半导体蒸发镀膜设备蒸发源预熔化挡板结构的制作方法

1.本实用新型涉及挡板结构技术领域，具体地，涉及半导体蒸发镀膜设备蒸发源预熔化挡板结构。


背景技术：

2.半导体蒸发镀膜设备使用时需要在设备坩埚中加入蒸发原料，在正常蒸发镀膜之前需要对加入的蒸发原料进行预熔化，使坩埚内原料上表面保持平整均匀。坩埚内蒸发原料进行预熔化时蒸发出的原子或分子不允许泄漏到产品上，以免对产品造成不良影响。在半导体蒸发镀膜设备使用时发现蒸发源(蒸发源：指坩埚中加入的蒸发原料)预熔化时蒸发源散发出来的原子或分子泄漏到产品上，对产品造成不良影响，设备本身无法做到预熔化时全部遮挡蒸发源预熔化时散发出来的原子或分子；本设计可以解决蒸发源预熔化时蒸发源散发出来的原子或分子泄漏到产品上造成产品不良的问题。
3.经现有技术专利文献检索发现，发明专利公开号为cn103834921a，公开了一种蒸发源挡板结构，属于挡板结构技术领域，可有效解决在oled试验线以及量产线上，一个腔体里面同时加热几种材料而导致的材料交叉污染的问题；可有效防止在oled试验线以及量产线上，蒸发源挡板上面材料沉积多导致材料脱落而引起的堵孔现象发生；可以更好地收集使用过的oled材料，用于材料回收提纯，降低成本。包括若干个相互邻接但是不接触的金属挡板；所述金属挡板包括弧形遮挡面，所述遮挡面背向所述蒸发源的一面为凸面，所述遮挡面朝向所述蒸发源的一面为凹面，并且相邻两个所述金属挡板的遮挡面的弧面角度一致；所述遮挡面的两端分别向所述蒸发源的方向折弯后形成两条相同长度的下边沿，所述下边沿与所述遮挡面之间形成内凹口。而本实用新型提供了可旋转的挡板结构，解决了蒸发源预熔化时蒸发源散发出来的分子或原子泄漏到产品上造成产品不良的问题。因此，该文献与本实用新型所介绍的方法是属于不同的发明构思。


技术实现要素：

4.针对现有技术中的缺陷，本实用新型的目的是提供一种半导体蒸发镀膜设备蒸发源预熔化挡板结构。
5.根据本实用新型提供的一种半导体蒸发镀膜设备蒸发源预熔化挡板结构，包括蒸发源预熔挡板和连接杆，蒸发源预熔挡板通过固定块螺栓连接于连接杆上，连接杆安装于半导体蒸发镀膜设备的转轴上，蒸发源预熔挡板位于蒸发源正上方；
6.蒸发源预熔挡板包括弧形板和第一内丝螺孔，第一内丝螺孔位于弧形板上，第一内丝螺孔连接固定块螺栓。
7.一些实施例中，弧形板朝向蒸发源的一面为凹面，背向蒸发源的另一面为凸面。
8.一些实施例中，连接杆包括杆体、连接杆固定孔以及预留固定孔，杆体一端上设有连接杆固定孔，杆体另一端设有预留固定孔。
9.一些实施例中，第一内丝螺孔与连接杆固定孔的轴心保持在同一垂直线上，固定
块螺栓穿过连接杆固定孔与第一内丝螺孔相连。
10.一些实施例中，固定块螺栓为外丝螺栓，固定块螺栓卡接于内丝螺孔内。
11.一些实施例中，杆体为一体式t型杆。
12.一些实施例中，预留固定孔通过固定顶丝螺栓将连接杆连接于半导体蒸发镀膜设备的转轴上。
13.一些实施例中，连接杆还包括第二内丝螺孔，第二内丝螺孔连接于杆体的侧边，第二内丝螺孔与预留固定孔相连，固定顶丝螺栓通过第二内丝螺孔锁紧。
14.一些实施例中，弧形板呈椭圆形。
15.与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：
16.本实用新型通过挡板有效阻挡了蒸发源预熔化时散发出来的分子或原子泄漏到产品上，提高产品的质量，降低成本；通过连接杆的使用有效实现对挡板的转动，便于使用。
附图说明
17.通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
18.图1为本实用新型的俯视图；
19.图2为本实用新型的正视图；
20.图3为本实用新型蒸发源预熔挡板的结构示意图；
21.图4为本实用新型连接杆的俯视图；
22.图5为本实用新型连接杆的右视图。
具体实施方式
23.下面结合具体实施例对本实用新型进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本实用新型，但不以任何形式限制本实用新型。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本实用新型的保护范围。
24.实施例1
25.本实用新型提供了一种半导体蒸发镀膜设备蒸发源预熔化挡板结构，包括蒸发源预熔挡板1和连接杆2，蒸发源预熔挡板1通过固定块螺栓3连接于连接杆2上，连接杆2安装于半导体蒸发镀膜设备的转轴上，蒸发源预熔挡板1位于蒸发源正上方。蒸发源预熔挡板1包括弧形板11和第一内丝螺孔12，第一内丝螺孔12位于弧形板11上，弧形板11朝向蒸发源的一面为凹面，背向蒸发源的另一面为凸面。
26.连接杆2包括杆体21、连接杆固定孔22、预留固定孔23以及第二内丝螺孔24，优选的，杆体21为一体式t型杆。杆体21一端上设有连接杆固定孔22，杆体21另一端设有预留固定孔23。第二内丝螺孔24连接于杆体21的侧边，第二内丝螺孔24与预留固定孔23相连。固定顶丝螺栓4穿过预留固定孔23并通过第二内丝螺孔24锁紧，使连接杆2连接于半导体蒸发镀膜设备的转轴上。优选的，半导体蒸发镀膜设备的转轴为控制蒸发源预熔挡板开启和关闭的转轴。
27.第一内丝螺孔12与连接杆固定孔22的轴心保持在同一垂直线上，固定块螺栓3穿
过连接杆固定孔22与第一内丝螺孔12相连。优选的，固定块螺栓3为外丝螺栓，固定块螺栓3卡接于第一内丝螺孔12内。
28.实施例2
29.本实施例2实在是实施例1的基础上完成的，弧形板11呈椭圆形，具体的：
30.弧形板11呈椭圆形，包括但不限于椭圆形等壁厚弧形板。椭圆形等壁厚弧形板11 结构的优点：坩埚蒸发源上方预留口为长方形，椭圆形比圆形挡板更易挡住蒸发源预熔化时蒸发源散发出来的分子或原子，并且椭圆形无尖角部分比方形挡板更节省占用空间；等壁厚弧形板比平面板更易挡住蒸发源预熔化时蒸发源散发出来的分子或原子。
31.在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
32.以上对本实用新型的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本实用新型并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本实用新型的实质内容。在不冲突的情况下，本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。


