批处理式基板处理装置制造方法

批处理式基板处理装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及批处理式基板处理装置。本发明的批处理式基板处理装置的特征在于，具备：基板处理部（100），收容层叠在基板装载部（500）上的多个基板（40）并进行处理；供气部（200），其形成在基板处理部（100）的一侧外周面上，收容有供基板处理气体流通的至少一个供气流道(250)，以将基板处理气体供给至基板处理部(100)，其中，当基板（40）与基板处理部（100）的内周面之间的距离为d1，基板（40）与供气流道（250）之间的距离为d2时，d1≦d2。
【专利说明】批处理式基板处理装置【技术领域】
[0001]本发明涉及批处理式基板处理装置，更具体地，通过形成收容有供气流道的供气部，该供气部在基板处理部的一侧外周面上突出形成，从而能够减小进行基板处理工艺的内部空间。
【背景技术】
[0002]为了制造半导体元件，必须进行在硅晶片等基板上沉积必要的薄膜的工艺。在薄膜沉积工艺中主要使用派射法(Sputtering)、化学气象沉积法(CVD:Chemical VaporDeposition)、原子层沉积法(ALD:Atomic layer Deposition)等。
[0003]溅射法是将在等离子体状态下生成的氩离子撞击靶材表面，使从靶材表面脱离的靶材物质以薄膜状态沉积在基板上的技术。溅射法虽然能够形成粘附性优异的高纯度薄膜，但是在形成具有高纵横比(High Aspect Ratio)的细微图案时存在局限性。
[0004]化学气象沉积法是将各种气体注入到反应腔室内，将通过热、光或等离子体等被高能量诱导的气体与反应气体进行化学反应，以在基板上沉积薄膜的技术。由于化学气象沉积法利用迅速发生的化学反应，因此很难控制原子的热力学(Thermodynamic)稳定性,而且使薄膜的物理特性、化学特性以及电子特性降低。
[0005]原子层沉积法是交替供给作为反应气体的源气体和吹扫气体，以在基板上沉积原子层单位的薄膜的技术。由于原子层沉积法是为了克服阶梯覆盖性(Step Coverage)的局限性而利用表面反应的技术，因此适于形成具有高纵横比的细微图案，并且使薄膜具有优异的电子特性以及物 理特性。
[0006]原子层沉积装置可以分为，向腔室内逐一装载基板进行沉积工艺的单片式装置以及向腔室内装载多个基板，进行批量沉积工艺的批处理(Batch)式装置。
[0007]图1是表示现有的批处理式原子层沉积装置的立体图。
[0008]现有的批处理式原子层沉积装置具有形成腔室11的处理室10，该腔室11是通过装载基板40来进行沉积工艺的空间。并且，所述处理室10的内部设有沉积工艺所需的供气部20、排气部30等部件。此外，原子层沉积装置具有晶舟50，该晶舟50包括:与处理室10封闭结合的托架部51 ;插入到处理室10内部的突出部53 ;以及用于层叠多个基板40的支撑杆55。
[0009]如上所述的现有的原子层沉积装置，基板40与处理室10内周面之间的距离dl’大于基板40与供气部20之间的距离d2’(dl’ >d2’)，即，由于现有的批处理式原子层沉积装置在处理室10内部(或腔室11)设有供气部20、排气部30等部件，从而导致处理室10的内部腔室11的体积不必要地变大。
[0010]因此，为了进行沉积工艺而需要供给大量的工艺气体，以填充腔室11，从而导致增加供给工艺气体所需的时间消耗和工艺气体的浪费，并且增加在增加沉积工艺后排出大量存在于腔室11内部的工艺气体所需的时间。
[0011]此外，作为容易地承受腔室11内部的压力的理想的形态，现有的原子层沉积装置一般使用钟形的处理室10。但是，由于钟形的腔室11的上部空间12的结构，导致工艺气体的供给和排出耗费大量的时间，浪费工艺气体。
[0012]与用于沉积原子层的批处理式装置相关的在先技术公开于韩国公开专利公报第10-2008-0028963号、韩国公开专利公报第10-2011-0087580号等。
[0013]发明的内容
[0014]本发明为了解决上述的现有技术的各种问题而提出，目的在于提供一种批处理式基板处理装置，其减小进行基板处理工艺的内部空间。
[0015]此外，本发明的目的在于提供一种批处理式基板处理装置，其通过减小进行基板处理工艺的内部空间，以减少在基板处理工艺中使用的基板处理气体的使用量。
[0016]此外，本发明的目的在于提供一种批处理式基板处理装置，其通过减小进行基板处理工艺的内部空间，使基板处理工艺中所使用的基板处理气体顺畅地供给和排出，从而大大缩短基板处理工艺时间。
