被加工物的磨削方法与流程

本发明涉及被加工物的磨削方法，对被加工物的单晶基板进行磨削从而在被加工物上形成薄板部和围绕薄板部的外周部的环状加强部。

背景技术：

1、伴随着使分别薄化的多个器件芯片层叠而制成1个封装的sip(system inpackage：系统级封装)的普及等，期望能够成品率良好地将晶片薄化的磨削技术。作为将晶片薄化的磨削技术之一，公知有被称为taiko(注册商标)的磨削技术(以下，为了方便而简记为taiko工艺)。

2、在taiko工艺中，在对正面侧具有形成有多个器件的器件区域的晶片的背面侧进行磨削时，对与正面侧的器件区域对应的背面侧的规定的区域进行磨削，从而将背面侧的外周部分作为环状凸部而残留(例如，参照专利文献1)。

3、由此，与将背面侧整体均匀地薄化的情况相比，能够提高晶片的强度，因此具有能够抑制薄化后的晶片的翘曲和搬送时的晶片的破裂等优点。

4、另外，在taiko工艺中，首先，在利用具有粗磨削磨具的粗磨削磨轮对背面侧的规定的区域实施粗磨削之后，利用具有精磨削磨具的精磨削磨轮对粗磨削后的规定的区域实施精磨削。

5、但是，在这样实施多级磨削的情况下(即，依次实施粗磨削和精磨削的情况下)的磨削后半段(即，精磨削)，在对(1)杂质浓度比较高的高掺杂硅晶片(highly-dopedsilicon wafer)、(2)化合物半导体晶片(例如，氮化镓(gan)和碳化硅(sic))等硬质晶片进行磨削时，磨削磨具的状况容易恶化。

6、当磨削磨具的状况恶化时，磨削阻力上升，产生用于驱动主轴的电流值急剧上升等不良情况。

7、专利文献1：日本特开2007-19461号公报

技术实现思路

1、本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于，在taiko工艺中对硬质晶片等进行多级磨削时，抑制磨削后半段容易产生的不良情况。

2、根据本发明的一个方式，提供被加工物的磨削方法，通过对包含单晶基板的被加工物的该单晶基板进行磨削，在该被加工物上形成薄板部以及围绕该薄板部的外周部的环状加强部，其中，该单晶基板是电阻率为0.1ω·cm以下的硅单晶基板、化合物半导体单晶基板、单晶蓝宝石基板或复合氧化物单晶基板，该被加工物的磨削方法具有如下的步骤：保持步骤，利用卡盘工作台对该被加工物进行保持；第1磨削步骤，使用沿着圆环状的第1基台的周向呈环状配置有多个第1磨削磨具的第1磨削磨轮，在该被加工物上形成在该被加工物的径向上位于最外侧的该环状加强部、在该径向上位于该环状加强部的内侧且比该环状加强部薄的第1薄板部以及在该径向上位于该第1薄板部的内侧且比该第1薄板部薄的第2薄板部；以及第2磨削步骤，在该第1磨削步骤之后，使用沿着圆环状的第2基台的周向呈环状配置有多个第2磨削磨具的第2磨削磨轮对该第1薄板部以及该第2薄板部进行磨削，其中，该多个第2磨削磨具分别包含具有比该第1磨削磨具的磨粒的平均粒径小的平均粒径的磨粒。

3、优选该第1磨削步骤具有如下的步骤：上侧加工步骤，形成该环状加强部以及该第1薄板部；以及下侧加工步骤，在该上侧加工步骤之后，形成该第2薄板部。

4、另外，优选该第1磨削步骤具有如下的步骤：内侧加工步骤，形成该第2薄板部；以及外侧加工步骤，在该内侧加工步骤之后，形成该第1薄板部以及该环状加强部。

5、另外，优选在该第1磨削步骤中，在该多个第1磨削磨具的旋转的轨迹不在该卡盘工作台的旋转轴线的延长线上经过的状态下对该被加工物的该单晶基板进行磨削，从而形成在该径向上位于比该第2薄板部靠内侧的位置且具有与该第1薄板部相同的厚度的圆筒状凸部，在该第2磨削步骤中，对该第1薄板部、该第2薄板部以及该圆筒状凸部进行磨削。

6、在本发明的一个方式的被加工物的磨削方法的第2磨削步骤中，首先，利用第1薄板部的上表面侧对第2磨削磨具实施第1次修整。然后，能够利用实施了第1次修整的第2磨削磨具对第1薄板部进行磨削。

7、当进一步进行磨削时，利用第2薄板部的上表面侧对第2磨削磨具实施第2次修整。然后，能够利用实施了第2次修整的第2磨削磨具对第2薄板部进行磨削。

8、也就是说，在第2磨削步骤中，能够通过阶段性的磨削而隔开时间间隔地实施多次修整。这样，在第2磨削步骤中能够在不同的时机恢复第2磨削磨具的状况，因此能够抑制磨削后半段容易产生的不良情况。

技术特征：

1.一种被加工物的磨削方法，通过对包含单晶基板的被加工物的该单晶基板进行磨削，在该被加工物上形成薄板部以及围绕该薄板部的外周部的环状加强部，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的被加工物的磨削方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的被加工物的磨削方法，其特征在于，

4.根据权利要求2或3所述的被加工物的磨削方法，其特征在于，

技术总结
本发明提供被加工物的磨削方法，在TAIKO工艺中对硬质晶片等进行多级磨削时抑制磨削后半段容易产生的不良情况。被加工物具有电阻率为0.1Ω·cm以下的硅单晶基板、化合物半导体单晶基板、单晶蓝宝石基板或复合氧化物单晶基板，该磨削方法具有：第1磨削步骤，使用沿着圆环状的第1基台的周向呈环状配置有多个第1磨削磨具的第1磨削磨轮在被加工物上形成环状加强部、在径向上位于环状加强部的内侧的薄的第1薄板部以及在径向上位于第1薄板部的内侧的第2薄板部；第2磨削步骤，使用沿着圆环状的第2基台的周向呈环状配置有分别包含具有比第1磨削磨具的磨粒的平均粒径小的平均粒径的磨粒的多个第2磨削磨具的第2磨削磨轮，磨削第1薄板部和第2薄板部。

技术研发人员：藤井祐介
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15