本发明涉及太阳能电池，具体是一种防止爆膜的pecvd沉积非晶硅的方法。
背景技术：
1、在制备topcon电池的过程中，其中有一个步骤是在硅片的背面沉积非晶硅层，一般采用pecvd设备进行沉积。
2、pecvd采用等离子辉光放电制备非晶硅层，会产生以下缺陷：1、pecvd沉积非晶硅膜层时，大量h进入非晶硅膜层，在之后的晶化退火过程，h聚集以氢气形式在薄膜内部形成空腔，高温激发氢气快速逸出，导致薄膜破裂；2、在沉积过程中，部分位置发生相变，在薄膜内部及与氧化硅界面产生了集中应力，最终导致薄膜爆裂脱落。上述现象会导致该区域无非晶硅钝化或非晶硅钝化效果变差，影响电池的效率及良率。
技术实现思路
1、为解决背景技术中的技术问题，本发明公开了一种防止爆膜的pecvd沉积非晶硅的方法。
2、本发明提供一种防止爆膜的pecvd沉积非晶硅的方法，包括以下步骤：
3、s1、将n型硅片垂直插入石墨舟内，然后放入炉管；
4、s2、炉管内加热并保温；
5、s3、炉管内抽真空；
6、s4、在硅片背面沉积遂穿氧化层；
7、s5、在隧穿氧化层上沉积第一非晶硅层；
8、s6、在第一非晶硅层上沉积掺杂磷原子和碳原子的第二非晶硅层；
9、s7、炉管内充入氮气，直至炉管内的压力与大气压相等，然后从炉管内取出石墨舟，完成遂穿氧化层和原位掺杂碳原子磷原子的非晶硅薄膜的制备。
10、本发明通过在沉积非晶硅薄膜的同时掺杂入碳原子，薄膜中的氢原子与碳原子形成碳氢键，在退火时碳氢键不易断裂，从而避免了短时间有大量的氢气释放导致爆膜的发生；同时碳原子还降低了非晶硅薄膜的晶化率，从而减少非晶硅薄膜内应力的积累，可以有效的抑制爆膜。
11、第一非晶硅层对隧穿氧化层起到保护作用，避免退火晶化时，磷原子和碳原子进入隧穿氧化层，破坏遂穿氧化层的钝化效果。
12、加热温度过高，遂穿氧及非晶硅沉积速度较快，容易造成遂穿氧化层非晶硅层不致密，成膜质量较差，钝化效果较差；加热温度过低，反应速度过慢，会增加工艺时间，增加生成成本，基于此，进一步的设计是：s2中加热温度为410-430℃。
13、保温时间过长，增加工艺时间，增加生成成本，保温时间过短，石英管内温度分布不均匀性，容易出现不同温区之间温度差异较大，基于此，进一步的设计是：保温时间为3-4min。
14、如隧穿氧化层的过薄，影响钝化效果；过厚，无法实现载流子的遂穿，基于此，进一步的改进在于：隧穿氧化层的厚度为1-2nm。
15、退火晶化时，第二非晶硅层中的磷原子会扩散进入第一非晶硅层；如第一非晶硅层过厚，回形成部分盲区，此区域磷原子难以扩散进入；如第一非晶硅层过薄，磷原子会直接进入遂穿氧化层中，降低遂穿氧化层的钝化效果，基于此，进一步的改进在于：第一非晶硅层的厚度为10-20nm。
16、生成第一非晶硅层的具体条件为：沉积气体为sih4，流量为2000-4000sccm。
17、第二非晶硅层过厚，会增加非晶硅的寄生吸收，降低太阳能电池的电流密度，过薄，限制烧结过程中烧结工艺窗口，烧结过程中容易出现烧穿现象，基于此，进一步的改进在于：第二非晶硅层的厚度为120nm。
18、生成第二非晶硅层的具体条件为：沉积气体为sih4，流量为3000sccm；掺杂磷原子的沉积气体为ph3，流量为800sccm；掺杂碳原子的沉积气体为ch4，流量为2000-6000sccm。
1.一种防止爆膜的pecvd沉积非晶硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种防止爆膜的pecvd沉积非晶硅的方法，其特征在于：s2中加热温度为410-430℃。
3.根据权利要求2所述的一种防止爆膜的pecvd沉积非晶硅的方法，其特征在于：保温时间为3min。
4.根据权利要求1所述的一种防止爆膜的pecvd沉积非晶硅的方法，其特征在于：隧穿氧化层的厚度为1-2nm。
5.根据权利要求1所述的一种防止爆膜的pecvd沉积非晶硅的方法，其特征在于：第一非晶硅层的厚度为10-20nm。
6.根据权利要求5所述的一种防止爆膜的pecvd沉积非晶硅的方法，其特征在于：生成第一非晶硅层的沉积气体为sih4，流量为2000-4000sccm。
7.根据权利要求5所述的一种防止爆膜的pecvd沉积非晶硅的方法，其特征在于：第二非晶硅层的厚度为110-130nm。
8.根据权利要求7所述的一种防止爆膜的pecvd沉积非晶硅的方法，其特征在于：生成第二非晶硅层的沉积气体为sih4，流量为2000-4000sccm；掺杂磷原子的沉积气体为ph3，流量为600-1000sccm；掺杂碳原子沉积气体为ch4，流量为2000-6000sccm。