一种悬臂件的处理方法与流程

本发明涉及机械加工，特别是涉及一种悬臂件的处理方法。

背景技术：

1、目前，半导体制造领域中，悬臂件通常是磁头等滑块半导体的载体，悬臂件能够使半导体通过电连接，而实现其三维运动。悬臂件在加工过程中，会遇到由其切割、塑型而产生的内应力影响而造成的型变，该应力是有害的，其残存在悬臂件内，严重影响工件的疲劳强度、耐腐蚀性能以及工件的精度，使工件在服役过程中产生变形和开裂，进而影响工件的使用寿命，因此对工件残余应力的消除，对于进一步完善工件制造工艺以及保证工件使用安全具有重大意义。

技术实现思路

1、本发明实施例的目的是提供一种悬臂件的处理方法，其能够改善悬臂件的应力情况。

2、为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种悬臂件的处理方法，包括：

3、在真空室中，在悬臂件上沉积si过渡层；

4、以石墨靶和si靶为靶材，在沉积si过渡层后的悬臂件上沉积sic缓冲层；

5、向真空室中通入氩气和甲烷，并以石墨靶为靶材，在沉积sic缓冲层后的悬臂件上沉积dlc层。

6、作为优选方案，在所述在真空室中，在悬臂件上沉积si过渡层之前，还包括：

7、采用乙醇对悬臂件进行超声清洗；

8、将超声清洗后的悬臂件放入去离子水中漂洗；

9、将漂洗后的悬臂件用氮气吹干。

10、作为优选方案，在所述将漂洗后的悬臂件用氮气吹干之后，还包括：

11、用细砂纸将悬臂件抛光；

12、将抛光后的悬臂件浸入混合酸液中；

13、取出浸泡后的悬臂件，并将其放入真空室的样品台；

14、对真空室抽真空至3.0×10-3pa，并通入氩气，使真空室中的气压达到2～3pa，在悬臂件上施加-100v的偏压，以使辉光放电形成的氩等离子体悬臂件进行溅射；

15、以石墨、ti、si和cu中的至少一种作为靶材，对悬臂件进行溅射，溅射时间为5min。

16、作为优选方案，所述在真空室中，在悬臂件上沉积si过渡层，具体包括：

17、调整真空室中的氩气压强至10-1～10-2pa，将悬臂件加热至200～220℃，并以si靶为靶材在悬臂件上溅射si过渡层，电源功率为500w，负偏压为-500v。

18、作为优选方案，以si靶为靶材在悬臂件上溅射si过渡层的溅射时间为20-25min。

19、作为优选方案，所述以石墨靶和si靶为靶材，在沉积si过渡层后的悬臂件上沉积sic缓冲层，具体包括：

20、调整真空室中的氩气压强至10pa，氩气气流为118sccm，并在悬臂件上施加-150v的偏压；

21、调整真空室中的氩气压强至10-1～10-2pa，以石墨靶和si靶为靶材，设定溅射电流为2a，温度为220℃，以在沉积si过渡层后的悬臂件上形成sic缓冲层。

22、作为优选方案，所述向真空室中通入氩气和甲烷，并以石墨靶为靶材，在沉积sic缓冲层后的悬臂件上沉积dlc层，具体包括：

23、调整真空室中的氩气压强至10pa，氩气气流为118sccm，并在悬臂件上施加-150v的偏压；

24、向真空室中通入氩气和甲烷，调节压强为0.65×10-3～5×10-3pa，设定温度为250～300℃，在悬臂件上施加-150～-400v负偏压；

25、以石墨靶为靶材，打开靶溅射电源，用脉冲电压溅射石墨靶，电压为100～250v，以在沉积sic缓冲层后的悬臂件上形成dlc层。

26、作为优选方案，所述向真空室中通入氩气和甲烷，调节压强为0.65×10-3～5×10-3pa，设定温度为250～300℃，在悬臂件上施加-150～-400v负偏压，具体包括：

27、向真空室中通入气流量为5～10sccm的氩气以及气流量为10～20sccm的甲烷，调节压强为0.65×10-3～5×10-3pa，设定温度为250～300℃，在悬臂件上施加-150～-400v负偏压。

28、相比于现有技术，本发明实施例的有益效果在于：本发明实施例提供一种悬臂件的处理方法，通过在真空室中，在悬臂件上沉积si过渡层，并以石墨靶和si靶为靶材，在沉积si过渡层后的悬臂件上沉积sic缓冲层，最后向真空室中通入氩气和甲烷，并以石墨靶为靶材，在沉积sic缓冲层后的悬臂件上沉积dlc层，这样，dlc层的内应力能够通过si过渡层、sic缓冲层过渡缓冲得到释放，从而减小dlc层的内应力，进而改善悬臂件的应力情况，同时增强了悬臂件与dlc层的结合力，以及各个膜层之间的结合力，制得的dlc层均匀性好、表面平整。

技术特征：

1.一种悬臂件的处理方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的悬臂件的处理方法，其特征在于，在所述在真空室中，在悬臂件上沉积si过渡层之前，还包括：

3.如权利要求2所述的悬臂件的处理方法，其特征在于，在所述将漂洗后的悬臂件用氮气吹干之后，还包括：

4.如权利要求1-3任一项所述的悬臂件的处理方法，其特征在于，所述在真空室中，在悬臂件上沉积si过渡层，具体包括：

5.如权利要求4所述的悬臂件的处理方法，其特征在于，以si靶为靶材在悬臂件上溅射si过渡层的溅射时间为20-25min。

6.如权利要求1-3任一项所述的悬臂件的处理方法，其特征在于，所述以石墨靶和si靶为靶材，在沉积si过渡层后的悬臂件上沉积sic缓冲层，具体包括：

7.如权利要求1-3任一项所述的悬臂件的处理方法，其特征在于，所述向真空室中通入氩气和甲烷，并以石墨靶为靶材，在沉积sic缓冲层后的悬臂件上沉积dlc层，具体包括：

8.如权利要求7所述的悬臂件的处理方法，其特征在于，所述向真空室中通入氩气和甲烷，调节压强为0.65×10-3～5×10-3pa，设定温度为250～300℃，在悬臂件上施加-150～-400v负偏压，具体包括：

技术总结
本发明涉及机械加工技术领域，公开了一种悬臂件的处理方法，通过在真空室中，在悬臂件上沉积Si过渡层，并以石墨靶和Si靶为靶材，在沉积Si过渡层后的悬臂件上沉积SiC缓冲层，最后向真空室中通入氩气和甲烷，并以石墨靶为靶材，在沉积SiC缓冲层后的悬臂件上沉积DLC层，这样，DLC层的内应力能够通过Si过渡层、SiC缓冲层过渡缓冲得到释放，从而减小DLC层的内应力，进而改善悬臂件的应力情况，同时增强了悬臂件与DLC层的结合力，以及各个膜层之间的结合力，制得的DLC层均匀性好、表面平整。

技术研发人员：李万品
受保护的技术使用者：东莞新科技术研究开发有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13