一种芯片焊接方法及显示模块与流程

1.本发明涉及激光焊接技术领域，具体涉及一种芯片焊接方法及显示模块。


背景技术：

2.激光焊接具有高效精准的特点，但是激光光斑可能比芯片大，在采用激光焊接芯片时，激光光斑会照射到基板未被芯片遮挡的局部区域，若基板的某一局部区域被连续照射，会导致基板的该局部区域温度过高，例如，在第一次被照射时，该局部区域温度为500℃，若紧接着再次照射该局部区域，该局部区域温度可能会上升至1000℃，此时，容易导致基板的损坏。


技术实现要素：

3.本发明的目的在于提供一种芯片焊接方法及采用该焊接方法焊接芯片的显示模块，以防止因基板局部区域温度过高导致的基板损坏。
4.为实现上述目的，本发明提供了一种芯片焊接方法，用于将若干个芯片焊接在基板上，该芯片焊接方法，在焊接第二芯片之前，判断激光的光斑是否会照射到焊接第一芯片时光斑在所述基板上的照射区域，所述第一芯片为在所述第二芯片前一个焊接在所述基板的芯片；若是，跳过所述第二芯片，先焊接激光的光斑不会照射到所述照射区域的第三芯片。
5.在一些实施例中，所述判断激光的光斑是否会照射到焊接第一芯片时光斑在所述基板上的照射区域，包括：
6.获取激光的光斑尺寸、芯片尺寸及所述若干个芯片在所述基板上的排布位置；
7.根据所述若干个芯片在所述基板上的排布位置获得各所述芯片之间的间距尺寸；
8.根据所述光斑尺寸、所述芯片尺寸及所述间距尺寸，判断激光的光斑是否会照射到焊接所述第一芯片时光斑在所述基板上的照射区域。
9.在一些实施例中，所述第三芯片是所述若干个芯片中除所述第二芯片之外，与所述第一芯片距离最近，且激光的光斑不会照射到所述照射区域的芯片。
10.在一些实施例中，若判断激光的光斑是否会照射到焊接第一芯片时光斑在所述基板上的照射区域，判断结果为是，在将所述第二芯片与所述基板焊接之前，还利用降温装置对所述照射区域进行降温。
11.在一些实施例中，若判断激光的光斑是否会照射到焊接第一芯片时光斑在所述基板上的照射区域，判断结果为是，获取所述照射区域的实际温度，在所述实际温度降低至预设温度或所述预设温度以下，再将所述第二芯片与所述基板焊接。
12.在一些实施例中，若判断激光的光斑是否会照射到焊接第一芯片时光斑在所述基板上的照射区域，判断结果为是，延迟预设时间之后，再将所述第二芯片与所述基板焊接。
13.在一些实施例中，所述预设时间为可以使所述照射区域的实际温度降低至预设温度或所述预设温度以下的时间。
14.在一些实施例中，所述先焊接激光的光斑不会照射到所述照射区域的第三芯片，包括：判断所述第一芯片和所述第二芯片所在直线延长线上是否有待焊接芯片；若有，则在所述待焊接芯片中选取所述第三芯片，并将所述第三芯片与所述基板焊接。
15.为实现上述目的，本发明提供了显示模块，该显示模块包括基板和焊接在所述基板上的若干个芯片，所述若干个芯片采用如上所述的芯片焊接方法焊接在所述基板上。
16.本发明在焊接在后焊接的芯片之前，先判断激光的光斑是否会照射到焊接前一个芯片时，光斑在基板上的照射区域，若不会照射到该照射区域，再将该在后焊接的芯片与基板焊接，若会照射到该照射区域，则跳过该在后焊接的芯片，先焊接激光的光斑不会照射到该照射区域的其它芯片，可以避免由于焊接芯片时，前后两次焊接光斑的照射区域重合导致的基板局部区域温度过高，而导致损坏基板。
附图说明
17.图1为本发明一实施例芯片焊接方法的流程图。
具体实施方式
18.为详细说明本发明的内容、构造特征、所实现目的及效果，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
19.显示模块一般包括有基板和设置在基板上的若干个发光芯片，在显示模块的制作过程中，需要将若干个发光芯片的电极与基板上的对应焊盘焊接，基板上除了设置焊盘之外，还设置有连接线路和一些必要的电子器件，以通过基板承载该若干个发光芯片、给该若干个发光芯片提供驱动电源以及控制该若干个发光芯片的开启与关闭。
20.本发明提供一种芯片焊接方法，在焊接在后焊接的芯片之前，先判断激光的光斑是否会照射到焊接前一个芯片时，光斑在基板上的照射区域，若不会照射到该照射区域，再将该在后焊接的芯片与基板焊接，若会照射到该照射区域，则跳过该在后焊接的芯片，先焊接激光的光斑不会照射到该照射区域的其它芯片，可以避免由于焊接芯片时，前后两次焊接光斑的照射区域重合导致的基板局部区域温度过高，而导致损坏基板。
21.下面，以具体实施例为例结合附图对本发明的芯片焊接方法进行详细说明。
22.请参阅图1，本发明一实施例的芯片焊接方法，在焊接第二芯片之前，判断激光的光斑是否会照射到焊接第一芯片时光斑在基板上的照射区域，第一芯片为在第二芯片前一个焊接在基板的芯片；
23.若否，将第二芯片与基板焊接；
24.若是，跳过第二芯片，先焊接激光的光斑不会照射到照射区域的第三芯片。
