一种半导体设备零部件的清洁装置的制作方法

本技术涉及半导体设备，特别涉及一种半导体设备零部件的清洁装置。

背景技术：

1、化学气相沉积工艺，尤其是金属气相化学沉积mocvd工艺中，为了承载晶圆并对晶圆进行加热，一般会将晶圆置于托盘之上，但实际工艺时，沉积并不会只发生在晶圆表面，托盘表面同样也会发生沉积，托盘上的沉积物需要及时清理，否则会对工艺效果产生影响。

2、对托盘的清理一般是将一个托盘放置于一个相对封闭的高温空间内，通入清洁气体使其流经托盘并与沉积物进行反应以对托盘进行清洁。由于每次清洁一个托盘后都需要将其取出以进行下一个托盘的清洁，在从高温空间取出一个托盘并放置另一个待清洁托盘时会导致温度的降低，这就要求再次升温到清洁温度，这将导致清洁效率低和能耗较高，不能满足生产要求。此外，由于需要一直通入清洁气体，而清洁气体往往是昂贵的气体，如氯气等，这就导致清洁的成本较高。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是提供一种半导体设备零部件的清洁装置，用于提高清洁效率，降低清洁成本，提高清洁气体利用率。

2、为了实现以上目的中的至少一个，本实用新型通过以下技术方案实现：

3、一种半导体设备零部件的清洁装置，用于清洁所述零部件上的待清洁物，其包括：反应炉，所述零部件在所述反应炉内被清洁；加热单元，用于对所述反应炉进行加热；气体供应装置，向所述反应炉供应清洁气体；其特征在于，所述反应炉分为多个相互独立的清洁区域，每一所述清洁区域均用于保持所述零部件，且每一所述清洁区域设置有独立的进气通道和排气通道，所述进气通道用于通入清洁气体，所述排气通道用于排出所述清洁气体和待清洁物的反应生成物或待清洁物。

4、优选地，该清洁装置还包括：过滤器，用于过滤反应生成物或待清洁物；其中，所述过滤器与排气通道连接。

5、优选地，该清洁装置还包括：气体循环单元，其一端与所述过滤器连接，另一端与所述进气通道连接，以使所述清洁气体在所述反应炉及所述过滤器之间形成的回路循环。

6、优选地，该清洁装置还包括：抽气泵，所述抽气泵通过抽气阀与所述过滤器和所述气体循环单元之间的管道连通，并且在所述抽气阀与所述气体循环单元之间还设置有循环阀。

7、优选地，该清洁装置还包括：冷阱，对流经的气体降温，所述冷阱设置在所述过滤器与排气通道之间。

8、优选地，该清洁装置还包括：真空腔体，所述反应炉设置于所述真空腔体内。

9、优选地，所述反应炉可拆装地设置于所述真空腔体内。

10、优选地，所述真空腔体与所述反应炉之间存在气体通道。

11、优选地，所述气体供应装置还用于向所述气体通道供应吹扫气体。

12、优选地，所述加热单元设置于所述真空腔体。

13、优选地，所述进气通道与所述清洁区域之间的进气通孔和所述排气通道与所述清洁区域之间的排气通孔对称设置于所述清洁区域的两侧。

14、优选地，所述进气通道或所述排气通道非设置于各所述清洁区域之间。

15、优选地，所述清洁区域为长方体形或圆柱体形。

16、优选地，所述待清洁物为gan、aln或algan，所述清洁气体为n2、h2、cl2或nh3。

17、优选地，所述反应炉通过隔板分隔为多个所述清洁区域，所述隔板可拆装。

18、优选地，所述清洁区域内设置有限位块。

19、优选地，所述清洁区域内设置有可更换的调速单元，所述调速单元用于调节流经所述清洁区域的清洁气体的流速。

20、优选地，所述调速单元在所述清洁区域内占据的空间从所述进气通孔到所述排气通孔逐渐增加。

21、优选地，所述排气通道和/或所述进气通道上设置有独立控制的阀门。

22、优选地，所述反应炉的材料为石墨、石墨镀碳化硅、石墨镀碳化铊、石墨镀碳化钨、石墨镀碳化铌、石墨镀碳化钼中的一种或几种的组合。

23、本实用新型至少具有以下优点之一：

24、本实用新型提供的半导体设备零部件的清洁装置，通过在反应炉中设置多个相互独立的清洁区域，每一清洁区域可放置零部件进行清洁，增加了同时清洁零部件的数量，还为反应炉的清洁气体提供一个循环回路，使清洁气体能够循环利用，提高清洁气体的使用率。通过设置调速单元，保证每一独立清洁区域的清洁气体流经待清洁零部件的流速一致，由于清洁速率与清洁气体的流速存在一定的关系，因此还能保证各零部件的清洁速率一致。

