专利名称：Izao透明导电膜的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种透明导电膜，特别是涉及IZA0(铟锌铝氧化物)透 明导电膜。
背景技术：
众所周知，IT0氧化铟锡透明导电膜以其优良的光电性能广泛地用于信 息显示领域，但也存在一些问题。一是室温或低温成膜电阻率与高温成膜电阻率相差很大； 二是高温成膜是结晶态，结晶晶届会引起光散射，也影响膜表面平滑度，对液晶显示和有机 发光显示0LED不利；三是蓝光波段透过率偏低，对某些应用、特别是对太阳能电池光电转 换效率有不利影响。实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是针对现有IT0透明导电膜的不 足，提供一种IZA0透明导电膜，解决高低温成膜电阻率相差太大的问题；在结构上形成非 晶态，改善膜表面平滑度，减小由于结晶晶界引起的光散射；并且展宽光学能隙宽度，改善 蓝光波段的透过率。本实用新型解决所述技术问题可以通过采用以下技术方案来实现本实用新型的技术解决方案是IZA0透明导电膜，包括基材层，在所述基材层上 还依次包括通过高频磁控溅射或中频磁控溅射形成的SiOx层或者Si02层，以及采用双阴 极直流磁控同时溅射三氧化二铟ln203靶和锌铝氧化物ZA0靶形成锌铝掺杂的IZA0透明导 电层。同现有技术相比较，本实用新型的技术效果在于高低温成膜电阻率相差小，IZA0 透明导电膜是非晶结构，导电膜表面平滑度高，结晶晶界引起的光散射减小，展宽了光学能 隙，改善了蓝光波段的透过率。
图1是本实用新型透明导电膜的横截面示意图。图2是采用双阴极溅射靶形成本实用新型的IZA0透明导电层的示意图。
具体实施方式
以下结合附图所示之优选实施例作进一步详述。如图1所示，IZA0透明导电膜包括基材层11，在所述基材层11上还依次包括SiOx 层或者Si02层12，以及IZA0透明导电层13。所述基材层为PET膜，厚度是25 u m-188 u m。 基材层还可以是玻璃，厚度为0. 4mm-5mm。所述SiOx层的厚度为3nm-5nm，Si02层的厚度为 30nm-50nm。所述IZA0(铟锌铝氧化物)透明导电层13的厚度为18nm-30nm。所述SiOx层 或者Si02层12采用现有常规的高频磁控溅射或中频磁控溅射形成。IZA0透明导电层13，采用双阴极直流磁控同时溅射三氧化二铟ln203靶和锌铝氧 化物ZA0靶形成。具体方法参看图2，本实施例采用双阴极即直流磁控溅射阴极1、4，在双 阴极1、4上安装ln203靶2和ZA0靶3，由ZA0靶直流电源输入5和ln203靶直流电源输入 6分别给ln203靶2和ZA0靶3引入直流电源功率。所述双阴极1、4是常规的直流磁控溅射阴极，只是阴极宽度较小，一般为 100-120mm，优选110mm。永磁体7和极靴8构成了磁场磁控体系。本实施例中阴极1、 4长度为1510mm，根据不同的使用场合所述阴极1、4长度可缩短或增长。所述ln203靶2是商用ln203靶材，靶材尺寸是6X100X 1500mm(厚度X宽度X长度)，跟阴极长度一 样，根据不同场合的使用要求，靶材长度可缩短或增长。所述ZA0靶3，是在ZnO中掺杂 A1203形成的陶瓷靶材，A1203的重量比是24%，优选的掺杂比例是3%。ZA0靶材的尺寸是 6X 100X 1500mm(厚度X宽度X长度)，跟阴极长度一样，根据不同场合的使用要求，靶材 长度可缩短或增长。所述ZA0靶直流电源输入5和ln203靶直流电源输入6是常规的磁控 溅射直流电源，最大输出功率均为20KW(1000V，20A)，根据直流磁控溅射阴极1、4，ln203靶 2和ZA0靶3长度的变化，可相应选用不同输出功率的直流电源。本实施例中，所述IZA0层是采用上述双阴极1、4和ln203靶2和ZA0靶3同时溅 射形成的掺杂膜。