本发明涉及气体供给部、处理装置及半导体器件的制造方法。
背景技术：
1、作为半导体器件的制造工序的一个工序，存在进行在基板上形成膜的处理的工序(例如参照专利文献1-3)。根据这些文献，设置供给处理气体的喷嘴(nozzle)和供给非活性气体的喷嘴，供给对于基板处理无贡献的非活性气体以使得处理气体在基板上均等地流动。然而，依然存在难以使处理气体均等地流动的情况。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2019-062053号公报
5、专利文献2：日本特开2019-203182号公报
6、专利文献3：国际公开2021/020008号公报
技术实现思路
1、本发明提供一种能够使处理气体在基板上均等地流动的技术。
2、根据本发明的第一方案，提供一种具有分别向配置有基板的处理室供给气体的第一开口部和第二开口部的技术，构成为，
3、上述第一开口部和上述第二开口部在相对于上述基板的表面平行的平行方向上排列，
4、从上述第一开口部供给的气体被向上述基板的中心方向供给，
5、从上述第二开口部供给的气体被向上述基板的周缘方向供给，
6、从上述第二开口部供给的气体的朝向以从上述第一开口部供给的气体的朝向为基准而形成预先决定的角度。
7、发明效果
8、根据本发明，能够使处理气体在基板上均等地流动。
1.一种气体供给部，具有分别向配置有基板的处理室供给气体的第一开口部和第二开口部，其特征在于，构成为，
2.根据权利要求1所述的气体供给部，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的气体供给部，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的气体供给部，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的气体供给部，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的气体供给部，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的气体供给部，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的气体供给部，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的气体供给部，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的气体供给部，其特征在于，
11.根据权利要求1所述的气体供给部，其特征在于，
12.根据权利要求1所述的气体供给部，其特征在于，
13.根据权利要求12所述的气体供给部，其特征在于，
14.根据权利要求12所述的气体供给部，其特征在于，
15.根据权利要求12所述的气体供给部，其特征在于，
16.根据权利要求12所述的气体供给部，其特征在于，
17.一种处理装置，其特征在于，具备第一气体供给部，该第一气体供给部构成为，
18.根据权利要求17所述的处理装置，其特征在于，
19.根据权利要求17所述的处理装置，其特征在于，
20.根据权利要求17所述的处理装置，其特征在于，
21.根据权利要求20所述的处理装置，其特征在于，
22.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，