专利名称：一种自清洁反光镜及其制备方法和应用的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种反光镜，特别是一种具有自清洁功能的反光镜及其制备方法。
背景技术：
现有技术常用的反光镜在汽车、急弯路、太阳能聚光器等使用过程中，暴露在空气中时间稍长，反光镜的表面就会附着大量灰尘污溃，使反光镜的光反射性能严重下降。另外水滴及液态油性污染物粘着在反射镜上时间过久也会使得反光镜性能严重降低，并且很难清洗，因此，常用的普通反光镜必须经常清洗，才能保持其反光性能。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种自清洁反光镜及其制备方法，以克服现有技术反光镜的缺陷，可以保持反光镜较长时间的清洁，有效维持反光镜的反射率。为达到上述目的，本发明的自清洁反光镜，包括一基板；及一具有自清洁功能的复合膜层，该复合膜层镀制于该基板上。上述自清洁反光镜，所述复合膜层包括一 Ag膜层；一覆盖于所述Ag膜层上的SiO2膜层；及一覆盖于所述SiO2膜层上的TiO2膜层。上述自清洁反光镜，所述复合膜层包括一 Ag膜层；及一覆盖于所述Ag膜层上的TiO2膜层。上述自清洁反光镜，所述复合膜层的厚度为300-700nm。上述自清洁反光镜，所述复合膜层中，所述Ag膜层的厚度为100_300nm，所述SiO2膜层厚度为100-200nm ;所述TiO2膜层厚度为100_200nm。上述自清洁反光镜，所述复合膜层中，所述Ag膜层为反射膜层，所述SiO2膜层为保护膜层；所述TiO2膜层为自清洁膜层。上述自清洁反光镜，所述基板为玻璃或者金属材质。更进一步的，本发明提供了一种自清洁反光镜的制备方法，包括以下步骤提供一基板；在所述基板上采用磁控溅射法镀制一具有自清洁功能的复合膜层。上述自清洁反光镜的制备方法，镀制复合膜层的步骤进一步包括镀制一 Ag膜层在所述基板上；镀制一 SiO2膜层在所述银膜层上；及镀制一 TiO2膜层在所述SiO2膜层上。上述自清洁反光镜的制备方法，镀制复合膜层的步骤进一步包括镀制一 Ag膜层在所述基板上；及镀制一 TiO2膜层在所述银膜层上。上述自清洁反光镜的制备方法，所述磁控溅射法采用的磁控溅射靶与所述基板的距离为200-300mm，Ag靶高为1-1. 5m宽为110_150mm厚为10_20mm ；Si02革巴高为1-1. 5m宽为 110-150mm 厚为 10_20mm ；Ti02 革巴高为 1-1. 5m 宽为 110-150mm 厚为 10_20臟。上述自清洁反光镜的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射法采用的真空室的真空度达到10-3数量级帕斯卡以下，并使该真空室内保持10-2帕斯卡数量级的动态平衡压强。
上述自清洁反光镜的制备方法，在镀制所述Ag膜层时，银靶表面的磁场强度为80-90高斯；调节溅射电压为-370V—380V，溅射电流为4-5A，基板温度为80摄氏度左右，Ag膜沉积速率控制在20-25nm/min。上述自清洁反光镜的制备方法，在镀制所述SiO2膜层时，Si02靶表面磁场强度为110高斯左右；射频电源功率控制在5-7千瓦范围；Si02膜沉积速率控制在3nm/min-5nm/min范围。上述自清洁反光镜的制备方法，在镀制所述TiO2膜层时，关闭扩散泵，开启分子泵，真空度10-3帕斯卡数量级以下，TiO2靶表面磁场强度为80-90高斯；溅射电压-420V左右；溅射电流4-5A;充入氩气和氧气，控制氩、氧的流量比为I : 4，Ti02膜成膜速率控制在10nm/min-14nm/mino上述自清洁反光镜的制备方法，所述Ag膜层的厚度为100_300nm，所述SiO2膜层 厚度为100-200nm ;所述TiO2膜层厚度为100_200nm。上述自清洁反光镜的制备方法，所述复合膜层中，所述Ag膜层为反射膜层，所述SiO2膜层为保护膜层，所述TiO2膜层为自清洁膜层。上述自清洁反光镜的制备方法，其特征在于，所述基板为玻璃或者金属材质。本发明进一步提供一种汽车，采用上述自清洁反光镜。本发明进一步提供一种太阳能聚光器，采用上述自清洁反光镜。与现有技术相比，本发明的复合膜层中采用的纳米二氧化钛薄膜，在紫外线照射下具有亲水性和分解污溃的双重作用，使得本发明的反光镜具有自清洁功能可以有效保持反光镜的高反射率。本发明及以下附图的结合仅为说明性的实施方式，并不为本发明的限制。
图IA为本发明自清洁反光镜的第一实施例剖面结构示意图；图IB为本发明自清洁反光镜的第二实施例剖面结构示意图；图2为本发明制备自清洁反光镜的方法流程图。
