一种电解铜箔阴极辊抛光工艺的制作方法

文档序号:35534179发布日期:2023-09-21 18:03阅读:54来源:国知局

本发明涉及电解铜箔生产制造,具体涉及一种电解铜箔阴极辊抛光工艺。


背景技术:

1、铜箔是pcb行业和新能源行业的主要原料之一,高性能的电解铜箔是一种缺陷少、表面峰值均匀的铜箔。阴极辊是电解铜箔生产的关键设备。

2、电解铜箔生产过程中,阴极辊表面的机械腐蚀和电化学腐蚀是伴随着生产开始而开始的,是与生产同步的。生产时间越长,腐蚀越严重,铜箔光面随着阴极辊表面的腐蚀而不断变化。因此阴极辊使用一殷时间以后就必须进行抛光,将阴极辊表面因腐蚀而生成的银灰色氧化膜去除,恢复阴极辊表面平整光滑的银白色纯钛氧化膜晶体。

3、因此,需要一套成熟稳定的抛光工艺对电解铜箔生产具有非常重要的意义。


技术实现思路

1、本发明的目的在于,提供一种电解铜箔阴极辊抛光工艺。

2、为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:

3、一种电解铜箔阴极辊抛光工艺,包括以下步骤:

4、(1)冲洗处理:使用处理液将阴极辊表面的结晶残留物冲洗去除;

5、(2)研磨处理:阴极辊表面结晶残留物冲洗完成后,对阴极辊进行研磨;

6、(3)抛光处理:阴极辊研磨完成后,对阴极辊进行抛光。

7、本技术方案进一步的,使用处理液对阴极辊表面的结晶残留物冲洗,进液阀门压力为0.1-0.5mpa,阴极辊运行带速为3-15mm/min。处理液为5%的稀盐酸和0.5g/l的表面活性剂十二烷基磺酸钠混合制备而成,用去离子水配合调制成比例浓度。

8、本技术方案进一步的,对阴极辊研磨处理,采用颗粒度100-800目的砥石进行分步研磨;将待研磨的阴极辊放置在转动架子上,启动转动架,转速10-15r/min,依序采用颗粒100目-800目的砥石平行砂轮片对阴极辊进行研磨,平行砂轮片的转速为2000-3600r/min;开启水泵将水喷淋至砂轮片外表面,水流量为1.8-2.5m3/h;每次砂轮片进刀0.1mm,在研磨过程中,平行车床同时沿阴极辊轴向移动,从阴极辊一端移动至另一端,移动速度为4.2-5.5cm/min,当达到阴极辊另一端,复位回到研磨起点,此为一圈,每种砂轮研磨5-10圈,最终保证阴极辊面粗糙度ra≤0.3。

9、本技术方案进一步的,将阴极辊转动设置为单辊转,调节阴极辊转速为2.5-3.0m/min,抛光转速不大于300rpm,抛光摇摆不大于120rpm,抛光力度为20%-50%,抛光圈数为2-4圈。

10、本发明有益效果:通过本发明阴极阴极辊抛光工艺,使阴极辊在电镀过程中生产的电解铜箔具有缺陷少、细晶粒、低表面粗化度、高强度、高延展性、更加薄的、纯度更高、信号传递更快、更准的特点,更加适用于高精细电解铜箔的制造。



技术特征:

1.一种电解铜箔阴极辊抛光工艺,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的电解铜箔阴极辊抛光工艺,其特征在于,所述步骤(1)中的处理液为5%的稀盐酸和0.5g/l的表面活性剂十二烷基磺酸钠混合制备而成。

3.根据权利要求1或2所述的电解铜箔阴极辊抛光工艺,其特征在于,所述步骤(1)具体包括以下:使用处理液对阴极辊表面的结晶残留物冲洗,进液阀门压力为0.1-0.5mpa,阴极辊运行带速为3-15mm/min。

4.根据权利要求1所述的电解铜箔阴极辊抛光工艺,其特征在于,所述步骤(2)具体包括以下:对阴极辊研磨处理,采用颗粒度100-800目的砥石进行分步研磨。

5.根据权利要求4所述的电解铜箔阴极辊抛光工艺,其特征在于,所述分步研磨,具体包括以下:将待研磨的阴极辊放置在转动架子上,启动转动架,转速10-15r/min,依序采用颗粒100目-800目的砥石平行砂轮片对阴极辊进行研磨,平行砂轮片的转速为2000-3600r/min;开启水泵将水喷淋至砂轮片外表面,水流量为1.8-2.5m3/h;每次砂轮片进刀0.1mm,在研磨过程中,平行车床同时沿阴极辊轴向移动,从阴极辊一端移动至另一端,移动速度为4.2-5.5cm/min,当达到阴极辊另一端,复位回到研磨起点,此为一圈,每种砂轮研磨5-10圈,最终保证阴极辊面粗糙度ra≤0.3。

6.根据权利要求1所述的电解铜箔阴极辊抛光工艺,其特征在于,所述步骤(3)具体包括以下:将阴极辊转动设置为单辊转,调节阴极辊转速为2.5-3.0m/min,抛光转速不大于300rpm,抛光摇摆不大于120rpm,抛光力度为20%-50%,抛光圈数为2-4圈。


技术总结
本发明公开了一种电解铜箔阴极辊抛光工艺,包括以下步骤:(1)冲洗处理:将阴极辊表面的结晶残留物冲洗去除;(2)研磨处理:阴极辊表面结晶残留物冲洗完成后,对阴极辊进行研磨;(3)抛光处理:阴极辊研磨完成后,对阴极辊进行抛光。通过本发明阴极阴极辊抛光工艺,使阴极辊在电镀过程中生产的电解铜箔具有缺陷少、细晶粒、低表面粗化度、高强度、高延展性、更加薄的、纯度更高、信号传递更快、更准的特点,更加适用于高精细电解铜箔的制造。

技术研发人员:陈韶明,施毓计
受保护的技术使用者:安徽华威铜箔科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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