连接，其中控制用NPN晶体管的基极和发射极之间的电压值是通过将恒流源的恒定电流值与具有正温度系数的电阻的电阻值相乘而得到的乘积。或 者，该过热保护部可包括NPN双极晶体管，该NPN双极晶体管向恒流电路的 偏置电流端子馈送偏置电流；控制用NPN双极晶体管及第一电阻元件，该控制 用NPN双极晶体管及第一电阻元件分别连接至NPN双极晶体管的基极，并且用 于控制偏置电流；电阻，该电阻具有正温度系数，并且其一端连接至控制用NPN 双极晶体管的基极；以及第二电阻元件，该第二电阻元件与具有正温度系数的 电阻串联连接，其中控制用NPN晶体管的基极和发射极之间的电压值是通过将 流过具有正温度系数的电阻和第二电阻元件的电流的值与具有正温度系数的 电阻的电阻值相乘而得到的乘积。而且，例如，该恒流电路可包括第一电阻；齐纳二极管；以及第一双极 晶体管，该第一双极晶体管的发射极连接至第一电阻的一端，该第一双极晶体 管的基极连接至齐纳二极管的一端。或者，该恒流电路可包括第一双极晶体 管；第二双极晶体管；第一电阻，该第一电阻的一端连接至第二双极晶体管的 基极；以及第二电阻，该第二电阻设置在第一双极晶体管的基极和发射极之间， 其中第一双极晶体管的集电极和第二双极晶体管的基极连接在一起，并且第一 双极晶体管的基极和第二双极晶体管的发射极连接在一起。而且，例如，该开关电路可包括晶闸管或双向三极晶闸管；以及第一电 阻，该第一电阻设置在晶闸管或双向三极晶闸管的门极和阴极之间。而且，在LED驱动电路还包括开关电路、该开关电路切换恒流电路的导通 和断开的情况下，其中LED、恒流电路、和开关电路串联连接在整流电路的输 出侧上，从而过热保护部控制开关电路，该开关电路包括晶闸管或双向单极 晶闸管；以及第一电阻，该第一电阻设置在晶闸管或双向三极晶闸管的门极和 阴极之间，该过热保护部可包括电阻，该电阻具有正温度系数，并且设置在 用于向晶闸管或双向三极晶闹管的门极馈送偏置电流的路径上；以及电阻元 件，该电阻元件设置在晶闸管或双向三极晶闸管的门极和整流电路的负极输出 端之间。而且，该过热保护部还可包括电容，该电容与电阻元件并联连接。而且，在LED驱动电路包括开关电路、该开关电路切换恒流电路的导通和 断开的情况下，其中LED、恒流电路、和开关电路串联连接在整流电路的输出 侧上，从而过热保护部控制开关电路，开关电路包括晶闸管或双向三极晶闸管；以及第一电阻，该第一电阻设置在晶闸管或双向三极晶闸管的门极和阴极 之间，该过热保护部可包括电阻，该电阻具有正温度系数，并且其一端连接 至晶闸管或双向三极晶闸管的门极；以及电阻元件，该电阻元件设置在具有正 温度系数的电阻的另一端和整流电路的负极输出端之间。而且，该过热保护部 还可包括另一电阻，该另一电阻具有正温度系数，并且与具有正温度系数的 电阻分开设置，其中具有正温度系数的另一电阻设置在向晶闸管或双向三极晶 闸管的门极馈送偏置电流的路径上。而且，当恒流电路达到预定温度或更高时，该过热保护部可限制恒流电路 的输出。而且，当LED模块达到预定温度或更高时，该过热保护部可限制恒流电路 的输出。


图1是示出根据本发明的第一实施例的LED驱动电路的配置的示图。 图2是示出根据本发明的第二实施例的LED驱动电路的配置的示图。 图3是示出根据本发明的第三实施例的LED驱动电路的配置的示图。 图4是示出根据本发明的第四实施例的LED驱动电路的配置的示图。 图5是示出根据本发明的第五实施例的LED驱动电路的配置的示图。 图6是示出根据本发明的第六实施例的LED驱动电路的配置的示图。 图7A是示出根据本发明的第七实施例的LED驱动电路的配置的示例的示图。图7B是示出根据本发明的第七实施例的LED驱动电路的上述配置的另一 示例的示图。图8是示出根据本发明的第八实施例的LED驱动电路的配置的示图。图9是示出根据本发明的第九实施例的LED驱动电路的配置的示图。图10是示出恒流电路的配置的示例的示图。图ll是示出恒流电路的配置的另一示例的示图。图12是示出恒流电路的配置的又一示例的示图。图13是示出恒流电路的配置的又一示例的示图。图14是示出开关电路的配置的示例的示图。 图15是示出开关电路的配置的另一示例的示图。图16是示出根据本发明的第十实施例的LED驱动电路的配置的示图。图17是示出根据本发明的第十一实施例的LED驱动电路的配置的示图。图18是示出根据本发明的第十二实施例的LED驱动电路的配置的示图。图19是示出根据本发明的第十三实施例的LED驱动电路的配置的示图。图20是示出常规LED驱动电路的示图。图21是示出根据本发明的第十四实施例的LED驱动电路的配置的示图。 图22是示出根据本发明的第十五实施例的LED驱动电路的配置的示图。 图23是示出根据本发明的第十六实施例的LED驱动电路的配置的示图。
具体实施方式
以下将参考附图描述根据本发明的LED驱动电路的各实施例。根据本发明 的LED驱动电路被用于照明设备、电子显示系统等。 <第一实施例>图1中示出根据本发明的第一实施例的LED驱动电路的配置。图1所示 的本实施例的LED驱动电路包括桥式二极管2;恒流电路A1和B1; PNP 晶体管Q1;电阻R1;以及诸如NTC热敏电阻的负温度系数电阻RN1(以下称 为"NTC电阻RN1")。桥式二极管2的输入端连接至商用AC100V电源1 ，桥式二极管2的一个输出 端连接至LED模块3的阳极。恒流电路A1的恒流端子T1连接至LED模块3的阴 极，恒流电路A1的恒流端子T2连接至桥式二极管2的另一输出端。PNP晶体管 Q1的发射极连接至LED模块3的阴极，PNP晶体管Q1的集电极通过电阻R1连接 至恒流电路A1的偏置电流端子T3。而且，NTC电阻RN1设置在PNP晶体管Q1 的基极和发射极之间，并且恒流电路B1设置在PNP晶体管Q1的基极和桥式二极 管2的另一输出端之间。PNP晶体管Q1由恒流电路B1来驱动，并且向恒流电路A1的偏置电流端子 T3馈送偏置电流。在图1所示的本实施例的LED驱动电路中，通过对由PNP晶 体管Q1通过电阻R1向恒流电路A1的偏置电流端子T3馈送的偏置电流进行限制，从而限制恒流电路A1的输出，该恒流电路A1向LED模块3馈送恒定电流从 而驱动LED模块3。利用此设计，PNP晶体管Q1的负载减小，因而将比较小的 晶体管用于PNP晶体管Q1成为可能，以限制恒流电路A1的输出。从商用AC100V电源1输出的AC电压由桥式二极管2进行全波整流，从而得 到其峰值约为141V的脉动电压并且将其施加到LED模块3。因此，流过LED模 块3的电流也成为脉动的，其峰值等于针对恒流电路A1设定的值(恒流电路A1 的恒定电流值)。在图1所示的本实施例的LED驱动电路中，随着环境温度上升，NTC电阻 RN1的电阻值减小，致使PNP晶体管Q1的基极和发射极之间的电压减小。因此， 向恒流电路A1的偏置电流端子T3馈送的偏置电流减小，其结果是恒流电路A1 的恒定电流值受到限制。当图1所示的本实施例的LED驱动电路的环境温度达 到预先设定的特定水平或更高时，PNP晶体管Q1被置于断开状态，其结果是不 向恒流电路A1的偏置电流端子T3馈送偏置电流。因此，恒流电路A1被置于断 开状态。在将NTC电阻RN1安排在PNP晶体管Q1的基极和发射极之间的情况下，通 过将其电阻值设定成适当的值，对于NTC电阻RN1，可使用其额定功率较低的 器件或其耐压不高的器件，而不会出现问题。而且，恒流电路B1向PNP晶体管Q1馈送基极电流，并且其恒定电流值等于 向恒流电路Al的偏置电流端子T3馈送的偏置电流的l/hra(这里hre是PNP晶体 管Ql的h参数)。将导致PNP晶体管Q1处于断幵状态的过热保护操作考虑在内， 通过将其恒定电流值设定成适当的值，对于恒流电路B1，可使用其额定功率较 低的器件或其耐压不高的器件，而不会出现问题。<第二实施例>图2中示出根据本发明的第二实施例的LED驱动电路的配置。图2所示的本 实施例的LED驱动电路设置有桥式二极管2;恒流电路A2和B2; PNP晶体管 Q2;电阻R2;以及负温度系数电阻(以下称为"NTC电阻")RN2。桥式二极管2的输入端连接至商用AC100V电源1 ，桥式二极管2的一个输出 端连接至LED模块3的阳极。LED模块3的阴极连接至PNP晶体管Q2的发射极。 恒流电路A2的恒流端子T1连接至PNP晶体管Q2的集电极，恒流电路A2的恒流端子T2连接至桥式二极管2的另一输出端。而且，PNP晶体管Q2的集电极通过 电阻R2连接至恒流电路A2的偏置电流端子T3。而且，NTC电阻RN2设置在PNP 晶体管Q2的基极和发射极之间，并且恒流电路B2设置在PNP晶体管Q2的基极 和桥式二极管2的另一输出端之间。PNP晶体管Q2由恒流电路B2驱动。从商用AC100V电源1输出的AC电压由 桥式二极管2进行全波整流，从而得到其峰值约为141V的脉动电压并且将其施 加到LED模块3。