抗反射导电ito膜连续镀膜生产线的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，包括真空腔室区，所述真空腔室区包括依次排列相连通的第一预初轴腔室、第一过渡腔室、第一介质膜镀膜腔室、第二介质膜镀膜腔室、第一隔离腔室、第二隔离腔室、第一导电膜镀膜腔室、第二导电膜镀膜腔室、第二过渡腔室、第二预初轴腔室；相邻腔室之间均设置有可开启或关闭的隔离门，第一预初轴腔室入片口处设置上片升降区，第二预初轴腔室出片口处设置下片升降区；真空腔室区内部设置贯穿连续的多个基片载具传送轴，基片载具传送轴一端穿过真空腔室壁与伺服传动马达相接驱动；基片载具传送轴上对称设置有两个基片载具传动轮,靠近真空腔室区内壁两侧对称设置有基片载具导向轮。
【专利说明】抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种抗反射导电ιτο膜连续镀膜生产线，尤其是用于光学介质膜和透明导电膜组成的抗反射导电膜，且能够实现基片装载连续循环和不间断生产抗反射导电膜产品的连续式磁控溅射镀膜生产线。
【背景技术】
[0002]目前工业上制造抗射导电膜的方法有两种:其一直接购置使用溶胶制备的抗反射膜，再进行透明导电膜镀膜，形成抗反射膜；其二，采用现有的导电膜溅射镀膜生产线，先通常反复多次溅射镀膜，形成抗反射膜和导电膜。但是这两种方法都存在部分问题:(I)溶胶法制备的抗反射膜工艺复杂，生产成本高；(2)溶胶法制备技术不够成熟，不能一次完成抗反射膜与导电膜的一次产出；(3)溅射抗反射导电膜沉积速率低，需要反复镀膜；(4)现有产品有对膜层结构要求繁多，不适合大批量一次连续生产。
实用新型内容
[0003]目的:为了克服现有技术中存在的不足，本实用新型提供一种抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，适合大批量生产，成本较低，溅射沉积速率较高，制程工艺通用性好；可以广泛用于显示面板玻璃的抗反射导电膜连续磁控溅射生产。
[0004]技术方案:为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为:
[0005]一种抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:包括真空腔室区，所述真空腔室区包括依次排列相连通的第一预初轴腔室、第一过渡腔室、第一介质膜镀膜腔室、第二介质膜镀膜腔室、第一隔离腔室、第二隔离腔室、第一导电膜镀膜腔室、第二导电膜镀膜腔室、第二过渡腔室、第二预初轴腔室；所述第一预初轴腔室、第一过渡腔室、第一介质膜镀膜腔室、第二介质膜镀膜腔室、第一隔离腔室、第二隔离腔室、第一导电膜镀膜腔室、第二导电膜镀膜腔室、第二过渡腔室、第二预初轴腔室相邻腔室之间均设置有可开启或关闭的隔离门，所述第一预初轴腔室入片口处设置上片升降区，所述第二预初轴腔室出片口处设置下片升降区；真空腔室区内部设置贯穿连续的多个基片载具传送轴，所述基片载具传送轴一端穿过真空腔室壁与伺服传动马达相接驱动。
[0006]所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:所述基片载具传送轴上对称设置有两个基片载具传动轮，靠近真空腔室区内壁两侧对称设置有基片载具导向轮。
[0007]所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:还包括多个机架；所述第一预初轴腔室、第一过渡腔室、第一介质膜镀膜腔室、第二介质膜镀膜腔室、第一隔离腔室、第二隔离腔室、第一导电膜镀膜腔室、第二导电膜镀膜腔室、第二过渡腔室、第二预初轴腔室底部均设置有机架来支撑固定；所述机架上设置有回转传动组。
[0008]所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:所述机架底部设置有地脚脖用以调整机架高度。
[0009]所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:所述机架底侧横向设置有一底杆，底杆底侧设置有便于移动的滑轮。
[0010]所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:所述真空腔室区与真空泵组通过抽真空阀组相连通。
