本发明涉及pecvd镀膜,尤其涉及一种易清洗石墨舟及其清洗方法。
背景技术:
1、目前topcon电池已大规模量产,其中pecvd镀膜工艺能够实现原位掺杂、成本低、产能大、清洗绕镀简单,工艺精简等一系列优点,有望成为topcon电池工艺的主流。
2、在pecvd的使用中,主要利用石墨舟作为工装载具,其作用是乘载硅片,且在工艺过程中通电并促使等离子体辉光放电,产生工艺反应。反应中,石墨舟上也会被沉积上反应产生的薄膜,并且在重复使用中,薄膜沉积越来越厚,最后影响了石墨舟的导电性能,进入影响了沉积薄膜的工艺质量。故石墨舟到了一定的使用寿命,需要安排进行清洗,去除表面沉积的各种副产品薄膜。
3、目前清洗石墨舟的常规工艺是使用浓度较高的酸碱溶液清洗石墨舟,然后用di(去离子水)漂洗石墨舟,最后在烘箱中将石墨舟烘干,整个清洗过程时间长、成本高且很难将石墨舟表面的副产品薄膜完全清洗干净。而石墨舟清洗不干净将影响沉积薄膜的工艺质量,从而降低电池的转换效率及良品率。
4、现有技术cn 106024681 a中公开了一种用于饱和石墨舟的叠层膜,所述叠层膜由下至上依次包括第一氮化硅层、氧化硅层和第二氮化硅层;所述第一氮化硅层沉积在所述石墨舟上;该叠层膜能够有效节约镀膜后的石墨舟的清洗时间,节省hf用量,降低成本。但该方案实际上仅适用于副产品薄膜为氮化硅的情况,而当副产品薄膜为氧化硅、掺杂多晶硅时,清洗效果将大幅度降低,无法将石墨舟表面清洗干净,从而引起舟打火,硅片薄膜、方阻不均匀等一系列现象,无法将石墨舟表面清洗干净,因此本领域在清洗石墨舟时仍存在进一步改善空间。
技术实现思路
1、本发明提供一种易清洗石墨舟及清洗方法,用以解决上述技术缺陷,实现一种清洗更容易、清洗时间更短的石墨舟及其清洗方法。
2、本发明提供一种石墨舟,包括:
3、1)本体;以及,
4、2)设置在所述本体内表面的一层涂层;所述涂层为有机硅材料,所述有机硅材料含有si-c键、si-h键、si-oh键和si-o键中的一种或几种。
5、根据本发明提供的一种石墨舟,所述有机硅材料为有机硅树脂。
6、根据本发明提供的一种石墨舟,所述有机硅材料选自甲基硅树脂、苯基硅树脂和甲基苯基硅树脂中的一种或多种。
7、根据本发明提供的一种石墨舟,所述有机硅材料的熔点为500摄氏度以上。
8、根据本发明提供的一种石墨舟,所述涂层的厚度为0.01~5微米。
9、根据本发明提供的一种石墨舟,所述涂层的制备方法包括:将含有有机硅材料的混合浆料包覆在本体内表面,其中所述混合浆料中有机硅材料的质量分数为15~60%。
10、本发明进一步提供上述石墨舟在pecvd镀膜中的应用。
11、本发明还提供一种清洗石墨舟的方法,上述的石墨舟经过至少1次pecvd镀膜后,放于清洗液中浸泡。
12、根据本发明提供的一种清洗石墨舟的方法,所述清洗液为无机碱溶液、无机酸溶液和丙酮中的一种或几种;优选地,所述清洗液为无机碱溶液。
13、根据本发明提供的一种清洗石墨舟的方法,所述清洗液的浓度为5~35%。
14、基于上述技术方案,本发明的有益效果在于:
15、本发明提供的一种易清洗石墨舟及清洗方法,通过在其内表面设置涂层,包覆该涂层的石墨舟经至少一次镀膜后,副产品薄膜脱落更快更简单,大大减少了清洗时间,清洗更容易更干净。
1.一种石墨舟,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的石墨舟,其特征在于,所述有机硅材料为有机硅树脂。
3.根据权利要求1或2所述的石墨舟,其特征在于,所述有机硅材料选自甲基硅树脂、苯基硅树脂和甲基苯基硅树脂中的一种或多种。
4.根据权利要求1~3任一项所述的石墨舟,其特征在于,所述有机硅材料的熔点为500摄氏度以上。
5.根据权利要求1~3任一项所述的石墨舟,其特征在于,所述涂层的厚度为0.01~5微米。
6.根据权利要求1~4任一项所述的石墨舟,其特征在于,所述涂层的制备方法包括:将含有有机硅材料的混合浆料包覆在本体内表面,其中所述混合浆料中有机硅材料的质量分数为15~60%。
7.权利要求1~6任一项所述的石墨舟在pecvd镀膜中的应用。
8.一种清洗石墨舟的方法,其特征在于,权利要求1~6任一项所述的石墨舟经过至少1次pecvd镀膜后,放于清洗液中浸泡。
9.根据权利要求8所述的清洗石墨舟的方法,其特征在于,所述清洗液为无机碱溶液、无机酸溶液和丙酮中的一种或几种;优选地,所述清洗液为无机碱溶液。
10.根据权利要求8或9所述的清洗石墨舟的方法,其特征在于,所述清洗液的浓度为5~35%。