一种高洁净度APCVD成膜设备的制作方法

一种高洁净度apcvd成膜设备
技术领域
1.本实用新型涉及硅片成膜设备技术领域，具体涉及一种高洁净度apcvd成膜设备。


背景技术：

2.二氧化钛膜是一种用于吸光材料表面减少光反射的透明材料，特别适合于制作 太阳能电池表面地反射膜涂层。现有技术中的apcvd喷涂通用涂料一般是用钛酸四丁酯、乙酸正丁酯、异丁醇、2
‑
乙基乙醇按一定比例混合而成，此配方制成的喷涂料沉淀出的二氧化钛膜的往往厚度不够，致密性不强，影响太阳能吸收效果，而且膜层各个方向存在视差，颜色也不同。
3.apcvd即常压化学气相淀积，是指在大气压下进行的一种化学气相淀积的方法，这是化学气相淀积最初所采用的方法。这种工艺所需的系统简单，反应速度快，但是均匀性较差，台阶覆盖能力差，所以一般用于厚的介质淀积。在芯片制造过程中，大部分所需的薄膜材料，不论是导体、半导体，或是介电材料，都可以用化学气相淀积来制备。


技术实现要素：

4.本实用新型主要解决现有技术中存在致密性不强和均匀性较差的不足，提供了一种高洁净度apcvd成膜设备，其具有结构简单、致密性强和均匀性好的特点。解决了常压化学气相淀积过程中台阶覆盖能力差的问题。
5.本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
6.一种高洁净度apcvd成膜设备，包括apcvd成膜组件，所述的apcvd成膜组件前端设有与apcvd成膜组件呈一体化的风机过滤仓，所述的风机过滤仓前端设有粘尘垫。所述的apcvd成膜组件包括成膜箱体，所述的成膜箱体下端设有成膜机架，所述的成膜机架与成膜箱体间设有加热器，所述的成膜箱体内设有衬底，所述的成膜箱体上端设有与衬底相连通的主反应剂进料管，所述的主反应剂进料管两端均设有与衬底相连通的辅助反应剂进料管。
7.作为优选，所述的辅助反应剂进料管与主反应剂进料管间设有与主反应剂进料管相嵌套连接且与成膜箱体相连通的排气管道。
8.作为优选，所述的成膜箱体内壁上端设有若干与辅助反应剂进料管相连通的喷嘴。
9.作为优选，所述的喷嘴与辅助反应剂进料管间设有分流管。
10.作为优选，所述的风机过滤仓下端设有镂空地板，所述的风机过滤仓上端设有若干呈阵列式分布的静电消除器。
11.作为优选，所述的粘尘垫与风机过滤仓间设有除尘隔离仓。
12.本实用新型能够达到如下效果：
13.本实用新型提供了一种高洁净度apcvd成膜设备，与现有技术相比较，具有结构简单、致密性强和均匀性好的特点。解决了常压化学气相淀积过程中台阶覆盖能力差的问题。
附图说明
14.图1是本实用新型的结构示意图。
15.图2是本实用新型中的apcvd成膜组件的结构示意图。
16.图中：apcvd成膜组件1，静电消除器2，风机过滤仓3，镂空地板4，除尘隔离仓5，粘尘垫6，成膜机架7，成膜箱体8，辅助反应剂进料管9，主反应剂进料管10，排气管道11，分流管12，喷嘴13，衬底14，加热器15。
具体实施方式
17.下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。
18.实施例：如图1和图2所示，一种高洁净度apcvd成膜设备，包括apcvd成膜组件1， apcvd成膜组件1前端设有与apcvd成膜组件1呈一体化的风机过滤仓3，风机过滤仓3下端设有镂空地板4，风机过滤仓3上端设有9个呈阵列式分布的静电消除器2。风机过滤仓3前端设有粘尘垫6，粘尘垫6与风机过滤仓3间设有除尘隔离仓5。apcvd成膜组件1包括成膜箱体8，成膜箱体8下端设有成膜机架7，成膜机架7与成膜箱体8间设有加热器15，成膜箱体8内设有衬底14，成膜箱体8上端设有与衬底14相连通的主反应剂进料管10，主反应剂进料管10两端均设有与衬底14相连通的辅助反应剂进料管9。辅助反应剂进料管9与主反应剂进料管10间设有与主反应剂进料管10相嵌套连接且与成膜箱体8相连通的排气管道11。成膜箱体8内壁上端设有2个与辅助反应剂进料管9相连通的喷嘴13。喷嘴13与辅助反应剂进料管9间设有分流管12。
19.综上所述，该高洁净度apcvd成膜设备，具有结构简单、致密性强和均匀性好的特点。解决了常压化学气相淀积过程中台阶覆盖能力差的问题。
20.对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范实施例的细节，而且在不背离实用新型的基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
21.总之，以上所述仅为本实用新型的具体实施例，但本实用新型的结构特征并不局限于此，任何本领域的技术人员在本实用新型的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本实用新型的专利范围之中。


