成膜方法和成膜装置与流程

本公开涉及成膜方法和成膜装置。

背景技术：

1、已知有如下技术：在形成硅氧化膜之后，使用利用稀有气体的等离子体化而得到的等离子体来进行硅氧化膜的改性(例如，参照专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2014－090181号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本发明提供一种能够在形成氮氧化硅膜之后控制氮氧化硅膜的膜中氮浓度的技术。

3、用于解决问题的方案

4、本发明的一技术方案的成膜方法具有以下工序：(a)在基板上形成含有硅(si)、氧(o)以及氮(n)的膜；以及(b)将形成有所述膜的所述基板暴露于由含有ar气体的等离子体生成气体生成的等离子体中，在该工序中，通过对所述等离子体生成气体中是否含有氮化气体进行切换，从而调整所述膜中含有的氮浓度。

5、发明的效果

6、根据本发明，能够在形成氮氧化硅膜之后控制氮氧化硅膜的膜中氮浓度。

技术特征：

1.一种成膜方法，其中，

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

3.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的成膜方法，其中，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜方法，其中，

6.根据权利要求5所述的成膜方法，其中，

7.根据权利要求5或6所述的成膜方法，其中，

8.根据权利要求7所述的成膜方法，其中，

9.一种成膜装置，其中，

技术总结
本发明提供成膜方法和成膜装置。提供一种能够在形成了氮氧化硅膜后控制氮氧化硅膜的膜中氮浓度的技术。本发明的一形态的成膜方法具有以下工序：(a)在基板上形成含有硅(Si)、氧(O)以及氮(N)的膜；以及(b)将形成有所述膜的所述基板暴露于由含有Ar气体的等离子体生成气体生成的等离子体中，在该工序中，通过对所述等离子体生成气体中是否含有氮化气体进行切换，从而调整所述膜中含有的氮浓度。

技术研发人员：千叶贵司,佐藤润
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12