因此，流过LED模块3的电流也成为脉动的，其峰值等于针对 恒流电路A2设定的值(恒流电路A2的恒定电流值)。在图2所示的本实施例的LED驱动电路中，随着环境温度上升，NTC电阻 RN2的电阻值减小，致使PNP晶体管Q2的基极和发射极之间的电压减小。因而， 恒流电路A2的恒定电流值受到限制。当图2所示的本实施例的LED驱动电路的 环境温度达到预先设定的特定水平或更高时，PNP晶体管Q2被置于断开状态， 因而，恒流电路A2被置于断开状态。在将NTC电阻RN2安排在PNP晶体管Q2的基极和发射极之间的情况下，通 过将其电阻值设定成适当的值，对于NTC电阻RN2，可使用其额定功率较低的 器件或其耐压不高的器件，而不会出现问题。而且，恒流电路B2向PNP晶体管Q2馈送基极电流，并且其恒定电流值等于 恒流电路A2的输出电流的l/hFE(这里hre是PNP晶体管Q2的h参数)。将导致PNP 晶体管Q2处于断开状态的过热保护操作考虑在内，通过将其恒定电流值设定成 适当的值，对于恒流电路B2，可使用其额定功率较低的器件或其耐压不高的器 件，而不会出现问题。<第三实施例>图3中示出根据本发明的第三实施例的LED驱动电路的配置。图3所示 的本实施例的LED驱动电路设置有桥式二极管2;恒流电路A3; PNP晶体 管Q3;电阻R3—1及R3一2;以及负温度系数电阻(以下称为"NTC电阻")RN3。桥式二极管2的输入端连接至商用AC100V电源1 ，桥式二极管2的一个输出 端连接至LED模块3的阳极。恒流电路A3的恒流端子T1连接至LED模块3的阴 极，恒流电路A3的恒流端子T2连接至桥式二极管2的另一输出端。而且，PNP 晶体管Q3的发射极连接至LED模块3的阴极，PNP晶体管Q3的集电极通过电阻R3—1连接至恒流电路A3的偏置电流端子T3。而且，NTC电阻RN3设置在PNP 晶体管Q3的基极和发射极之间，并且电阻R3—2设置在PNP晶体管Q3的基极和 桥式二极管2的另一输出端之间。PNP晶体管Q3由NTC电阻RN3和电阻R3一2驱动，并且向恒流电路A3的偏 置电流端子T3馈送偏置电流。在图3所示的本实施例的LED驱动电路中，通过 对由PNP晶体管Q3通过电阻R3J向恒流电路A3的偏置电流端子T3馈送的偏置 电流进行限制，从而限制恒流电路A3的输出，该恒流电路A3向LED模块3馈送 恒定电流从而驱动LED模块3。利用此设计，PNP晶体管Q3上的负载减小，因 而将比较小的晶体管用于PNP晶体管Q3成为可能，以限制恒流电路A3的输出。从商用AC100V电源1输出的AC电压由桥式二极管2进行全波整流，从而得 到其峰值约为141V的脉动电压并且将其施加到LED模块3。因此，流过LED模 块3的电流也成为脉动的，其峰值等于针对恒流电路A3设定的值(恒流电路A3 的恒定电流值)。在图3所示的本实施例的LED驱动电路中，随着环境温度上升，NTC电阻 RN3的电阻值减小，致使PNP晶体管Q3的基极和发射极之间的电压减小。因此， 向恒流电路A3的偏置电流端子T3馈送的偏置电流减小，其结果是恒流电路A3 的恒定电流值受到限制。当图3所示的本实施例的LED驱动电路的环境温度达 到预先设定的特定水平或更高时，PNP晶体管Q3被置于断开状态，其结果是不 向恒流电路A3的偏置电流端子T3馈送偏置电流。因此，恒流电路A3被置于断 幵状态。在将NTC电阻RN3安排在PNP晶体管Q3的基极和发射极之间的情况下，通 过将其电阻值设定成适当的值，对于NTC电阻RN3，可使用其额定功率较低的 器件或其耐压不高的器件，而不会出现问题。而且，电阻R3一2向PNP晶体管Q3馈送基极电流，并且流过电阻R3一2的电 流等于向恒流电路A3的偏置电流端子T3馈送的偏置电流的l/hra(这里hre是 PNP晶体管Q3的h参数)。将导致PNP晶体管Q3处于断开状态的过热保护操作考 虑在内，通过将流过电阻R3—2的电流值设定成适当的值，对于电阻R3一2，可 使用其额定功率较低的器件或其耐压不高的器件，而不会出现问题。可与从图1至图3所进行的修改相同地对图2所示的配置进行修改。g卩，恒流电路B2可由具有适当的电阻值的电阻来取代。 <第四实施例〉图4中示出根据本发明的第四实施例的LED驱动电路的配置。图4所示 的本实施例的LED驱动电路设置有桥式二极管2;恒流电路A4; NPN晶体 管Q4;电阻R4—1及R4—2;以及负温度系数电阻(以下，称为"NTC电阻")RN4。桥式二极管2的输入端连接至商用AC100V电源1 ，桥式二极管2的一个输出 端连接至LED模块3的阳极。恒流电路A4的恒流端子T1连接至LED模块3的阴 极，恒流电路A4的恒流端子T2连接至NPN晶体管Q4的集电极。NPN晶体管Q4 的发射极连接至桥式二极管2的另一输出端。而且，LED模块3的阴极通过电阻 R4一1连接至恒流电路A4的偏置电流端子T3。而且，电阻R4一2设置在LED模块3 的阴极和NPN晶体管Q4的基极之间，并且NTC电阻RN4设置在NPN晶体管Q4 的基极和发射极之间。NPN晶体管Q4由电阻R4—2和NTC电阻RN4驱动。从商用AC 1OOV电源1输 出的AC电压由桥式二极管2进行全波整流，从而得到其峰值约为141V的脉动电 压并且将其施加到LED模块3。因此，流过LED模块3的电流也成为脉动的，其 峰值等于针对恒流电路A4设定的值(恒流电路A4的恒定电流值)。在图4所示的本实施例的LED驱动电路中，随着环境温度上升，NTC电阻 RN4的电阻值减小，致使PNP晶体管Q4的基极和发射极之间的电压减小。因而， 恒流电路A4的恒定电流值受到限制。当图4所示的本实施例的LED驱动电路的 环境温度达到预先设定的特定水平或更高时，NPN晶体管Q4被置于断开状态， 因而，恒流电路A4被置于断开状态。在将NTC电阻RN4安排在NPN晶体管Q4的基极和发射极之间的情况下，通 过将其电阻值设定成适当的值，对于NTC电阻RN4，可使用其额定功率较低的 器件或其耐压不高的器件，而不会出现问题。而且，电阻R4一2向NPN晶体管Q4馈送基极电流，并且流过电阻R4—2的电 流等于恒流电路A4的输出电流的l/hre(这里hFE是NPN晶体管Q4的h参数)。将导 致NPN晶体管Q4处于断开状态的过热保护操作考虑在内，通过将流过电阻 Q4—2的电流设定成适当的值，对于电阻R4—2，可使用其额定功率较低的器件 或其耐压不高的器件，而不会出现问题。<第五实施例>图5中示出根据本发明的第五实施例的LED驱动电路的配置。图5所示 的本实施例的LED驱动电路设置有桥式二极管2;恒流电路A5及B5;开 关电路C5;电阻R5J及R5—2; NPN晶体管Q5;以及负温度系数电阻(以下 称为"NTC电阻")RN5。开关电路C5被形成为，使得若向其控制端子T6馈送 的偏置电流等于或大于预定值，则其接触端子T4和接触端子T5之间的路径变 成电导通，而若向其控制端子T6馈送的偏置电流小于预定值，则其接触端子 T4和接触端子T5之间的路径变成不导通。桥式二极管2的输入端连接至商用AC100V电源1 ，桥式二极管2的一个输出 端连接至LED模块3的阳极。恒流电路A5的恒流端子T1连接至LED模块3的阴 极，恒流电路A5的恒流端子T2连接至开关电路C5的接触端子T4。开关电路C5 的接触端子T5连接至桥式二极管2的另一输出端。而且，电阻R5J的一端连接 至LED模块3的阴极，电阻R5一1的另一端连接至恒流电路A5的偏置电流端子T3 和电阻R5—2的一端。电阻R5—2的另一端连接至NPN晶体管Q5的集电极，并且 NPNQ5的发射极连接至开关电路C5的控制端子T6。而且，恒流电路B5设置在 LED模块3的阴极和NPN晶体管Q5的基极之间，并且NTC电阻RN5设置在NPN 晶体管Q5的基极和桥式二极管2的另一输出端之间。NPN晶体管Q5由恒流电路B5驱动，并且向开关电路C5的控制端子T6馈送 偏置电流。在图5所示的本实施例的LED驱动电路中，通过限制开关电路C5的 偏置电流，从而限制恒流电路A5的输出，该恒流电路A5向LED模块3馈送恒定 电流从而驱动LED模块3。利用此设计，NPN晶体管Q5的负载减小，因而将比 较小的晶体管用于NPN晶体管Q5成为可能，以限制恒流电路A5的输出。从商用AC100V电源1输出的AC电压由桥式二极管2进行全波整流，从而得 到其峰值约为141V的脉动电压并且将其施加到LED模块3。因此，流过LED模 块3的电流也成为脉动的，其峰值等于针对恒流电路A5设定的值(恒流电路A5 的恒定电流值)。在图5所示的本实施例的LED驱动电路中，随着环境温度上升，NTC电阻 RN5的电阻值减小，致使NPN晶体管Q5的基极和发射极之间的电压减小。