具体实施例方式藉由以下较佳实施例的详细描述，将可进一步了解本发明所述的方法及构造的特征及好处。参考图IA和1B，为本发明的自清洁反光镜的剖面结构示意图，如图所示，本发明的自清洁反光镜，包括基板I及采用磁控溅射法镀制于所述基板I上的具有自清洁功能复合膜层2,其中该基板为玻璃或金属材质。图IA为发明自清洁反光镜的第一实施例结构示意图，该复合膜层2为Ag-SiO2-TiO2膜层，即该复合膜层2包括一 Ag膜层21 ;—覆盖于该Ag膜层上的SiO2膜层22 覆盖于SiO2膜层上的TiO2膜层23，其中，Ag膜层为反射膜层，Si02膜层为保护膜层。该复合膜层的厚度为300-700nm。其中，Ag膜层21的厚度为100_300nm，所述Si02膜层22厚度为100-200nm ;所述TiO2膜层23厚度为100_200nm。图IB为本发明自清洁反光镜的第二实施例结构示意图，该复合膜层2为Ag-TiO2膜层，即该复合膜层2包括一 Ag膜层21及一覆盖于Ag膜层上的TiO2膜层23。其他结构同上述第一实施例。参考图2，本发明进一步提供了一种制备上述自清洁反光镜的方法，如图2所述，该方法包括以下步骤SI :提供一玻璃或金属基板；S2 :在该基板上采用磁控溅射法镀制一具有自清洁功能的复合膜层。该复合膜层为Ag-SiO2-TiO2膜层或者Ag-TiO2膜层。该镀制Ag-SiO2-TiO2膜层的步骤S2进一步包括S21 :镀制一 Ag膜层在所述基板上，该Ag膜层的厚度为100_300nm ；
S22 :镀制一 SiO2膜层在所述银膜层上，该SiO2膜层的厚度为100_200nm ；S23 :镀制一 TiO2膜层在所述SiO2膜层上，该SiO2膜层的厚度为100_200nm。镀制Ag-TiO2膜层的步骤S2进一步包括S21 :镀制一 Ag膜层在所述基板上；S23 镀制一 TiO2膜层在所述SiO2膜层上。在上述步骤SI中，将基板清洗干净后放入真空室内，基板与磁控溅射靶的距离为200-300mm, Ag 靶高 1-1. 5m 宽 110-150mm 厚 10_20mm ；Si02 靶高 1-1. 5m 宽 110-150mm 厚10-20mm ；Ti02祀高lm_l. 5m宽110mm-150_厚10mm-20mm。其中，真空室的真空度达到10_3数量级帕斯卡以下，并使该真空室内保持10-2帕斯卡数量级的动态平衡压强。在上述步骤S21中，镀制Ag膜层时，Ag靶表面的磁场强度为80_90高斯；调节溅射电压为-370V—380V，溅射电流为4-5A，基板温度为80摄氏度左右，Ag膜沉积速率控制在20-25nm/min，制得200nm的银膜约需要8_9分钟。在上述步骤S22中，镀制Si02膜层时，Si02靶表面磁场强度为110高斯左右；射频电源功率控制在5-7千瓦范围；Si02膜沉积速率控制在3nm/min-5nm/min范围，制得IOOnm的Si02膜层约需要20-30分钟。在上述步骤S23中，镀制所述TiO2膜层时，关闭扩散泵，开启分子泵，真空度10-3帕斯卡数量级以下，TiO2靶表面磁场强度为80-90高斯；溅射电压-420V左右；溅射电流4-5A ;充入氩气和氧气，控制氩、氧的流量比为I : 4，TiO2膜成膜速率控制在IOnm/min-14nm/min,制得200nm的Ti02膜层约需要14-16分钟。复合膜层的厚度约为300_700nm中，其中，Ag膜层作为反射膜层，其厚度约为100-300nm ；Si02膜层作为保护膜层，其厚度为100-200nm ；Ti02膜层作为自清洁膜层，且厚度为 100_200nm。本发明进一步提供一种汽车，采用上述方法制备自清洁反光镜。本发明进一步提供一种太阳能聚光器，采用上述方法制备的自清洁反光镜。与现有技术相比，本发明的复合膜层中采用的纳米二氧化钛薄膜，在紫外线照射下具有亲水性和分解污溃的双重作用，使得本发明的反光镜具有自清洁功能可以有效保持反光镜的高反射率。本说明书虽然已通过举例方式在附图中描述了本发明的具体实施方式
，并在本文中对其作了详细的说明，但是本发明还允许有各种修改和替换形式。本发明的附图内容可为不等比例，附图及其详细的描述仅为特定型式的揭露，并不为本发明的限制，相反的，依据权利要求保护范围的精神和范围内进行修改、均等构件及其置换皆为本发明所涵盖的范围。
权利要求
1.一种自清洁反光镜，其特征在于，包括 一基板； 一具有自清洁功能的复合膜层，该复合膜层镀制于该基板上。
2.根据权利要求I所述的自清洁反光镜，其特征在于，所述复合膜层包括 一 Ag膜层； 一覆盖于所述Ag膜层上的SiO2膜层； 一覆盖于所述SiO2膜层上的TiO2膜层。
