晶片的抛光方法及晶片与流程

本公开涉及衬底加工，尤其涉及一种晶片的抛光方法及晶片。

背景技术：

1、蓝宝石是一种具有良好透光性和导热性的单晶材料，由于其具有优异的光学性能、物理性能和稳定的化学性能，使得其被广泛应用于光学元器件、显示屏、摄像头等各类衬底材料中。传统衬底晶片的单面抛光使用单面抛光机，将研磨后具有一定粗糙度的晶片使用石蜡粘接在底座上，然后对晶片进行抛光作业，以得到单面抛光的晶片。但是，由于传统的采用蜡粘固定后的晶片与底座之间具有一层蜡层，使得加工后的晶片平整度低、品质差。

技术实现思路

1、本公开提供了一种晶片的抛光方法及晶片，以解决传统单面抛光晶片平整度低、品质差的技术问题。

2、为此，第一方面，本公开提供了一种晶片的抛光方法，包括：

3、对晶片的双面进行第一次研磨，获得一级晶片；

4、对一级晶片进行双面抛光，获得二级晶片，二级晶片的粗糙度为第一目标粗糙度；

5、将二级晶片的第一面覆压至底座上，以在第一面和底座之间形成光圈；

6、对贴合在底座上的二级晶片的第二面进行第二次研磨，以得到目标晶片，目标晶片的第二面的粗糙度为第二目标粗糙度，第二目标粗糙度大于第一目标粗糙度。

7、在一种可能的实施方式中，底座具有用于与二级晶片贴合的贴合面，贴合面具有第三粗糙度，第三粗糙度小于或者等于第一目标粗糙度，且贴合面的平整度小于或者等于二级晶片的平整度。

8、在一种可能的实施方式中，底座的材质为蓝宝石或陶瓷。

9、在一种可能的实施方式中，将二级晶片的第一面覆压至底座上，以在第一面和底座之间形成光圈的步骤之后还包括：在二级晶片和底座贴合的边缘处连续涂覆胶水。

10、在一种可能的实施方式中，将二级晶片的第一面覆压至底座上，以在第一面和底座之间形成光圈包括：采用气压头对二级晶片施压，以使二级晶片与底座贴合紧密。

11、在一种可能的实施方式中，对贴合在底座上的二级晶片的第二面进行第二次研磨，以得到目标晶片的步骤包括：使用单面研磨机，单面研磨机包括相对设置的上抛头和下铸铁盘，将底座放置于下铸铁盘中，二级晶片的第二面朝向上抛头，然后通过单面研磨机对二级晶片的第二面进行第二次研磨，得到目标晶片。

12、在一种可能的实施方式中，对一级晶片进行双面抛光，获得二级晶片的步骤包括：

13、使用第一双面研磨机，第一双面研磨机包括相对设置的上铜盘和下铜盘，在下铜盘内加入第一抛光液，然后通过第一双面研磨机对一级晶片进行粗抛光，获得粗抛晶片；

14、使用第二双面研磨机，第二双面研磨机包括相对设置的上磨皮盘和下磨皮盘，在下磨皮盘内加入第二抛光液，然后通过第二双面研磨机对粗抛晶片进行精抛光，获得二级晶片。

15、在一种可能的实施方式中，对晶片的双面进行第一次研磨，获得一级晶片的步骤包括：使用第三双面研磨机，第三双面研磨机包括相对设置的上铸铁盘和下铸铁盘，在下铸铁盘内加入碳化硼研磨液，然后通过第三双面研磨机对晶片进行第一次研磨，获得一级晶片。