因此， 向开关电路C5的控制端子T6馈送的偏置电流减小，其结果是恒流电路A5的恒定电流值受到限制。当图5所示的本实施例的LED驱动电路的环境温度达到预先设定的特定水平或更高时，NPN晶体管Q5被置于断开状态，其结果是不向开 关电路C5的控制端子T6馈送偏置电流。因此，恒流电路A5被置于断开状态。在将NTC电阻RN5连接到NPN晶体管Q5的基极的情况下，通过将其电阻值 设定成适当的值，对于NTC电阻RN5，可使用其额定功率较低的器件或其耐压 不高的器件，而不会出现问题。而且，恒流电路B5向NPN晶体管Q5馈送基极电流，并且其恒定电流值等 于向开关电路C5的控制端子T6馈送的偏置电流的l/hra(这里hra是NPN晶体管 Q5的h参数)。将导致NPN晶体管Q5处于断开状态的过热保护操作考虑在内，通 过将其恒定电流值设定成适当的值，对于恒流电路B5，可使用其额定功率较低 的器件或其耐压不高的器件，而不会出现问题。<第六实施例>图6中示出根据本发明的第六实施例的LED驱动电路的配置。图6所示 的本实施例的LED驱动电路设置有桥式二极管2;恒流电路A6及B6;开 关电路C6;电阻R6—1及R6—2; NPN晶体管Q6;以及诸如PTC热敏电阻的 正温度系数电阻RP6(以下称为"PTC电阻RP6")。开关电路C6被形成为，使得 若向其控制端子T6馈送的偏置电流等于或大于预定值，则其接触端子T4和接 触端子T5之间的路径变成电导通，若向其控制端子T6馈送的偏置电流小于预 定值，则其接触端子T4和接触端子T5之间的路径变成不导通。桥式二极管2的输入端连接至商用AC100V电源1，桥式二极管2的一个输出 端连接至LED模块3的阳极。恒流电路A6的恒流端子T1连接至LED模块3的阴 极，恒流电路A6的恒流端子T2连接至开关电路C6的接触端子T4。开关电路C6 的接触端子T5连接至桥式二极管2的另一输出端。而且，电阻R6一1的一端连接 至LED模块3的阴极，且电阻R6J的另一端连接至恒流电路A6的偏置电流端子 T3和电阻R6—2的一端。电阻R6—2的另一端连接至开关电路C6的控制端子T6和 NPN晶体管Q6的集电极，并且NPN晶体管Q6的发射极连接至桥式二极管2的另 一输出端。而且，恒流电路B6设置在LED模块3的阴极和NPN晶体管Q6的基极 之间，并且PTC电阻RP6设置在NPN晶体管Q6的基极和发射极之间。从恒流电路B6向PTC电阻RP6流通有电流，并且将恒流电路B6的恒定电流值和PTC电阻RP6的电阻值设定成使得在常温下NPN晶体管Q6保持在断开状 态。而且，将偏置电流从LED模块3的阴极通过R6一1及R6—2馈送到开关电路C6 的控制端子T6。从商用AC100V电源1输出的AC电压由桥式二极管2进行全波整流，从而得 到其峰值约为141V的脉动电压并且将其施加到LED模块3。因此，流过LED模 块3的电流也成为脉动的，其峰值等于针对恒流电路A6设定的值(恒流电路A6 的恒定电流值)。在图6所示的本实施例的LED驱动电路中，随着环境温度上升，PTC电阻 RP6的电阻值增大，致使NPN晶体管Q6的基极和发射极之间的电压增大。因此， NPN晶体管Q6使得向开关电路C6的控制端子T6馈送的偏置电流减小，其结果 是恒流电路A6的恒定电流值受到限制。当图6所示的本实施例的LED驱动电路 的环境温度达到预先设定的特定水平或更高时，NPN晶体管Q6将向开关电路 C6的控制端子T6馈送的所有偏置电流拉出，其结果是不向开关电路C6的控制 端子T6馈送偏置电流。因此，恒流电路A6被置于断开状态。在图6所示的本实施例的LED驱动电路中，通过限制向开关电路C6馈送的 偏置电流，从而限制恒流电路A6的输出，该恒流电路A6向LED模块3馈送恒定 电流从而驱动LED模块3。利用此设计，NPN晶体管Q6的负载减小，因而将比 较小的晶体管用于NPN晶体管Q6成为可能，以限制恒流电路A6的输出。在将PTC电阻RP6安排在NPN晶体管Q6的基极和发射极之间的情况下，通 过将其电阻值设定成适当的值，对于PTC电阻RP6，可使用其额定功率较低的 器件或其耐压不高的器件，而不会出现问题。而且，恒流电路B6向NPN晶体管Q6馈送基极电流，使得NPN晶体管Q6在 因过热保护操作而被置于导通状态时，将向开关电路C6的控制端子T6馈送的所 有偏置电流拉出，只要恒流电路B6能馈送等于或大于向开关电路Q6的控制端 子T6馈送的偏置电流的l/hre(这里hre是NPN晶体管Q6的h参数)的电流即可。因 而，通过将其恒定电流值设定成适当的值，对于恒流电路B6，可使用其额定功 率较低的器件或其耐压不高的器件，而不会出现问题。<第七实施例〉图7A中示出根据本发明的第七实施例的LED驱动电路的配置的示例。图7所示的本实施例的LED驱动电路设置有桥式二极管2;恒流电路A7A;开关电路C7A;电阻R7JA至R7—3A; NPN晶体管Q7A;以及正温度系数电阻 (以下称为"PTC电阻")RP7A。开关电路C7A被形成为，使得若向其控制端子 T6馈送的偏置电流等于或大于预定值，则其接触端子T4和接触端子T5之间 的路径变成电导通，若向其控制端子T6馈送的偏置电流小于预定值，则其接 触端子T4和接触端子T5之间的路径变成不导通。桥式二极管2的输入端连接至商用AC100V电源1，桥式二极管2的一个输出 端连接至LED模块3的阳极。恒流电路A7A的恒流端子T1连接至LED模块3的阴 极，恒流电路A7A的恒流端子T2连接至开关电路C7A的接触端子T4。开关电路 C7A的接触端子T5连接至桥式二极管2的另一输出端。而且，电阻R7JA的一 端连接至LED模块3的阴极，电阻R7JA的另一端连接至恒流电路A7A的偏置电 流端子T3和电阻R7一2A的一端。电阻R7一2A的另一端连接至开关电路C7A的控 制端子T6和NPN晶体管Q7A的集电极，并且NPN晶体管Q7A的发射极连接至桥 式二极管2的另一输出端。而且，电阻R7—3A设置在LED模块3的阴极和NPN晶 体管Q7A的基极之间，并且PTC电阻RP7A设置在NPN晶体管Q7A的基极和发射 极之间。从电阻R7一3A向PTC电阻RP7A流通有电流，并且将电阻R7一3A和PTC电阻 RP7A的电阻值设定成使得在常温下NPN晶体管Q7A保持在断开状态。而且， 将偏置电流从LED模块3的阴极通过R7—1 A及R7一2A馈送到开关电路C7A的控 制端子T6。从商用AC100V电源1输出的AC电压由桥式二极管2进行全波整流，从而得 到其峰值约为141V的脉动电压并且将其施加到LED模块3。因此，流过LED模 块3的电流也成为脉动的，其峰值等于针对恒流电路A7A设定的值(恒流电路 A7A的恒定电流值)。在图7A所示的本实施例的LED驱动电路中，随着环境温度上升，PTC电阻 RP7A的电阻值增大，致使NPN晶体管Q7A的基极和发射极之间的电压增大。 因此，NPN晶体管Q7A使得向开关电路C7A的控制端子T6馈送的偏置电流减 小，其结果是恒流电路A7A的恒定电流值受到限制。当图7A所示的本实施例的 LED驱动电路的环境温度达到预先设定的特定水平或更高时，NPN晶体管Q7A将向开关电路C7A的控制端子T6馈送的所有偏置电流拉出，其结果是不向开关 电路C7A的控制端子T6馈送偏置电流。因此，恒流电路A7A被置于断开状态。在图7所示的本实施例的LED驱动电路中，通过限制开关电路C7A的偏置 电流，从而限制恒流电路A7A的输出，该恒流电路A7A向LED模块3馈送恒定 电流从而驱动LED模块3。利用此设计，NPN晶体管Q7A的负载减小，因而将 比较小的晶体管用于NPN晶体管Q7A成为可能，以限制恒流电路A7A的输出。在将PTC电阻RP7A安排在NPN晶体管Q7A的基极和发射极之间的情况下， 通过将其电阻值设定成适当的值，对于PTC电阻RP7A，可使用其额定功率较低 的器件或其耐压不高的器件，而不会出现问题。而且，电阻R7一3A向NPN晶体管Q7A馈送基极电流，使得NPN晶体管Q7A 在因过热保护操作而被置于导通状态时，将向开关电路C7A的控制端子T6馈送 的所有偏置电流拉出，只要电阻R7—3能馈送等于或大于向开关电路Q7A的控制 端子T6馈送的偏置电流的l/hFE(这里hra是NPN晶体管Q7A的h参数)的电流即 可。因而，通过将流过电阻R7—3A的电流值设定成适当的值，对于电阻R7—3， 可使用其额定功率较低的器件或其耐压不高的器件，而不会出现问题。图7B中示出根据本发明的第七实施例的LED驱动电路的配置的另一示例。 通过与从图6至图7所进行的修改相同地对图5所示的配置进行修改，S卩，通过 使用电阻R7—3B来取代恒流电路B5，从而得到图7B所示的配置。电阻R7一3B向 NPN晶体管Q7B馈送基极电流，并且流过电阻R7一3B的电流等于向开关电路 C7B的控制端子T6馈送的偏置电流的l/hFE(这里hra是NPN晶体管Q7B的h参 数)。