一种硅铝靶材以及单银可钢化镀膜玻璃的制作方法

本发明属于磁控溅射，尤其涉及一种硅铝靶材以及单银可钢化镀膜玻璃。

背景技术：

1、磁控溅射的工作原理是电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉积在基片上成膜。

2、在磁控溅射中，为了便于磁控溅射靶材在真空镀膜层时能够较容易溅射在玻璃上，目前国内外市场主流做法是在生产过程中在靶材中掺入一定比例的铝，但是在应用中发现，由于现有加入的铝含量均偏高，这样就导致会产生如下的缺点：首先铝含量过高导致low-e镀膜产品抗氧化及耐加工性不太好；其次，靶材铝含量过高时，容易造成阴极阻抗低，导致溅射电压偏低，进而靶溅射能量偏低，成膜质量不高；另外，由于铝的活性比硅更高，在充氧气进行反应时会在表面形成氧化铝降低硅铝靶的导电性，还会形成无法被溅射的白点，在持续溅射过程中进而转变成黑色难以溅射的黑点，聚集变大偶尔会打弧冒火花，在镀膜产品上就会出现针孔状透光，影响成品率。

技术实现思路

1、本发明目的是为了克服现有技术的不足而提供一种硅铝靶材以及单银可钢化镀膜玻璃，由硅铝靶材磁控溅射形成在单银可钢化镀膜玻璃表面的真空镀膜层成膜质量高，抗氧化和耐加工性好，成品率高。

2、为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种硅铝靶材，由如下质量百分比的原料构成：硅95～98:铝2～5。

3、一种单银可钢化镀膜玻璃，包括从下到上依次贴合设置的玻璃基底、第一电介质层、第三介质层、第五阻挡层、功能银膜层、第六阻挡层、第四介质层和第二电介质层；所述第二电介质层的表面还设有如权利要求1所述的硅铝靶材磁控溅射而成的真空镀膜层。

4、进一步的，所述玻璃基底为透明浮法玻璃。

5、进一步的，所述第一电介质层和第二电介质层为si3n4。

6、进一步的，所述第三介质层和第四介质层为zno2，所述第五阻挡层和第六阻挡层为nicr。

7、由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：

8、本发明技术方案的一种硅铝靶材以及单银可钢化镀膜玻璃，其中硅含量95％～98％，铝含量2％～5％，由此含量制成的硅铝靶材被磁控溅射到玻璃表面后，可以获得较好的抗氧化及耐加工性，成膜质量高，同时成品率高。

技术特征：

1.一种硅铝靶材，其特征在于，由如下质量百分比的原料构成：硅95～98:铝2～5。

2.一种单银可钢化镀膜玻璃，其特征在于：包括从下到上依次贴合设置的玻璃基底、第一电介质层、第三介质层、第五阻挡层、功能银膜层、第六阻挡层、第四介质层和第二电介质层；所述第二电介质层的表面还设有如权利要求1所述的硅铝靶材磁控溅射而成的真空镀膜层。

3.如权利要求1所述的单银可钢化镀膜玻璃，其特征在于：所述玻璃基底为透明浮法玻璃。

4.如权利要求1所述的单银可钢化镀膜玻璃，其特征在于：所述第一电介质层和第二电介质层为si3n4。

5.如权利要求1所述的单银可钢化镀膜玻璃，其特征在于：所述第三介质层和第四介质层为zno2，所述第五阻挡层和第六阻挡层为nicr。

技术总结
本发明公开了一种硅铝靶材以及单银可钢化镀膜玻璃，上述硅铝靶材由如下质量百分比的原料构成：硅95～98:铝2～5。本发明还公开了一种单银可钢化镀膜玻璃，包括从下到上依次贴合设置的玻璃基底、第一电介质层、第三介质层、第五阻挡层、功能银膜层、第六阻挡层、第四介质层和第二电介质层；所述第二电介质层的表面还设有由硅铝靶材磁控溅射而成的真空镀膜层，本发明的一种硅铝靶材以及单银可钢化镀膜玻璃，其中硅含量95％～98％，铝含量2％～5％，由此含量制成的硅铝靶材被磁控溅射到玻璃表面成膜后，可以获得较好的抗氧化及耐加工性，成膜质量高，同时成品率高。

技术研发人员：林嘉佑
受保护的技术使用者：台玻长江玻璃有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/8