16、在一种可能的实施方式中，一级晶片的粗糙度为700nm～1000nm，平整度小于或者等于15μm；和/或，

17、第一目标粗糙度小于或者等于0.2nm，二级晶片的平整度小于5μm；和/或，

18、底座的粗糙度小于10nm，平整度小于5μm；和/或，

19、第二目标粗糙度为700nm～1000nm，目标晶片的平整度小于2μm。

20、第二方面，本公开还提供了一种晶片，采用如上所述的晶片的抛光方法制备得到。

21、根据本公开提供的晶片的抛光方法及晶片，该晶片的抛光方法包括：对晶片的双面进行第一次研磨，获得一级晶片；对一级晶片进行双面抛光，获得二级晶片，二级晶片的粗糙度为第一目标粗糙度；将二级晶片的第一面覆压至底座上，以在第一面和底座之间形成光圈；对贴合在底座上的二级晶片的第二面进行第二次研磨，以得到目标晶片，目标晶片的第二面的粗糙度为第二目标粗糙度，第二目标粗糙度大于第一目标粗糙度。本公开技术方案，通过对晶片进行两次研磨作业、一次抛光作业及一次压光圈作业，以获得一面光面一面砂面的目标晶片。在该晶片的抛光方法中，需在晶片与底座之间进行压光圈作业，以利用两个光滑表面压合接触时的吸附力，实现晶片与底座之间的粘接，从而避免传统工艺中需通过滴蜡、甩蜡、烘烤、贴蜡等复杂制程将晶片连接至底座上，如此，一方面精简了晶片和底座之间的压片制程，提高了晶片的生产效率；另一方面有效解决了晶片和底座在高温环境下易脱胶的问题，有效提高了晶片的加工质量；并且，由于晶片和底座之间接触，二者之间不存在蜡层，使得晶片和底座的整体平整度较高，有效提高了抛光得到的晶片的平整度，提高了晶片的质量。

技术特征：

1.一种晶片的抛光方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述底座具有用于与所述二级晶片贴合的贴合面，所述贴合面具有第三粗糙度，所述第三粗糙度小于或者等于所述第一目标粗糙度，且所述贴合面的平整度小于或者等于所述二级晶片的平整度。

3.根据权利要求2所述的抛光方法，其特征在于，所述底座的材质为蓝宝石或陶瓷。

4.根据权利要求1至3任一项所述的抛光方法，其特征在于，所述将所述二级晶片的第一面覆压至底座上，以在所述第一面和所述底座之间形成光圈的步骤之后还包括：在所述二级晶片和所述底座贴合的边缘处连续涂覆胶水。

5.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述将所述二级晶片的第一面覆压至底座上，以在所述第一面和所述底座之间形成光圈包括：采用气压头对所述二级晶片施压，以使所述二级晶片与所述底座贴合紧密。

6.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述对贴合在所述底座上的所述二级晶片的第二面进行第二次研磨，以得到目标晶片的步骤包括：使用单面研磨机，所述单面研磨机包括相对设置的上抛头和下铸铁盘，将所述底座放置于所述下铸铁盘中，所述二级晶片的第二面朝向所述上抛头，然后通过所述单面研磨机对所述二级晶片的第二面进行第二次研磨，得到目标晶片。

7.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述对所述一级晶片进行双面抛光，获得二级晶片的步骤包括：

8.根据权利要求1所述的晶片的抛光方法，其特征在于，所述对晶片的双面进行第一次研磨，获得一级晶片的步骤包括：使用第三双面研磨机，所述第三双面研磨机包括相对设置的上铸铁盘和下铸铁盘，在所述下铸铁盘内加入碳化硼研磨液，然后通过所述第三双面研磨机对所述晶片进行第一次研磨，获得一级晶片。

9.根据权利要求1至3任一项所述的晶片的抛光方法，其特征在于，所述一级晶片的粗糙度为700nm～1000nm，平整度小于或者等于15μm；和/或，

10.一种晶片，其特征在于，采用如权利要求1至9任一项所述的晶片的抛光方法制备得到。

技术总结
本公开涉及一种晶片的抛光方法及晶片，该晶片的抛光方法包括：对晶片的双面进行第一次研磨，获得一级晶片；对一级晶片进行双面抛光，获得二级晶片，二级晶片的粗糙度为第一目标粗糙度；将二级晶片的第一面覆压至底座上，以在第一面和底座之间形成光圈；对贴合在底座上的二级晶片的第二面进行第二次研磨，以得到目标晶片，目标晶片的第二面的粗糙度为第二目标粗糙度，第二目标粗糙度大于第一目标粗糙度。本公开技术方案有效解决了传统单面抛光晶片平整度低、品质差的技术问题，大幅提高了单面抛光晶片的平整度和品质；且整个工艺操作简单，提高了单面抛光晶片的生产效率。

技术研发人员：梁成华
受保护的技术使用者：蓝思科技（长沙）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12