技术特征：
1.一种高洁净度apcvd成膜设备，其特征在于：包括apcvd成膜组件（1），所述的apcvd成膜组件（1）前端设有与apcvd成膜组件（1）呈一体化的风机过滤仓（3），所述的风机过滤仓（3）前端设有粘尘垫（6）；所述的apcvd成膜组件（1）包括成膜箱体（8），所述的成膜箱体（8）下端设有成膜机架（7），所述的成膜机架（7）与成膜箱体（8）间设有加热器（15），所述的成膜箱体（8）内设有衬底（14），所述的成膜箱体（8）上端设有与衬底（14）相连通的主反应剂进料管（10），所述的主反应剂进料管（10）两端均设有与衬底（14）相连通的辅助反应剂进料管（9）。2.根据权利要求1所述的一种高洁净度apcvd成膜设备，其特征在于：所述的辅助反应剂进料管（9）与主反应剂进料管（10）间设有与主反应剂进料管（10）相嵌套连接且与成膜箱体（8）相连通的排气管道（11）。3.根据权利要求1所述的一种高洁净度apcvd成膜设备，其特征在于：所述的成膜箱体（8）内壁上端设有若干与辅助反应剂进料管（9）相连通的喷嘴（13）。4.根据权利要求3所述的一种高洁净度apcvd成膜设备，其特征在于：所述的喷嘴（13）与辅助反应剂进料管（9）间设有分流管（12）。5.根据权利要求1所述的一种高洁净度apcvd成膜设备，其特征在于：所述的风机过滤仓（3）下端设有镂空地板（4），所述的风机过滤仓（3）上端设有若干呈阵列式分布的静电消除器（2）。6.根据权利要求1所述的一种高洁净度apcvd成膜设备，其特征在于：所述的粘尘垫（6）与风机过滤仓（3）间设有除尘隔离仓（5）。

技术总结
本实用新型涉及一种高洁净度APCVD成膜设备，所属硅片成膜设备技术领域，包括APCVD成膜组件，所述的APCVD成膜组件前端设有与APCVD成膜组件呈一体化的风机过滤仓，所述的风机过滤仓前端设有粘尘垫。所述的APCVD成膜组件包括成膜箱体，所述的成膜箱体下端设有成膜机架，所述的成膜机架与成膜箱体间设有加热器，所述的成膜箱体内设有衬底，所述的成膜箱体上端设有与衬底相连通的主反应剂进料管，所述的主反应剂进料管两端均设有与衬底相连通的辅助反应剂进料管。具有结构简单、致密性强和均匀性好的特点。解决了常压化学气相淀积过程中台阶覆盖能力差的问题。覆盖能力差的问题。覆盖能力差的问题。


技术研发人员：戚定定
受保护的技术使用者：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
技术研发日：2021.04.02
技术公布日：2021/11/9