技术特征：
1.一种半导体蒸发镀膜设备蒸发源预熔化挡板结构，其特征在于，包括蒸发源预熔挡板(1)和连接杆(2)，所述蒸发源预熔挡板(1)通过固定块螺栓(3)连接于所述连接杆(2)上，所述连接杆(2)安装于半导体蒸发镀膜设备的转轴上，所述蒸发源预熔挡板(1)位于蒸发源正上方；所述蒸发源预熔挡板(1)包括弧形板(11)和第一内丝螺孔(12)，所述第一内丝螺孔(12)位于所述弧形板(11)上，所述第一内丝螺孔(12)连接所述固定块螺栓(3)。2.根据权利要求1所述半导体蒸发镀膜设备蒸发源预熔化挡板结构，其特征在于，所述弧形板(11)朝向蒸发源的一面为凹面，背向蒸发源的另一面为凸面。3.根据权利要求1所述半导体蒸发镀膜设备蒸发源预熔化挡板结构，其特征在于，所述连接杆(2)包括杆体(21)、连接杆固定孔(22)以及预留固定孔(23)，所述杆体(21)一端上设有所述连接杆固定孔(22)，所述杆体(21)另一端设有所述预留固定孔(23)。4.根据权利要求3所述半导体蒸发镀膜设备蒸发源预熔化挡板结构，其特征在于，所述第一内丝螺孔(12)与所述连接杆固定孔(22)的轴心保持在同一垂直线上，所述固定块螺栓(3)穿过所述连接杆固定孔(22)与所述第一内丝螺孔(12)相连。5.根据权利要求1所述半导体蒸发镀膜设备蒸发源预熔化挡板结构，其特征在于，所述固定块螺栓(3)为外丝螺栓，所述固定块螺栓(3)卡接于所述内丝螺孔(12)内。6.根据权利要求3所述半导体蒸发镀膜设备蒸发源预熔化挡板结构，其特征在于，所述杆体(21)为一体式t型杆。7.根据权利要求3所述半导体蒸发镀膜设备蒸发源预熔化挡板结构，其特征在于，所述预留固定孔(23)通过固定顶丝螺栓(4)将所述连接杆(2)连接于半导体蒸发镀膜设备的转轴上。8.根据权利要求7所述半导体蒸发镀膜设备蒸发源预熔化挡板结构，其特征在于，所述连接杆(2)还包括第二内丝螺孔(24)，所述第二内丝螺孔(24)连接于所述杆体(21)的侧边，所述第二内丝螺孔(24)与所述预留固定孔(23)相通，所述固定顶丝螺栓(4)通过所述第二内丝螺孔(24)锁紧。9.根据权利要求1所述半导体蒸发镀膜设备蒸发源预熔化挡板结构，其特征在于，所述弧形板(11)呈椭圆形。

技术总结
本实用新型涉及挡板结构技术领域的半导体蒸发镀膜设备蒸发源预熔化挡板结构，包括蒸发源预熔挡板和连接杆，蒸发源预熔挡板通过固定块螺栓连接于连接杆上，连接杆安装于半导体蒸发镀膜设备的转轴上，蒸发源预熔挡板位于蒸发源正上方。本实用新型通过挡板有效阻挡了蒸发源散预熔化时发出来的分子或原子泄漏到产品上，提高产品的质量，降低成本；通过连接杆的使用有效实现对挡板的转动，便于使用。便于使用。便于使用。


技术研发人员：陈灿
受保护的技术使用者：淄博绿能芯创电子科技有限公司
技术研发日：2021.11.10
技术公布日：2022/5/16