3.根据权利要求I所述的自清洁反光镜，其特征在于，所述复合膜层包括 一 Ag膜层； 一覆盖于所述Ag膜层上的TiO2膜层。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的自清洁反光镜，其特征在于，所述复合膜层的厚度为 300_700nm。
5.根据权利要求2所述的自清洁反光镜，其特征在于，所述复合膜层中，所述Ag膜层的厚度为100-300nm，所述SiO2膜层厚度为100_200nm ;所述TiO2膜层厚度为100_200nm。
6.根据权利要求2所述的自清洁反光镜，其特征在于，所述复合膜层中，所述Ag膜层为反射膜层，所述SiO2膜层为保护膜层，所述TiO2膜层为自清洁膜层。
7.根据权利要求I所述的自清洁反光镜，其特征在于，所述基板为玻璃或者金属材质。
8.一种自清洁反光镜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤 提供一基板， 在所述基板上采用磁控溅射法镀制一具有自清洁功能的复合膜层。
9.根据权利要求8所述的自清洁反光镜的制备方法，其特征在于，镀制复合膜层的步骤进一步包括 镀制一 Ag膜层在所述基板上； 镀制一 SiO2膜层在所述银膜层上； 镀制一 TiO2膜层在所述SiO2膜层上。
10.根据权利要求8所述的自清洁反光镜的制备方法，其特征在于，镀制复合膜层的步骤进一步包括 镀制一 Ag膜层在所述基板上； 镀制一 TiO2膜层在所述银膜层上。
11.根据权利要求8所述的自清洁反光镜的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射法采用的磁控派射祀与所述基板的距离为200-300mm, Ag祀高为1-1. 5m宽为110_150mm厚为10-20mm ；Si02革巴高为1-1. 5m宽为110-150mm厚为10_20mm ；Ti02革巴高为1-1. 5m宽为110-150mm 厚为 10_20mm。
12.根据权利要求8所述的自清洁反光镜的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射法采用的真空室的真空度达到10-3数量级帕斯卡以下，并使该真空室内保持10-2帕斯卡数量级的动态平衡压强。
13.根据权利要求9所述的自清洁反光镜的制备方法，其特征在于，在镀制所述Ag膜层时，银靶表面的磁场强度为80-90高斯；调节溅射电压为-370V—380V，溅射电流为4-5A，基板温度为80摄氏度左右，Ag膜沉积速率控制在20-25nm/min。
14.根据权利要求9所述的自清洁反光镜的制备方法，其特征在于，在镀制所述SiO2膜层时，Si02靶表面磁场强度为110高斯左右；射频电源功率控制在5-7千瓦范围；Si02膜沉积速率控制在3nm/min-5nm/min范围。
15.根据权利要求9所述的自清洁反光镜的制备方法，其特征在于，在镀制所述TiO2膜层时，关闭扩散泵，开启分子泵，真空度10-3帕斯卡数量级以下，TiO2靶表面磁场强度为80-90高斯；溅射电压-420V左右；溅射电流4-5A ;充入氩气和氧气，控制氩、氧的流量比为I : 4, Ti02 膜成膜速率控制在 10nm/min-14nm/min。
16.根据权利要求9所述的自清洁反光镜的制备方法，其特征在于，所述Ag膜层的厚度为100-300nm，所述SiO2膜层厚度为100_200nm ;所述TiO2膜层厚度为100_200nm。
17.根据权利要求9所述的自清洁反光镜的制备方法，其特征在于，所述复合膜层中，所述Ag膜层为反射膜层，所述SiO2膜层为保护膜层，所述TiO2膜层为自清洁膜层。
18.根据权利要求8所述的自清洁反光镜的制备方法，其特征在于，所述基板为玻璃或者金属材质。
19.一种汽车，其特征在于，包括上述权利要求1-7中任一项所述的自清洁反光镜。
20.一种太阳能聚光器，其特征在于，包括上述权利要求1-7中任一项所述的自清洁反光镜。
全文摘要
本发明公开了一种自清洁反光镜，包括一基板及镀制于该基板上的具有自清洁功能的复合膜层，该复合膜层包括一Ag膜层；一覆盖于所述Ag膜层上的SiO2膜层；一覆盖于所述SiO2膜层上的TiO2膜层。本发明进一步公开了一种自清洁反光镜的制备方法及其应用。
文档编号C23C14/35GK102643035SQ20121012266
公开日2012年8月22日 申请日期2012年4月23日 优先权日2012年4月23日
发明者周改改, 王振声 申请人:大连宏海新能源发展有限公司