[0017]此外，本发明的目的在于提供一种批处理式基板处理装置，其通过将基板处理部的形状从钟形向上侧表面平坦的结构变更，从而减小内部空间。 [0018]为了实现上述目的，本发明的一实施方式的批处理式基板处理装置的特征在于，具备:基板处理部，收容层叠在基板装载部上的多个基板并进行处理；供气部，其形成在所述基板处理部的一侧外周面上，通过收容供基板处理气体流通的至少一个供气流道，将基板处理气体供给至所述基板处理部，其中，当基板与所述基板处理部的内周面之间的距离为dl，基板与所述供气流道之间的距离为d2时，dl含d2。
[0019]如上构成的本发明减小进行基板处理工艺的内部空间。
[0020]此外，本发明由于通过减小进行基板处理工艺的内部空间来减少在基板处理工艺中使用的基板处理气体的使用量，从而降低基板处理工艺费用。
[0021]此外，本发明由于通过减小进行基板处理工艺的内部空间，使基板处理工艺中所使用的基板处理气体顺畅地供给和排出，从而大大缩短基板处理工艺时间，因此提高基板
处理工艺的生产率。
[0022]此外，本发明将基板处理部的形状从钟形向上侧表面平坦的结构变更，从而能够减小内部空间。
【专利附图】

【附图说明】
[0023]图1是表示现有的批处理式原子层沉积装置的立体图。
[0024]图2是表示本发明的一实施方式的批处理式基板处理装置的立体图。
[0025]图3是图2的局部分解立体图。
[0026]图4是本发明的一实施方式的批处理式基板处理装置的俯视截面图。
[0027]图5是本发明的一实施方式的供气部和排气部的放大立体图。
[0028]图6是表示本发明的一实施方式的在上侧表面结合加强筋的批处理式基板处理装置的立体图。
[0029]图7是表示本发明的一实施方式的在外表面设有加热器的批处理式基板处理装置的立体图。
[0030]图8是本发明的一实施方式的加热器的放大主视图。[0031]附图标记
[0032]40:基板100:基板处理部
[0033]110:基板处理部内部空间120、130:加强筋
[0034]150、160:加热器200:供气部
[0035]250:供气流道251:供气管
[0036]252:吐气孔300:排气部
[0037]350:排气流道351:排气管
[0038]352:排气孔400:壳体 [0039]450:歧管500:基板装载部
[0040]dl:基板与基板处理部内周面之间的距离
[0041]d2:基板与供气流道之间的距离
[0042]实施发明的具体形式
[0043]参照图示的附图，对可实施本发明的特定实施方式的本发明进行详细说明。通过这些实施方式，所属领域的技术人员能够充分实施本发明。虽然本发明的各种实施方式相互不同，但不应理解为相互排斥，例如，记载于此的特定形状、结构以及特性在一实施方式中，在不脱离本发明的精神以及范围的基础上能够以其他实施方式体现。此外，每个公开的实施方式中的个别的构成要素的位置或配置在不脱离本发明的精神以及范围的基础上能够变更。因此，后述的详细说明并非旨在限定，确切地讲，本发明的范围仅限于其权利要求所主张的均等的所有范围以及权利要求。附图中类似的附图标记在几个侧面具有相同或类似的功能，而且，为了便于表示，也有可能夸张表现长度、面积、厚度等其形状。
[0044]应理解为，本说明书中的基板包括半导体基板、在LED、IXD等显示装置中使用的基板、太阳能电池基板等。
[0045]此外，在本说明书中，基板处理工艺意味着沉积工艺，优选为使用原子层沉积法的沉积工艺，但并非限定于此，也可以理解为包括使用化学气象沉积法的沉积工艺、热处理工艺等。只是，以下对使用原子层沉积法的沉积工艺的示例进行说明。
[0046]以下参照添付的附图来详细说明涉及本发明实施方式的批处理式装置。
[0047]图2是表示本发明的一实施方式的批处理式基板处理装置的立体图，图3是图2的局部分解立体图，图4是本发明的一实施方式的批处理式基板处理装置的俯视截面图，图5是本发明的一实施方式的供气部200和排气部300的放大立体图。
[0048]参照图2至图4，本实施方式的批处理式基板处理装置具有基板处理部100以及供气部200。
[0049]基板处理部100可以说是起到处理室的功能。基板处理部100提供腔室空间110，腔室空间Iio收容有层叠多个基板100的基板装载部500，并且能够进行沉积膜形成工艺等基板处理工艺。
