本发明涉及半导体显示，尤其涉及一种掩膜版制作方法及掩膜版。
背景技术：
1、通用金属掩膜版(common metal mask，简称cmm)，在蒸镀过程中起到定义panelaa区(active area)的作用，被广泛应用于amoled、pmoled以及micro oled等领域。
2、传统的cmm制作过程中，先通过对invar原材的清洗、压膜、曝光、显影、蚀刻、退膜等工艺将cmm片材制作出来，然后使用张网设备对cmm片材施加张力并不断调整其位置精度，最后与金属框架(frame)焊接在一起。这种方法制备的cmm误差较大，而随着高ppi、窄边框产品的趋势化，对cmm的精度要求却在进一步提高，现有的加工方法很难达到更高精度要求。另一方面，现有方法在张网过程中调整位置精度的时间相对较长，影响产能，并且张网设备价格较贵，通过增加张网设备扩大产量的投入成本较大，量产出货压力较大。
3、因此，亟需一种新的加工方法来解决上述问题。
技术实现思路
1、为了获得更高精度的cmm，本发明提供了一种掩膜版制作方法，该制作方法步骤包括：
2、s10、制备金属基板；
3、s20、在金属基板的其中一个表面涂覆pi膜；
4、s30、采用蚀刻工艺在金属基板上加工出第一开口，第一开口贯通金属基板，制成掩膜半成品；
5、s40、对掩膜半成品进行张网，并焊接到框架上；
6、s50、用激光在pi膜上加工出第二开口，第二开口与第一开口组成上下贯通的图案开口。
7、更进一步地，所述第二开口与所述第一开口一一对应。
8、更进一步地，所述第一开口大于所述第二开口，且第二开口完整容纳于第一开口范围内；
9、优选地，第二开口的边缘与其第一开口的边缘间距为d，10μm≤d≤100μm；
10、优选地，第二开口边缘的激光刻蚀角度为γ，45°≤γ≤80°。
11、更进一步地，所述金属基板为因瓦合金或sus304或sus316，厚度为100μm～200μm；所述pi膜的涂覆厚度为10μm～30μm。
12、更进一步地，所述第二开口的边缘与所述第一开口的边缘间距为d，所述pi膜的厚度为t，t与d呈正相关。
13、更进一步地，s20步骤中，所述pi膜采用旋涂法或者丝网印刷或者喷墨打印进行涂覆。
14、更进一步地，s30步骤中，所述蚀刻工艺依次包括前处理、覆膜、曝光、显影、蚀刻和退膜步骤。
15、更进一步地，s30步骤中，所述蚀刻工艺的部分步骤执行为：
16、在远离pi膜的一侧金属基板表面覆一层光阻膜；
17、曝光、显影使光阻膜图案化；
18、对覆有光阻膜的一侧金属基板表面进行蚀刻。
19、更进一步地，s30步骤中，制备所述第一开口过程中执行所述蚀刻工艺的次数至少为一次；
20、优选地，制备第一开口过程中执行蚀刻工艺的次数为两次，其中：
21、执行第一次蚀刻工艺加工出a凹槽，执行第二次蚀刻工艺在a凹槽的底部加工出b开口，a凹槽与b开口构成第一开口；或者，
22、执行第一次蚀刻工艺加工出两个c凹槽，执行第二次蚀刻工艺去除两个c凹槽之间的部分，形成第一开口。
23、另外，还提了一种采用上述掩膜版制作方法制备的掩膜版。
24、本发明的有益效果为：
25、1)掩膜版的图案开口制作包括在金属基板上加工第一开口和在pi膜上加工第二开口，第一开口在张网前以蚀刻方式加工获得，有助于减少张网时各方向拉力相互影响，提高张网平整度，并且可避免后续加工对张网后的掩膜网面的受力特性造成实质影响，保证掩膜始终平整；对应目标图案的开口有效宽度为第二开口的宽度，第二开口在张网后采用激光刻蚀方式加工获得，相较于传统制作方法，减少了由掩膜版片材制作误差和张网机偏差叠加而成的累计误差；另外，基于第二开口采用激光直接加工，且形成于厚度确定的pi膜上，开口精度更易获得精确管控。因此，可以达到更高的精度要求。
26、2)将覆pi膜工序设置在加工第一开口之前，可有效控制pi膜的成膜厚度和均匀性，对抑制第二开口加工前后pi膜表面应力变化而影响开口精度有显著效果。
27、3)作为有效开口的第二开口形成于张网、焊接步骤之后，在张网过程中无需反复调整位置精度，省去了不断调整位置精度所需的时间成本，产量得以大幅提升。
28、另，本发明的其他附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
1.一种掩膜版制作方法，其特征在于，步骤包括：
2.根据权利要求1所述的掩膜版制作方法，其特征在于，所述第二开口(221)与所述第一开口(211)一一对应。
3.根据权利要求1所述的掩膜版制作方法，其特征在于，所述第一开口(211)大于所述第二开口(221)，且第二开口(221)完整容纳于第一开口(211)范围内；
4.根据权利要求1所述的掩膜版制作方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的掩膜版制作方法，其特征在于，所述第二开口(221)的边缘与所述第一开口(211)的边缘间距为d，所述pi膜(22)的厚度为t，t与d呈正相关。
6.根据权利要求1所述的掩膜版制作方法，其特征在于，s20步骤中，所述pi膜(22)采用旋涂法或者丝网印刷或者喷墨打印进行涂覆。
7.根据权利要求1所述的掩膜版制作方法，其特征在于，s30步骤中，所述蚀刻工艺依次包括前处理、覆膜、曝光、显影、蚀刻和退膜步骤。
8.根据权利要求7所述的掩膜版制作方法，其特征在于，s30步骤中，所述蚀刻工艺的部分步骤执行为：
9.根据权利要求7所述的掩膜版制作方法，其特征在于，s30步骤中，制备所述第一开口(211)过程中执行所述蚀刻工艺的次数至少为一次；
10.一种采用权利要求1至9任一所述的掩膜版制作方法制备的掩膜版。