一种光电结合的CMP用研磨垫及其制作方法与流程

本发明涉及化学机械抛光，尤其是涉及一种光电结合的cmp用研磨垫。

背景技术：

1、化学机械研磨简称cmp，是现今最为广泛使用的硅片平坦化方式，其中单晶硅片制造过程和前半制程中需要多次用到化学机械抛光技术，与此前普遍使用的机械抛光相比，化学机械抛光能使硅片表面变得更加平坦，并且还具有加工成本低及加工方法简单的优势，因而成为目前最为普遍的半导体材料表面平整技术。

2、在cmp的制程中，需要通过研磨垫实现对硅片的研磨抛光，因此，研磨垫的质量对硅片的平整质量起到关键作用，目前的研磨垫材料的耐磨性能有限，消耗量过大，导致研磨成本很高，且抛光效率较差，难以满足市场需求。

技术实现思路

1、本发明是为了解决现有技术存在的空白之处，提供一种光电结合的cmp用研磨垫与相应的制作方法。

2、本发明解决技术问题采用如下技术方案：一种光电结合的cmp用研磨垫，包括：

3、一基垫，所述基垫上设置有呈十字形分布的多条第一容置区域与第二容置区域，所述第一容置区域与第二容置区域将基垫的一个端面分割成棋盘状分布的多个研磨部，所述第一容置区域用以设置发光灯条，所述第二容置区域用以设置或者露出金属件，所述金属件与发光灯条之间不发生干涉。

4、在数个实施方式中，所述基垫由以下质量百分比的组分发泡成型：10％-30％的氧化铈粉、60-85％的聚氨酯、5％-10％的助剂。

5、在数个实施方式中，所述助剂包括二异氰酸脂、抗水解剂、扩链剂、空心填料与增塑剂。

6、在数个实施方式中，所述第一容置区域与第二容置区域均为在基垫的一个端面下凹设置的槽体，相邻的所述第一容置区域与第二容置区域之间存在间隔，位于同一直线上的所述第一容置区域连续设置，位于同一直线上的多个所述第二容置区域间隔设置。

7、在数个实施方式中，所述第一容置区域为在基垫的一个端面上下凹设置的沟槽，所述第二容置区域为贯穿基垫的孔体，位于同一直线上的多个所述第二容置区域间隔设置，所述第二容置区域的两端延伸至相邻两侧的第一容置区域。

8、在数个实施方式中，光电结合的cmp用研磨垫采用以下制作方法成型：

9、s100：选取定量的聚氨酯搅拌之后，对其进行发泡处理形成混合溶胶，在混合溶胶内加入定量的氧化铈粉与助剂并混合均匀后通入模具内进行成型冷却，获得基垫；

10、s200：对基垫按照十字纹路进行切割形成下凹的槽体，其中纵向分布的槽体连续切割成型，横向分布的槽体则点状式间隔切割成型，由此构成第一容置区域与第二容置区域的切割成型；

11、s300：在构成的第一容置区域内铺设发光灯条，在构成的第二容置区域内铺设金属件，得到光电结合的cmp用研磨垫。

12、在数个实施方式中，光电结合的cmp用研磨垫采用以下制作方法成型：

13、s100：选取定量的聚氨酯搅拌之后，对其进行发泡处理形成混合溶胶，在混合溶胶内加入定量的氧化铈粉与助剂并混合均匀后通入模具内进行成型冷却，获得基垫；

14、s200：对基垫按照十字纹路进行切割形成下凹的槽体，所述槽体交错分布，且对其中横向分布的槽体进行贯穿开孔处理，由此构成第一容置区域与第二容置区域的切割成型；

15、s300：在基垫的正面构成的第一容置区域内铺设发光灯条，并在基垫的背面固定金属件，金属件完全覆盖基垫的背面，由此得到光电结合的cmp用研磨垫。

16、本发明具有如下有益效果：

17、本发明采用物理发泡，研磨垫泡孔均匀，具有良好耐磨性、耐腐蚀性，保证晶圆表面轮廓突出部分高效平坦化并减少划伤。且氧化铈能够提高研磨垫耐磨性能，使研磨垫更加均匀、紧密，更适用于sic研磨抛光。

18、本发明利用光电场效应，提高研磨效率，并且通过合理的棋盘状的结构，分配金属件的露出面积与研磨面积，避免二氧化硅的沉积，保证sic的抛除，提高抛光效率。

技术特征：

1.一种光电结合的cmp用研磨垫，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种光电结合的cmp用研磨垫，其特征在于，所述基垫由以下质量百分比的组分发泡成型：

3.根据权利要求2所述的一种光电结合的cmp用研磨垫，其特征在于，所述助剂包括二异氰酸脂、抗水解剂、扩链剂、空心填料与增塑剂。

4.根据权利要求3所述的一种光电结合的cmp用研磨垫，其特征在于，所述第一容置区域与第二容置区域均为在基垫的一个端面下凹设置的槽体，相邻的所述第一容置区域与第二容置区域之间存在间隔，位于同一直线上的所述第一容置区域连续设置，位于同一直线上的多个所述第二容置区域间隔设置。

5.根据权利要求3所述的一种光电结合的cmp用研磨垫，其特征在于，所述第一容置区域为在基垫的一个端面上下凹设置的沟槽，所述第二容置区域为贯穿基垫的孔体，位于同一直线上的多个所述第二容置区域间隔设置，所述第二容置区域的两端延伸至相邻两侧的第一容置区域。

6.根据权利要求4所述的一种光电结合的cmp用研磨垫，其特征在于，所述光电结合的cmp用研磨垫采用以下制作方法成型：s100：选取定量的聚氨酯搅拌之后，对其进行发泡处理形成混合溶胶，在混合溶胶内加入定量的氧化铈粉与助剂并混合均匀后通入模具内进行成型冷却，获得基垫；

7.根据权利要求5所述的一种光电结合的cmp用研磨垫，其特征在于，所述光电结合的cmp用研磨垫采用以下制作方法成型：

技术总结
本发明提供的一种光电结合的CMP用研磨垫，包括：一基垫，所述基垫上设置有呈十字形分布的多条第一容置区域与第二容置区域，所述第一容置区域与第二容置区域将基垫的一个端面分割成棋盘状分布的多个研磨部，所述第一容置区域用以设置发光灯条，所述第二容置区域用以设置或者露出金属件，所述金属件与发光灯条之间不发生干涉。本发明利用光电场效应，提高研磨效率，并且通过合理的棋盘状的结构，分配金属件的露出面积与研磨面积，避免二氧化硅的沉积，保证SiC的抛除，提高抛光效率。

技术研发人员：苏晓平,单希基,涂婳
受保护的技术使用者：浙江厚积科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15