专利名称：成膜装置和成膜方法
技术领域：
本发明涉及成膜装置和采用该成膜装置的成膜方法。
背景技术：
通常，当利用蒸镀、溅射等在诸如基片一类的成膜对象物上形成薄膜时，为控制所要形成的薄膜的厚度，在成膜室内配置石英振荡器。当成膜室内配置有石英振荡器时，在形成薄膜时，形成薄膜的成膜材料既沉积于石英振荡器上，又沉积于成膜对象物上。这里，当成膜材料沉积于石英振荡器上时，该石英振荡器的共振频率依据沉积于其上的成膜材料的量发生变化。利用此现象，可获知沉积于成膜对象物上的成膜材料的膜厚。具体的，由共振频率的变化量算出沉积在石英振荡器上的膜厚。利用预先确定的沉积在石英振荡器上的膜与沉积在成膜对象物上的膜的膜厚比，可获知沉积在成膜对象物上的成膜材料的膜厚。然而，随着成膜材料沉积在石英振荡器上，共振频率的变化量与沉积在成膜对象物上的膜厚值之间的关系偏离计算值。因此，难以长期精确地控制成膜对象物上的膜厚。日本专利申请特开No. 2008-122200公开了一种使膜厚值误差较小的方法，此膜厚值误差对于控制成膜对象物上的膜厚成为问题。更具体的，在日本专利申请特开 No. 2008-122200中，采用这样一种方法，除了传统的测量用石英振荡器外，成膜室内还设有用于校正由测量用石英振荡器的共振频率的变化量算出的膜厚值的偏差的校正用石英振荡器。在通常的成膜步骤中，首先，把成膜对象物移入成膜室，然后在该成膜对象物上成膜。这里，当在成膜对象物上成膜时，成膜材料沉积在测量用石英振荡器上，以控制该成膜对象物上的膜厚。成膜结束后，从成膜室取出成膜对象物，成膜步骤结束。然而，当成膜步骤重复多次时，成膜材料在每次执行成膜步骤时都沉积在测量用石英振荡器上，由此随着成膜步骤重复，膜厚控制精度降低。因此，采用校正用石英振荡器来实施校正步骤，以校正采用测量用石英振荡器算出的膜厚。日本专利申请特开No. 2008-122200公开的成膜方法中，在成膜步骤之间即一成膜步骤结束后且下一成膜步骤开始前执行校正步骤。此校正步骤中，首先，把成膜材料沉积在校正用石英振荡器和测量用石英振荡器两者上。然后，测量采用校正用石英振荡器确定的形成在成膜对象物上的薄膜的厚度(膜厚值Ptl)和采用测量用石英振荡器确定的形成在成膜对象物上的薄膜的厚度(膜厚值Mtl),确定校正系数&/%。然后，在校正步骤之后执行的成膜步骤中，通过把采用测量用石英振荡器算出的成膜对象物的膜厚值M1乘以预先确定的校正系数PcZMci,从而精确地控制成膜对象物上的膜厚。另一方面，日本专利申请特开No. 2004-091919公开了一种在成膜对象物的表面上形成厚度均一膜的装置和方法。日本专利申请特开No. 2004-091919公开的薄膜形成装置中，可移动的成膜源在固定的成膜对象物的下方以恒定的速度移动。通过采用此薄膜形成装置形成薄膜，即使成膜对象物具有较大的面积，也能够在该成膜对象物上形成厚度均一膜。
另外，日本专利申请特开No. 2004-091919公开的薄膜形成装置中，为监测从成膜源释放出的成膜材料量，设有膜厚传感器(相当于测量用石英振荡器)，其固定在成膜源的待机位置的上方。膜厚传感器可检测成膜材料的成膜速度，由此，当成膜速度到达预期水平时，成膜源移至成膜位置以在成膜对象物上成膜。如上所述，日本专利申请特开No. 2008-122200中，在成膜步骤之间执行校正步骤。然而，当在成膜步骤之间执行校正步骤时，此期间不在成膜对象物上成膜，从而存在生产力下降的问题。另一方面，日本专利申请特开No. 2004-091919中，膜厚传感器固定在成膜源的待机位置(不在成膜对象物上成膜的位置)，由此膜厚传感器不能监测成膜步骤过程中从成膜源释放出的成膜材料量。因此，即便在日本专利申请特开No. 2004-091919公开的薄膜形成装置内提供日本专利申请特开No. 2008-122200公开的校正用石英振荡器，也不能在成膜步骤过程中实施校正步骤。
