电子束蒸镀预熔Pt的方法与流程

本发明涉及led芯片领域，具体地说，尤其涉及一种电子束蒸镀预熔pt的方法。

背景技术：

1、led作为第四代照明由于其功耗低、体积小、可靠性高、寿命高等优点，被广泛应用在车灯、显示、背光乃至光通信等领域。随着led应用领域的不断发展，led芯片的可靠性和散热性需要达到更高的标准，其中电极蒸镀膜层的稳定性直接影响了led芯片的散热性和可靠性。

2、常见电极制备多采用cr/al/ti/ni/pt/au等金属，通过电子束蒸镀制作电极结构。其中pt层镀膜时使用的材料为pt颗粒，需先手动将pt在坩埚中进行熔药，熔药完成后使用pt坩埚进行蒸镀；坩埚内pt颗粒预熔的好坏直接影响后续镀膜过程的稳定性，现有技术中公开号cn110551977a的申请公开了一种蒸镀用硅预熔方法，其方法包括a)将坩埚表面进行打磨，打磨后用去离子水进行冲洗，冲洗后用无水乙醇清洗；b)将坩埚用氮气吹干；c)初熔操作；d)复熔操作；e)终熔操作。但其初熔pt颗粒仍然会在蒸镀过程中出现溅源，并且功耗很大。目前正缺少一种功耗更少，溅源异常率更低的电子束蒸镀预熔pt的方法。

技术实现思路

1、本发明的目的，在于提供一种电子束蒸镀预熔pt的方法，以解决现有技术中硅预熔方法功耗高，溅源异常率高的问题。

2、本发明是通过以下技术方案实现的：

3、一种电子束蒸镀预熔pt的方法，包括以下步骤：

4、s1、坩埚内加入pt颗粒，抽真空，打开电子束；

5、s2、设定电子束光斑点位为坩埚中心；设定预熔功率为10％，预熔时间1min；

6、s3、电子束光斑位置不变，预熔功率设定为20％，预熔时间1min；

7、s4：将电子束光斑位置设定在坩埚上方1/4处，保持预熔功率为20％，预熔时间为1min；

8、s5：将电子束光斑位置设定在坩埚右方1/4处，保持预熔功率为20％，预熔时间为1min；

9、s6：将电子束光斑位置设定在坩埚下方1/4处，保持预熔功率为20％，预熔时间为1min；

10、s7：将电子束光斑位置设定在坩埚左方1/4处，保持预熔功率为20％，预熔时间为1min；

11、s8：将电子束光斑位置设定调回至s3位置处，保持预熔功率为20％，预熔时间为30s，增加电子枪光斑扫描范围，光斑扫描面积设定为坩埚半径的20％-30％；

12、s9：关闭电子束，冷却后破真空。

13、进一步地，所述的步骤s1中加入的pt颗粒重量小于80g。

14、进一步地，所述的步骤s1中，抽真空时，保证机台腔体真空度抽至1.0e-6torr以下。

15、进一步地，所述的步骤s1中，将坩埚放入烘箱中烘烤。

16、进一步地，所述的步骤s4-s8的电子光束扫描都是由内向外进行扩展。

17、进一步地，所述的电子束光斑位置划分成不同半径的多个光斑范围，根据光斑范围的半径从大到小依次进行电子束扫描，且预熔功率随着光斑范围半径的减小而减小；缩小至最小范围后，再根据光斑范围的半径从小到大依次进行电子束扫描，且预熔功率随着光斑范围半径的增大而增大。

18、进一步地，所述的光斑范围的半径最大使预熔功率为25％，随着光斑范围的缩小，预熔功率随之线性减少至15％。

19、进一步地，所述的光斑范围从大到小的时间为25-35s，所述的光斑范围从小到大的时间为25-35s。

20、与现有技术相比，本发明的有益效果是：

21、本发明采用五点预熔的方式，将代替直接增大电子束扫描面积的传统方法，降低因人员操作方法的差异发生溅源异常的概率，提高pt层镀膜时的稳定性；根据在上述电子束选区熔化的预热扫描方法确定电子束光斑的中心，通过对光斑范围区域划分，以不同的预熔功率在不同区域进行快速扫描预热，最终获得均匀的温度场，提高成形质量。

技术特征：

1.一种电子束蒸镀预熔pt的方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的电子束蒸镀预熔pt的方法，其特征在于：所述的步骤s1中加入的pt颗粒重量小于80g。

3.根据权利要求1或2所述的电子束蒸镀预熔pt的方法，其特征在于：所述的步骤s1中，抽真空时，保证机台腔体真空度抽至1.0e-6torr以下。

4.根据权利要求1所述的电子束蒸镀预熔pt的方法，其特征在于：所述的步骤s1中，将坩埚放入烘箱中烘烤。

5.根据权利要求1所述的电子束蒸镀预熔pt的方法，其特征在于：所述的步骤s4-s8的电子光束扫描都是由内向外进行扩展。

6.根据权利要求5所述的电子束蒸镀预熔pt的方法，其特征在于：所述的电子束光斑位置划分成不同半径的多个光斑范围，根据光斑范围的半径从大到小依次进行电子束扫描，且预熔功率随着光斑范围半径的减小而减小；缩小至最小范围后，再根据光斑范围的半径从小到大依次进行电子束扫描，且预熔功率随着光斑范围半径的增大而增大。

7.根据权利要求6所述的电子束蒸镀预熔pt的方法，其特征在于：所述的光斑范围的半径最大使预熔功率为25％，随着光斑范围的缩小，预熔功率随之线性减少至15％。

8.根据权利要求6所述的电子束蒸镀预熔pt的方法，其特征在于：所述的光斑范围从大到小的时间为25-35s，所述的光斑范围从小到大的时间为25-35s。

技术总结
本发明公开了一种电子束蒸镀预熔Pt的方法，它属于LED芯片领域，其解决了现有技术中硅预熔方法功耗高，溅源异常率高的问题。它本发明采用五点预熔的方式，在围绕坩埚中心上下左右四个范围进行区域加热，Pt颗粒在均匀受热后的坩埚内，缓慢熔化，可以使Pt颗粒保持液相并有效填充坩埚壁上的微观孔洞，避免后续使用过程孔洞引起崩溅问题，提高Pt层镀膜时的稳定性。

技术研发人员：朱帅,章焱
受保护的技术使用者：湖南蓝芯微电子科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/6