[0011]所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:所述第一介质膜镀膜腔室、第二介质膜镀膜腔室设置有氩气充气口。
[0012]所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:所述第一介质膜镀膜腔室、第二介质膜镀膜腔室内设置有孪生磁控溅射靶；每对孪生靶配置四支制程进气管路。
[0013]所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:第一预初轴腔室和第二预初轴腔室分别连接抽气系统。
[0014]有益效果:本实用新型提供的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，能够实现基片装载连续循环和不间断生产抗反射导电膜产品；适合大批量生产，成本较低，溅射沉积速率较高，制程工艺通用性好；可以广泛用于显示面板玻璃的抗反射导电膜连续磁控溅射生产；
1、具有独立的介质膜镀膜腔室:第一介质膜镀膜腔室，第二介质膜镀膜腔室，且可以布置4对孪生磁控溅射靶，每对孪生靶配置四支制程进气管路，可以实现优质介质膜的镀膜，如:氧化钛(T102)，氧化硅(S102)混合镀膜；2、各制程腔室均有效地进行了真空气体隔离，可以不同速度，不同真空环境，不同的溅射工艺实现镀膜生产工艺。适合大批量生产，与工艺调整。可以实现快节奏批量，生产效率高；3、有独立的导电膜镀膜腔室，可以生产大部分导电膜。如氧化铟锡(ITO)，氧化锌(ZnO)，氧化铟(IN203)，氧化锡(SN02)等。适合用于显示面板，太阳能面板的透明导电膜，抗反射膜，高反射膜的镀膜生产。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1为本实用新型抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线的布局图；
[0016]图2为本实用新型抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线的正面图；
[0017]图中:第一预初轴腔室I,第一过渡腔室2，第一介质膜镀膜腔室3，第二介质膜镀膜腔室4，第一隔离腔室5，第二隔离腔室6，第一导电膜镀膜腔室7，第二导电膜镀膜腔室8，第二过渡腔室9，第二预初轴腔室10，回转传动组11，机架12，隔离门13，基片载具传送轴14，底杆15，滑轮16，地脚脖19，伺服传动马达20，上片升降区21，下片升降区22，基片载具传动轮23，基片载具导向轮24。
【具体实施方式】
[0018]下面结合附图对本实用新型作更进一步的说明。
[0019]如图1和图2所示，一种抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，包括真空腔室区，所述真空腔室区包括依次排列相连通的第一预初轴腔室1、第一过渡腔室2、第一介质膜镀膜腔室3、第二介质膜镀膜腔室4、第一隔离腔室5、第二隔离腔室6、第一导电膜镀膜腔室7、第二导电膜镀膜腔室8、第二过渡腔室9、第二预初轴腔室10 ;所述第一预初轴腔室1、第一过渡腔室2、第一介质膜镀膜腔室3、第二介质膜镀膜腔室4、第一隔离腔室5、第二隔离腔室6、第一导电膜镀膜腔室7、第二导电膜镀膜腔室8、第二过渡腔室9、第二预初轴腔室10相邻腔室之间均设置有可开启或关闭的隔离门13，所述第一预初轴腔室入片口处设置上片升降区21，所述第二预初轴腔室10出片口处设置下片升降区22;真空腔室区内部设置贯穿连续的多个基片载具传送轴14，所述基片载具传送轴14 一端穿过真空腔室壁与伺服传动马达20相接驱动。该传动组由伺服马达传动且与动密封磁流体形成同步轴传动联接，连接各传动组齿轮，经链联接于各传动轮，在各传动组的运行环路上，两侧设置导向柱，以同步传送基片载具。
[0020]所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:所述基片载具传送轴14上对称设置有两个基片载具传动轮23，靠近真空腔室区内壁两侧对称设置有基片载具导向轮24。
