一种激光粘贴方法与流程

本发明涉及粘接，特别是涉及一种激光粘贴方法。

背景技术：

1、目前，随着技术的发展，半导体被应用得越来越广泛，其粘贴精度要求高，但是其尺寸小而薄、易碎，针对这种情况，有必要研究新的粘贴工艺，以满足生产需求。

技术实现思路

1、本发明实施例的目的是提供一种激光粘贴方法，其能够满足半导体粘贴精度要求，同时提高生产合格率。

2、为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种激光粘贴方法，包括：

3、将半导体预热至第一温度，预热时间为第一预设时间；

4、将半导体加热至第二温度，加热时间为第二预设时间；其中，所述第二温度高于所述第一温度；

5、调整半导体至与基板相配合的预贴合位置，并通过激光焊接将所述半导体连接在所述基板上。

6、作为优选方案，所述第一温度为45-75℃，所述第二温度为100-130℃。

7、作为优选方案，所述第一预设时间为1-2秒，所述第二预设时间为1-2秒。

8、作为优选方案，所述将半导体预热至第一温度，具体包括：

9、采用激光将半导体预热至第一温度，频率为30khz，激光束是co2激光束，激光束的波长为8μm，激光束的激光功率密度为0.5w/mm2。

10、作为优选方案，将半导体预热至第一温度的激光光斑的直径小于或等于0.1毫米，热影响区域小于0.2毫米。

11、作为优选方案，所述将半导体加热至第二温度，具体包括：

12、采用激光将半导体加热至第二温度，频率为50khz，激光束是co2激光束，激光束的波长为12μm，激光束的激光功率密度为2w/mm2。

13、作为优选方案，将半导体加热至第二温度的激光光斑的直径小于或等于0.1毫米，热影响区域小于0.2毫米。

14、作为优选方案，所述调整半导体至与基板相配合的预贴合位置，并通过激光焊接将所述半导体连接在所述基板上，具体包括：

15、调整所述半导体，以使所述半导体位于与基板相配合的预贴合位置；

16、通过激光焊接将所述半导体粘接在所述基板上。

17、相比于现有技术，本发明实施例的有益效果在于：本发明实施例提供了一种激光粘贴方法，通过将半导体预热至第一温度，预热时间为第一预设时间，再将半导体加热至第二温度，加热时间为第二预设时间，其中，所述第二温度高于所述第一温度，接着，调整半导体至与基板相配合的预贴合位置，并通过激光焊接将所述半导体连接在所述基板上，这样，在激光焊接之前，半导体逐步升温，以避免半导体急速热膨胀造成伤害，从而能够满足半导体粘贴精度要求，同时提高生产合格率。

技术特征：

1.一种激光粘贴方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的激光粘贴方法，其特征在于，所述第一温度为45-75℃，所述第二温度为100-130℃。

3.如权利要求1所述的激光粘贴方法，其特征在于，所述第一预设时间为1-2秒，所述第二预设时间为1-2秒。

4.如权利要求1所述的激光粘贴方法，其特征在于，所述将半导体预热至第一温度，具体包括：

5.如权利要求4所述的激光粘贴方法，其特征在于，将半导体预热至第一温度的激光光斑的直径小于或等于0.1毫米，热影响区域小于0.2毫米。

6.如权利要求1所述的激光粘贴方法，其特征在于，所述将半导体加热至第二温度，具体包括：

7.如权利要求4所述的激光粘贴方法，其特征在于，将半导体加热至第二温度的激光光斑的直径小于或等于0.1毫米，热影响区域小于0.2毫米。

8.如权利要求1-7任一项所述的激光粘贴方法，其特征在于，所述调整半导体至与基板相配合的预贴合位置，并通过激光焊接将所述半导体连接在所述基板上，具体包括：

技术总结
本发明涉及粘接技术领域，公开了一种激光粘贴方法，通过将半导体预热至第一温度，预热时间为第一预设时间，再将半导体加热至第二温度，加热时间为第二预设时间，其中，所述第二温度高于所述第一温度，接着，调整半导体至与基板相配合的预贴合位置，并通过激光焊接将所述半导体连接在所述基板上，这样，在激光焊接之前，半导体逐步升温，以避免半导体急速热膨胀造成伤害，从而能够满足半导体粘贴精度要求，同时提高生产合格率。

技术研发人员：余周
受保护的技术使用者：东莞新科技术研究开发有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14