[0050]基板处理部100的材质可以是石英(Quartz)、不锈钢(SUS)、招(Aluminium)、石墨(Graphite)、碳化娃(Silicon carbide)和氧化招(Aluminium oxide)中的至少一种。
[0051]供气部200提供收容有至少一个供气流道250的空间210，以在基板处理部100的一侧外周面上突出的结构形成，能够向基板处理部100的内部空间110供给基板处理气体。其中，供气流道250是可从外部接收并基板处理气体并向基板处理部100的内部进行供给的通道，可以具有管状、中孔状等形状，特别是，为了精密地控制基板处理气体的供给量，优选以管状构成。以下，对由三个供气管251构成供气流道250的示例进行说明。
[0052]此外，排气部300提供收容有至少一个排气流道350的空间310，以在基板处理部100的另一侧外周面上(即供气部200的相反侧)突出的结构形成，能够排出流入到基板处理部100内部空间110的基板处理气体。其中，排气流道350是将基板处理部100内部的基板处理气体向外部排出的通道，可以具有管状、中孔状等形状，特别是，为了顺畅地排出基板处理气体，优选以大于供气管251直径的管状构成。另一方面，排气流道350也可以构成为，不具有排气管351的中空状，并且，也可以在排气流道350上连接泵来抽取基板处理气体并排出。以下，对由一个排气管351构成排气流道350的示例进行说明。
[0053]基板处理部100的外周面可以与供气部200的外周面连接成一体。此外，基板处理部100的外周面可以与排气部300的外周面连接成一体。考虑到这种结构，优选供气部200和排气部300的材质与基板处理部100的材质相同。基板处理部100、供气部200以及排气部300的外周面之间的连接可以通过以下方式实现:分别单独制造基板处理部100、供气部200以及排气部300后，可以通过焊接等方式结合基板处理部100、供气部200以及排气部300。还可以通过以下方式实现:首先制造具有一定厚度的基板处理部100，对基板处理部100的外周面上的向一侧和另一侧突出的部位以外的其他部位进行切削加工,使供气部200以及排气部300在基板处理部100上形成为一体。
[0054]本实施方式的批处理式基板处理装置还可以具有壳体(Housing) 400和基板装载部500。壳体400下表面开放，并形成为一侧突出的圆筒形，以便包围基板处理部100以及供气部200，壳体400的上表面侧可以支撑设置在清洁室等工艺室(未图示)的上方。参照图4，为了起到形成基板处理部100以及供气部200的热环境的隔热体作用，壳体400可以形成为，一侧和另一侧 突出的组装体，或一侧和另一侧朝垂直方向突出的圆环形态的单位体410，以便包围基板处理部100以及供气部200的外周，可以用不锈钢、铝等形成壳体400的最外层420。此外，在壳体400内侧面可以设置加热器430，该加热器430由折弯部(作为一示例，形成为“ U ”或“ η ”形状)连续连接而形成。
[0055]基板装载部500被公知的升降机系统(未图示)设置成可升降的方式，并且具有主托架部510、辅助托架部520以及基板支撑部530。
[0056]主托架部510大致呈圆筒形，可以安装在所述工艺室的底面等，并且上方与歧管(Manifold) 450密闭结合，该歧管与壳体400的下端部侧结合。
[0057]辅助托架部520大致呈圆筒形，安装在主托架部510的上方，并且直径小于基板处理部100的内径，插入在基板处理部100的内部空间110。辅助托架部520可以设置为，与电机(未图示)可联动地旋转，从而为了确保半导体制造工艺的均匀性，在基板处理工艺中使基板40旋转。此外，为了确保工艺的可靠性，在辅助托架部520内部可以设置用于在基板处理过程中从基板40的下侧施加热的辅助加热器(未图示)。装载保存在基板装载部500上的基板40在基板处理工艺之前可通过所述辅助加热器进行预热。
[0058]沿着辅助托架部520的边缘部侧隔着间隔设置多个基板支撑部530。在朝向辅助托架部520的中心侧的基板支撑部530的内表面分别形成有相互对应的多个支撑槽。支撑槽内插入支撑有基板40的边缘部，由此，多个基板40以上下层叠的方式装载保存在基板装载部500上。[0059]基板装载部500在升降过程中可以可拆卸地结合在歧管450的下端面，歧管450的上端面与基板处理部100的下端面以及供气部200的下端面结合。供气连接管253插入连通于歧管450的供气连通孔451，排气连接管353插入连通于歧管450的排气连通孔455，其中，供气连接管253从构成供气部200的供气流道250的供气管251延伸，排气连接管353从构成排气部300的排气流道350的排气管351延伸。此外，当基板装载部500上升使基板装载部500的主托架部510的上表面结合在歧管450的下端面时，基板400装载至基板处理部100的内部空间110，基板处理部100处于密封状态。为了稳定的密封，可以在歧管450和基板装载部500的主托架部510之间设置密封部件(未图示)。