[0021]所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:还包括多个机架12 ;所述第一预初轴腔室1、第一过渡腔室2、第一介质膜镀膜腔室3、第二介质膜镀膜腔室4、第一隔离腔室5、第二隔离腔室6、第一导电膜镀膜腔室7、第二导电膜镀膜腔室8、第二过渡腔室9、第二预初轴腔室10底部均设置有机架12来支撑固定；所述机架12上设置有回转传动组11。
[0022]所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:所述机架12底部设置有地脚脖19用以调整机架高度；
[0023]所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:所述机架12底侧横向设置有一底杆15,底杆15底侧设置有便于移动的滑轮16。
[0024]所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:所述真空腔室区与真空泵组通过抽真空阀组相连通(图中未示出)。
[0025]所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:所述第一介质膜镀膜腔室3、第二介质膜镀膜腔室4设置有氩气充气口(图中未示出)。
[0026]所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:所述第一介质膜镀膜腔室3、第二介质膜镀膜腔室4内设置有孪生磁控溅射靶；每对孪生靶配置四支制程进气管路。
[0027]所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:第一预初轴腔室I和第二预初轴腔室10分别连接抽气系统。
[0028]基片由入片区载具传送，包括设置在入片区两侧的基片载具导向轮24，与运行环路上的传动组，该传动组由伺服马达传动且与动密封磁流体形成同步轴传动联接，连接各传动组齿轮，经链联接于各传动轮，在各传动组的运行环路上，两侧设置导向柱，以同步传送基片载具。基片载具入片区设置可独立升降机构，上位可将基片载具投送至第一预初轴腔室，下位可将空的载具由回转区接入，形成入片区不间断循环投片至第一预初轴腔室。
[0029]基片出片区同样设置可独立升降机构，上位可将已镀膜好的基片载具，由第二预初抽腔室接入，下位可将已出片的空载具传送至回转区，形成出片区自动出片，且回转。
[0030]第一介质膜镀膜腔室，介质膜镀膜室的腔体前后各设有分隔门，且布置至四对孪生磁控溅射靶，每对孪生靶并配有四路气体进气管。
[0031]第一导电膜镀膜腔室，导电膜镀膜室的腔体前后各设有分隔门，且第一导电膜镀膜腔室布置有四支直流磁控溅射靶，每支直流磁控溅射靶配备两路气体进气管。
[0032]入片区与第一预初轴腔室设有分隔门，所述预第二预初抽腔室与出片区设有分隔门，用以隔离大气环境与真空之间的连接。
[0033]预初轴腔室连接有抽气系统，抽气阀，充气阀。所述的过渡腔室，介质膜镀膜腔室，导电膜镀膜腔室连接有抽气系统与预初抽腔室共用抽气系统，依靠分隔门作工艺要求调難
iF.0
[0034]本生产线的各段基片载送装置，传输速度均采用伺服精控系统，并同步与上位机传送实时速度。及运行状态的检测。
[0035]本实用新型的工作过程如下:经过上片升降区21进入第一预初轴腔室I (入片区)，基片放置在基片载具上，基片载具放在基片载具传送轴14上，伺服传动马达20驱动基片载具传送轴14转动带动基片载具移动，基片载具投片区沿出片区镀膜运行方向移动，依次经过第一过渡腔室2，第一介质膜镀膜腔室3，第二介质膜镀膜腔室4，第一隔离腔室5，第二隔离腔室6，第一导电膜镀膜腔室7，第二导电膜镀膜腔室8，第二过渡腔室9，第二预初轴腔室10 (出片区)，完成镀膜且通过下片升降区22出片后，经回转传动组11的回转运行方向移动。
[0036](I)首先启动前级真空泵组，开启所有的隔离门13，开启抽真空阀组。使第一预初轴腔室1、第一过渡腔室2、第一介质膜镀膜腔室3、第二介质膜镀膜腔室4、第一隔离腔室5、第二隔离腔室6、第一导电膜镀膜腔室7、第二导电膜镀膜腔室8、第二过渡腔室9、第二预初轴腔室10相连通，抽到高真空状态；
[0037](2)待各段真空腔室达到高真空状态，开启第一过渡腔室2，第一介质膜镀膜腔室
3、第二介质膜镀膜腔室4、第一隔离腔室5、第二隔离腔室6、第一导电膜镀膜腔室7、第二导电膜镀膜腔室8、第二过渡腔室9的各分子泵组，关闭所有的隔离门13，除第一预初轴腔室
1、和第二预初轴腔室10的其他腔室达到更高真空10_4Pa ；