发明内容
本发明是为解决上述问题而作出的，本发明的目的是提供一种可精确地控制形成在成膜对象物上的薄膜的厚度而不降低生产力的成膜装置和成膜方法。依据本发明，可提供能够精确地控制形成在成膜对象物上的薄膜的厚度而不降低生产力的成膜装置和成膜方法。自以下参照附图对示范实施例的说明，本发明的其它特征将变得明显。
图IA是表示当成膜源位于成膜待机位置时获得的依据本发明实施例的成膜装置的示意图，且图IB和IC是表示当成膜源位于成膜位置时获得的依据本发明此实施例的成膜装置的示意图。图2是表示图1A，IB和IC所示成膜装置的控制系统的电路框图。图3是表示形成在成膜对象物上的成膜材料的膜厚控制流程的流程图。图4是用于比较执行校正步骤时形成在成膜对象物上的薄膜的厚度与不执行校正步骤时的厚度的图表。图5A和5B是模拟预定周期内的成膜步骤和校正步骤随着时间经过的示图，图5A 是表示在成膜步骤当中执行校正步骤时的时间经过的示图，以及图5B是表示在成膜步骤之间执行校正步骤时的时间经过的示图。
具体实施例方式依据本发明的成膜装置包括成膜源、测量用石英振荡器和校正用石英振荡器。在依据本发明的成膜装置中，当在成膜对象物上形成成膜材料的薄膜时，在成膜源内加热该成膜材料以释放出成膜材料的蒸气。在依据本发明的成膜装置中，测量用石英振荡器是测量形成在成膜对象物上的成膜材料的薄膜厚度的石英振荡器，而校正用石英振荡器是校正测量用石英振荡器的石英振荡器。注意，本发明中，可任意决定校正用石英振荡器校正测量用石英振荡器的定时。
另外，在依据本发明的成膜装置中，提供用于在预定成膜待机位置与预定成膜位置之间移动成膜源的移动部。移动部保持测量用石英振荡器和校正用石英振荡器，以维持它们相对于成膜源的相对位置。以下参照
依据本发明的成膜装置，然而本发明不限于此。另外，在不脱离本发明的主旨的情况下可对本发明作适当的变更。图IA是表示当成膜源位于成膜待机位置时获得的依据本发明实施例的成膜装置的示意图，且图IB和IC是表示当成膜源位于成膜位置时获得的依据本发明此实施例的成膜装置的示意图。注意，图IA至IC是从前面看的成膜装置的示意剖视图。在图IA至IC所示的成膜装置1中，作为用于移动成膜源21的移动部的成膜源单元20设在成膜室10内的预定位置。此成膜源单元20内设置两种石英振荡器即测量用石英振荡器22和校正用石英振荡器23。以下，说明图IA至IC中所示的成膜装置1的形成部件。注意，图IA至IC所示的成膜装置1用于例如制造有机场致发光(EL)元件。图IA至IC所示的成膜装置1中，成膜室10与真空排气系统(未表示)连接。真空排气系统给成膜室10排气，以使其内的压力在1.0X10_4I^至1.0X10_6I^的范围内。图IA至IC所示的成膜装置1中，成膜源单元20可沿着设在成膜室10内的轨道 M沿图IA中所示的箭头方向，更具体的，在成膜待机位置与成膜位置之间往复移动。这里， 成膜待机位置是当不在成膜对象物30上形成成膜材料的膜时成膜源单元20的位置。更具体的，成膜待机位置是当成膜对象物30不位于成膜源单元20的正上方、如图IA中那样位于蒸发材料可附着范围以外时该成膜源单元20的位置。另一方面，成膜位置是当在成膜对象物30上形成成膜材料的膜时成膜源单元20的位置。更具体的，成膜位置是当成膜对象物30如图IB和IC那样位于蒸发材料可附着范围(成膜范围)以内时成膜源单元20的位置。