[0060]参照图3和图4，基板处理部100与壳体400形成同心，并设置在壳体400的内部，壳体400可以被设置成，包裹连接成一体的基板处理部100、供气部200以及排气部300的形状。
[0061]供气部200的内部空间210可以收容供气流道250。参照图4和图5的(a)，供气流道250具有:多个供气管251，沿着供气部200的长度方向形成；多个吐气孔252，朝向基板处理部100，形成在供气管251的一侧。吐气孔252分别在各供气管251上形成多个。此外，从供气管251连通的供气连接管253插入连通于形成在歧管450上的供气连通孔451。
[0062]排气部300的内部空间310可以收容排气流道350。参照图4和图5的(b)，排气流道350具备:排气管351，沿着排气部300的长度方向形成；多个排气孔352，朝向基板处理部100，形成在排气管351的一侧。排气孔352在排气管351上形成多个。此外，从排气管351连通的排气连接管353插入连通于形成在歧管450上的排气连通孔455。
[0063]当基板装载部500结合在歧管450上，使多个基板40收容在基板处理部100上时，优选，吐气孔252和排气孔 352分别位于被基板支撑部530支撑的相邻的基板40与基板40之间的间隙上，以便均匀地向基板40供给基板处理气体，并容易地吸入基板处理气体，排出至外部。
[0064]由于供气部200和排气部300从基板处理部100的外周面突出形成，因此，基板40与供气流道250之间的距离d2可相同或大于基板40与基板处理部100的内周面之间的距离dl。在图1中所示现有技术中，由于在进行基板处理工艺的处理室10的内部空间11设置供气部20或排气部30，因此基板40与处理室10内周面之间的距离dl’大于基板40与供气部20之间的距离d2’(dl’>d2’)。与现有技术不同，本发明在基板处理部100的外部设置供气部200或排气部300时满足dl ^ d2的条件，从而能够将基板处理部100的内部空间110减小为基板装载部500能够被收容的最小空间(或基板40能够被收容的最小空间)。由此，通过减小进行基板处理工艺的基板处理部100的内部空间110，能够减少基板处理气体的使用量，并且据此能够降低基板处理工艺费用，而且，由于缩短基板处理气体的供给时间和排出时间，从而提高基板处理工艺的生产率。
[0065]图6是表示本发明的一实施方式的在上侧表面结合加强筋120、130的批处理式基板处理装置的立体图。
[0066]与以钟形的现有批处理式基板处理装置的处理室10结构不同，本发明的基板处理部100具有圆柱状，并且上表面可以具有平坦的形状。通过使基板处理部100的上表面具有平坦的结构，以去除无法收容基板40的钟形腔室11的上部空间12(参照图1)，从而进一步减小基板处理部100的内部空间110。只是，与现有的钟形腔室11相比，无法均匀地分散内部压力，为了解决由此产生的耐久性问题，本发明的批处理式基板处理装置的特征在于，基板处理部100的上表面上结合有多个加强筋120、130。
[0067]加强筋120、130的材质可以与基板处理部100的材质相同，但并非限定于此，在能够支撑基板处理部100的上表面的目的范围内，可使用各种材质。
[0068]如图6的(a)所示，加强筋120、130可以设置成，将多个加强筋121、122交叉配置，并结合在基板处理部100的上表面上，或如图6的(b)所示，将多个加强筋131、132平行配置，并结合在基板处理部100的上表面上。加强筋120、130可以通过焊接方式等结合在基板处理部100的上表面上。
[0069]图7是表不本发明的一实施方式的在外表面设有加热器150、160的批处理式基板处理装置的立体图。
[0070]参照图7，如图3所示，可以在壳体400的内侧面设置加热器430，且在基板处理部100的上表面以及外周面设置用于加热基板40的加热器150、160,或者,可以不在壳体400的内侧面设置加热器430，而在基板处理部100的上表面以及外周面设置用于加热基板40的加热器150、160。
