一种W-Cu合金封装材料的整平装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种W-Cu合金封装材料的整平装置，它由石墨水平基板、分隔用的钼薄片和金属压块构成。由于W-Cu合金封装材料在经多次的机械加工过程中要发生变形，且封装材料本身的平整度要求较高，一般要求〈0.02mm,常规的整平装置只有由石墨水平基板和金属压块构成，由于W-Cu合金封装材料在高温退火整平过程中采取多层叠加摆放，由于铜的扩散使W-Cu合金封装材料容易发生粘连，很难脱离，所以一般采用单层摆放的方式，效率较低。本实用新型在原有的整平装置中增加钼薄片，钼薄片置于各层封装材料之间。使封装材料退火后不会发生粘连，大大提高了生产效率。
【专利说明】-种W-Cu合金封装材料的整平装置
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及金属材料的整平【技术领域】，更具体涉及一种W-Cu合金封装材料 的整平装置。
【背景技术】
[0002] 现有技术中，使用高温退火的方法整平W-Cu合金材料，在退火过程中，由于退火 温度会达到820°C以上，在此温度下W-Cu合金材料中的铜会发生扩散，如果W-Cu合金材料 采用多层叠加的方式容易发生粘连，不能分离。常规用的整平装置为两块平整度为〈〇. 〇1_ 的石墨水平基板及金属压块，所以一般采用单层摆放的方式，使用这种退火方式每次只能 摆放60片W-Cu合金封装材料，每次退火时间为lh。如果每天的生产量为2400片，使用3 台退火炉，采用这种整平装置消化每天的生产量需要3台退火炉不停的工作至少13h。按照 正常的工作时间很难实现，且成本也较高，每天消耗电费至少在390元以上，此种整平装置 的生产效率太低，生产成本也较高，不适用于W-Cu封装材料的批量生产。 实用新型内容
[0003] (一）要解决的技术问题
[0004] 本实用新型要解决的技术问题就是提供一种低成本，生产效率高的W-Cu合金封 装材料的整平装置。
[0005] (二）技术方案
[0006] 为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种W-Cu合金封装材料的整平装置， 它由石墨水平基板、钥薄片和金属压块构成；上述钥薄片位于石墨水平基板与金属压块之 间。
[0007] 优选地，上述钥薄片为多个，分别置于各层封装材料之间。
[0008] (三）有益效果
[0009] 本实用新型的W-Cu合金封装材料的整平装置可以使W-Cu合金封装材料在高温退 火整平过程中多层叠加摆放，而不发生粘连，因此大大提高了生产效率，降低了生产成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0010] 为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例 或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅 是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提 下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0011] 图1为本实用新型W-Cu合金封装材料的整平装置的结构图；
[0012] 图中：1、石墨水平基板，2、钥薄片，3、金属压块。
【具体实施方式】
[0013] 下面结合附图和实施例对本实用新型的实施方式作进一步详细描述。以下实施例 用于说明本实用新型，但不能用来限制本实用新型的范围。
[0014] 本实用新型W-CU合金封装材料的整平装置由石墨水平基板、分隔用的钥薄片和 金属压块构成。本实用新型增加了钥薄片，所述钥薄片置于每层W-Cu合金封装材料之间。 由于钥薄片具有低的膨胀系数且熔点较高，因此在高温时能防止W-Cu合金中的铜的扩散， 这样W-Cu合金封装材料能多层叠加摆放而不发生粘连。因为钥薄片膨胀系数低且熔点较 高，可以承受多次高温冲击，因此可以多次重复使用。
[0015] 如附图所示，本实用新型W-Cu合金封装材料的整平装置由石墨水平基板1、钥薄 片2、金属压块3构成。首先将石墨水平基板1用酒精清洗并烘干，在石墨水平基板1上盖 一片钥薄片2,钥薄片2上不叠加地整齐摆放60片W-Cu合金封装材料。然后再盖一片钥薄 片2,依此重复摆放6层W-Cu合金封装材料，再盖上金属压块。采用此种整平装置，每次可 以整平360片材料，每次lh，如每天生产量为2400片，只需要1台退火炉，工作6. 67h，消耗 的电费仅为22元不到。
[0016] 以上实施方式仅用于说明本实用新型，而非对本实用新型的限制。尽管参照实施 例对本实用新型进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，对本实用新型的技术 方案进行各种组合、修改或者等同替换，都不脱离本实用新型技术方案的精神和范围，均应 涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。
【权利要求】
1. 一种W-Cu合金封装材料的整平装置，其特征在于，它由石墨水平基板、钥薄片和金 属压块构成；上述钥薄片位于石墨水平基板与金属压块之间；上述钥薄片为1-6个，分别置 于各层W-Cu合金封装材料之间。
【文档编号】C21D1/26GK204022879SQ201420137488
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年3月25日 优先权日:2014年3月25日
【发明者】陈锦文 申请人:长沙升华微电子材料有限公司