注意，本发明中，未具体限定成膜源单元20的形状，但由从预定位置选择性地释放出成膜材料蒸气的观点来看，成膜源单元20优选是上部设有用于释放出成膜材料蒸气的开口部25的箱状体。通过使成膜源单元20为箱状体，可利用开口部25的形状来控制从该成膜源单元20释放出的成膜材料蒸气的行进方向和分布。另外，本发明中，未具体限定成膜源单元20的尺寸。注意，可考虑到成膜源单元20与包括成膜室10在内的其它部件的平衡来适当地设定成膜源单元20的尺寸。当成膜源单元20如图IA所示沿着轨道M在成膜待机位置与成膜位置之间往复移动时，用于控制移动速度的移动控制部(未表示)可设在该成膜源单元20内。特别的， 若移动控制部可以以恒定的速度移动成膜源单元20，则可在成膜对象物30上均勻地形成成膜材料的膜，这是优选的。可考虑到成膜对象物30的尺寸和成膜材料蒸气的分布来适当地设定设在成膜源单元20内的成膜源21的形状。另外，成膜源单元20内可提供多个成膜源21。成膜材料 (未表示)收容在设于成膜源单元20内的成膜源21中。通过利用设在成膜源21内的加热部(未表示)加热成膜材料，可从成膜源21释放出该成膜材料的蒸气。另外，成膜源单元20内，提供两种石英振荡器，即测量用石英振荡器22和校正用石英振荡器23。这里，两种石英振荡器(测量用石英振荡器22和校正用石英振荡器23)固
5定在成膜源单元20内的预定位置，更具体的，固定在石英振荡器不阻挡成膜材料蒸气移向成膜对象物30的位置。两种石英振荡器始终与成膜源21 —起移动，因此两种石英振荡器 (测量用石英振荡器22和校正用石英振荡器23)相对于成膜源21的相对位置始终保持在预定位置。换句话说，成膜源21和测量用石英振荡器22的相对位置以及成膜源21和校正用石英振荡器23的相对位置始终固定。以这种方式维持成膜源21与石英振荡器(测量用石英振荡器22和校正用石英振荡器2 的相对位置在监测从成膜源21释放出的成膜材料蒸气的量这一方面是重要的。注意，传感器闸门沈可设在两种石英振荡器(测量用石英振荡器22和校正用石英振荡器23)附近。通过设置传感器间门沈，可在预定的定时使成膜材料附着于各石英振荡器上，以及可在预定的定时使该成膜材料的蒸气被阻挡。设在成膜源单元20内的测量用石英振荡器22位于该测量用石英振荡器22可监测从成膜源21释放出的成膜材料量的位置。成膜材料沉积于测量用石英振荡器22上将改变该测量用石英振荡器22的共振频率。图2是表示图IA至IC所示成膜装置的控制系统的电路框图。如图2所示，利用膜厚测量设备41感测该测量用石英振荡器22的共振频率的变化量。然后，从膜厚测量设备41输出的电信号(与测量用石英振荡器22的共振频率的变化量信息有关的电信号)被发送给设在控制系统40内的温度调节器(未表示)以控制成膜源21的加热部，从而例如调整成膜材料的加热温度。这样，从成膜源21释放出的成膜材料的量被控制为恒定。设在成膜源单元20内的校正用石英振荡器23位于从成膜源21释放出的成膜材料(蒸气)可到达的位置。如图2所示，利用膜厚测量设备42感测由于成膜材料附着于校正用石英振荡器23上导致的校正用石英振荡器23的共振频率的变化量。然后，从膜厚测量设备42输出的电信号(与校正用石英振荡器23的共振频率的变化量信息有关的电信号) 被发送给控制系统40，接着又被发送给测量用石英振荡器22以适当地校正该测量用石英振荡器22。图IA至IC所示的成膜装置1中，利用运送机构(未表示)把诸如基片一类的成膜对象物30移入成膜室10内以及从成膜室10取出。当把成膜对象物30移入成膜室10 内时，采用支持部件(未表示)把该成膜对象物30支持在预定位置。