[0071]加热器150、160可以形成为板状，以有效地向基板处理部100的内部空间110进行热传递，并可以由选自石墨(Graphite)和碳(Carbon)复合体中的一种形成。或者，加热器150、160可由选自碳化硅(Silicon carbide)以及钥中的一种形成，或者可以由铬铝钴耐热钢(Kanthal)形成。
[0072]加热器150设置在基板处理部100的上表面，可以形成为，“π ”形状和“「”形状依次连续重复的形状。此时，加热器150分别设置在被形成在基板处理部100的上表面的加强筋120、130分隔的基板处理部100的上表面。
[0073]加热器160设置在基板处理部100的外周面，并包括第一加热器161和第二加热器165,该第一加热器161和第二加热器165分别设置在上侧和下侧,相互对置且构成一对。并且，构成一对的第一加热器161和第二加热器165沿着基板处理部100的圆周方向隔着规定的间隔设置多个。
[0074]图8是本发明的一实施方式的加热器160的放大主视图。
[0075]第一加热器161具有一对第一左侧垂直板161a、一对第一右侧垂直板161b、一对第一中心垂直板161c、一对第一上侧连接板161d、一对第一下侧连接板161e、以及第一中心连接板161f。
[0076]第一左侧垂直板161a为在第一加热器161的左侧相互隔着规定的间隔而对置的一对，朝向基板处理部100的上下方向。第一右侧垂直板161b为在第一加热器161的右侧相互隔着规定的间隔而对置的一对，朝向基板处理部100的上下方向，具有与第一左侧垂直板161a相同的长度。第一中心垂直板161c为在第一加热器161的中心相互隔着规定间隔而对置的一对，朝向基板处理部100的上下方向，长度小于第一左侧垂直板161a以及第一右侧垂直板161b的长度,设置在第一左侧垂直板161a与第一右侧垂直板161b之间。
[0077] 第一上侧连接板161d分别连接一对第一左侧垂直板161a的上侧部位以及一对第一右侧垂直板161b的上侧部位。第一下侧连接板161e将一对第一中心垂直板161c分别连接于与一对第一中心垂直板161c相邻的第一左侧垂直板161a以及第一右侧垂直板161b的下侧部位。第一中心连接板161f连接一对第一中心垂直板161c的上侧部位。[0078]第二加热器165具有一对第二左侧垂直板165a、一对第二右侧垂直板165b、一对第二中心垂直板165c、一对第二中心连接板165d、一对第二上侧连接板165e、以及第二下侧连接板165f。
[0079]第二左侧垂直板165a为在第二加热器165的左侧相互隔着规定的间隔而对置的一对，朝向基板处理部100的上下方向。第二右侧垂直板165b为在第二加热器165的右侧相互隔着规定的间隔而对置的一对，朝向基板处理部100的上下方向，具有与第二左侧垂直板165a相同的长度。第二中心垂直板165c为在第二加热器165的中心相互隔着规定的间隔而对置的一对，朝向基板处理部100的上下方向，长度大于第二左侧垂直板165a以及第二右侧垂直板165b的长度，设置在第二左侧垂直板165a与第二右侧垂直板165b之间。
[0080]第二中心连接板165d分别连接一对第二左侧垂直板165a的下侧部位以及一对第二右侧垂直板165b的下侧部位。第二上侧连接板165e将一对第二中心垂直板165c分别连接于与一对第二中心垂直板165c相邻的第二左侧垂直板165a以及第二右侧垂直板165b的上侧部位。第二下侧连接板165f连接一对第二中心垂直板165c的下侧部位。
[0081]此时，第一上侧连接板161d的上表面与第二中心连接板165d的下表面相互对置，第二下侧连接板165f的下表面与第一中心连接板161f的上表面相互对置，第二下侧连接板165f位于第一左侧垂直板161a与第一右侧垂直板161b之间。
[0082]如上结构的加热器160，由于加热器端子设置在第一左侧垂直板161a的下端部、第一右侧垂直板161b的下端部、第二左侧垂直板165a的上端部、以及第二右侧垂直板165b的上端部(即，在加热 器160的四个边缘侧设置加热器端子)，从而便于连接外部电源与加热器端子。
[0083]此外，当基板处理部100的内部被加热时，由于对流现象，基板处理部100的内部空间Iio的上侧部位的温度高于下侧部位的温度。但是，由于加热器160以相互分隔的第一加热器161和第二加热器165的方式构成并且朝上下方向设置，因此，通过适当地控制第一加热器161和第二加热器165，能够均匀地控制基板处理部100的内部空间110的上下侧温度。
