清洁结构、清洁劈刀装置及使用方法与流程

本发明涉及一种清洁结构、清洁劈刀装置及使用方法，属于半导体。

背景技术：

1、目前半导体封装行业，wire bonding为整个封装工艺中最核心的工序，随着近几年的大功率产品需求和增加，为了承受更大的电流及较低的内阻值，粗铜线工艺成为了目前市场上主流，劈刀作为焊线产品的关键材料，在焊线过程中与芯片pad和框架lead直接接触进行连线从而实现导通作用，而粗铜线所需的焊线参数较大对劈刀磨损极快，后期会导致劈刀表面沾有大量的残铜和脏污，从而导致劈刀的功率传导性变差，造成产品虚焊、脱焊等品质问题，严重可能会产生可靠性风险，此类问题一直做为行业的痛点。

2、目前行业的解决办法就是通过降低劈刀的工作寿命来保证品质，降低劈刀寿命意味着成本增加，因此开发一种对劈刀清洁的技术尤为重要。

技术实现思路

1、针对上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种清洁结构、清洁劈刀装置及使用方法，通过设置清洁结构，劈刀在可以在清洁结构上做摩擦接触动作，清洁结构的摩擦单元将劈刀表面的铜残和脏污留带走从而达到清洁劈刀的目的。

2、为了达到上述目的，本发明提供了一种清洁结构，包括：清洁件，所述清洁件的表面均布摩擦单元。

3、进一步地，作为本发明一种更为优选地实施方案，所述清洁件的底部设有粘贴层。

4、进一步地，作为本发明一种更为优选地实施方案，所述清洁件采用纸质。

5、进一步地，作为本发明一种更为优选地实施方案，所述摩擦单元采用纸质颗粒。

6、进一步地，作为本发明一种更为优选地实施方案，所述摩擦单元的形状包括半圆形颗粒、条形或带状。

7、进一步地，作为本发明一种更为优选地实施方案，所述粘贴层采用耐热背胶。

8、进一步地，作为本发明一种更为优选地实施方案，所述耐热背胶的耐热温度范围为：150°-200°。

9、作为相同的方法构思，本发明还提供了一种清洁劈刀装置，包括治具和上述的清洁结构，所述治具的表面设置所述清洁结构。

10、本发明还提供了上述清洁劈刀装置的使用方法，包括以下步骤：s1、将清洁件固定在治具的表面；s2、劈刀停焊，将劈刀的输出端移动至清洁件；s3、控制劈刀的输出端在清洁件的表面做接触运动，使摩擦单元与控制劈刀产生摩擦带走劈刀内角处的残铜和脏污；s4、控制劈刀移出清洁件。

11、进一步地，作为本发明一种更为优选地实施方案，步骤s3中的接触运动为控制劈刀的输出端在所述摩擦单元上做画圆动作。

12、与现有技术相比，其有益效果为：

13、1、本发明通过设置清洁结构，劈刀可以在清洁结构上做摩擦接触动作，清洁结构的摩擦单元将劈刀表面的铜残和脏污留带走从而达到清洁劈刀的目的；能有效延长劈刀寿命，预防劈刀表面脏污所带来的焊线质量异常，如虚焊、脱焊、焊球不良等，从而提升成品良率，降低生产成本。

14、2、本发明方法通过控制劈刀的输出端在清洁件的表面做接触运动，使摩擦单元与控制劈刀产生摩擦带走劈刀内角处的残铜和脏污，步骤实用简单，劈刀使用清洁结构进行清洁后，焊接出的焊球直径，鱼尾成型质量一致性对比未清洁的劈刀有显著提升，且原材料成本低，可以广泛使用。

15、3、本发明方法控制劈刀的输出端在所述摩擦单元上做画圆动作，使得劈刀内角充分接触摩擦单元，清洁程度更好。

技术特征：

1.一种清洁结构，其特征在于，包括：清洁件(1)，所述清洁件(1)的表面均布摩擦单元(2)。

2.根据权利要求1所述的清洁结构，其特征在于，所述清洁件(1)的底部设有粘贴层(3)。

3.根据权利要求1所述的清洁结构，其特征在于，所述清洁件(1)采用纸质。

4.根据权利要求1所述的清洁结构，其特征在于，所述摩擦单元(2)采用纸质颗粒。

5.根据权利要求1所述的清洁结构，其特征在于，所述摩擦单元(2)的形状包括半圆形颗粒、条形或带状。

6.根据权利要求2所述的清洁结构，其特征在于，所述粘贴层(3)采用耐热背胶。

7.根据权利要求6所述的清洁结构，其特征在于，所述耐热背胶的耐热温度范围为：150-200℃。

8.一种清洁劈刀装置，其特征在于，包括治具(4)和权利要求1-7任一项所述的清洁结构，所述治具(4)的表面设置所述清洁结构。

9.一种清洁劈刀装置的使用方法，其特征在于，包括以下步骤：

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，步骤s3中的接触运动为控制劈刀(5)的输出端在所述摩擦单元(2)上做画圆动作。

技术总结
本发明属于半导体技术领域，公开了一种清洁结构，包括：清洁件，所述的表面均布摩擦单元。本发明通过在焊接设备的治具上设置清洁结构，劈刀可以在清洁结构上做摩擦接触动作，清洁结构的摩擦单元将劈刀表面的铜残和脏污留带走从而达到清洁劈刀的目的；通过本发明能有效延长劈刀寿命，预防劈刀表面脏污所带来的焊线质量异常，如虚焊、脱焊、焊球不良等，从而提升成品良率，降低生产成本。

技术研发人员：谭定华,黄泽军,蔡亚桥,吴杭
受保护的技术使用者：深圳市锐骏半导体股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16