将导致NPN晶体管Q7B处于断开状态的过热保护操作考虑在内，通过将流 过电阻R7一3B的电流值设定成适当的值，对于电阻R7—3B，可使用其额定功率 较低的器件或其耐压不高的器件，而不会出现问题。<第八实施例>图8中示出根据本发明的第八实施例的LED驱动电路的配置。图8所示 的本实施例的LED驱动电路设置有桥式二极管2;恒流电路A8和B8;电 阻R8; NPN晶体管Q8;以及正温度系数电阻(以下称为"PTC电阻")RP8。桥式二极管2的输入端连接至商用AC100V电源1 ，桥式二极管2的一个输出 端连接至LED模块3的阳极。恒流电路A8的恒流端子T1连接至LED模块3的阴极，恒流电路A8的恒流端子T2连接至桥式二极管2的另一输出端。而且，电阻 R8的一端连接至LED模块3的阴极，电阻R8的另一端连接至恒流电路A8的偏置 电流端子T3和NPN晶体管Q8的集电极。NPN晶体管Q8的发射极连接至桥式二 极管2的另一输出端。而且，恒流电路B8设置在LED模块3的阴极和NPN晶体管 Q8的基极之间，并且PTC电阻RP8设置在NPN晶体管Q8的基极和发射极之间。 从恒流电路B8向PTC电阻RP8流通有电流，并且将恒流电路B8的恒定电流 值和PTC电阻RP8的电阻值设定成使得在常温下NPN晶体管Q8保持在断开状 态。而且，将偏置电流从LED模块3的阴极通过电阻R8馈送到恒流电路A8的偏 置电流端子T3。从商用AC100V电源1输出的AC电压由桥式二极管2进行全波整流，从而得 到其峰值约为141V的脉动电压并且将其施加到LED模块3。因此，流过LED模 块3的电流也成为脉动的，其峰值等于针对恒流电路A8设定的值(恒流电路A8的恒定电流值)。在图8所示的本实施例的LED驱动电路中，随着环境温度上升，PTC电阻 RP8的电阻值增大，致使NPN晶体管Q8的基极和发射极之间的电压增大。因此， NPN晶体管Q8使得向恒流电路A8的偏置电流端子T3馈送的偏置电流减小，其 结果是恒流电路A8的恒定电流值受到限制。当图8所示的本实施例的LED驱动 电路的环境温度达到预先设定的特定水平或更高时，NPN晶体管Q8将向恒流电 路A8的偏置电流端子T3馈送的所有偏置电流拉出，其结果是不向恒流电路A8 的偏置电流端子T3馈送偏置电流。因此，恒流电路A8被置于断开状态。在图8所示的本实施例的LED驱动电路中，直接通过NPN晶体管Q8来限制 恒流电路A8的输出，该恒流电路A8向LED模块3馈送恒定电流从而驱动LED模 块3。虽然NPN晶体管Q8上的负载有些重，但它能减小所得到的电路的尺寸。在将PTC电阻RP8安排在NPN晶体管Q8的基极和发射极之间的情况下，通 过将其电阻值设定成适当的值，对于PTC电阻RP8，可使用其额定功率较低的 器件或其耐压不高的器件，而不会出现问题。而且，恒流电路B8向NPN晶体管Q8馈送基极电流，使得NPN晶体管Q8在 因过热保护操作而被置于导通状态时，将向恒流电路A8的偏置电流端子T3馈 送的所有偏置电流拉出，只要恒流电路Q8能馈送等于或大于向恒流电路A8的偏置电流端子T3馈送的偏置电流的l/hFE(这里hFE是NPN晶体管Q8的h参数)的 电流即可。因而，通过将其恒定电流值设定成适当的值，对于恒流电路B8，可 使用其额定功率较低的器件或其耐压不高的器件，而不会出现问题。 <第九实施例>图9中示出根据本发明的第九实施例的LED驱动电路的配置。图9所示 的本实施例的LED驱动电路设置有桥式二极管2;恒流电路A9和B9;电 阻R9; NPN晶体管Q9;以及正温度系数电阻(以下称为"PTC电阻")RP9—1及 RP9—2。桥式二极管2的输入端连接至商用AC100V电源1 ，桥式二极管2的一个输出 端连接至阳极LED模块3的阳极。恒流电路A9的恒流端子T1连接至LED模块3 的阴极，恒流电路A9的恒流端子T2连接至桥式二极管2的另一输出端。而且， 电阻R9的一端连接至LED模块3的阴极，电阻R9的另一端通过PTC电阻RP9一2 连接至恒流电路A9的偏置电流端子T3和NPN晶体管Q9的集电极。NPN晶体管 Q9的发射极连接至桥式二极管2的另一输出端。而且，恒流电路B9设置在LED 模块3的阴极和NPN晶体管Q9的基极之间，并且PTC电阻RP9J设置在NPN晶体 管Q9的基极和发射极之间。从恒流电路B9向PTC电阻RP9J流通有电流，并且将恒流电路B9的恒定电 流值和PTC电阻RP9J的电阻值设定成使得在常温下NPN晶体管Q9保持在断开 状态。而且，将偏置电流从LED模块3的阴极通过电阻R9和PTC电阻R9一2馈送 到恒流电路A9的偏置电流端子T3 。从商用AC100V电源1输出的AC电压由桥式二极管2进行全波整流，从而得 到其峰值约为141V的脉动电压并且将其施加到LED模块3。因此，流过LED模 块3的电流也成为脉动的，其峰值等于针对恒流电路A9设定的值(恒流电路A9 的恒定电流值)。在图9所示的本实施例的LED驱动电路中，随着环境温度上升，PTC电阻 RP9—1和PTC电阻RP9—2的电阻值增大，致使NPN晶体管Q9的基极和发射极之 间的电压增大。因此，NPN晶体管Q9使得向恒流电路A9的偏置电流端子T3馈 送的偏置电流减小，其结果是恒流电路A9的恒定电流值受到限制。而且，通过 使用PTC电阻R^2的电阻值从而也限制向恒流电路A9的偏置电流端子T3馈送的偏置电流。当图9所示的本实施例的LED驱动电路的环境温度达到预先设定 的特定水平或更高时，NPN晶体管Q9将向恒流电路A9的偏置电流端子T3馈送 的所有偏置电流拉出，其结果是不向恒流A9的偏置电流端子T3馈送偏置电流。 因此，恒流电路A9被置于断开状态。在图9所示的本实施例的LED驱动电路中，PTC电阻R9一2限制向恒流电路 A9的偏置电流端子T3馈送的偏置电流，并且NPN晶体管Q9于是将该偏置电流 直接拉出，所述恒流电路A9向LED模块3馈送恒定电流从而驱动该LED模块3。 因而，更迅速地限制恒流电路A9的输出。在将PTC电阻RP9—1安排在NPN晶体管Q9的基极和发射极之间的情况下， 通过将其电阻值设定成适当的值，对于PTC电阻RP9J，可使用其额定功率较 低的器件或其耐压不高的器件，而不会出现问题。而且，恒流电路B9向NPN晶体管Q9馈送基极电流，使得NPN晶体管Q9在 因过热保护操作而被置于导通状态时，将向恒流电路A9的偏置电流端子T3馈 送的所有偏置电流拉出，只要恒流电路B9能馈送等于或大于向恒流电路A9的 偏置电流端子T3馈送的偏置电流的l/hFE(这里hFE是NPN晶体管Q9的h参数)的 电流即可。因而，通过将其恒定电流值设定成适当的值，对于恒流电路B9，可 使用其额定功率较低的器件或其耐压不高的器件，而不会出现问题。PTC电阻RP9—2被施加由PTC电阻RP9—2和电阻R9分压后所得到的脉动电 压。因此，PTC电阻RP9—2需要被设定成通过使用落在额定功率和额定电压以 内的值从而得到的电阻值。也可与从图6至图7A所进行的修改相同地对图8所示的配置和图9所示的配 置进行修改。S卩，恒流电路B8和B9可由具有适当的电阻值的电阻来取代。<恒流电路的配置的示例>接着，在图10中示出向LED模块馈送恒定电流从而驱动LED模块的恒 流电路——即上述第一至第九实施例中的恒流电路Al至A6、 A7A、 A7B、 A8、 A9的配置的示例。图IO所示的恒流电路设置有NPN晶体管Q10;电阻R10; 齐纳二极管ZD10;恒流端子T1及T2;以及偏置电流端子T3。NPN晶体管Q10的基极连接至齐纳二极管ZD10的阴极和偏置电流端子T3， NPN晶体管Q10的集电极连接至恒流端子T1，并且NPN晶体管Q10的发射极通27过电阻R10连接至齐纳二极管ZD10的阳极和恒流端子T2。另夕卜，在图11中示出向LED模块馈送恒定电流从而驱动LED模块的恒流电 路——即上述第一至第九实施例中的恒流电路A1至A6、 A7A、 A7B、 A8、及 A9的配置的示例。图ll所示的恒流电路设置有PNP晶体管Q11;电阻R11; 齐纳二极管ZD11;恒流端子T1及T2;以及偏置电流端子T3。PNP晶体管Q11的基极连接至齐纳二极管ZD11的阳极和偏置电流端子T3 ， PNP晶体管Q11的发射极通过电阻R11连接至齐纳二极管ZD11的阴极和恒流端 子T1，并且PNP晶体管Q11的集电极连接至恒流端子T2。图10和ll所示的恒流电路的两个恒定电流值都表示为(Vz —VBE)/R，这里 Vz表示齐纳二极管ZD10或ZDll的齐纳电压，Vbe表示NPN晶体管Q10或PNP晶 体管Q11的基极和发射极之间的电压，并且R表示电阻R10或R11的电阻值。图10所示的恒流电路和图U所示的恒流电路也可被用于将在之后描述的 第十至第十三实施例中。