一种提高工艺节拍的方法与流程

本发明涉及pecvd，具体涉及一种提高工艺节拍的方法。

背景技术：

1、pecvd设备是由一连串的不同功能的真空室组成。包括进片室，加热室，工艺室，缓冲室，工艺室，冷却室，出片室。各个真空室间都有大型门阀隔断，各个真空室有自己的真空泵维持其内部真空度。

2、pecvd真空设备整个工艺流程如下：托盘从进片室进入加热室加热，再进入工艺室做镀膜工艺，经过缓冲室，再下一个工艺室再做镀膜工艺，最后通过冷却室冷却，经过出片室出来。每个真空室都配备单独的自己的真空泵维持真空度，本底真空能到5pa左右，在工艺室镀膜时，需要持续通入特殊的混合气体，同时真空泵持续抽真空，通过蝶阀控制排气速度，最终把压力维持到100pa左右，在一定的温度下，才可以进行镀膜工艺。由于各个真空室之间的压差，托盘和衬底在传输过程中需要进行气体交换，使得工艺室需要重新稳压，从而增加了节拍时间。

技术实现思路

1、本发明提出了一种提高工艺节拍的方法，解决上述现有技术存在的技术问题。

2、根据本发明的一个方面，提供了一种提高工艺节拍的方法，其特征在于，包括：步骤一，提供进片室，所述进片室后端连接加热室，所述加热室后端连接第一工艺室，所述第一工艺室后端连接缓冲室，所述缓冲室后端连接第二工艺室，所述第二工艺室后端连接冷却室，所述冷却室后端连接出片室；步骤二，通过对所述加热室，缓冲室，冷却室各设置气管，控制保持各真空腔室压力均衡；步骤三，将托盘和衬底在各真空腔室间传输，传输到对应工艺室后直接镀膜。

3、进一步地，还包括在真空管路上设置蝶阀。

4、进一步地，还包括设置气路柜，所述加热室，缓冲室，冷却室通过所述气路柜持续通气给真空腔室。

5、进一步地，对所述加热室，缓冲室，冷却室各设置一路气管。

6、由上述本发明提供的技术方案可以看出，采用本发明，给加热室，缓冲室，冷却室增加1路气管，并在真空管路上增加蝶阀，通过控制压力，托盘和衬底在各个真空室件传输时，开闭门阀各个腔室之间不会有压差变化，传输到工艺室后可以直接做镀膜工艺，由于减少各个真空室之间的压差，在托盘和衬底传输过程中没有气体交换，工艺室不用重新稳压，减少节拍时间。

7、上述说明仅是本发明技术的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。

技术特征：

1.一种提高工艺节拍的方法，其特征在于，包括：步骤一，提供进片室，所述进片室后端连接加热室，所述加热室后端连接第一工艺室，所述第一工艺室后端连接缓冲室，所述缓冲室后端连接第二工艺室，所述第二工艺室后端连接冷却室，所述冷却室后端连接出片室；步骤二，通过对所述加热室，缓冲室，冷却室各设置气管，控制保持各真空腔室压力均衡；步骤三，将托盘和衬底在各真空腔室间传输，传输到对应工艺室后直接镀膜。

2.根据权利要求1所述的提高工艺节拍的方法，其特征在于，还包括在真空管路上设置蝶阀。

3.根据权利要求1所述的提高工艺节拍的方法，其特征在于，还包括安装气路柜，所述加热室，缓冲室，冷却室通过气路柜持续通气给真空腔室。

4.根据权利要求1所述的提高工艺节拍的方法，其特征在于，对所述加热室，缓冲室，冷却室各设置一路气管。

技术总结
本发明公开了一种提高工艺节拍的方法，其特征在于，包括：步骤一，提供进片室，所述进片室后端连接加热室，所述加热室后端连接第一工艺室，所述第一工艺室后端连接缓冲室，所述缓冲室后端连接第二工艺室，所述第二工艺室后端连接冷却室，所述冷却室后端连接出片室；步骤二，通过对所述加热室，缓冲室，冷却室各设置气管，控制保持各真空腔室压力均衡；步骤三，将托盘和衬底在各真空腔室间传输，传输到对应工艺室后直接镀膜。本发明的优点是：工艺室不用重新稳压，减少节拍时间。

技术研发人员：张迎春,见东伟
受保护的技术使用者：捷造科技（宁波）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/22