一种高致密度的银靶材的制备方法与流程

文档序号:35580617发布日期:2023-09-27 03:43阅读:60来源:国知局
一种高致密度的银靶材的制备方法与流程

本发明涉及银靶材,具体涉及一种高致密度的银靶材的制备方法。


背景技术:

1、靶材是磁控溅射过程中的基本耗材,不仅使用量大,而且靶材质量的好坏对薄膜的性能起着至关重要的决定作用。靶材应用领域比较广泛,主要包括光学靶材、显示薄膜用靶材、半导体领域用靶材、记录介质用靶材、超导靶材等。其中半导体领域用靶材、显示用靶材和记录介质用靶材是当前使用最为广泛的三大靶材。

2、现有技术中制备的靶材密度性能差,耐磨性能差,密度性、耐磨性很难协调改进,以及产品在酸腐条件下,性能稳定性低,限制了产品的使用效率。


技术实现思路

1、针对现有技术的缺陷,本发明的目的是提供一种高致密度的银靶材的制备方法,以解决上述背景技术中提出的问题。

2、本发明解决技术问题采用如下技术方案:

3、本发明提供了一种高致密度的银靶材的制备方法,包括以下步骤:

4、步骤一:将10-15份硅灰石加入到35-45份质量分数6%的壳聚糖水溶液中,然后加入3-5份羧甲基纤维素、1-5份硝酸钇溶液,搅拌均匀,得到改性调节剂;

5、步骤二:将银原料中加入银原料总量10-15%的改性调节剂,然后球磨改性处理,球磨改性的转速为1000-1500r/min,球磨时间为1-2h,球磨结束,水洗、干燥,得到球磨剂;

6、步骤三:将球磨剂热改进处理,处理结束,得到热改进料;

7、步骤四:随后将热改进料进行均细化变性处理,处理结束,即可得到本发明的银靶材。

8、优选地,所述硝酸钇溶液的质量分数为5-9%。

9、优选地,所述热改进处理的具体操作步骤为:

10、s01:将球磨剂送入到140-150℃下热处理1-2h;然后以1-3℃/min的速率升温至210-220℃;

11、s02:然后将s01产物以3-5℃/min的速率冷却至45-50℃,保温,备用;

12、s03:s02产物再浸润到盐浴剂中盐浴改进处理,处理结束,水洗、干燥。

13、优选地,所述盐浴剂为质量分数5-7%的氯化镧溶液、十二烷基硫酸钠液按照重量比2:5配制而成。

14、优选地,所述十二烷基硫酸钠液的质量分数为10-15%。

15、优选地,所述盐浴改进处理的方法为:盐浴改进处理为110-115a/dm2的电流密度、210-215v的电压进行电离处理,处理2-5min。

16、优选地,所述均细化变性处理的具体操作步骤为:

17、s11:将2-5份硼酸铝晶须加入到15-20份质量分数2%的盐酸溶液中,随后再加入1-4份海藻酸钠水溶液、2-5份硅烷偶联剂kh560,搅拌均匀,得到硼酸铝晶须剂;

18、s12:将热改进料置于210-230℃下热处理10-20min,然后以1-3℃/min的速率冷却至45℃,喷涂硼酸铝晶须剂浸润处理,处理结束;

19、s13:将s12产物再置于热压条件下处理,处理结束、水洗、干燥,即可。

20、优选地,所述海藻酸钠水溶液的质量分数为8-12%。

21、优选地,所述热压条件为10-15mpa、85-95℃下处理40-50min。

22、优选地,所述喷涂硼酸铝晶须剂浸润处理采用硼酸铝晶须剂浸润冷却至45℃的热改进料表面至浸润完全。

23、与现有技术相比,本发明具有如下的有益效果:

24、本发明的银靶材采用改性调节剂进行球磨改性,得到球磨剂,再配合热改进处理,最后再均细化变性处理,得到靶材料,改性调节剂采用硅灰石经过壳聚糖水溶液配合,经过硝酸钇、羧甲基纤维素调节制备,通过硅灰石经过优化,球磨调节银原料,提高原料产品的致密度,同时再经过热改进处理,产品的致密度得到进一步的提高,配合均细化变性处理,通过热改进料置于210-230℃下热处理10-20min,然后以1-3℃/min的速率冷却至45℃,喷涂硼酸铝晶须剂浸润处理,将硼酸铝晶须调节改进产品,从而产品的耐磨性得到改进,优化的产品可实现耐磨、致密度协调改进,同时产品的耐酸腐性能得到进一步的改进。



技术特征:

1.一种高致密度的银靶材的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种高致密度的银靶材的制备方法,其特征在于,所述硝酸钇溶液的质量分数为5-9%。

3.根据权利要求1所述的一种高致密度的银靶材的制备方法,其特征在于,所述热改进处理的具体操作步骤为:

4.根据权利要求3所述的一种高致密度的银靶材的制备方法,其特征在于,所述盐浴剂为质量分数5-7%的氯化镧溶液、十二烷基硫酸钠液按照重量比2:5配制而成。

5.根据权利要求4所述的一种高致密度的银靶材的制备方法,其特征在于,所述十二烷基硫酸钠液的质量分数为10-15%。

6.根据权利要求3所述的一种高致密度的银靶材的制备方法,其特征在于,所述盐浴改进处理的方法为:盐浴改进处理为110-115a/dm2的电流密度、210-215v的电压进行电离处理,处理2-5min。

7.根据权利要求1所述的一种高致密度的银靶材的制备方法,其特征在于,所述均细化变性处理的具体操作步骤为:

8.根据权利要求7所述的一种高致密度的银靶材的制备方法,其特征在于,所述海藻酸钠水溶液的质量分数为8-12%。

9.根据权利要求7所述的一种高致密度的银靶材的制备方法,其特征在于,所述热压条件为10-15mpa、85-95℃下处理40-50min。

10.根据权利要求1所述的一种高致密度的银靶材的制备方法,其特征在于,所述喷涂硼酸铝晶须剂浸润处理采用硼酸铝晶须剂浸润冷却至45℃的热改进料表面至浸润完全。


技术总结
本发明公开了一种高致密度的银靶材的制备方法,包括以下步骤:将球磨剂热改进处理,处理结束,得到热改进料;随后将热改进料进行均细化变性处理,处理结束,即可得到本发明的银靶材。本发明银靶材采用改性调节剂进行球磨改性,得到球磨剂,再配合热改进处理,最后再均细化变性处理,得到靶材料,改性调节剂采用硅灰石经过壳聚糖水溶液配合,经过硝酸钇、羧甲基纤维素调节制备,通过硅灰石经过优化,球磨调节银原料,提高原料产品的致密度。

技术研发人员:唐安泰,唐智勇,程波
受保护的技术使用者:株洲火炬安泰新材料有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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