接着，在图12中示出使电流流入到负温度系数电阻(以下称为"NTC电阻") 或正温度系数电阻(以下称为"PTC电阻")的恒流电路——即上述第一、第二、 第五、第六、第八及第九实施例中的恒流电路B1、 B2、 B5、 B6、 B8及B9的配 置的示例。图12所示的恒流电路设置有NPN晶体管Q12—l及Q12—2;以及电 阻R12J及R12—2。NPN晶体管Q12—1的基极连接至NPN晶体管Q12—2的发射极和电阻R12一2 的一端，NPN晶体管Q12J的集电极连接至NPN晶体管Q12—2的基极和电阻 R12一l的一端。电阻R12—1的另一端和NPN晶体管Q12—2的集电极连接至恒流电 路的一侧上的恒流端子。NPN晶体管Q12—1的发射极和电阻R12一2的另一端连 接至恒流电路的另一侧上的恒流端子。另外，在图13中示出使电流流入到负温度系数电阻(以下称为"NTC电阻") 或正温度系数电阻(以下称为"PTC电阻")的恒流电路——即上述第一、第二、 第五、第六、第八及第九实施例中的恒流电路B1、 B2、 B5、 B6、 B8及B9的配 置的另一示例。图13所示的恒流电路设置有PNP晶体管Q13—1及Q13一2;以及 电阻R13—1及R13—2。PNP晶体管的Q13J的基极连接至PNP晶体管Q13一2的发射极和电阻R13一2的一端，PNP晶体管的Q13—l的集电极连接至PNP晶体管Q13-2的基极和电阻 R13—l的一端。PNP晶体管的Q13J的发射极和电阻R13—2的另一端连接至恒流 电路的一侧上的恒流端子，并且电阻R13一1的另一端禾卩PNP晶体管Q13—2的集电 极连接至恒流电路的另一侧上的恒流端子。图12和13所示的恒流电路的两个恒定电流值都表示为VBE/R，这里VBE表示每个晶体管的基极和发射极之间的电压，并且R表示每个电阻的电阻值。只要偏置电流端子T3和恒流端子T1或T2中的任一端子通过具有适当的值 的电阻连接在一起，则图10或11所示的恒流电路可被用作为使电流流入到负温度系数电阻或正温度系数电阻的恒流电路——即上述第一、第二、第五、第六、 第八及第九实施例中的恒流电路B1、 B2、 B5、 B6、 B8及B9中的每个恒流电路。只要偏置电流端子被安排成连接至NPN晶体管Q12一2或PNP晶体管Q13一2 的基极，则图12或图13所示的恒流电路就可被用作向LED模块馈送恒定电流从 而驱动1^0模块的恒流电路——即上述第一至第九实施例中的恒流电路八1至 A6、 A7A、 A7B、 A8、及A9中的每个恒流电路。而且，这些恒流电路还可被 用于将在之后描述的第十至第十三实施例中。<开关电路的配置的示例>接着，在图14中示出开关电路——即上述第五至第七实施例中的开关电 路C5、 C6、 C7A及C7B的配置的示例。图14所示的开关电路设置有晶闸 管TTY14;电阻R14;接触端子T4及T5;以及控制端子T6。晶闸管TTY14 的门极连接至控制端子T6和电阻R14的一端，晶闸管TTY14的阳极连接至接 触端子T4，并且晶闸管TTY14的阴极和电阻R14的另一端连接至接触端子 T5。在图15中示出开关电路——即上述第五至第七实施例中的开关电路C5、 C6、 C7A及C7B的配置的另一示例。图15所示的开关电路设置有双向三极晶 闸管TRI15;电阻R15;接触端子T4及T5;以及控制端子T6。双向三极晶闸管 TRI15的门极连接至控制端子T6和电阻R15的一端，双向三极晶闸管TRI15的阳 极连接至接触端子T4，并且TRI15的阴极和电阻R15的另一端连接至接触端子 T5。<第十实施例>29接着，在图16中示出根据本发明的第十实施例的LED驱动电路的配置。 图16所示的本实施例的LED驱动电路设置有桥式二极管2;恒流电路A16;开关电路C16;电阻R16J至R16—3;以及正温度系数(以下称为"PTC电 阻")RP16。注意开关电路C16被配置成图14或图15所示的那样。桥式二极管2的输入端连接至商用AC100V电源1 ，桥式二极管2的一个输出 端连接至LED模块3的阳极。恒流电路A16的恒流端子T1连接至LED模块3的阴 极，恒流电路A16的恒流端子T2连接至开关电路C16的接触端子T4。开关电路 C16的接触端子T5连接至桥式二极管2的另一输出端。而且，电阻R16一1的一端 连接至LED模块3的阴极，电阻R16J的另一端连接至恒流电路A16的偏置电流 端子T3和电阻R16一2的一端。电阻R16—2的另一端通过PTC电阻RP16连接至开 关电路C16的控制端子T6和电阻R16—3的一端。电阻R16—3的另一端连接至桥式 二极管2的另一输出端。将偏置电流从LED模块3的阴极通过电阻R16—1和R16—2和PTC电阻RP16 馈送到开关电路C16的控制端子T6。从商用AC100V电源1输出的AC电压由桥式二极管2进行全波整流，从而得 到其峰值约为141V的脉动电压并且将其施加到LED模块3。因此，流过LED模 块3的电流也成为脉动的，其峰值等于针对恒流电路A16设定的值(恒流电路A16 的恒定电流值)。在图16所示的本实施例的LED驱动电路中，随着环境温度上升，PTC电阻 RP16的电阻值增大，因此开关电路C16中的晶闸管或双向三极晶闸管的相位角 延迟，其结果是恒流电路A16的恒定电流值受到限制。当图16所示的本实施例 的LED驱动电路的环境温度达到预先设定的特定水平或更高时，开关电路C16 中的晶闸管或双向三极晶闸管的门极电流不足，因此，开关电路C16被置于断 开状态，并且恒流电路A16被置于断开状态。<第十一实施例>图17中示出根据本发明的第十一实施例的LED驱动电路的配置。图17所示的本实施例的LED驱动电路设置有桥式二极管2;恒流电路A17;开关电路C17;电阻R17J至R17—3;正温度系数电阻(以下称为"PTC电阻，，) ; 以及电容CAP17。注意开关电路C17被配置成图14或15所示的那样。桥式二极管2的输入端连接至商用AC100V电源1，桥式二极管2的一个输出 端连接至LED模块3的阳极。恒流电路A17的恒流端子T1连接至LED模块3的阴 极，恒流电路A17的恒流端子T2连接至开关电路C17的接触端子T4。开关电路 C17的接触端子T5连接至桥式二极管2的另一输出端。而且，电阻RI7一1的一端 连接至LED模块3的阴极，电阻R17一1的另一端连接至恒流电路AI7的偏置电流 端子T3和电阻R17—2的一端。电阻R17—2的另一端通过PTC电阻RP17连接至开 关电路C17的控制端子T6、电阻R17一3的一端和电容CAP17的一端。电阻R17—3 的另一端和电容CAP17的另一端连接至桥式二极管2的另一输出端。将偏置电流从LED模块3的阴极通过电阻R17—1和R17—2和PTC电阻RP17 馈送到开关电路C17的控制端子T6。从商用AC100V电源1输出的AC电压由桥式二极管2进行全波整流，从而得 到其峰值约为141V的脉动电压并且将其施加到LED模块3。因此，流过LED模 块3的电流也成为脉动的，其峰值等于针对恒流电路A17设定的值(恒流电路A17 的恒定电流值)。在图17所示的本实施例的LED驱动电路中，随着环境温度上升，PTC电阻 RP17的电阻值增大，因此开关电路C17中的晶闸管或双向三极晶闸管的相位角 根据PTC电阻RP17的电阻值和电容CAP17的电容值而延迟，其结果是恒流电路 A17的恒定电流值受到限制。当图17所示的本实施例的LED驱动电路的环境温 度达到预先设定的特定水平或更高时，开关电路C17中的晶闸管或双向三极晶 闸管的相位旋转180。，因此，开关电路C17被置于断开状态，并且恒流电路A17 被置于断开状态。<第十二实施例〉图18中示出根据本发明的第十二实施例的LED驱动电路的配置。图18所示的本实施例的LED驱动电路设置有桥式二极管2;恒流电路A18;开关电路C18;电阻R18J至R18—3;以及正温度系数电阻(以下称为"PTC电 阻")RP18。注意开关电路C18被配置成图14或15所示的那样。桥式二极管2的输入端连接至商用AC100V电源1，桥式二极管2的一个输出 端连接至LED模块3的阳极。恒流电路A18的恒流端子T1连接至LED模块3的阴 极，恒流电路A18的恒流端子T2连接至开关电路C18的接触端子T4。开关电路C18的接触端子T5连接至桥式二极管2的另一输出端。而且，电阻R18J的一端 连接至LED模块3的阴极，电阻R18—1的另一端连接至恒流电路A18的偏置电流 端子T3和电阻R18—2的一端。电阻R18—2的另一端连接至PTC电阻RP18的一端 和电阻RP18—3的一端。PTC电阻RP18的另一端连接至开关电路C18的控制端子 T6。电阻R18—3的另一端连接至桥式二极管2的另一输出端。