本实用新型涉及一种加强cvd炉绝缘性能的结构,属于cvd炉领域。
背景技术:
cvd真空炉采用石墨电阻加热方式进行升温,给电状态下需要保证发热系统与保温系统的绝缘性,这是由于化学沉积过程中对炉内真空环境洁净度要求很高,绝缘性能差会导致打火现象,产生粉尘;再者炉内结构安装方式导致发热系统端面与保温系统距离近,会造成拉弧放电现象,损伤炉内部件,影响产品质量。在现有的装置中,由于碳毡与石墨支柱上端直接接触,在安装取放的过程中,碳毡会掉落很多灰尘碎屑到石墨支柱上端,可能会造成局部过热的情况,导致部件的损坏。
技术实现要素:
本实用新型的技术方案如下:
一种加强cvd炉绝缘性能的结构、包括保温碳毡,保温碳毡下侧面内嵌有绝缘帽,绝缘帽敞口向下,绝缘帽为“u”型;开口向下;绝缘帽内设置有石墨支柱,石墨支柱下端套设有发热棒,发热棒上上套设有石墨支柱;由于整个装置需要多次的拆卸组装,保温碳毡由于自身的材质,导致会产生碎屑,碎屑会掉落于发热棒上,导致局部虚接打火,从而导致烧毁的情况,采用绝缘帽可以进行阻隔,防止发热棒因打火情况受损。
根据本实用新型的技术方案,优选的,所述绝缘帽外侧套设有固定环。固定环用于固定夹紧绝缘帽于石墨支柱。
根据本实用新型的技术方案,优选的,所述绝缘帽敞开面设置有环状外沿。使得绝缘帽可以固定放置于环状外沿上。
根据本实用新型的技术方案,进一步优选的,所述石墨支柱设置有环状凸台,环状凸台与绝缘帽的环状外沿相适应。环状凸台用于与绝缘帽的环状外沿接触,放置环状外沿于环状凸台上。
根据本实用新型的技术方案,优选的,绝缘帽内径10-50mm,外径20-60mm,帽沿直径10-150mm,高度范围10-100mm。
根据本实用新型的技术方案,优选的,所述发热棒上端侧面为坡状,坡状外侧套设有电极板,石墨支柱设置于电极板上侧。
本实用新型的有益效果在于:
本实用新型提供的用于加强cvd绝缘炉绝缘性能的结构(绝缘帽),以一种帽状结构将发热系统需要绝缘的圆柱形端面进行覆盖,使得发热棒与碳毡隔离,发热系统与碳毡在真空、高温及化学反应条件下能一直保持结构的稳定性;提高绝缘件重复利用率的同时节约相关成本支出。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图;
1、保温碳毡;2、绝缘帽;3、石墨支柱;4、固定环;5、发热棒。
具体实施方式
下面通过实施例并结合附图对本实用新型做进一步说明,但不限于此。
实施例1:
一种加强cvd炉绝缘性能的结构、如图所示:包括保温碳毡,保温碳毡下侧面内嵌有绝缘帽,绝缘帽敞口向下,绝缘帽为“u”型;开口向下;绝缘帽内设置有石墨支柱,石墨支柱下端套设有发热棒,发热棒上上套设有石墨支柱;由于整个装置需要多次的拆卸组装,保温碳毡由于自身的材质,导致会产生碎屑,碎屑会掉落于发热棒上,导致局部温度过热,从而导致烧毁的情况,采用绝缘帽可以进行阻隔,防止发热棒过热受损,固定环用于固定夹紧绝缘帽于石墨支柱。所述绝缘帽敞开面设置有环状外沿。使得绝缘帽可以固定放置于环状外沿上,所述石墨支柱设置有环状凸台,环状凸台与绝缘帽的环状外沿相适应。环状凸台用于与绝缘帽的环状外沿接触,放置环状外沿于环状凸台上,绝缘帽内径10mm,外径20mm,帽沿直径10mm,高度范围10mm,所述发热棒上端侧面为坡状,坡状外侧套设有电极板,石墨支柱设置于电极板上侧。
实施例2:
一种加强cvd炉绝缘性能的结构,其结构与实施例1相同,与实施例1不同的是,绝缘帽内径150mm,外径60mm,帽沿直径150mm,高度范围100mm。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
1.一种加强cvd炉绝缘性能的结构,其特征在于:包括保温碳毡,保温碳毡下侧面内嵌有绝缘帽,绝缘帽敞口向下,绝缘帽为“u”型;开口向下;绝缘帽内设置有石墨支柱,石墨支柱下端套设有发热棒,发热棒上套设有石墨支柱。
2.根据权利要求1所述的加强cvd炉绝缘性能的结构,其特征在于:所述绝缘帽外侧套设有固定环。
3.根据权利要求1所述的加强cvd炉绝缘性能的结构,其特征在于:所述绝缘帽敞开面设置有环状外沿。
4.根据权利要求3所述的加强cvd炉绝缘性能的结构,其特征在于:所述石墨支柱设置有环状凸台,环状凸台与绝缘帽的环状外沿相适应。
5.根据权利要求1所述的加强cvd炉绝缘性能的结构,其特征在于:绝缘帽内径10-50mm,外径20-60mm,帽沿直径10-150mm,高度范围10-100mm。