本发明涉及一种工装加工，具体涉及一种cvd反应腔的加工方法。
背景技术：
在晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，是制作各种芯片的基础。化学气相沉积（简称cvd）是将几种含有构成薄膜材料元素的化合物或单质反应源气体通过反应室中，在晶圆表面生成新的固态物质沉积在表面的方法。cvd由于其晶体生长条件、反应物输送和化学反应过程及其特点的不同导致不同的cvd技术和设备结构。而cvd设备的主要差别体现在腔体和加热器上，因此反应腔为cvd构架的关键零部件。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种cvd反应腔的加工方法。
本发明的技术方案是：一种cvd反应腔的加工方法，包括如下步骤：
（1）选取零件料：选取一块方的铝板材料，
（2）钻工艺孔：在钻床上打孔，做成m16螺纹孔，；再在l板的相应位置做成φ18的孔，将零件毛坯反拉于l板上；
（3）粗加工零件：在加工中心上粗加工零件的反应腔左室、反应腔右室，且在零件的四角留四个工艺凸台，在工艺凸台中间部位加工4个m16螺纹；并在零件顶面、侧面留余量3mm；反拉上一步加工的m16螺纹，粗加工反面，侧面、顶面留余量3mm；
（4）钻侧面穿丝孔：用手枪钻在反应腔左室、反应腔右室之间的侧面加工出10mm的穿丝孔；
（5）调质、回火；
（6）精飞两平面：将零件的两平面侧压成光面；按已加工的两面作为基准，线割割出反应腔左室、反应腔右室之间的连接室；连接室为方形；
（7）精加工零件：在加工中心上利用l板工装反拉零件精加工零件的背面反应腔左室、反应腔右室，且将腔体外形加工出；在卧式加工中心上精加工出零件的正面反应腔左室、反应腔右室，反应腔左室、反应腔右室四壁上的进气孔，反应腔左室、反应腔右室外壁的密封槽，正面螺纹孔。
进一步的技术方案，步骤（7）中，加工的同心度为0.08mm；密封槽为小下大喇叭口状，且密封区域周围需达到ra0.8的要求。
进一步的技术方案，步骤（6）中，线割的立柱上臂移动到能穿过反应腔左室的位置，立柱下臂移动到穿过反应腔右室的位置，在工作台的位置上面固定工装，调节工装上的螺栓，使铝板材料水平，将钼丝穿入穿丝孔中，割出中间部分的连接室。
本发明的有益效果：
本发明通过对原有的cvd反应腔的加工方法进行改进，加工中间的方形连接室时，常用加工中心更换侧铣头加工，不仅更换时麻烦，加工时间也偏长，且加工后零件变形较大，易产生零件的不良。本发明中通过将线割割出中间部分的连接室，省略了设计和制造成形刀具的工序，并且线割与加工中心铣加工相比，无切削热，降低了零件的变形、节省了加工费用，缩短了生产周期。
附图说明
图1为本发明中cvd反应腔结构示意图俯视图，
图2为本发明中cvd反应腔结构示意图主视图，
其中，1、反应腔左室，2、反应腔右室，3、连接室，4、进气孔，5、密封槽。
具体实施方式
下面通过非限制性实施例，进一步阐述本发明，理解本发明。
如图1-2，本发明为一种cvd反应腔的加工方法，包括如下步骤：
（1）选取零件料：选取一块方的铝板材料，
（2）钻工艺孔：在钻床上打孔，做成m16螺纹孔，；再在l板的相应位置做成φ18的孔，将零件毛坯反拉于l板上；
（3）粗加工零件：在加工中心上粗加工零件的反应腔左室1、反应腔右室2，且在零件的四角留四个工艺凸台，在工艺凸台中间部位加工4个m16螺纹；并在零件顶面、侧面留余量3mm；反拉上一步加工的m16螺纹，粗加工反面，侧面、顶面留余量3mm；
（4）钻侧面穿丝孔：用手枪钻在反应腔左室1、反应腔右室2之间的侧面加工出10mm的穿丝孔；
（5）调质、回火；
（6）精飞两平面：将零件的两平面侧压成光面；按已加工的两面作为基准，线割割出反应腔左室1、反应腔右室2之间的连接室3：线割的立柱上臂移动到能穿过反应腔左室的位置，立柱下臂移动到穿过反应腔右室的位置，在工作台的位置上面固定工装，调节工装上的螺栓，使铝板材料水平，将钼丝穿入穿丝孔中，割出中间部分的连接室；
（7）精加工零件：在加工中心上利用l板工装反拉零件精加工零件的背面反应腔左室1、反应腔右室2，且将腔体外形加工出；在卧式加工中心上精加工出零件的正面反应腔左室1、反应腔右室2，反应腔左室1、反应腔右室2四壁上的进气孔4，反应腔左室1、反应腔右室2外壁的密封槽5，正面螺纹孔；加工的同心度为0.08mm；密封槽5为小下大喇叭口状，且密封区域周围需达到ra0.8的要求。
经本方法发明加工后的cvd反应腔结构紧凑，顶壁和底壁之间的距离非常接近，因此腔内前驱体分子在反应腔横向流动时可以多次撞击沉积表面，增加了分子化学吸附在表面的概率，从而使前驱体分子利用率高，反应曝光时间短。
进气孔中为多孔结构的分布方式，一组孔用于高纯氮气的输送，其他进气孔用于前驱体气体分子的输送。使前驱体分子和高纯氮气在反应室内能均匀分布，有效提高了反应腔气体的均衡性，提高了生长薄膜的均衡性。