将偏置电流从LED模块3的阴极通过电阻R18一1和R18—2和PTC电阻RP18 馈送到开关电路C18的控制端子T6。从商用AC100V电源1输出的AC电压由桥式二极管2进行全波整流，从而得 到其峰值约为141V的脉动电压并且将其施加到LED模块3。因此，流过LED模 块3的电流也成为脉动的，其峰值等于针对恒流电路A18设定的值(恒流电路A18 的恒定电流值)。在图18所示的本实施例的LED驱动电路中，随着环境温度上升，PTC电阻 RP18的电阻值增大，因此开关电路C18中的晶闸管或双向三极晶闸管的相位延 迟，其结果是恒流电路A18的恒定电流值受到限制。当图18所示的本实施例的 LED驱动电路的环境温度达到预先设定的特定水平或更高时，开关电路C18中 的晶闸管或双向三极晶闸管的门极电流不足，因此，开关电路C18被置于断开 状态，并且恒流电路A18被置于断开状态。<第十三实施例>图19中示出根据本发明的第十三实施例的LED驱动电路的配置。图19所示的本实施例的LED驱动电路设置有桥式二极管2;恒流电路A19;开关电路C19;电阻R19J至R19_3;正温度系数电阻(以下称为"PTC电阻")RP19J 及RP19—2。注意幵关电路C19被配置成图14或15所示的那样。桥式二极管2的输入端连接至商用AC100V电源1，桥式二极管2的一个输出 端连接至LED模块3的阳极。恒流电路A19的恒流端子T1连接至LED模块3的阴 极，恒流电路A19的恒流端子T2连接至开关电路C19的接触端子T4。开关电路 C19的接触端子丁5连接至桥式二极管2的另一输出端。而且，电阻R19一1的一端 连接至LED模块3的阴极，电阻R19J的另一端连接至恒流电路A19的偏置电流 端子T3和电阻R19—2的一端。电阻R19—2的另一端通过PTC电阻RP19—l连接至 PTC电阻RP 19_2的一端和电阻R19_3的一端。PTC电阻RP 19_2的另一端连接至开关电路C19的控制端子T6。电阻R19一3的另一端连接至桥式二极管2的另一输出端。可将偏置电流从LED模块3的阴极通过电阻R19J和R19—2进而通过PTC电 阻RP19J和RP19一2馈送到开关电路C19的控制端子T6。从商用AC100V电源1输出的AC电压由桥式二极管2进行全波整流，从而得 到其峰值约为141V的脉动电压并且将其施加到LED模块3;因此，流过LED模 块3的电流也成为脉动的，其峰值等于针对恒流电路A19设定的值(恒流电路A19 的恒定电流值)。在图19所示的本实施例的LED驱动电路中，随着环境温度上升，PTC电阻 RP19—1和RP19—2的电阻值增大，因此开关电路C19中的晶闸管或双向三极晶闸 管的相位角延迟，其结果是恒流电路A19的恒定电流值受到限制。当图19所示 的本实施例的LED驱动电路的环境温度达到预先设定的特定水平或更高时，开 关电路C19中的晶闸管或双向三极晶闸管的门极电流不足，因此，开关电路C19 被置于断开状态，并且恒流电路A19被置于断开状态。<第十四实施例>图21中示出本发明的第十四实施例中的LED驱动电路的配置。图21所 示的本实施例的LED驱动电路设置有桥式二极管2;恒流电路A21、 B21_l 及B21一2; NPN晶体管Q21一1及Q21一2;电阻R21;以及正温度系数电阻(以 下称为"PTC电阻")RP21。桥式二极管2的输入端连接至商用AC100V电源1，桥式二极管2的一个输出 端连接至LED模块3的阳极。恒流电路A21的恒流端子T1连接至LED模块3的阴 极，恒流电路A21的恒流端子T2连接至桥式二极管2的另一输出端。NPN晶体 管Q21—1的集电极连接至LED模块3的阴极，NPN晶体管Q21一1的发射极通过电 阻R21连接至恒流电路A21的偏置电流端子T3。而且，恒流电路B21J连接在 NPN晶体管Q21—1的基极和LED模块3的阴极之间。NPN晶体管Q21一2的集电极 连接至NPN晶体管Q21一1的基极，NPN晶体管Q21一2的发射极与恒流电路T2相 同，连接至桥式二极管2的另一输出端。而且，恒流电路B21一2设置在LED模块 3的阴极和NPN晶体管Q21一2的基极之间，并且PTC电阻RP21设置在NPN晶体管 Q21一2的基极和发射极之间。33NPN晶体管Q21—1由恒流电路B21一1和NPN晶体管Q21一2来控制，从而向恒 流电路A21的偏置电流端子T3馈送偏置电流。在图21所示的本实施例的LED驱 动电路中，NPN晶体管Q21一2控制NPN晶体管Q21—l的基极电流从而限制向恒 流电路A21的偏置电流端子T3馈送的偏置电流，以便限制恒流电路A21的输出， 该恒流电路A21向LED模块3馈送恒定电流从而驱动LED模块3 。从商用AC100V电源1输出的AC电压由桥式二极管2进行全波整流，从而得 到其峰值约为141V的脉动电压并且施加到LED模块3。因此，流过LED模块3 的电流也成为脉动的，其峰值等于针对恒流电路A21设定的值(恒流电路A21的 恒定电流值)。图21所示的本实施例的LED驱动电路中，随着环境温度上升，贝UPTC电阻 RP21的电阻值增大，致使NPN晶体管Q21一2的基极和发射极之间的电压增大。 从而，NPN晶体管Q21—l的基极电流减小，并且向偏置电流端子T3馈送的偏置 电流减小，因此，恒流电路A21的恒定电流受到限制。当图21所示的本实施例 的LED驱动电路的环境温度达到预先设定的特定水平或更高时，NPN晶体管 Q21一l被置于断开状态，其结果是不向恒流电路A21的偏置电流端子T3馈送偏 置电流。因此，恒流电路A21被置于断开状态。在将PTC电阻RP21安排在NPN晶体管Q21—2的基极和发射极之间的情况 下，通过将其电阻值设定成适当的值，对于PTC电阻RP21，可使用其额定功率 较低的器件或其耐压不高的器件，而不会出现问题。<第十五实施例>图22中示出根据本发明的第十五实施例的LED驱动电路的配置。图22 所示的本实施例的LED驱动电路设置有桥式二极管2;恒流电路A22及B22; NPN晶体管Q22J及Q22—2;电阻R22—1及R22—2;以及正温度系数电阻(以 下称为"PTC电阻")RP22。桥式二极管2的输入端连接至商用AC100V电源1，桥式二极管2的一个输出 端连接至LED模块3的阳极。恒流电路A22的恒流端子T1连接至LED模块3的阴 极，恒流电路A22的恒流端子T2连接至桥式二极管2的另一输出端。NPN晶体 管Q22—1的集电极连接至LED模块3的阴极，NPN晶体管Q22一1的发射极通过电 阻R22一1连接至恒流电路A22的偏置电流端子T3。而且，电阻R22一2连接在NPN晶体管Q22—1的基极和LED模块3的阴极之间。NPN晶体管Q22—2的集电极连接 至NPN晶体管Q22一1的基极，NPN晶体管Q22—2的发射极与恒流端子T2相同， 连接至桥式二极管2的另一输出端。而且，恒流电路B22设置在LED模块3的阴 极和NPN晶体管Q22一2的基极之间，并且PTC电阻RP22设置在NPN晶体管 Q22一2的基极和发射极之间。NPN晶体管Q22—1由电阻R22一2和NPN晶体管Q22—2来控帝ij，从而向恒流电 路A22的偏置电流端子T3馈送偏置电流。在图22所示的本实施例的LED驱动电 路中，NPN晶体管Q22一2控制NPN晶体管Q22J的基极电流从而限制向恒流电 路A22的偏置电流端子T3馈送的偏置电流，以便限制恒流电路A22的输出，该 恒流电路A22向LED模块3馈送恒定电流从而驱动LED模块3。从商用AC100V电源1输出的AC电压由桥式二极管2进行全波整流，从而得 到其峰值约为141V的脉动电压并且将其施加到LED模块3。因此，流过LED模 块3的电流也成为脉动的，其峰值等于针对恒流电路A22设定的值(恒流电路A22 的恒定电流值)。在图22所示的本实施例的LED驱动电路中，随着环境温度上升，PTC电阻 RP22的电阻值增大，致使NPN晶体管Q22—2的基极和发射极之间的电压增大。 从而，NPN晶体管Q22J的基极电流减小，因此向偏置电流端子T3馈送的偏置 电流减小，其结果是恒流电路A22的恒定电流值受到限制。当图22所示的本实 施例的LED驱动电路的环境温度达到预先设定的特定水平或更高时，NPN晶体 管Q22—l被置于断开状态，其结果是不向恒流电路A22的偏置电流端子T3馈送 偏置电流。因此，恒流电路A22被置于断开状态。在将PTC电阻RP22安排在NPN晶体管Q22一2的基极和发射极之间的情况 下，通过将其电阻值设定成适当的值，对于PTC电阻RP22，可使用其额定功率 较低的器件或其耐压不高的器件，而不会出现问题。<第十六实施例〉图23中示出根据本发明的第十六实施例的LED驱动电路的配置。