经加工的基材的制造方法、半导体元件的制造方法、及临时粘接剂层形成用组合物与流程

本发明涉及一种经加工的基材的制造方法、半导体元件的制造方法、及临时粘接剂层形成用组合物。

背景技术：

1、在半导体元件的制造工序(半导体工艺)中，在加工基材的情况下，在制造依次具备支承体、临时粘接剂层及基材的层叠体后，对基材进行加工。在上述层叠体的制造中，使用在基材及支承体中的一个上形成临时粘接剂层后，使基材及支承体中的另一个与临时粘接剂层接触的方法。

2、例如，在专利文献1中记载了一种带凸块的器件硅基板的平坦化加工方法，其特征在于经过如下工序：

3、(1).在带凸块的器件硅基板的凸块面上设置粘接剂层。

4、(2).以该粘接剂层成为上表面且硅基板面成为下表面的方式固定在磨削装置的吸附卡盘上。

5、(3).利用杯轮式磨削砂轮对固定在上述吸附卡盘上的器件硅基板的粘接剂层进行向下进给磨削加工，磨削加工去除粘接剂层直至粘接剂层的表面覆盖凸块的厚度。此时，由开口角度4～15度喷嘴向未供于器件硅基板的粘接剂层的磨削加工的杯轮式磨削砂轮的刀尖部分喷射压力5～12mpa的高压水，冲洗附着于刀尖的粘接剂残渣，向磨削加工工作台外排水。

6、(4).接着，在磨削装置的基板吸附卡盘上，将上述磨削加工的粘接剂层以硅基板面为上方的方式固定在下表面上。

7、(5).向硅基板面供给磨削水溶液，并且使用杯轮式磨削砂轮对上述硅基板面进行向下进给磨削加工，进行磨削加工直至硅基板厚度成为30～100μm。

8、并且，在专利文献2中记载了一种半导体装置的制造方法，其包括：(a)在第1主面上具有阶梯差结构的半导体晶圆的上述第1主面上涂布树脂部件的工序；及(b)对上述树脂部件进行加热，将该树脂部件的表面平坦化的工序，上述树脂部件也形成在上述半导体晶圆侧面上，上述制造方法还包括：(c)在上述工序(b)之后，对上述半导体晶圆的第2主面实施上述半导体晶圆的薄化加工的工序；及(d)在上述工序(c)之后，从上述半导体晶圆去除上述树脂部件。

9、以往技术文献

10、专利文献

11、专利文献1：日本特开2017-103441号公报

12、专利文献2：日本特开2012-174956号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术课题

2、在此，在具有阶梯差的基材或支承体上形成临时粘接剂层的情况下，有时在临时粘接剂层本身产生阶梯差。

3、为了提高后续基材的加工性，具有这样的阶梯差的临时粘接剂层有时供于研磨、磨削，并使表面平坦化。

4、然而，在使用以往的临时粘接剂层进行上述平坦化的情况下，用于研磨、磨削的装置、器具等(例如，金刚石刀片)发生堵塞，从而平坦化变得困难，结果有时在加工基材时基材发生破裂等，基材的加工性降低。

5、本发明的目的在于提供一种基材的加工性优异的经加工的基材的制造方法、包括上述经加工的基材的制造方法的半导体元件的制造方法、及基材的加工性优异的临时粘接剂层形成用组合物。