[0084]此外，由于可以通过相互分隔成两个的加热器161、165来加热根据基板处理部100的高度方向区分的三个区域(从第二加热器165上端到第二中心连接板165d区域、从第一上侧连接板161d到第二下侧连接板165f的区域、从第一中心连接板161f到第一加热器161下端的区域)，因此，相对于用两个加热器控制两个区域的方式，在温度控制的效率性和均匀性方面更有利。
[0085]如此，本发明通过将收容有供气流道250和排气流道350的供气部200和排气部300与进行基板处理工艺的基板处理部100分隔设置，使基板处理部100的内部空间110最小化，从而通过降低基板处理气体的使用量，能够节约工艺费用，并通过缩短基板处理气体的供给和排出时间，能够提高基板处理工艺的生产率。
[0086]此外，通过使基板处理部100的上侧形成为平坦的结构，进一步减小基板处理部100的内部空间110，从而能够最限度地扩大上述效果，并且通过在基板处理部100的上侧结合加强筋120、130，从而能够提高耐久性。
[0087]此外，由于加热器150、160形成为板状并设置在基板处理部100的外表面，因此，能够有效地向基板处理部100的内部空间110传递热，并且，通过在边缘侧设置加热器160的端子，从而能够容易地连接外部电源，而且能够用两个加热器161、162均匀地控制3个区域的温度。
[0088]如上所述，通过优选实施方式进行图示并加以说明，但是本发明并非限定于上述实施方式，在不脱离本发明的精神的范围内，所属领域的技术人员可以进行各种变形和变更。但是，这些变形例 以及变更例应视为属于本发明和添附的权利要求范围。
【权利要求】
1.一种批处理式基板处理装置，其特征在于，具备: 基板处理部，收容层叠在基板装载部上的多个基板并进行处理；以及供气部，其形成在所述基板处理部的一侧外周面上，收容有供基板处理气体流通的至少一个供气流道，以将基板处理气体供给至所述基板处理部， 其中，当基板与所述基板处理部的内周面之间的距离为dl，基板与所述供气流道之间的距离为d2时，dl≦ d2。
2.根据权利要求1所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 进一步具备排气部，其形成在所述基板处理部的另一侧外周面上，收容有供基板处理气体流通的至少一个排气流道，以排出供给到所述基板处理部的基板处理气体。
3.根据权利要求2所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 所述基板处理部的所述外周面与所述供气部的外周面连接成一体， 所述基板处理部的所述外周面与所述排气部的外周面连接成一体。
4.根据权利要求2所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，所述供气流道具有: 多个供气管，沿着所述供气部的长度方向形成； 多个吐气孔，朝向所述基板处理部形成在所述供气管的一侧。
5.根据权利要求4所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，所述排气流道具有: 排气管，沿着所述排气部的长度方向形成； 多个排气孔，朝向所述基板处理部形成在所述排气管的一侧。
6.根据权利要求1所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 所述基板处理部具有圆柱状，并且上表面平坦。
7.根据权利要求6所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 所述基板处理部的上表面上结合有多个加强筋。
8.根据权利要求7所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 所述多个加强筋以交叉方式配置，并结合在所述基板处理部的上表面上。
9.根据权利要求7所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 所述多个加强筋以平行方式配置，并结合在所述基板处理部的上表面上。
10.根据权利要求1所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 所述基板处理部的外周面以及上表面设有加热器。
11.根据权利要求10所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 所述加热器形成为板状。