技术特征：

1.一种半导体设备零部件的清洁装置，用于清洁所述零部件上的待清洁物，其包括：反应炉，所述零部件在所述反应炉内被清洁；加热单元，用于对所述反应炉进行加热；气体供应装置，向所述反应炉供应清洁气体；其特征在于，所述反应炉分为多个相互独立的清洁区域，每一所述清洁区域均用于保持所述零部件，且每一所述清洁区域设置有独立的进气通道和排气通道，所述进气通道用于通入清洁气体，所述排气通道用于排出所述清洁气体和待清洁物的反应生成物或待清洁物。

2.如权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，还包括：过滤器，用于过滤反应生成物或待清洁物；其中，所述过滤器与排气通道连接。

3.如权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，还包括：气体循环单元，其一端与所述过滤器连接，另一端与所述进气通道连接，以使所述清洁气体在所述反应炉及所述过滤器之间形成的回路循环。

4.如权利要求3所述的清洁装置，其特征在于，还包括：抽气泵，所述抽气泵通过抽气阀与所述过滤器和所述气体循环单元之间的管道连通，并且在所述抽气阀与所述气体循环单元之间还设置有循环阀。

5.如权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，还包括：冷阱，对流经的气体降温，所述冷阱设置在所述过滤器与排气通道之间。

6.如权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，还包括：真空腔体，所述反应炉设置于所述真空腔体内。

7.如权利要求6所述的清洁装置，其特征在于，所述反应炉可拆装地设置于所述真空腔体内。

8.如权利要求7所述的清洁装置，其特征在于，所述真空腔体与所述反应炉之间存在气体通道。

9.如权利要求8所述的清洁装置，其特征在于，所述气体供应装置还用于向所述气体通道供应吹扫气体。

10.如权利要求9所述的清洁装置，其特征在于，所述加热单元设置于所述真空腔体。

11.如权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述进气通道与所述清洁区域之间的进气通孔和所述排气通道与所述清洁区域之间的排气通孔相对设置于所述清洁区域的两侧。

12.如权利要求11所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁区域为长方体形或圆柱体形。

13.如权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述进气通道或所述排气通道非设置于各所述清洁区域之间。

14.如权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述待清洁物为gan、aln或algan，所述清洁气体为n2、h2、cl2或nh3。

15.如权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述反应炉通过隔板分隔为多个所述清洁区域，所述隔板可拆装。

16.如权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁区域内设置有限位块。

17.如权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁区域内设置有可更换的调速单元，所述调速单元用于调节流经所述清洁区域的清洁气体的流速。

18.如权利要求17所述的清洁装置，其特征在于，所述调速单元在所述清洁区域内占据的空间从所述进气通道到所述排气通道的方向逐渐增加。

19.如权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述排气通道和/或所述进气通道上设置有独立控制的阀门。

20.如权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述反应炉的材料为石墨。

技术总结
本技术公开了一种半导体设备零部件的清洁装置，用于清洁所述零部件上的待清洁物，其包括：反应炉，所述零部件在所述反应炉内被清洁；加热单元，用于对所述反应炉进行加热；气体供应装置，向所述反应炉供应清洁气体；其特征在于，所述反应炉分为多个相互独立的清洁区域，每一所述清洁区域均用于保持所述零部件，且每一所述清洁区域设置有独立的进气通道和排气通道，所述进气通道用于通入清洁气体，所述排气通道用于排出所述清洁气体和待清洁物的反应生成物或待清洁物。本技术能够提高清洁零部件的效率，提升清洁气体的利用率，降低清洁成本。

技术研发人员：丁伟,姜勇
受保护的技术使用者：中微半导体设备（上海）股份有限公司
技术研发日：20221212
技术公布日：2024/1/12