本发明涉及陶瓷，更具体地，涉及一种复合钎料、复合钎料焊膏及制备方法、氮化铝覆铜陶瓷及制备方法。
背景技术：
1、随着以半导体技术为核心技术的航空航天、电力电子、先进能源和先进装备制造等领域技术的发展，使得对功率器件封装材料的耐高温性能提出了更高的要求。其中，陶瓷材料由于具有优异的化学稳定性、耐腐蚀性、热导率、绝缘特性以及与半导体材料相近的热膨胀系数等优势，成为了高温功率器件封装材料的主要选择。
2、其中，氮化铝陶瓷相比氧化铝陶瓷和碳化硅陶瓷拥有更高的热导率，较低的介电常数以及热膨胀系数与硅相近，可以满足高温功率器件的封装要求。并且铜具有高导电性和优异的焊接性能，能刻蚀出多种形状的电路图形。故而，氮化铝覆铜陶瓷构成了高温功率器件封装的首选材料。
3、但氮化铝陶瓷和铜的热膨胀系数相差较大，在降温的过程中，由于二者的变形量不同，导致产生较大的残余应力，从而影响了钎焊接头的力学性能。
技术实现思路
1、本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种能够减少钎焊接合处的残余应力，显著改善钎焊接头的物理性能及力学性能的复合钎料、复合钎料焊膏及制备方法、氮化铝覆铜陶瓷及制备方法。
2、为实现上述目的，本发明的技术方案如下：
3、一种复合钎料，包括以下质量百分比的组分：
4、60wt.％～75wt.％的银、20wt.％～30wt.％的铜、3.0wt.％～4.5wt.％的钛和0.5wt.％～5.0wt.％的氮化铝晶须；所述银、所述铜、所述钛和所述氮化铝晶须的质量比为(60～75)：(20～30)：(3.0～4.5)：(0.5～5.0)。
5、本发明还提供了一种复合钎料焊膏，包括以下质量比的组分：
6、85wt.％～95wt.％的复合钎料和5wt.％～15wt.％的粘接剂；所述复合钎料为如上述的复合钎料；所述复合钎料和所述粘接剂的质量比为(85～95):(5～15)。
7、本发明还提供了一种复合钎料焊膏的制备方法，包括以下步骤：
8、提供以下质量份数的组分：85wt.％～95wt.％的复合钎料和5wt.％～15wt.％的粘接剂，所述复合钎料和所述粘接剂的质量比为(85～95):(5～15)；将所述复合钎料与所述粘接剂混合进行搅拌，得到所述复合钎料焊膏；所述复合钎料为如上述的复合钎料。
9、本发明还提供了一种氮化铝覆铜陶瓷，包括氮化铝陶瓷基体、复合钎料焊膏和金属铜，所述复合钎料焊膏设置于所述氮化铝陶瓷基体和所述金属铜之间，所述复合钎料焊膏用于粘结所述氮化铝陶瓷基体和所述金属铜；所述复合钎料焊膏为如上述的复合钎料焊膏，或如上述的复合钎料焊膏的制备方法制得。
10、本发明还提供了一种氮化铝覆铜陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
11、将复合钎料焊膏涂覆至氮化铝陶瓷基体表面，形成焊膏层；所述复合钎料焊膏为如上述的复合钎料焊膏，或如上述的复合钎料焊膏的制备方法制得；
12、将金属铜覆盖至所述焊膏层的表面，得到焊接试样；
13、将所述焊接试样进行真空钎焊，得到所述氮化铝覆铜陶瓷。
14、实施本发明实施例，将具有如下有益效果：
15、本发明实施例通过利用氮化铝晶须在复合钎料中的增强增韧作用，以及其在氮化铝陶瓷与金属铜之间的钉扎作用，制备高强度的氮化铝晶须增强氮化铝覆铜陶瓷，减少钎焊接合处的残余应力，显著改善了钎焊接头的物理性能及力学性能。
1.一种复合钎料，其特征在于，包括以下质量百分比的组分：
2.根据权利要求1所述的复合钎料，其特征在于，所述银的粒度为100目～600目；
3.一种复合钎料焊膏，其特征在于，包括以下质量比的组分：
4.根据权利要求3所述的复合钎料焊膏，其特征在于，所述粘接剂包括以下质量份数的组分：
5.根据权利要求4所述的复合钎料焊膏，其特征在于，所述高分子聚合物包括聚乙烯、聚丙烯、聚异丁烯中的一种或两种以上；
6.一种复合钎料焊膏的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
7.一种氮化铝覆铜陶瓷，其特征在于，包括氮化铝陶瓷基体、复合钎料焊膏和金属铜，所述复合钎料焊膏设置于所述氮化铝陶瓷基体和所述金属铜之间，所述复合钎料焊膏用于粘结所述氮化铝陶瓷基体和所述金属铜；
8.根据权利要求7所述的氮化铝覆铜陶瓷，其特征在于，所述复合钎料焊膏的厚度为20μm～70μm。
9.一种氮化铝覆铜陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
10.根据权利要求9所述的氮化铝覆铜陶瓷的制备方法，其特征在于，所述真空钎焊包括以下步骤：