1.本发明涉及微电子加工技术领域，尤其涉及一种半导体侧面处理方法。
背景技术：
2.通常，半导体的正面和反面都是加工过程中主要控制部分，而半导体的侧面往往被忽略，例如，半导体一般是包括六个面的长方体，其中的正面、反面、左面和右面都被加工处理，而剩下两个侧面未被加工处理，这两个侧面属于切割的位置，相应的，侧面的粗糙程度主要是半导体在切割时形成的，具体的粗糙程度往往取决于刀锋的锋利程度和切割速度，更严重的，如果产生崩裂，就会造成半导体侧面残渣的掉落的可能。
3.半导体的侧面的粗糙程度往往对半导体的工作性能产生巨大影响，如果侧面特别粗糙，那么半导体的灵敏度和稳定性都会受到影响。
技术实现要素：
4.本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种半导体侧面处理方法，能够对半导体的侧面进行加工处理，减小侧面的粗糙程度对半导体的工作性能产生的影响，从而保证半导体的灵敏度和稳定性。
5.为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种半导体侧面处理方法，包括：
6.将待处理的半导体放入反应腔内；
7.控制反应腔的温度稳定在300℃～400℃范围内，并控制反应腔的压力稳定在1.5torr；
8.向反应腔内通入反应气体硅烷和氨气；
9.采用等离子体增强化学气相沉积的方法，在半导体的侧面沉积氮化硅，相应形成氮化硅层。
10.进一步地，沉积氮化硅时硅烷的流量范围为135sccm～140sccm，氨气的流量为1800sccm，所采用的电源的功率为1200w，沉积时间为20min。
11.进一步地，沉积氮化硅时硅烷的流量范围为150sccm～180sccm，氨气的流量为2000sccm，所采用的电源的功率范围为2000w～2500w，沉积时间为10min。
12.进一步地，所述氮化硅层的厚度为1500a～2000a。
13.与现有技术相比，本发明实施例提供了一种半导体侧面处理方法，将待处理的半导体放入反应腔内；控制反应腔的温度稳定在300℃～400℃范围内，并控制反应腔的压力稳定在1.5torr；向反应腔内通入反应气体硅烷和氨气；采用等离子体增强化学气相沉积的方法，在半导体的侧面沉积氮化硅，相应形成氮化硅层；本发明实施例能够对半导体的侧面进行加工处理，使得氮化硅层完全覆盖在半导体的侧面，形成保护膜，成膜致密，不会带来杂质颗粒，可以相应减小侧面的粗糙程度对半导体的工作性能产生的影响，从而保证半导体的灵敏度和稳定性。
附图说明
14.图1是本发明提供的一种半导体侧面处理方法的一个优选实施例的流程图。
具体实施方式
15.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本技术领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
16.本发明实施例提供了一种半导体侧面处理方法，参见图1所示，是本发明提供的一种半导体侧面处理方法的一个优选实施例的流程图，所述方法包括步骤s11至步骤s14：
17.步骤s11、将待处理的半导体放入反应腔内；
18.步骤s12、控制反应腔的温度稳定在300℃～400℃范围内，并控制反应腔的压力稳定在1.5torr；
19.步骤s13、向反应腔内通入反应气体硅烷和氨气；
20.步骤s14、采用等离子体增强化学气相沉积的方法，在半导体的侧面沉积氮化硅，相应形成氮化硅层。
21.作为上述方案的改进，沉积氮化硅时硅烷的流量范围为135sccm～140sccm，氨气的流量为1800sccm，所采用的电源的功率为1200w，沉积时间为20min。
22.作为上述方案的改进，沉积氮化硅时硅烷的流量范围为150sccm～180sccm，氨气的流量为2000sccm，所采用的电源的功率范围为2000w～2500w，沉积时间为10min。
23.作为上述方案的改进，所述氮化硅层的厚度为1500a～2000a。
24.在具体实施时，先将待处理半导体放入反应腔内，并将反应腔的温度稳定在300℃～400℃范围内，将反应腔的压力稳定在1.5torr，接着向反应腔内通入反应气体硅烷和氨气，再采用等离子体增强化学气相沉积的方法，在半导体的侧面沉积氮化硅，相应形成氮化硅层，使得氮化硅层完全覆盖在半导体的侧面，形成的氮化硅层的厚度为1500a～2000a；其中，沉积氮化硅时主要可以采用以下两种方法中的任意一种：
25.(1)硅烷的流量范围为135sccm～140sccm，氨气的流量为1800sccm，所采用的电源的功率为1200w，沉积时间为20分钟；
26.(2)沉积氮化硅时硅烷的流量范围为150sccm～180sccm，氨气的流量为2000sccm，所采用的电源的功率范围为2000w～2500w，沉积时间为10分钟。
27.需要说明的是，在向反应腔内通入反应气体硅烷和氨气时，可以同时通入，另外，具体沉积氮化硅的方法包括但不限于上述两种方法。
28.综上，本发明实施例所提供的一种半导体侧面处理方法，将待处理的半导体放入反应腔内；控制反应腔的温度稳定在300℃～400℃范围内，并控制反应腔的压力稳定在1.5torr；向反应腔内通入反应气体硅烷和氨气；采用等离子体增强化学气相沉积的方法，在半导体的侧面沉积氮化硅，相应形成氮化硅层；实现了对半导体的侧面的加工处理，使得氮化硅层完全覆盖在半导体的侧面，即相应形成了保护膜，且成膜致密，不会带来杂质颗粒，可以相应减小侧面的粗糙程度对半导体的工作性能产生的影响，从而保证半导体的灵敏度和稳定性。
29.以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。
技术特征：
1.一种半导体侧面处理方法，其特征在于，包括：将待处理的半导体放入反应腔内；控制反应腔的温度稳定在300℃～400℃范围内，并控制反应腔的压力稳定在1.5torr；向反应腔内通入反应气体硅烷和氨气；采用等离子体增强化学气相沉积的方法，在半导体的侧面沉积氮化硅，相应形成氮化硅层。2.如权利要求1所述的半导体侧面处理方法，其特征在于，沉积氮化硅时硅烷的流量范围为135sccm～140sccm，氨气的流量为1800sccm，所采用的电源的功率为1200w，沉积时间为20min。3.如权利要求1所述的半导体侧面处理方法，其特征在于，沉积氮化硅时硅烷的流量范围为150sccm～180sccm，氨气的流量为2000sccm，所采用的电源的功率范围为2000w～2500w，沉积时间为10min。4.如权利要求1～3任一项所述的半导体侧面处理方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为1500a～2000a。
技术总结
本发明公开了一种半导体侧面处理方法，包括：将待处理的半导体放入反应腔内；控制反应腔的温度稳定在300℃～400℃范围内，并控制反应腔的压力稳定在1.5Torr；向反应腔内通入反应气体硅烷和氨气；采用等离子体增强化学气相沉积的方法，在半导体的侧面沉积氮化硅，相应形成氮化硅层。采用本发明的技术方案能够对半导体的侧面进行加工处理，减小侧面的粗糙程度对半导体的工作性能产生的影响，从而保证半导体的灵敏度和稳定性。体的灵敏度和稳定性。体的灵敏度和稳定性。
技术研发人员：胡咏兵
受保护的技术使用者：东莞新科技术研究开发有限公司
技术研发日：2020.09.01
技术公布日：2022/2/28