6、用于解决技术课题的手段

7、本发明的代表性实施方式的例子如下所示。

8、<1>一种经加工的基材的制造方法，其包括：

9、在基材及支承体中的一个部件的表面适用临时粘接剂层形成用组合物来形成临时粘接剂层的工序；

10、利用研磨及磨削中的至少一种机构，将上述临时粘接剂层的、与和上述基材相接的表面相反的一侧的表面、或与和上述支承体相接的表面相反的一侧的表面平坦化的工序；

11、使基材及支承体中未形成临时粘接剂层的部件与上述平坦化后的临时粘接剂层的上述平坦化的表面接触的工序；及

12、对上述基材的与和上述临时粘接剂层相接的面相反的一面进行加工的工序，

13、上述临时粘接剂层含有无机填料。

14、<2>根据<1>所述的经加工的基材的制造方法，其中，上述无机填料含有二氧化硅或氧化铝。

15、<3>根据<1>或<2>所述的经加工的基材的制造方法，其中，相对于上述临时粘接剂层的总体积，无机填料的含量为20体积％以上。

16、<4>根据<1>至<3>中任一项所述的经加工的基材的制造方法，其中，在形成上述临时粘接剂层的工序中，适用上述临时粘接剂层形成用组合物的面具有高低差为1μm以上的凹凸。

17、<5>根据<1>至<4>中任一项所述的经加工的基材的制造方法，其中，在形成上述临时粘接剂层的工序中，上述临时粘接剂层形成用组合物的适用方法为旋涂、狭缝涂布、螺旋涂布中的任一种。

18、<6>根据<1>至<5>中任一项所述的经加工的基材的制造方法，其中，形成上述临时粘接剂层的工序是在适用上述临时粘接剂层形成用组合物后，一边使温度变化30℃以上一边进行干燥而形成临时粘接剂层的工序。

19、<7>根据<1>至<6>中任一项所述的经加工的基材的制造方法，其在上述加工工序之后，还包括剥离基材和支承体的工序。

20、<8>根据<7>所述的经加工的基材的制造方法，其中，上述剥离工序是在支承体与临时粘接剂层的界面进行剥离的工序。

21、<9>根据<1>至<8>中任一项所述的经加工的基材的制造方法，其还包括通过喷雾清洗从基材去除上述临时粘接剂层的工序。

22、<10>根据<1>至<9>中任一项所述的经加工的基材的制造方法，其中，上述支承体为片状或膜状。

23、<11>一种半导体元件的制造方法，其包括<1>至<10>中任一项所述的经加工的基材的制造方法。

24、<12>一种临时粘接剂层形成用组合物，其用于形成<1>至<10>中任一项所述的临时粘接剂层。

25、发明效果

26、本发明的目的在于提供一种基材的加工性优异的经加工的基材的制造方法、包括上述经加工的基材的制造方法的半导体元件的制造方法、及基材的加工性优异的临时粘接剂层形成用组合物。

技术特征：

1.一种经加工的基材的制造方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的经加工的基材的制造方法，其中，

3.根据权利要求1或2所述的经加工的基材的制造方法，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的经加工的基材的制造方法，其中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的经加工的基材的制造方法，其中，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的经加工的基材的制造方法，其中，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的经加工的基材的制造方法，其在所述加工工序之后，还包括剥离基材和支承体的工序。

8.根据权利要求7所述的经加工的基材的制造方法，其中，

9.根据权利要求1至8中任一项所述的经加工的基材的制造方法，其还包括通过喷雾清洗从基材去除所述临时粘接剂层的工序。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的经加工的基材的制造方法，其中，

11.一种半导体元件的制造方法，其包括权利要求1至10中任一项所述的经加工的基材的制造方法。

12.一种临时粘接剂层形成用组合物，其用于形成权利要求1至10中任一项所述的临时粘接剂层。

技术总结
本发明提供一种经加工的基材的制造方法、包括上述经加工的基材的制造方法的半导体元件的制造方法、以及基材的加工性优异的临时粘接剂层形成用组合物，上述经加工的基材的制造方法包括：在基材及支承体中的一个部件的表面形成临时粘接剂层的工序；利用研磨及磨削中的至少一种机构，将上述临时粘接剂层的、与和上述基材相接的表面相反的一侧的表面、或与和上述支承体相接的表面相反的一侧的表面平坦化的工序；使基材及支承体中未形成临时粘接剂层的部件与上述平坦化的表面接触的工序；及对上述基材的与和上述临时粘接剂层相接的面相反的一面进行加工的工序，上述临时粘接剂层含有无机填料。

技术研发人员：斋江俊之
受保护的技术使用者：富士胶片株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11