25.可以理解的，第一芯片、第二芯片、第三芯片并非特指某一个芯片，第一芯片可以是在将第二芯片与基板焊接之前，前一个与基板焊接的任意芯片，不限于是第一个与基板焊接的芯片，也不限于是排布在基板的某个位置的芯片，第三芯片可以是除了第一芯片、第二芯片以外的，还未与基板焊接，且焊接时激光的光斑不会照射到焊接第一芯片时光斑在基板上的照射区域的任意一个或多个芯片。
26.可以理解的，第一芯片、第二芯片、第三芯片并非特指一个芯片，也可以指多个芯片，当激光为线光源或面光源时，可以是系列芯片，激光同时焊接该系列芯片。
27.在焊接第三芯片之前，判断第一芯片和第二芯片所在直线延长线上是否有待焊接芯片；若有，则在待焊接芯片中选取第三芯片，可以使焊接设备沿着直线移动，简化移动过程。在焊接第三芯片之后，可以是直接返回焊接第二芯片，也可以在焊接第四芯片、第五芯片之后，再返回焊接第二芯片。其中，第四芯片可以是除了第一芯片、第二芯片、第三芯片以外的，还未与基板焊接，且焊接时激光的光斑不会照射到焊接第三芯片时光斑在基板上的照射区域的任意一个或多个芯片；第五芯片可以是除了第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片以外的，还未与基板焊接，且焊接时激光的光斑不会照射到焊接第四芯片时光斑在基板上的照射区域的任意一个或多个芯片。第四芯片、第五芯片也可以在第二芯片和第三芯片所在直线延长线上。
28.在一个实施例中，第三芯片是若干个芯片中除第二芯片之外，与第一芯片距离最近，且激光的光斑不会照射到照射区域的芯片。相邻的两次焊接，光斑的照射区域不重合但距离最近，可以避免相邻的两次焊接过程中用于发射激光的激光头移动距离过长，可以提高芯片焊接效率。
29.在一个实施例中，采用以下方式判断激光的光斑是否会照射到焊接第一芯片时光斑在基板上的照射区域：首先，获取激光的光斑尺寸、芯片尺寸及若干个芯片在基板上的排布位置；然后，根据若干个芯片在基板上的排布位置获得芯片之间的间距尺寸；再根据光斑尺寸、芯片尺寸及间距尺寸，判断激光的光斑是否会照射到焊接第一芯片时光斑在基板上的照射区域。
30.在一个实施例中，若判断激光的光斑是否会照射到焊接第一芯片时光斑在基板上的照射区域时，判断结果为是，在跳过第二芯片，焊接第三芯片之前；或，焊接第三芯片之后，焊接第二芯片之前；或，在焊接第三芯片的同时，还利用降温装置对照射区域进行降温。借此，可以加快照射区域的温度下降，减少等待照射区域降温以焊接第二芯片的时间和在满足连续的两次焊接的激光光斑不重合的情况下，缩短激光头的移动距离。
31.其中，可以是在激光头集成设置降温装置，如在激光头设置风机等对照射区域吹出冷风进行降温，也可以是额外设置独立于激光头的降温装置，例如，设置可移动的风机，通过使风机移动至对应于照射区域的位置，并朝照射区域吹出冷风来实现降温。
32.在一个实施例中，若判断激光的光斑是否会照射到焊接第一芯片时光斑在基板上的照射区域时，判断结果为是，还获取焊接第一芯片后，光斑在基板上的照射区域的实际温度，在实际温度降低至预设温度或预设温度以下，再将第二芯片与基板焊接。通过获取照射区域的实际温度，在照射区域的实际温度降低至预设温度或预设温度以下之后，再焊接第二芯片，可以避免焊接第二芯片时激光的光斑照射到焊接第一芯片时光斑在基板上的照射区域，因照射区域温度过高导致基板损坏。
33.在一个实施例中，若判断激光的光斑是否会照射到焊接第一芯片时光斑在基板上的照射区域时，判断结果为是，在延迟预设时间之后，再将第二芯片与基板焊接。
34.其中，预设时间为可以使焊接第一芯片时光斑在基板上的照射区域的实际温度降低至预设温度或预设温度以下的时间。例如，焊接第一芯片时，由于激光光斑的热作用，基板上对应于激光光斑的照射区域，温度会上升至500℃，若在不采取任何辅助降温措施情况
下，通过自然降温，照射区域的实际温度通常在3分钟之后会降低至预设温度，如200℃，那么，预设时间可以设置为至少3分钟；若通过降温装置对基板上的照射区域进行降温，照射区域的实际温度通常在1分钟之后会降低至预设温度，如200℃，那么，预设时间可以设置为至少1分钟。降温期间，可以同步焊接其它芯片。
35.通过推测预设时间之后，焊接第一芯片时光斑在基板上的照射区域的实际温度会降低至预设温度或预设温度以下，根据时间控制焊接，芯片焊接控制更加简单，易于实现。
36.综上，本发明在焊接在后焊接的芯片之前，先判断激光的光斑是否会照射到焊接前一个芯片时，光斑在基板上的照射区域，若不会照射到该照射区域，再将该在后焊接的芯片与基板焊接，若会照射到该照射区域，则跳过该在后焊接的芯片，先焊接激光的光斑不会照射到该照射区域的其它芯片，可以避免由于焊接芯片时，前后两次焊接光斑的照射区域重合导致的基板局部区域温度过高，而导致损坏基板。
37.以上所揭露的仅为本发明的较佳实例而已，不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，均属于本发明所涵盖的范围。