接着，说明采用依据本发明的成膜装置的成膜方法。依据本发明的成膜方法的特别特征在于在成膜对象物上成膜的成膜步骤当中执行校正步骤。依据本发明的成膜方法中，校正步骤包括以下步骤(i)至(iii)(i)在测量用石英振荡器和校正用石英振荡器中的每个上形成成膜材料的膜的步骤；(ii)确定形成在校正用石英振荡器上的成膜材料的膜厚的测量值A和形成在测量用石英振荡器上的成膜材料的膜厚的测量值B的步骤；以及(iii)采用A相对于B的比(A/B)校正测量用石英振荡器的步骤。以下，具体地说明依据本发明的成膜方法。首先，作为成膜预备阶段，执行以下预备步骤测量每单位时间沉积在测量用石英振荡器22上的膜厚、每单位时间沉积在校对用石英振荡器23上的膜厚以及沉积在成膜对
6象物30上的膜厚，并基于测量值确定膜厚比。在此预备步骤中，首先，利用运送机构(未表示)把成膜对象物30移入成膜室10 内。然后，当从成膜源21释放出的成膜材料量到达预期水平时，成膜源单元20开始移动并在成膜对象物30上形成成膜材料的薄膜。当在预定移动条件下往复移动成膜源单元20预定次数后，使用运送机构(未表示)从成膜室10取出成膜对象物30。这里对于形成在已取出的成膜对象物30上的薄膜，采用光学式膜厚测量设备或者接触式膜厚测量设备测量薄膜的厚度。测量值(膜厚值)被假定为t。另一方面，可由测量用石英振荡器22的共振频率的变化量计算在成膜对象物30上形成成膜材料的膜时每单位时间沉积于测量用石英振荡器22上的薄膜的厚度。这里，每单位时间沉积于测量用石英振荡器22上的薄膜的厚度(膜厚值)被假定为M。于是，t相对于M的比(膜厚比)α被表示为α = t/M。类似于测量用石英振荡器22的情况，由校正用石英振荡器23的共振频率的变化量算出的每单位时间沉积在校正用石英振荡器23上的薄膜的厚度(膜厚值)被假定为P。 于是，t相对于P的比(膜厚比)β被确定为β = t/P。注意，β可被表示为β ( = t/P) =α ΧΜ/Ρ。这里，当确定膜厚比β时，优选通过例如采用传感器闸门沈来防止成膜材料过度地沉积在校正用石英振荡器23上。这会延长校正用石英振荡器23提供的膜厚测量精度保持较高的时间。在膜厚比α和β如上所述确定后，执行在成膜对象物30上形成成膜材料的膜的成膜步骤。成膜步骤中，首先，把作为成膜对象物30的基片移入成膜室10内。然后，使成膜源单元20于预定条件下在成膜待机位置与成膜位置之间往复移动，在成膜对象物30上形成成膜材料的膜。成膜结束后，从成膜室10取出成膜对象物30。通过重复成膜步骤，在多个成膜对象物30上形成成膜材料的膜。图3是表示形成在成膜对象物30上的成膜材料的膜厚控制流程的流程图。注意， 在图3所示的流程图中，还包括表示校正步骤的流程图。以下，还参照图2的电路框图进行说明。首先，当不执行校正步骤时，在校正用石英振荡器23附近的传感器闸门沈关闭的同时，成膜材料沉积到测量用石英振荡器22上。这里，与测量用石英振荡器22电连接的膜厚测量设备41测量该测量用石英振荡器22的共振频率的变化量。由膜厚测量设备41测得的共振频率的变化量，在该膜厚测量设备41内计算每单位时间沉积在测量用石英振荡器22上的膜的膜厚值Mc/。然后，膜厚测量设备41把膜厚值Mc/发送给设在与该膜厚测量设备41电连接的控制系统40内的温度调节器(未表示)，并确定沉积在成膜对象物30 上的薄膜的厚度即膜厚值、(=α XM0')。这里，若、大于预期膜厚，电信号从膜厚测量设备41发送给设在控制系统40内的温度调节器(未表示)，使该温度调节器降低成膜源21 的温度。另一方面，若、小于预期膜厚，电信号从膜厚测量设备41发送给该温度调节器， 使该温度调节器升高成膜源21的温度。