具有金属蚀刻残留物的室部件的清洁方法与流程

背景技术：

1、本发明关于等离子体处理室的部件的金属残留物的清洁方法。

2、在半导体晶片处理期间，可通过含金属层蚀刻特征部。在磁性随机存取内存(mram)或电阻式随机存取内存(rram)装置的形成中，可依序蚀刻多个薄金属层或膜。对于mram，可使用多个薄金属层来形成磁性穿隧接面堆叠件。该薄金属层可能含有钌(ru)以及其他金属，例如钴(co)、铁(fe)、钯(pd)、镍(ni)、硼(b)、铂(pt)、钽(ta)、钼(mo)、钛(ti)、锰(mn)、镁(mg)、铬(cr)、铱(ir)、钨(w)、铜(cu)、铝(al)、铪(hf)、铟(in)、锡(sn)、金(au)、以及银(ag)。

3、这样的含金属层可在等离子体处理室中被蚀刻。在等离子体蚀刻处理期间，蚀刻金属残留物可能沉积在等离子体处理室的部件的面向等离子体的表面上。过多的残留物改变室的性能且也可能产生污染物，并还可能使部件无法使用。部件的性能的变化可能导致不均匀性。污染物可能导致正在制造的装置出现故障。若部件无法使用且必须更换，则更换部件可能为昂贵的。

4、此处所提供的背景技术说明是为了大体上介绍本发明的背景。在此背景技术章节所叙述的信息，以及在申请时不应当作为背景技术的说明书的各方面，既没有明确地也没有暗示地被承认为针对本公开的现有技术。

技术实现思路

1、为实现前述以及依据本发明的目的，提供在半导体处理室的部件的至少一表面上清洁残留物的方法，该残留物含有钌(ru)残留物。将该残留物暴露至ru清洁成分，其包含次氯酸盐以及o3基底的化学物质的至少一者，其中该ru清洁成分去除该ru残留物。

2、在另一表现形式中，提供由半导体处理室的部件清洁残留物的方法，该残留物含有贵金属残留物。将该贵金属残留物暴露至贵金属清洁成分，其包含亚硫酰氯和吡啶，其中该贵金属清洁成分去除该贵金属残留物。

3、以下将结合附图说明并在本发明的实施方式中，更详细地描述本发明的这些与其他特征。

技术特征：

1.一种在半导体处理室的部件的至少一表面上清洁残留物的方法，所述残留物含有钌(ru)残留物，所述方法包含以下的步骤：将所述残留物暴露至ru清洁成分，所述ru清洁成分包含次氯酸盐以及o3基底的化学物质的至少一者，其中所述ru清洁成分去除所述ru残留物。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述暴露所述残留物的步骤包含将所述部件浸入所述ru清洁成分的浴中。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述ru清洁成分还包含氨。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述残留物还包含贵金属残留物，且其中所述方法还包含将所述残留物暴露于贵金属清洁成分，所述贵金属清洁成分包含在溶剂中的亚硫酰氯和吡啶，其中所述贵金属清洁成分去除贵金属残留物。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述溶剂为有机溶剂。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述有机溶剂为乙腈、二甲基亚砜、以及二甲基甲酰胺中的至少一者。

7.如权利要求4所述的方法，其中所述残留物还包含硅氧化物残留物，且其中所述方法还包含将所述残留物暴露至硅氧化物湿清洁溶液，所述硅氧化物湿清洁溶液包含酸以及包含有机溶剂的钝化溶液，其中所述酸去除所述硅氧化物残留物，且其中所述钝化溶液钝化所述部件的至少一表面。

8.如权利要求7所述的方法，其中将所述成分的至少一个表面暴露至所述ru清洁成分、将所述残留物暴露至所述贵金属清洁成分、以及将所述残留物暴露于硅氧化物湿清洁溶液被依序执行。

9.如权利要求7所述的方法，其中将所述成分的至少一个表面暴露至所述ru清洁成分、将所述残留物暴露至所述贵金属清洁成分、以及将所述残留物暴露于硅氧化物湿清洁溶液被依序执行多个循环。

10.如权利要求7所述的方法，其中将所述成分的至少一个表面暴露至所述ru清洁成分、将所述残留物暴露至所述贵金属清洁成分、以及将所述残留物暴露于硅氧化物湿清洁溶液被同时执行。

11.如权利要求7所述的方法，其中将所述成分的至少一个表面暴露至所述ru清洁成分、将所述残留物暴露至所述贵金属清洁成分、以及将所述成分的至少一个表面暴露于硅氧化物湿清洁溶液中的至少二者被同时执行。

12.如权利要求7所述的方法，其中所述硅氧化物湿清洁溶液的所述酸，包含氢氟酸(hf)和氟化铵(nh4f)中的至少一者。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述钝化溶液包含甲胺、亚乙基胺、乙二胺、二亚乙基三胺、乙二醇、丙二醇和乙酰丙酮中的至少一者。

14.如权利要求12所述的方法，其中所述钝化溶液包含有机溶剂。

15.如权利要求12所述的方法，其中所述钝化溶液包含胺、醇、二醇和丙酮的族中至少一者。

16.如权利要求1所述的方法，其中所述ru清洁成分还包含水。

17.一种从半导体处理室的部件清洁残留物的方法，所述残留物包含贵金属残留物，所述方法包含将所述贵金属残留物暴露至贵金属清洁成分，所述贵金属清洁成分包含亚硫酰氯和吡啶，其中所述贵金属清洁成分去除所述贵金属残留物。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述贵金属清洁成分还包含有机溶剂。

19.如权利要求18所述的方法，其中所述有机溶剂为乙腈、二甲基亚砜、以及二甲基甲酰胺中的至少一者。

20.如权利要求17所述的方法，其中所述贵金属清洁成分还包含溶剂。

21.一种从半导体处理室的部件的至少一表面上清洁残留物的方法，所述残留物包含硅氧化物残留物，所述方法包含将所述残留物暴露至硅氧化物湿清洁溶液，所述硅氧化物湿清洁溶液包含酸以及钝化溶液，所述钝化溶液包含有机溶剂，其中所述酸去除所述硅氧化物残留物，且其中所述钝化溶液钝化所述部件的至少一表面。

22.如权利要求21所述的方法，其中所述硅氧化物湿清洁溶液的所述酸，包含氢氟酸(hf)和氟化铵(nh4f)中的至少一者。

23.如权利要求22所述的方法，其中所述钝化溶液包含甲胺、亚乙基胺、乙二胺、二亚乙基三胺、乙二醇、丙二醇和乙酰丙酮中的至少一者。

24.如权利要求22所述的方法，其中所述钝化溶液包含一有机溶剂。

25.如权利要求22所述的方法，其中所述钝化溶液包含胺、醇、二醇和酮的族中至少一者。

技术总结
提供一种在半导体处理室的部件的至少一表面上清洁残留物的方法，该残留物含有钌(Ru)残留物。将该残留物暴露至Ru清洁成分，其包含次氯酸盐以及O<subgt;3</subgt;基底的化学物质的至少一者，其中该Ru清洁成分去除该Ru残留物。

技术研发人员：杨文兵,萨曼莎·西亚姆华·坦,林染,塔玛尔·穆克吉,康潇宇,潘阳,石洪,周春红
受保护的技术使用者：朗姆研究公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15