在0.2Pa 0.5Pa氩压强条件下，对靶2、3输入不同的直流功率溅射会形 成ln203和ZA0不同比例的掺杂膜。根据实验结果，在优选的氩压强条件下(0.35Pa)，所述 ln203靶2和ZA0靶3同时溅射时，ln203靶2直流输入功率与ZA0靶3直流输入功率之比 为10 4时，所述ln203和ZA0的成分比约为10 3时，所述IZA0膜的电阻率最低，约为 5 X 10_4 Q -cm ；此时改变成膜温度，从常温20°C到300°C，所述IZA0膜的电阻率变化不大，且 膜的结构均为非晶态，与成膜温度无关。实验还表明，所述IZA0膜的电阻率随ln203和ZA0 成分的比例变化而明显改变，而对溅射压强0. 2Pa-0. 5Pa和成膜温度20°C _300°C不敏感。本实施例用双阴极1、4和ln203靶2、ZA0靶3同时溅射制备IZA0膜，举例如下例一基材为PET膜(聚酯膜)，厚度175iim，可见光透过率88%，ln203靶材尺 寸 6 X 100 X 1500mm，ZA0 靴材尺寸 6 X 100 X 1500mm，溉射压强(Ar)0. 35Pa，镀膜速度 lm/ min，基材加热温度150°C 士5°C，ln203靶的输入功率(直流)5. 2KW，ZA0靶的输入功率(直 流)2. 1KW，获得的IZA0膜性能如下表面电阻350 口可见光透过率(380-780nm)彡85%电阻稳定性(RT/R。)彡士 10%RT表示150°C加热一小时后的表面电阻R。表示加热前的表面电阻 例二 只改变溅射功率，即ln203靶的输入功率(直流)为4. 3KW，ZA0靶的输入功 率(直流)为1. 7KW，其余条件与例一相同，获得的IZA0膜性能如下表面电阻400 口可见光透过率(380_780nm)彡86%电阻稳定性(RT/R。)彡士 10%RT表示150°C加热一小时后的表面电阻R。表示加热前的表面电阻上述例一、例二获得的所述IZA0膜的结构，均为非晶态。电阻率为7X10_4Q-cm， 比在玻璃基材上获得的最低电阻率(5X10_4Q-cm)要高，这可能是PET表面引起的界面效 应所致。
权利要求一种IZAO透明导电膜，包括基材层(11)，其特征在于在所述基材层(11)上还依次包括通过高频磁控溅射或中频磁控溅射形成的SiOx层或者SiO2层(12)，以及采用双阴极直流磁控同时溅射三氧化二铟In2O3靶和锌铝氧化物ZAO靶形成锌铝掺杂的IZAO透明导电层(13)。
2.根据权利要求1所述的IZA0透明导电膜，其特征在于所述基材层为PET膜，PET膜 ii m_188 ii m。
3.根据权利要求1所述的IZA0透明导电膜，其特征在于所述基材层为玻璃，厚度为 0. 4mm-5mm.
4.根据权利要求1所述的IZA0透明导电膜，其特征在于所述SiOx层的厚度为 3nm_5nm0
5.根据权利要求1所述的IZA0透明导电膜，其特征在于所述Si02层的厚度为 30nm_50nmo
6.根据权利要求1所述的IZA0透明导电膜的制造方法，其特征在于所述IZA0透明 导电层(13)的厚度为18nm-30nm。
专利摘要本实用新型涉及一种IZAO透明导电膜，包括基材层(11)，在所述基材层(11)上还依次包括通过高频磁控溅射或中频磁控溅射形成的SiOx层或者SiO2层(12)，以及采用双阴极直流磁控同时溅射三氧化二铟In2O3靶和锌铝氧化物ZAO靶形成锌铝掺杂的IZAO透明导电层(13)。同现有技术相比较，本实用新型的技术效果在于高低温成膜电阻率相差小，IZAO透明导电膜是非晶结构，导电膜表面平滑度高，结晶晶界引起的光散射减小，展宽了光学能隙，改善了蓝光波段的透过率。
文档编号C23C14/08GK201713564SQ20102921602
公开日2011年1月19日 申请日期2010年2月2日 优先权日2010年2月2日
发明者曾鸿斌 申请人:深圳市海森应用材料有限公司