一种轮毂型镍基划片刀用磨刀板的制备方法与流程

本发明涉及划片刀用磨刀板，尤其涉及了一种轮毂型镍基划片刀用磨刀板的制备方法。

背景技术：

1、轮毂型镍基划片刀主要应用于半导体晶圆的相关切割及划片，由于轮毂型镍基划片刀采用金属镍为结合剂复合金刚石，刀片在应用于晶圆切割过程前，一般均需采用磨刀工艺进行刀片的修整。

2、由于轮毂型镍基划片刀切割晶圆要求精度较高，尤其切割深度要求精度在10μm，划片刀安装在切割机上时由于划片刀内孔与切割机法兰不可能完美配合，因此将划片刀安装在切割机上后需进行刀片修正，以修复划片刀与切割机配合，以达到刀片转动过程中良好的偏心量，以达到较高的切割精度；同时，轮毂型镍基划片刀在切割初期刀片表面状态并不稳定，容易造成切割初期的产品不良，同样需要对其进行磨刀以改善刀片表面状态，最终达到稳定的切割效果。

3、目前半导体公司磨刀一般采用硅片或磨刀板进行磨刀，而磨刀板一般均为进口磨刀板，但价格较高，而普通的硅片磨刀片效率低下，切割品质也参差不齐。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种轮毂型镍基划片刀用磨刀板的制备方法，原料中添加了碳化硅的磨料，可以在刀片的磨刀过程中有效的进行刀片表面的修整，大幅提高了修整效率，且由于其存在使得修整后轮毂型镍基划片刀的表面更加平滑，高低不一致的金刚石已被修整，可有效减少划片刀在前期切割晶圆过程中的崩缺，提高切割品质。

2、为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种轮毂型镍基划片刀用磨刀板的制备方法，包括如下步骤，

3、s1)准确称取原料碳化硅粉体、酚醛树脂和石墨，进行球磨混料；

4、s2)将混料后的物料加入磨具中，热压成型；

5、s3)采用研磨机研磨磨刀板的端面，制得轮毂型镍基划片刀用磨刀板。

6、作为进一步的优化，s1中各原料的重量分数为：5-10份碳化硅粉体、80-100份酚醛树脂和2-5份石墨。

7、作为进一步的优化，s1中各原料的重量分数为：5-8份碳化硅粉体、95-100份酚醛树脂和2-4份石墨。

8、作为进一步的优化，s1中各原料的重量分数为：5份碳化硅粉体、100份酚醛树脂和2份石墨。

9、作为进一步的优化，s1中的混料时间为1-2h。

10、作为进一步的优化，s2中热压成型中的压力为50-80mpa。

11、作为进一步的优化，s2中热压成型为正方形柱体。

12、作为进一步的优化，s2热压成型的长度或宽度为60-80mm，厚度为1.1-1.2mm。

13、作为进一步的优化，s3中研磨后的厚度为1.0±0.01mm。

14、与已有技术相比，本发明的有益效果体现在：

15、本发明的磨刀板中添加了碳化硅的磨料，其可以在刀片的磨刀过程中有效的进行刀片表面的修整，大幅提高了修整效率，且由于其存在使得修整后轮毂型镍基划片刀的表面更加平滑，高低不一致的金刚石已被修整，可有效减少划片刀在前期切割晶圆过程中的崩缺，提高切割品质。

技术特征：

1.一种轮毂型镍基划片刀用磨刀板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤，

2.根据权利要求1所述的轮毂型镍基划片刀用磨刀板的制备方法，其特征在于，s1中各原料的重量分数为：5-10份碳化硅粉体、80-100份酚醛树脂和2-5份石墨。

3.根据权利要求1所述的轮毂型镍基划片刀用磨刀板的制备方法，其特征在于，s1中各原料的重量分数为：5-8份碳化硅粉体、95-100份酚醛树脂和2-4份石墨。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的轮毂型镍基划片刀用磨刀板的制备方法，其特征在于，s1中各原料的重量分数为：5份碳化硅粉体、100份酚醛树脂和2份石墨。

5.根据权利要求1所述的轮毂型镍基划片刀用磨刀板的制备方法，其特征在于，s1中的混料时间为1-2h。

6.根据权利要求1所述的轮毂型镍基划片刀用磨刀板的制备方法，其特征在于，s2中热压成型中的压力为50-80mpa。

7.根据权利要求1所述的轮毂型镍基划片刀用磨刀板的制备方法，其特征在于，s2中热压成型为正方形柱体。

8.根据权利要求1或7所述的轮毂型镍基划片刀用磨刀板的制备方法，其特征在于，s2热压成型的长度或宽度为60-80mm，厚度为1.1-1.2mm。

9.根据权利要求1所述的轮毂型镍基划片刀用磨刀板的制备方法，其特征在于，s3中研磨后的厚度为1.0±0.01mm。

技术总结
本发明公开了一种轮毂型镍基划片刀用磨刀板的制备方法，包括：S1)准确称取原料碳化硅粉体、酚醛树脂和石墨，进行球磨混料；S2)将混料后的物料加入磨具中，热压成型；S3)采用研磨机研磨磨刀板的端面，制得轮毂型镍基划片刀用磨刀板。本发明原料中添加了碳化硅的磨料，可以在刀片的磨刀过程中有效的进行刀片表面的修整，大幅提高了修整效率，且由于其存在使得修整后轮毂型镍基划片刀的表面更加平滑，高低不一致的金刚石已被修整，可有效减少划片刀在前期切割晶圆过程中的崩缺，提高切割品质。

技术研发人员：陈昱,夏磊,刘学民
受保护的技术使用者：苏州赛尔科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11