图23 所示的本实施例的LED驱动电路设置有桥式二极管2;恒流电路A23; NPN 晶体管Q23一l及Q23—2;电阻R23_l至R23_3;以及正温度系数电阻(以下称 为"PTC电阻")RP23。桥式二极管2的输入端连接至商用AC100V电源1 ，桥式二极管2的一个输出 端连接至LED模块3的阳极。恒流电路A23的恒流端子T1连接至LED模块3的阴 极，恒流电路A23的恒流端子T2连接至桥式二极管2的另一输出端。NPN晶体 管Q23一1的集电极连接至LED模块3的阴极，NPN晶体管23一1的发射极通过电阻 R23—1连接至恒流电路A23的偏置电流端子T3。而且，电阻R23—2连接在NPN 晶体管Q23—1的基极和LED模块3的阴极之间。NPN晶体管Q23一2的集电极连接 至NPN晶体管Q23—l的基极，NPN晶体管R23一2的发射极与恒流端子T2相同， 连接至桥式二极管2的另一输出端。而且，电阻23—3设置在LED模块3的阴极和 NPN晶体管Q23—2的基极之间，并且PTC电阻RP23设置在NPN晶体管Q23一2的 基极和发射极之间。NPN晶体管Q23j由电阻R23一2和NPN晶体管Q23—2来控帝iJ，从而向恒流电 路A23的偏置电流端子T3馈送偏置电流。在图23所示的本实施例的LED驱动电 路中，NPN晶体管Q23一2控制NPN晶体管Q23一1的基极电流从而限制向恒流电 路A23的偏置电流端子T3馈送的偏置电流，以便限制恒流电路A23的输出，该 恒流电路A23向LED模块3馈送恒定电流从而驱动LED模块3 。从商用AC100V电源1输出的AC电压由桥式二极管2进行全波整流，从而得 到其峰值约为141V的脉动电压并且将其施加到LED模块3。因此，流过LED模 块3的电流也成为脉动的，其峰值等于针对恒流电路A23设定的值(恒流电路A23 的恒定电流值)。图23所示的本实施例的LED驱动电路中，随着环境温度上升，PTC电阻 RP23的电阻值增大，致使NPN晶体管Q23一2的基极和发射极之间的电压增大。 从而，NPN晶体管Q23一1的基极电流减小，并且向偏置电流端子T3馈送的偏置 电流减小，因此，恒流电路A23的恒定电流值受到限制。当图23所示的本实施 例的LED驱动电路的环境温度达到预先设定的特定水平或更高时，NPN晶体管 Q23一l被置于断开状态，其结果是不向恒流电路A23的偏置电流端子T3馈送偏 置电流。因此，恒流电路A23被置于断开状态。在将PTC电阻RP23安排在NPN晶体管Q23—2的基极和发射极之间的情况 下，通过将其电阻值设定成适当的值，对于PTC电阻RP23，可使用其额定功率 较低的器件或其耐压不高的器件，而不会出现问题。而且，电阻R23—3向NPN晶体管Q23—2馈送基极电流，并且流过电阻23一2 的电流被用于控制NPN晶体管Q23J ，该NPN晶体管Q23J向恒流电路A23的偏 置电流端子T3馈送偏置电流。只要将电阻R23—3的电阻值设定成适当的值，即 使未达到针对过热保护操作设定的温度，当LED模块3等变得异常(短路或接近 短路)导致可能会对恒流电路A23施加正常动作范围以外的电压的情况下，NPN 晶体管Q23—2的基极和发射极之间的电压上升，NPN晶体管Q23—l的基极和发 射极之间的电压减小，向偏置电流端子T3馈送的偏置电流减小，因此恒流电路 A23的恒定电流值受到限制。因而，可将电阻R23一3用作对恒流电路A23的恒定 电流值进行限制的过热保护电路。
<其它〉
在图14所示的开关电路中，晶闸管TTY14可用光敏晶闸管来取代，而在 图15所示的开关电路中，双向三极晶闸管TRI15可用光敏双向三极晶闸管来 取代。为此，输入侧上的阴极引线需要接地。
本发明的LED驱动电路的输入电压不限于日本国内商业上提供的100V电 压。通过将本发明的LED驱动电路的电路常数设定成适当的值，从而能将其它 国家在商业上提供的电压或降压后的交流电压用作本发明的LED驱动电路的
输入电压。
而且，通过对本发明的LED驱动电路添加诸如电流熔断器的保护器件，可 提供更加安全的LED驱动装置。
而且，在除图10至图15以外的图1至19及图21至23的每个图中，不仅可将
向具有正或负温度系数的相应的电阻馈送电流的恒流电路或电阻的一端连接 至LED模块的阴极，而且还可通过将电流值或电阻值设定成适当的值从而连接 至LED模块的阳极。
例如，在图l的情况中，NTC电阻RN1的一端连接至LED模块3的阴极，在 图5的情况中，恒流电路B5的一端连接至LED模块3的阴极。每一端也可连接至 LED模块3的阳极。
由此，保证能在恒流电路A1至A19启动之前，可靠地使恒流电路A1至A19 和开关电路C5至C19导通和断开或对其进行限制。
而且，通过从图10至13所示的恒流电路和图14及15所示的开关电路中分别适当地选择恒流电路和开关电路，并且将它们适当地加以连接，从而可将配备
有过热保护功能的LED驱动电路连接在桥式二极管和LED模块的阳极之间。
过热保护部是由热敏电阻等形成的部分，该热敏电阻的电阻值随温度而有 较大变化，并且当发生过热现象时限制电流。热敏电阻等设置在发热区域或其 附近，来检测过热。而且，与某些在AV电源的后级设置调光电路以控制光线 的白炽灯等相同，根据本发明的电路中也可设置调光电路以控制光线。
权利要求
1.一种LED驱动电路，该LED驱动电路驱动LED，其特征在于，包括整流电路，所述整流电路将交流电压转换成脉动电压；恒流电路；以及过热保护部，所述过热保护部限制所述恒流电路的输出，其中所述LED和所述恒流电路串联连接在所述整流电路的输出侧上。
2. 如权利要求1所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述过热保护部包括PNP晶体管；以及电阻，所述电阻具有负温度系数，并且设置在所述PNP晶体管的基极和 发射极之间。
3. 如权利要求2所述的LED驱动电路，其特征在于，所述PNP晶体管的所述发射极和集电极连接至其中流通从所述恒流电路 输出的恒定电流的路径。
4. 如权利要求2所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述过热保护部还包括恒流源，所述恒流源与具有所述负温度系数的所述电阻串联连接， 其中所述PNP晶体管的所述基极和所述发射极之间的电压值是通过将所述恒流源的恒定电流值与具有所述负温度系数的所述电阻的电阻值相乘而得到的乘积。
5. 如权利要求2所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述过热保护部还包括-电阻元件，所述电阻元件与具有所述负温度系数的所述电阻串联连接， 其中所述PNP晶体管的所述基极和发射极之间的电压值是通过将流过具有所述负温度系数的所述电阻及所述电阻元件的电流的电流值与具有所述负温度系数的所述电阻的电阻值相乘而得到的乘积。
6. 如权利要求1所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述过热保护部包括NPN晶体管；以及电阻，所述电阻具有负温度系数，并且设置在所述NPN晶体管的基极和发射极之间，所述NPN晶体管的所述发射极和集电极连接至其中流通从所述恒流电路 输出的恒定电流的路径。
7. 如权利要求1所述的LED驱动电路，其特征在于，还包括 开关电路，所述开关电路切换所述恒流电路的导通和断开， 其中所述LED、所述恒流电路和所述开关电路串联连接在所述整流电路的输出侧上，并且所述过热保护部控制所述开关电路。
8. 如权利要求7所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述过热保护部包括-双极晶体管，所述双极晶体管向所述开关电路的控制端子馈送偏置电流；以及电阻，所述电阻具有负温度系数，并且其一端连接至所述双极晶体管的基极，其中所述双极晶体管的所述基极和发射极之间的电压根据具有所述负温 度系数的所述电阻的电阻值而变化。
9. 如权利要求7所述的LED驱动电路，其特征在于，所述过热保护部包括NPN晶体管，所述NPN晶体管将向所述开关电路的控制端子馈送的偏置 电流拉出；以及电阻，所述电阻具有正温度系数，并且其一端连接至所述NPN晶体管的 基极，其中所述NPN晶体管的所述基极和发射极之间的电压根据具有所述正温 度系数的所述电阻的电阻值而变化。
10. 如权利要求8所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述过热保护部还包括恒流源，所述恒流源与具有所述负温度系数的所述电阻串联连接，其中所述双极晶体管的所述基极和发射极之间的电压值是通过将所述恒 流源的恒定电流值与具有所述负温度系数的所述电阻的电阻值相乘而得到的 乘积。