当、等于预期膜厚时，电信号从膜厚测量设备41 发送给该温度调节器，使该温度调节器维持成膜源21的温度。注意，如上所述，测量用石英振荡器22与成膜源21之间的相对位置关系始终不改变，因此即便在成膜源单元20正移动时，也可始终监测膜厚值M0'，并可始终控制成膜源21的温度。因此，从成膜源21释放出的成膜材料量可保持恒定。然而，在成膜源21的操作过程中，成膜材料始终沉积到测量用石英振荡器22上， 因此膜厚测量精度逐渐降低。此情况下，执行下述校正步骤。校正步骤中，校正用石英振荡器23附近的传感器闸门沈在成膜步骤期间的任意定时开放。这里，通过使传感器闸门沈开放预定时间或更长，固定量的成膜材料沉积到校正用石英振荡器23上，由此可确定每单位时间形成在校正用石英振荡器23上的薄膜的厚度(膜厚值？》。与此同时，可确定每单位时间形成在测量用石英振荡器22上的薄膜的厚度 (膜厚值礼)。在膜厚值？1和礼确定后，传感器间门沈关闭。这里，形成在成膜对象物30 上的薄膜的厚度(膜厚值)可使用膜厚值P1确定为β P1，或者使用膜厚值M1确定为α Mp顺便一提的是，沉积到校正用石英振荡器23上的成膜材料的膜量极少，因此膜厚测量误差小。另一方面，大量成膜材料沉积到测量用石英振荡器22上，因此膜厚测量误差大。因此，不一定遵循^P1= αΜρ因此，膜厚值M1被乘以修正系数(β P1/a M1K接着， 可使采用测量用石英振荡器22确定的膜厚值等于采用校正用石英振荡器23确定的误差较小的膜厚值(β P1),由此可仅以较小的误差确定膜厚值。校正步骤后，确定沉积在测量用石英振荡器22上的膜的膜厚值M1'。然后，利用设在控制系统40内的温度调节器(未表示)控制成膜源21的温度，以使M1'乘以校正系数Y J= WP1V(CiM1))和α获得的值a Y1M1'为沉积在成膜对象物30上的预期膜厚值。如上所述适当地执行校正步骤。在第η次校正步骤后执行的成膜步骤中，成膜材料沉积到测量用石英振荡器22上，并在膜厚测量设备41内确定每单位时间沉积的成膜材料的膜厚值Mn'。然后，利用设在控制系统40内的温度调节器(未表示)控制成膜源 21的温度，使Mn'乘以校正系数(Y1X Y2X…X Yn)和α获得的值a X (Y1X Y2X… X Yn) XMn'为沉积在成膜对象物30上的预期膜厚值。基于在成膜步骤当中执行校正步骤这个前提，校正步骤可在任意定时执行，然而校正步骤也可每当经过预定时间长度时执行，或者可每当成膜对象物(在其上成膜)的数量达到多于一个的预定数量时执行。另外，校正步骤也可在测量用石英振荡器22的共振频率的衰减量达到预定水平时执行，或者在测量用石英振荡器22的共振频率达到某值时执行。图4是用于比较执行校正步骤时形成在成膜对象物30上的薄膜的厚度与不执行校正步骤时的厚度的图表。由其可明白，如图4所示，通过适当地实施校正步骤，可以减小形成在成膜对象物30上的膜厚误差。图5A和5B是模拟预定周期内的成膜步骤和校正步骤随着时间经过的示图，图5A 是表示在成膜步骤当中执行校正步骤时的时间经过的示图，以及图5B是表示在成膜步骤之间执行校正步骤时的时间经过的示图。换句话说，图5A是采用依据本发明的成膜方法时的示图，而图5B是采用传统成膜方法时的示图。图5A和5B表示一次成膜步骤的时间为十分钟且M小时重复如下循环的情况，每个循环包括五次成膜步骤和一次五分钟时间的校正步骤。如图5A和5B所示，通过在成膜步骤当中实施校正步骤，可使成膜步骤次数多于在成膜步骤之间执行校正步骤时的情形。
