晶圆隐形切割方法、装置、晶圆隐形切割设备及存储介质与流程

本发明涉及晶圆加工，尤其涉及一种晶圆隐形切割方法、装置、晶圆隐形切割设备及存储介质。

背景技术：

1、在半导体器件制造工序中，芯片会呈格子状分布于晶圆中，晶圆内部是自带有切割道的而隐形切割工序则是沿着特定的切割道，将晶圆中的芯片通过激光将晶圆内部改质的方式将芯片分割，以将芯片从晶圆中切割出来。具体切割过程一般为：隐形切割装置会将晶圆固定在工作盘上，随后对晶圆内部的切割道位置进行定位(对准)，再将激光打入切割道内，将硅片沿着切割道进行内部改质，完成切割。但由于光路镜片在工作过程中会存在一定的温度变化，热胀冷缩下光斑位置会有一定的波动，从而使实际切痕发生偏移，故需要定时进行切痕校准。

2、在现有技术中，通常需要先用检测镜头检测出切割道，然后再对着切割道进行隐形切割，随后对隐形切割后形成的切痕进行投影，但切出来的切痕因为光路的热胀冷缩等原因，并不一定会完全跟镜头中心重合，所以实际切痕可能会与检测镜头中心偏移，因此需要进行相应的位置补偿进行进一步地切割。而且此技术在测量前需先对晶片表面进行切割，无法达到提前预防误切割的效果，从而导致产生的坏品较多。此外，现有技术的隐形切割技术对晶片表面形貌有较高要求，如晶圆表面形貌存在发黑等现象，切痕将难以检测。例如，当隐切前已对晶圆表面开槽，隐切切痕将会被开槽切痕完全掩盖，导致无法正确检测。

技术实现思路

1、本发明提供了一种晶圆隐形切割方法、装置、晶圆隐形切割设备及存储介质，旨在降低晶圆表面形貌对切痕检测的影响，以提高晶圆隐形切割的成品率。

2、第一方面，本发明实施例提供了一种晶圆隐形切割方法，其包括：

3、将检测样品固定于检测机构上；

4、确定所述检测样品的切割位置，并根据所述切割位置对所述检测样品进行隐形切割得到切割检测样品；

5、获取所述切割检测样品的隐形切痕照片，并对所述隐形切痕照片进行分析得到切痕偏移量；

6、判断所述切痕偏移量是否处于预设偏移量范围内；

7、若所述切痕偏移量处于所述预设偏移量范围内，则对待切割晶圆进行隐形切割以得到芯片产品。

8、第二方面，本发明实施例还提供了一种晶圆隐形切割装置，其包括：

9、固定单元，用于将检测样品固定于检测机构上；

10、第一切割单元，用于确定所述检测样品的切割位置，并根据所述切割位置对所述检测样品进行隐形切割得到切割检测样品；

11、分析单元，用于获取所述切割检测样品的隐形切痕照片，并对所述隐形切痕照片进行分析得到切痕偏移量；

12、判断单元，用于判断所述切痕偏移量是否处于预设偏移量范围内；

13、第二切割单元，用于若所述切痕偏移量处于所述预设偏移量范围内，则对待切割晶圆进行隐形切割以得到芯片产品。

14、第三方面，本发明实施例还提供了一种晶圆隐形切割设备，其包括控制单元，所述控制单元包括存储器及处理器，所述存储器上存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述方法。

15、第四方面，本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序当被处理器执行时可实现上述方法。

16、本发明实施例提供了一种晶圆隐形切割方法、装置、晶圆隐形切割设备及存储介质。其中，所述方法包括：将检测样品固定于检测机构上；确定所述检测样品的切割位置，并根据所述切割位置对所述检测样品进行隐形切割得到切割检测样品；获取所述切割检测样品的隐形切痕照片，并对所述隐形切痕照片进行分析得到切痕偏移量；判断所述切痕偏移量是否处于预设偏移量范围内；若所述切痕偏移量处于所述预设偏移量范围内，则对待切割晶圆进行隐形切割以得到芯片产品。本发明实施例的技术方案，先在检测样品上确定切割位置，并进行隐形切割以得到检测样品的切痕照片，根据切痕照片得到检测样品的切痕偏移量，当切痕偏移量处于预设偏移量范围内时，则正式对待切割晶圆进行隐形切割以得到所需的芯片产品。只有在检测样品的切痕偏移量满足要求时才在晶圆上正式切割，提高了晶圆隐形切割的成品率，减少了晶圆坏品的产生；并且在晶圆正式切割前就完成了切痕偏移检测，无需在晶圆上进行切痕偏移检测，从而可避免晶圆表面形貌对切痕检测效果的影响。

技术特征：

1.一种晶圆隐形切割方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆隐形切割方法，其特征在于，所述确定所述检测样品的切割位置，并根据所述切割位置对所述检测样品进行隐形切割得到切割检测样品，包括：

3.根据权利要求2所述的晶圆隐形切割方法，其特征在于，所述对所述隐形切痕照片进行分析得到切痕偏移量，包括：

4.根据权利要求1所述的晶圆隐形切割方法，其特征在于，所述判断所述切痕偏移量是否处于预设偏移量范围内之后，还包括：

5.根据权利要求4所述的晶圆隐形切割方法，其特征在于，所述根据所述偏移补偿量及所述检测样品得到目标切痕偏移量，包括：

6.根据权利要求4所述的晶圆隐形切割方法，其特征在于，所述根据所述目标切痕偏移量对所述待切割晶圆进行隐形切割以得到所述芯片产品，包括：

7.根据权利要求1所述的晶圆隐形切割方法，其特征在于，所述将检测样品固定于检测机构上，包括：

8.一种晶圆隐形切割装置，其特征在于，包括：

9.一种晶圆隐形切割设备，其特征在于，所述晶圆隐形切割设备包括控制单元，所述控制单元包括存储器及处理器，所述存储器上存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-7中任一项所述的方法。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序当被处理器执行时可实现如权利要求1-7中任一项所述的方法。

技术总结
本发明涉及晶圆加工技术领域，其公开了一种晶圆隐形切割方法、装置、晶圆隐形切割设备及存储介质。其中方法包括：将检测样品固定于检测机构上；确定所述检测样品的切割位置，并根据所述切割位置对所述检测样品进行隐形切割得到切割检测样品；获取所述切割检测样品的隐形切痕照片，并对所述隐形切痕照片进行分析得到切痕偏移量；判断所述切痕偏移量是否处于预设偏移量范围内；若所述切痕偏移量处于所述预设偏移量范围内，则对待切割晶圆进行隐形切割以得到芯片产品。本发明实施例不仅提高了晶圆隐形切割的成品率，减少了晶圆坏品的产生；而且还可避免晶圆表面形貌对切痕检测效果的影响。

技术研发人员：周茂鹏,屈海峰
受保护的技术使用者：东莞忆联信息系统有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/19