衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质与流程

本发明是适用于衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质的有效技术。

背景技术：

1、作为3维结构的nand型闪存的字线使用了金属膜。此外，作为金属膜，有时使用例如含有钼(mo)的含mo膜(例如，参见专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：国际公开第2022-064549号

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、然而，在衬底上形成金属膜时，根据将衬底从处理室搬出时的温度不同，有时金属膜的电阻(或电阻率)变高。

3、本发明提供一种能改善金属膜的电特性的技术。

4、用于解决课题的手段

5、根据本发明中的代表性的一个方式，可提供一种技术，其包括：(a)向搬入温度的处理容器内搬入衬底的工序；(b)使所述处理容器内成为成膜温度的工序；(c)向所述处理容器内供给处理气体，在所述衬底的表面形成金属膜的工序；(d)使所述处理容器内成为低于所述搬入温度的搬出温度的工序；(e)将所述衬底从所述处理容器内搬出的工序。

6、发明的效果

7、本发明提供一种能改善金属膜的电特性的技术。

技术特征：

1.衬底处理方法，其包括：

2.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，

3.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在(b)的至少一部分中，向所述处理容器内供给还原气体、高导热气体及具有还原性的高导热气体中的任一种气体。

4.如权利要求3所述的衬底处理方法，其中，在(b)的至少一部分中，使所述还原气体、所述高导热气体及所述具有还原性的高导热气体中的任一种气体向所述处理容器内的供给量增加。

5.如权利要求2所述的衬底处理方法，其中，在(c)中供给的还原气体为具有还原性的高导热气体，

6.如权利要求5所述的衬底处理方法，其中，在(f)的至少一部分中，使所述高导热气体的供给量增加。

7.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在(d)的至少一部分中，将所述处理容器内保持为真空状态，并使所述处理容器内的温度变化。

8.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在(d)的至少一部分中，向所述处理容器内供给还原气体、高导热气体及具有还原性的高导热气体中的至少一种。

9.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在(d)之前，还包括：

10.如权利要求9所述的衬底处理方法，其中，在(g)的至少一部分中，将所述处理容器内保持为真空状态，并使所述处理容器内的温度降低至所述搬出温度。

11.如权利要求9所述的衬底处理方法，其中，在(g)的至少一部分中，向所述处理容器内供给还原气体、高导热气体及具有还原性的高导热气体中的至少一种。

12.如权利要求9所述的衬底处理方法，其中，在(h)的至少一部分中，向所述处理容器内供给还原气体。

13.如权利要求3、8、11、12中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述还原气体为含氢气体。

14.如权利要求13所述的衬底处理方法，其中，

15.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述金属膜为含有钼的膜。

16.如权利要求2所述的衬底处理方法，其中，所述含金属气体包含卤族元素。

17.半导体器件的制造方法，其包括：

18.衬底处理装置，其具有：

19.计算机可读取的记录介质，其记录有利用计算机使衬底处理装置执行具有下述步骤的方法的程序，

技术总结
本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。课题在于提供能改善金属膜的电特性的技术。根据本发明的一个方式，提供一种技术，其包括：(a)向搬入温度的处理容器内搬入衬底的工序；(b)使所述处理容器内成为成膜温度的工序；(c)向所述处理容器内供给处理气体以在所述衬底的表面形成金属膜的工序；(d)使所述处理容器内成为低于所述搬入温度的搬出温度的工序；(e)将所述衬底从所述处理容器内搬出的工序。

技术研发人员：栗林幸永,山本薰
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：
技术公布日：2024/3/27