这里，如图IA至IC所示，依据本发明的成膜装置包括其内具有成膜源21的成膜源单元20、测量用石英振荡器22和校正用石英振荡器23。成膜源21和两个石英振荡器22 和23始终在维持它们之间的位置关系的情况下一起移动。因此，可在任意时间执行校正步骤。另外，通过在成膜步骤当中实施校正步骤，可执行成膜而不降低生产力、防止由于成膜对象物滞留导致的膜纯度下降、且膜厚精确。(例子)(例1)采用图IA至IC所示的成膜装置在基片上形成成膜材料的膜。此例中，通过使成膜源单元20以IOOOmm的输送距离和20mm/s的输送速度往复运动一次来成膜。基片(成膜对象物30)的纵向长度为500mm。另外，此例中，调整成膜源21的加热温度，使形成在基片(成膜对象物30)上的成膜材料的薄膜的厚度为lOOnm。另外，此例中，采用INFIC0N制造的具有金电极的6MHz石英振荡器作为测量用石英振荡器22和校正用石英振荡器23。首先，执行成膜预备步骤。此预备步骤中，首先，把用于测量膜厚的基片(成膜对象物30)移入成膜室10内。 在确认从成膜源21释放出的成膜材料的蒸气量已稳定在预期值时，开始以20mm/s的输送速度移动成膜源单元20。在成膜源单元20开始移动后经过十秒时，传感器间门沈开放，成膜材料沉积在校正用石英振荡器23上。然后，确定从传感器间门沈开放后经过30秒的时点起至经过90秒的时点内沉积在测量用石英振荡器22上的成膜材料的膜厚M(nm)和沉积在校正用石英振荡器23上的膜厚P(nrn)。当传感器闸门沈开放后经过91秒时，该传感器闸门沈关闭。然后，当成膜源单元20返回开始位置(成膜待机位置)时，采用运送机构(未表示)从成膜室10取出膜厚测量用基片(成膜对象物30)，接着采用光学式膜厚测量设备或者接触式膜厚测量设备测量膜厚。这确定了形成在此膜厚测量用基片上的薄膜的厚度(膜厚值t(nm))。于是，1分钟期间沉积在基片上的膜厚值相对于1分钟期间沉积在测量用石英振荡器22上的膜厚值的比α被表示为α =t/M，而1分钟期间沉积在基片上的膜厚值相对于1分钟期间沉积在校正用石英振荡器23上的膜厚值的比β被表示为β =t/P。注意，预备步骤中，基片的膜厚值t (nm)满足关系式t = α M = β P。然后，步骤前进至成膜步骤。成膜步骤中，首先，把作为成膜对象物30的基片移入成膜室10内。在基片被移入后，成膜源单元20开始移动。在成膜源单元20的移动完成后， 从成膜室10取出基片，且完成成膜步骤。随着成膜步骤被执行多次，膜沉积在测量用石英振荡器22上，由此，膜厚测量误差逐渐变大。因而，执行下述校正步骤。在第10次成膜步骤当中执行第1次校正步骤。更具体的，在成膜源单元20从待机位置开始移动后经过十秒时，传感器间门26开放。然后，确定从传感器间门沈开放后经过20秒的时点至经过80秒的时点沉积在测量用石英振荡器22上的成膜材料的膜厚(膜厚值=M1 (nm))和沉积在校正用石英振荡器23上的成膜材料的膜厚(膜厚值=P1 (nm))。这里，由M1和P1，形成在基片上的成膜材料的膜厚(膜厚值)被确定为α M1 (nm)或β P1 (nm)。然而，膜厚值CiM1(Iim)具有较大的误差，而膜厚值^P1(Iim)具有较小的误差。因此，不一定遵循β P1= α M^因而，确定校正系数Y1 = (PP1V(CiM1)tj在校正系数Y1确定后的成膜步骤中，调整成膜源21的加热温度，使1分钟期间沉积在测量用石英振荡器22上的膜的膜厚值M1'乘以校正系数[和膜厚比α获得的值(α X Y1XM1')为沉积在基片上的预期膜厚lOOnm。然而，若在成膜源单元20的移动当中改变成膜源21的加热温度，则从该成膜源 21喷射的成膜材料量会波动，或者所喷射的成膜材料量突然变化，以致形成在基片上的膜不均勻。