12.根据权利要求11所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 设置在所述基板处理部的上表面上的所述加热器具有“Π ”形状和“「”形状依次连续重复的形状。
13.根据权利要求11所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 设置在所述基板处理部的外周面上的所述加热器包括第一加热器和第二加热器，所述第一加热器和所述第二加热器分别设置在上侧和下侧，相互对置且构成一对， 构成一对的所述第一加热器和所述第二加热器沿着所述基板处理部的圆周方向设置有多个。
14.根据权利要求13所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，所述第一加热器具备:一对第一左侧垂直板，在所述第一加热器的左侧相互对置且朝向上下方向；一对第一右侧垂直板，在所述第一加热器的右侧相互对置且朝向上下方向，并且具有与所述第一左侧垂直板相同的长度；一对第一中心垂直板，在所述第一加热器的中心相互对置且朝向上下方向，并且长度小于所述第一左侧垂直板以及所述第一右侧垂直板的长度，设置在所述第一左侧垂直板与所述第一右侧垂直板之间；一对第一上侧连接板，分别连接所述一对第一左侧垂直板的上侧部位与所述一对第一右侧垂直板的上侧部位；第一下侧连接板，将所述一对第一中心垂直板分别连接于与所述一对第一中心垂直板相邻的所述第一左侧垂直板以及所述第一右侧垂直板的下侧部位；以及第一中心连接板，连接所述一对第一中心垂直板的上侧部位， 所述第二加热器具备:一对第二左侧垂直板，在所述第二加热器的左侧相互对置且朝向上下方向；一对第二右侧垂直板，在所述第二加热器的右侧相互对置且朝向上下方向，并且具有与所述第二左侧垂直板相同的长度；一对第二中心垂直板，在所述第二加热器的中心相互对置且朝向上下方向，并且长度大于所述第二左侧垂直板以及所述第二右侧垂直板的长度，设置在所述第二左侧垂直板与所述第二右侧垂直板之间；一对第二中心连接板，分别连接所述一对第二左侧垂直板的下侧部位与所述一对第二右侧垂直板的下侧部位；第二上侧连接板，将一对第二中心垂直板分别连接于与所述一对第二中心垂直板相邻的所述第二左侧垂直板以及所述第二右侧垂直板的上侧部位；以及第二下侧连接板，连接所述一对第二中心垂直板的下侧部位， 所述第一上侧连接板的上表面和所述第二中心连接板的下表面相互对置，所述第二下侧连接板的下表面和所述第一中心连接板的上表面相互对置，所述第二下侧连接板位于所述第一左侧垂直板和所述第一右侧垂直板之间。
15.根据权利要求1所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 所述基板处理部的下表面处于开放状态， 以包裹所述基板处理部及供气部的方式设置下表面呈开放状态的壳体， 进一步具备基板装载部，其设置成可升降，用于将多个所述基板装载至所述基板处理部。
16.根据权利要求15所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 所述基板装载部在升降过程中可拆卸地结合在歧管的下端面，所述歧管的上端面与所述基板处理部的下端面以及所述供气部的下端面结合， 当所述基板装载部结合在所述歧管的下端面时，所述基板装载至所述基板处理部。
17.根据权利要求5所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 当层叠有多个所述基板的所述基板装载部收容在所述基板处理部内时，所述吐气孔和所述排气孔分别位于被所述基板装载部支撑的相邻的所述基板与基板之间的间隙上。
18.根据权利要求1所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 所述基板处理部包括石英、不锈钢、铝、石墨、碳化硅以及氧化铝中的至少一种。
19.根据权利要求10所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 所述加热器由石墨、碳复合体、碳化硅、钥以及铬铝钴耐热钢中的至少一种构成。
【文档编号】C23C16/455GK104005005SQ201410067222
【公开日】2014年8月27日 申请日期:2014年2月26日 优先权日:2013年2月26日
【发明者】李炳一, 李太浣, 柳汉吉 申请人:泰拉半导体株式会社