[0038](3)另外，同时通过第一介质膜镀膜腔室3和第二介质膜镀膜腔室4对腔体充入氩气，维持高真空至ΙΟ-lPa，并开启连接于孪生磁控溅射靶的中频交流电源，使孪生靶起到辉光放电，进入镀膜工作状态；
[0039](4)介质膜镀膜腔室通过气体管道充入氩气，开启连接于直流磁控溅射靶的直流电流，使用直流靶起辉光放电，进入镀膜工作状态；
[0040]当装有基片的基片载具由入片区沿出片区的运行方向传送时，经过导电膜镀膜腔室且孪生靶正是辉光放时状态，基片此时沉积了相应的膜层，完成了介质镀膜。导电膜与介质膜镀膜工作状态基本是一致。
[0041]使用本抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，实例中应用玻璃，在可见光的透射率为94%以上，拆射率指数为1.5-1.55，面电阻为500欧姆；可以实现抗反射导电膜的连续批
量生产。
[0042]以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出:对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
【权利要求】
1.一种抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:包括真空腔室区，所述真空腔室区包括依次排列相连通的第一预初轴腔室、第一过渡腔室、第一介质膜镀膜腔室、第二介质膜镀膜腔室、第一隔离腔室、第二隔离腔室、第一导电膜镀膜腔室、第二导电膜镀膜腔室、第二过渡腔室、第二预初轴腔室；所述第一预初轴腔室、第一过渡腔室、第一介质膜镀膜腔室、第二介质膜镀膜腔室、第一隔离腔室、第二隔离腔室、第一导电膜镀膜腔室、第二导电膜镀膜腔室、第二过渡腔室、第二预初轴腔室相邻腔室之间均设置有可开启或关闭的隔离门，所述第一预初轴腔室入片口处设置上片升降区，所述第二预初轴腔室出片口处设置下片升降区；真空腔室区内部设置贯穿连续的多个基片载具传送轴，所述基片载具传送轴一端穿过真空腔室壁与伺服传动马达相接驱动。
2.根据权利要求1所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:所述基片载具传送轴上对称设置有两个基片载具传动轮，靠近真空腔室区内壁两侧对称设置有基片载具导向轮。
3.根据权利要求1或2所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:还包括多个机架；所述第一预初轴腔室、第一过渡腔室、第一介质膜镀膜腔室、第二介质膜镀膜腔室、第一隔离腔室、第二隔离腔室、第一导电膜镀膜腔室、第二导电膜镀膜腔室、第二过渡腔室、第二预初轴腔室底部均设置有机架来支撑固定；所述机架上设置有回转传动组。
4.根据权利要求3所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:所述机架底部设置有地脚脖用以调整机架高度。
5.根据权利要求4所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:所述机架底侧横向设置有一底杆，底杆底侧设置有便于移动的滑轮。
6.根据权利要求1所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:所述真空腔室区与真空泵组通过抽真空阀组相连通。
7.根据权利要求1所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:所述第一介质膜镀膜腔室、第二介质膜镀膜腔室设置有氩气充气口。
8.根据权利要求1所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:所述第一介质膜镀膜腔室、第二介质膜镀膜腔室内设置有孪生磁控溅射靶；每对孪生靶配置四支制程进气管路。
9.根据权利要求1所述的抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线，其特征在于:第一预初轴腔室和第二预初轴腔室分别连接抽气系统。
【文档编号】C23C14/08GK203700510SQ201420044685
【公开日】2014年7月9日 申请日期:2014年1月24日 优先权日:2014年1月24日
【发明者】万志 申请人:赫得纳米科技(昆山)有限公司