11. 如权利要求9所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述过热保护部还包括恒流源，所述恒流源与具有所述正温度系数的所述电阻串联连接，其中所述NPN晶体管的所述基极和发射极之间的电压值是通过将所述恒 流源的恒定电流值与具有所述正温度系数的所述电阻的电阻值相乘而得到的 乘积。
12. 如权利要求8所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述过热保护部还包括电阻元件，所述电阻元件与具有所述负温度系数的所述电阻串联连接， 其中所述双极晶体管的所述基极和发射极之间的电压值是通过将流过具有所述负温度系数的所述电阻及所述电阻元件的电流的值与具有所述负温度系数的所述电阻的电阻值相乘而得到的乘积。
13. 如权利要求9所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述过热保护部还包括电阻元件，所述电阻元件与具有所述正温度系数的所述电阻串联连接， 其中所述NPN晶体管的所述基极和发射极之间的电压值是通过将流过具有所述正温度系数的所述电阻及所述电阻元件的电流的值与具有所述正温度系数的所述电阻的电阻值相乘而得到的乘积。
14. 如权利要求1所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述过热保护部包括NPN晶体管，所述NPN晶体管将向所述恒流电路馈送的偏置电流拉出；以及电阻，所述电阻具有正温度系数，并且设置在所述NPN晶体管的基极和发射极之间。
15. 如权利要求14所述的LED驱动电路，其特征在于，所述过热保护部包括恒流源，所述恒流源与具有所述正温度系数的所述电阻串联连接，其中所述NPN晶体管的所述基极和发射极之间的电压值是通过将所述恒 流源的恒定电流值与具有所述正温度系数的所述电阻的电阻值相乘而得到的 乘积。
16. 如权利要求14所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述过热保护部还包括电阻元件，所述电阻元件与具有所述正温度系数的所述电阻串联连接， 其中所述NPN晶体管的所述基极和发射极之间的电压值是通过将流过具有所述正温度系数的所述电阻及所述电阻元件的电流的值与具有所述正温度系数的所述电阻的电阻值相乘而得到的乘积。
17. 如权利要求14所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述过热保护部还包括另一电阻，所述另一电阻具有正温度系数，并且与具有所述正温度系数的 所述电阻分开设置，其中具有所述正温度系数的所述另一电阻被设置在向所述恒流电路馈送 所述偏置电流的路径上。
18. 如权利要求1所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述过热保护部包括NPN双极晶体管，所述NPN双极晶体管向所述恒流电路的偏置电流端子 馈送偏置电流；控制用NPN双极晶体管及第一恒流源，所述控制用NPN双极晶体管及第 一恒流源分别连接至所述NPN双极晶体管的基极，并且用于控制所述偏置电 流；电阻，所述电阻具有正温度系数，并且其一端连接至所述控制用NPN双 极晶体管的基极；以及第二恒流源，所述第二恒流源与具有所述正温度系数的所述电阻串联连接，其中所述控制用NPN晶体管的所述基极和发射极之间的电压值是通过将 所述第二恒流源的恒定电流值与具有所述正温度系数的所述电阻的电阻值相乘而得到的乘积。
19. 如权利要求1所述的LED驱动电路，其特征在于，所述过热保护部包括NPN双极晶体管，所述NPN双极晶体管向所述恒流电路的偏置电流端子 馈送偏置电流；控制用NPN双极晶体管及电阻元件，所述控制用NPN双极晶体管及电阻 元件分别连接至所述NPN双极晶体管的基极，并且用于控制所述偏置电流；电阻，所述电阻具有正温度系数，并且其一端连接至所述控制用NPN晶 体管的基极；以及恒流源，所述恒流源与具有所述正温度系数的所述电阻串联连接，其中所述控制用NPN双极晶体管的所述基极和发射极之间的电压值是通 过将所述恒流源的恒定电流值与具有所述正温度系数的所述电阻的电阻值相 乘而得到的乘积。
20. 如权利要求I所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述过热保护部包括NPN双极晶体管，所述NPN双极晶体管向所述恒流电路的偏置电流端子 馈送偏置电流；控制用NPN双极晶体管及第一电阻元件，所述控制用NPN双极晶体管及 第一电阻元件分别连接至所述NPN双极晶体管的基极，并且用于控制所述偏 置电流；电阻，所述电阻具有正温度系数，并且其一端连接至所述控制用NPN晶 体管的基极；以及第二电阻元件，所述第二电阻元件与具有所述正温度系数的所述电阻串联 连接，其中所述控制用NPN晶体管的所述基极和发射极之间的电压值是通过将 流过具有所述正温度系数的所述电阻及所述第二电阻元件的电流的值与具有 所述正温度系数的所述电阻的电阻值相乘而得到的乘积。
21. 如权利要求1所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述恒流电路包括第一电阻； 齐纳二极管；以及第一双极晶体管，所述第一双极晶体管的发射极连接至所述第一电阻的一 端，所述第一双极晶体管的基极连接至所述齐纳二极管的一端。
22. 如权利要求1所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述恒流电路包括第一双极晶体管； 第二双极晶体管；第一电阻，所述第一电阻的一端连接至所述第二双极晶体管的基极；以及 第二电阻，所述第二电阻设置在所述第一双极晶体管的基极和发射极之间，其中所述第一双极晶体管的集电极和所述第二双极晶体管的所述基极连 接在一起，并且所述第一双极晶体管的所述基极和所述第二双极晶体管的发射 极连接在一起。
23. 如权利要求7所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述开关电路包括 晶闸管或双向三极晶闸管；以及第一电阻，所述第一电阻设置在所述晶闸管或所述双向三极晶闸管的门极 和阴极之间。
24. 如权利要求7所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述开关电路包括 晶闸管或双向三极晶闸管；以及第一电阻，所述第一电阻设置在所述晶闹管或所述双向三极晶闸管的门极 和阴极之间， 并且所述过热保护部包括电阻，所述电阻具有正温度系数，并且设置在向所述晶闸管或所述双向三 极晶闸管的所述门极馈送偏置电流的路径上；以及电阻元件，所述电阻元件设置在所述晶闸管或所述双向三极晶闸管的所述门极和所述整流电路的负极输出端之间。
25. 如权利要求24所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述过热保护部包括电容，所述电容与所述电阻元件并联连接。
26. 如权利要求7所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述开关电路包括 晶闸管或双向三极晶闸管；以及第一电阻，所述第一电阻具有正温度系数，并且设置在所述晶闸管或所述 双向三极晶闸管的门极和阴极之间，并且所述过热保护部包括.-电阻，所述电阻具有正温度系数，并且其一端连接至所述晶间管或所述双 向三极晶闸管的所述门极；以及电阻元件，所述电阻元件设置在具有所述正温度系数的所述电阻的另一端 和所述整流电路的负极输出端之间。
27. 如权利要求26所述的LED驱动电路，其特征在于， 所述过热保护部还包括另一电阻，所述另一电阻具有正温度系数，并且与具有所述正温度系数的 所述电阻分开设置，其中具有正温度系数的所述另一电阻设置在向所述晶闸管或所述双向三 极晶闸管的所述门极馈送偏置电流的路径上。
28. 如权利要求1所述的LED驱动电路，其特征在于， 当所述恒流电路达到预定温度或更高时，所述过热保护部限制所述恒流电路的所述输出。
29. 如权利要求1所述的LED驱动电路，其特征在于，当所述LED模块达到预定温度或更高时，所述过热保护部限制所述恒流 电路的所述输出。
全文摘要
本发明涉及一种驱动LED的LED驱动电路，其设置有将交流电压转换成脉动电流的整流电路；恒流电路；以及对恒流电路的输出进行限制的过热保护部，其中LED和恒流电路串联连接在整流电路的输出侧上。
文档编号H05B37/02GK101646290SQ200910159288
公开日2010年2月10日 申请日期2009年8月6日 优先权日2008年8月6日
发明者丸山康弘, 小路弘之 申请人:夏普株式会社