因此，在成膜源单元20的移动完成后改变成膜源21的加热温度。这样，从成膜源 21喷射的成膜材料的波动在取出基片之后且移入下一基片之前结束，由此步骤可平稳地前进至下一成膜操作。如上所述，执行成膜步骤和校正步骤。在第IOn次成膜步骤当中执行的第η次校正步骤中，确定形成在各石英振荡器上的薄膜的厚度。更具体的，确定1分钟期间形成在校正用石英振荡器23上的成膜材料的膜厚(膜厚值Pn(nm))和1分钟期间形成在测量用石英振荡器22上的成膜材料的膜厚(膜厚值:Mn(nm))。然后，确定校正系数Yn为Yn = (β Pn) / ( α Mn)。在确定校正系数Y η后的成膜过程中，调整成膜源21的加热温度，使1分钟期间沉积在测量用石英振荡器22上的成膜材料的膜的膜厚(膜厚值Mn')乘以第1次至第 η次校正步骤中确定的校正系数和膜厚比α获得的值即α X(YlX Υ2Χ…X Υη)ΧΜη' 为100 (nm)。注意，如上所述，在成膜源单元20的移动完成后改变成膜源21的加热温度。作为此成膜的结果，显然可执行成膜而不降低生产力、防止由于基片(成膜对象物30)滞留在成膜室10内导致的膜纯度下降、且膜厚精确。尽管已参照示范实施例对本发明进行了说明，但应理解的是本发明不限于所公开的示范实施例。以下权利要求书的范围与最宽的解释一致，以涵盖所有的变型或等同的结构和功能。
权利要求
1.一种用于在成膜对象物上形成成膜材料的膜的成膜装置，包括 成膜源，用于加热所述成膜材料以及用于释放出所述成膜材料的蒸气； 移动部，用于使所述成膜源在预定成膜待机位置与预定成膜位置之间移动；测量用石英振荡器，用于监测从所述成膜源释放出的所述成膜材料的蒸气的量；以及校正用石英振荡器，用于校正所述测量用石英振荡器的测量值， 其中，所述移动部保持所述测量用石英振荡器和所述校正用石英振荡器。
2.一种成膜方法，包括成膜步骤，加热其内包括成膜材料的成膜源以释放出所述成膜材料的蒸气，且在采用测量用石英振荡器监测释放出的所述成膜材料的蒸气的量的同时在成膜对象物上形成所述成膜材料的膜；控制步骤，基于所述测量用石英振荡器的监测值调整所述成膜源的加热温度；以及校正步骤，采用校正用石英振荡器监测释放出的所述成膜材料的蒸气的量，并利用所述校正用石英振荡器的监测值校正所述测量用石英振荡器的监测值，其中 在所述成膜对象物上形成膜的所述成膜步骤当中执行所述校正步骤。
3.根据权利要求2所述的成膜方法，所述校正步骤包括利用所述测量用石英振荡器和所述校正用石英振荡器两者监测释放出的所述成膜材料的蒸气量；利用所述校正用石英振荡器的监测值确定所述成膜材料的膜厚值A，以及利用所述测量用石英振荡器的监测值确定所述成膜材料的膜厚值B ；以及采用所述膜厚值A相对于所述膜厚值B的比(A/B)计算校正系数。
4.根据权利要求2所述的成膜方法，其特征在于，采用根据权利要求1所述的成膜装置来执行所述成膜方法。
全文摘要
提供一种成膜装置和成膜方法，可精确地控制形成在成膜对象物上的薄膜的厚度。成膜装置(1)包括用于在预定成膜待机位置与预定成膜位置之间移动成膜源(21)的移动部(成膜源单元(20))，此移动部保持测量用石英振荡器(22)和校正用石英振荡器(23)以维持它们相对于成膜源(21)的相对位置。在成膜对象物上形成膜的成膜步骤当中执行利用校正用石英振荡器(23)的监测值校正测量用石英振荡器的监测值的校正步骤。
文档编号C23C14/24GK102465276SQ201110339500
公开日2012年5月23日 申请日期2011年11月1日 优先权日2010年11月4日
发明者中川善之, 中野真吾, 福田直人 申请人:佳能株式会社